利用多次曝光印刷光刻图像的方法和系统的制作方法

专利名称：利用多次曝光印刷光刻图像的方法和系统的制作方法
技术领域：
本发明涉及集成电路的设计和制造，尤其涉及用于改善制造集 成电路的光刻工艺的系统和方法。
背景技术：
用于集成电路(IC)的电子设计过程包括描述IC或电子系统的行为属性、架构属性、功能属性、以及结构属性。设计团队通常从非常抽象的目标产品的行为模型开始，并以ic芯片上的各种结构、器件、以及互连的物理描述结束。半导体代工厂使用物理描述来产生制造IC所需的掩膜和测试程序。在设计、验证、以及制造电子设 计的整个过程中，EDA工具广泛地被设计者所使用。光刻是一种光学印刷和制造工艺，通过其可以将光掩模上的特 征成像和限定到涂覆在衬底上的感光层。光掩模可以用于在给定衬 底以及许多衬底上的许多位置上产生相同的原始图案(master pattern)。光刻和光掩模对于集成电路(IC)的有效制造以及IC产 业的发展是相当关键的。对于IC制造应用而言，光掩模特征对应于各种基本物理IC元 件，所述元件包括诸如晶体管以及互连线、接触和通孔的功能电路 元件以及不是功能电路元件但被用来促进、提高、或追踪各种制造 工艺的其它元件。通过在IC制造工艺中依次使用对应于给定IC的各种光掩模， 可以构成大量的具有各种形状和厚度且具有各种导电和绝缘特性的 材料层，以形成整个集成电路。光刻工艺通常跟在IC设计与光掩模制造之后°如图1所示，光/光学器件的各种组合在晶圆上具有特定的最大空间频率。在传统的IC制造工艺中，可以形成在晶圆上的任何特征 的最小尺寸受到处理系统的间距(pitch)的严格限制。间距为特征 的宽度加特征间的间隔之和。如图2所示，光刻工艺可以通过调整 阈值或剂量来形成窄线，但无法形成更小的间距。当现代的IC设计的复杂度随着时间而增加时，IC设计上的形 状的数量和密度也以相应的方式而增加。然而，由于明显受间距尺 寸限制的现有光刻处理工具的间距限制，而使制造更密集且特征尺 寸更小的IC芯片的目标遇到很大的困难。因此，对于集成电路设计者和制造商而言，非常希望能够得到 用于实施允许在集成电路上以更小的特征尺寸来制造特征的光刻工 艺的改进系统和方法。发明内容在一些实施例中，本发明的系统和方法把将被印刷的设计分为 两次或多次曝光，其中的每一次曝光至少具有最小间距。这些多次 曝光一起印刷出无法仅用一次曝光而印刷的设计。该方法允许在晶 圆上印刷较小的掩膜特征而无需新的制造设备，且对现有的制造工 艺仅有较小的改变。该方法也不需要对芯片的设计进行限制。以下在具体实施方式
、附图、以及权利要求书中对本发明的方 案、目的、以及优点的进一步细节进行说明。前述的一般说明与接 下来的详细说明都为示例性与说明性的，而不旨在限制本发明的范 围。


包括附图以便对本发明有进一步的理解，并且与具体实施方式
一起用于说明本发明的原理。图1-2示出用于光刻处理操作的光学效应； 图3示出根据本发明的一些实施例的用于制造集成电路的工艺 的流程图；图4示出印刷在光刻处理设备上的示例性的一组特征；图5示出根据本发明的一些实施例使用多次曝光来制造集成电路；图6A-D示出不同的多次曝光设置；图7A-B示出具有不同曝光次数的设置；图8示出根据本发明的一些实施例的用于制造集成电路的工艺 的详细流程图；图9示出处理布图中的突起；图IOA-C、 IIA-C、和12A-C示出具有不同数量的关键形状的 处理或设置；图13示出所产生的多边形； 图14和15示出间隙的处理；图16示出在关键形状附近具有非关键形状的情况； 图17示出与关键形状邻接或不与关键形状邻接的非关键形状的 设置；图18示出被过分限制的布图；图19A-B示出曝光之间的重叠区域；图20示出通过其可以实施本发明的示例性的计算架构。
具体实施方式
在一些实施例中，本发明的系统和方法把将被印刷的设计分为 两次或多次曝光，其中的每一次曝光至少具有最小间距。这些多次 曝光一起印刷出无法仅用一次曝光而印刷的设计。该方法允许在晶圆上印刷较小的掩膜特征而无需新的制造设备，且对现有的制造工 艺仅有较小的改变。该方法也不需要对芯片的设计进行限制。图3示出根据本发明的一些实施例的实施多次曝光印刷的工艺 的高级流程图。在302，识别例如由于处理设备的间距尺寸限制而 无法被充分印刷的特征。在304，该工艺确定对来自302的所识别特征进行印刷的多次 曝光设置。该操作识别在所识别的特征中哪个应该与其它特征分 开，以避免制造工艺的曝光部分期间的间距问题。在一些实施例 中，该工艺以自动的方式，例如以下相对于图5而被更加详细说明 的方法，来执行304的操作。在其它实施例中，304的操作可以通 过手动的方式(例如使用布图编辑器工具)或通过自动操作与手动 操作的组合来进行。在306产生将要在制造工艺期间所使用的数据。该操作例如包 括产生用于将在设计的多次曝光期间所使用的两个或多个光掩膜的 掩膜参数。在制造工艺期间，然后可以使用多次曝光来印刷所识别的特征 (308)。采用常规的对准技术来确保多次曝光之间的准确对准。考虑希望印刷图4所示的示例性的一组特征402a-c的情况。假 设用于制造具有特征402a-c的这种结构的IC产品的处理设备的最 小间距为如图4所示的位于该图底部的在虚线之间的间距404。可 以看到，特征402a-c之间的宽度/距离小于最小间距404，使得特征 402a-c的结构无法通过常规的技术来印刷。特别是，当特征402b被 设置得如此靠近特征402a和402c时，无法以常规的方式来印刷特 征402b。图5示出根据本发明的一些实施例的印刷402a-c的结构的方 法。初始操作是确定应该将哪个特征分成不同的曝光。如前所述， 特征402b在距离上太靠近特征402a和402c而无法以常规的方式来进行印刷。因此，在该例中，使用第一次不同的曝光来制造特征402a和402c。使用第二次不同的曝光来制造特征402b。第一次与第 二次曝光的组合将会导致制造出如图S底部所示的特征402a-c。即使对于相同的一组形状，也可以在本发明的范围内使用不同 的曝光设置。例如，考虑图.6A所示的一组特征600。特征600包括 第一形状602、第二形状604、以及第三形状606。假设形状604与 形状606之间的距离太小而无法使用常规的光刻设备来进行印刷。 进一步假设形状602足够宽以致于能够使用常规的处理设备对其进 行合理的印刷。在这种情况下，可以采用本发明的多次曝光方法而 将特征600印刷在常规的处理设备上。图6B示出为该组特征600设置多次曝光的第一示例性方法。在 该设置中，使用第一次曝光来印刷形状602和604，而使用第二次 曝光来印刷形状606。图6C示出为该组特征600设置多次曝光的第二示例性方法。在 该设置中，使用第一次曝光来印刷形状604，而使用第二次曝光来 印刷形状602和606。图6D示出为该组特征600设置多次曝光的第三示例性方法。 在该设置中，将形状602分成两个形状602a和602b。使用第一次 曝光来印刷形状602a和604，而使用第二次曝光来印刷形状602b 和606。虽然一些所公开的示例性实施例仅示出使用两次曝光，但是应 注意到可以在本发明的一些实施例的范围内使用两次以上的曝光。 曝光的次数由本发明所涉及的特定应用来控制。因此，本发明的范 围不限于任何特定的曝光次数，并且实际上可以包括任意曝光次 数。参照图7A，可以使用三次曝光来印刷该组形状，使用第一次曝 光来印刷左侧的形状，使用第二次曝光来印刷中间形状，并使用第三次曝光来印刷右侧形状。注意，如图7B所示，通过分割顶部形状 并使用第一次曝光来印刷一组形状而使用第二次曝光来印刷第二组 形状，也可以仅使用两次曝光来印刷该组特征。在一个实施例中， 根据四色定理，其中最多可以用四种颜色来对任何平面图进行着色 以便使相邻的区域具有不同的颜色，所以最多使用四次曝光来印刷 设计。曝光的次数能影响处理系统的效率。如果引入额外的曝光会很 明显地增加成本，则使用具有较少曝光的设置会比具有较多曝光的 设置更有效率。因此，图7B的方法在某些环境中会比图7A的方法 更有效率。与处理系统内的非线性光刻胶灵敏度(resist response)相结合 来使用本发明的一些实施例。这将避免如下问题两个正弦波之和 为另一具有相移的正弦波，导致一条较宽的线而不是两条小线。图8示出用于实施本发明的一些实施例的工艺的详细流程图。 下列参数值用于实施根据一些实施例的工艺MIN一CRIT一WIDTHMAX—CRIT—WIDTHMIN—CRIT_SPACEMAX_CRIT—SPACESPLIT_OVERLAPMIN—CRIT—WIDTH参数是指可使用给定的一组光刻处理设备 来印刷的最小宽度。具有小于MIN_CRIT—WIDTH的宽度的形状由 于太小而无法印刷。MAX—CRIT一WIDTH参数是指以其可使用一组 光刻处理设备通过常规的方式来印刷形状的宽度。具有大于 MAX—CRIT—WIDTH的宽度的形状不需要被交错(interleave)而进 行印刷。该工艺识别具有在MIN_CRIT—WIDTH与MAX_CRIT_WIDTH之间(包括MIN—CRIT一WIDTH和MAX_CRIT_WIDTH)的宽度的 多边形，并使用两次(或更多次)不同的曝光来将其交错。这些形 状被称为关键形状，且为无法使用常规的光刻设备来进行正常印刷 的形状。可以基于比该范围的形状宽的形状与关键形状的相邻性将它们 设置在分割层中的一个上。这些形状被称为非关键形状，且可以使 用现有的光刻设备来进行正常印刷。在设计中可能存在间隔的不同组合。MIN—CRIT_WIDTH参数 与 MIN_CRIT_SPACE 参数的组合值为最小间距。 MAX—CRIT_WIDTH参数与MAX—CRIT—SPACE参数的组合值为最 大间距。在一些实施例中，该工艺寻找关键形状与所有形状之间的 间隔〈-CRIT一SPACE。这些形状被指为相邻于关键形状。在图8的操作802，基于上述标准将布图上的多边形分成关键 部分和非关键部分。被识别为"关键"的形状是可能需要利用多次 曝光进行交错而得以印刷的形状。被识别为"非关键"的形状是可 能不需要多次曝光来进行印刷的形状。可以通过识别所有具有小于 MAX—CRIT—WIDTH但大于MIN—CRIT—WIDTH的宽度的形状来确 定关键形状。可以通过识别所有具有大于MAX_CRIT—WIDTH的宽 度的形状来确定非关键形状。在 一 些实施例中，进行操作以识别具有小于 MAX—CRIT—WIDTH的宽度但邻接非关键形状的形状。可以确定被 称为"突起"的额外形状是否足够小。如果是足够小，则认为突起 是线内的突出部分(jog)，并且可以将其看作是如图9所示的非关 键形状的一部分。在一个实施例中，可以将所识别的关键形状设置在第一组的一 个或多个临时层上，并且将非关键形状设置在设计的另一临时层 上。在804,该工艺分割(split)非关键形状。该操作是任选的，因 为将要被分割的形状可以保持为单一形状并在整体上与单次曝光相 关联。然而，分割形状的一个原因是为了减少用于工艺的曝光次 数，如图7A的三次曝光法(不分割形状)与图7B的两次曝光法 (分割形状)之间的差异所示。可以通过识别与一个以上的关键形状邻接或充分相邻的非关键 形状来执行操作804。然后，该工艺可以寻找理想的分割位置。这 在决定将关键形状设置在哪一分割层上而又不会违反对宽度、间隔 和相邻性的要求方面提供一些自由度。然后，该工艺将分割位置设置在形状的非关键部分中。可以鉴 于光刻的考虑来进行该操作。该操作可以通过检测非关键形状来执行，所述非关键形状具有 一个以上的与其邻接或充分相邻的关键形状。然后，确定与其邻接/ 相邻的关键形状的数量，并根据该数量以及非关键形状的宽度来对 这些形状进行分类。为了举例说明，考虑分别由图IOA、 10B和10C所示的形状组1001、 1003、 1005。图10A所述的组1001包括与三个关键形状1002、 1006和1008邻接的非关键形状1004。图10B所述的组1003 包括与四个关键形状1010、 1012、 1016和1018邻接的非关键形状 1014。图10C所述的组1005包括与六个关键形状1020、 1022、 1024、 1028、 1030和1032邻接的非关键形状1026。对于每一分类，使用单独的切割线或一组切割线来分割形状。 对分类的类型和非关键部分的测量用于确定由分割操作所产生的形 状的数量和结构。例如，对于图10C图中的具有六个与非关键形状1026邻接的关 键形状的分类，确定关键形状的边界框(bounding box) < 3*MIN—CRIT—WIDTH+(2*MIN—CRIT一SPACE)。这是通过将非关键形状1026沿平行于其边界框不与关键形状相邻的边缘的轴切掉 MAX—CRIT—WIDTH来完成。这使得将该形状1026分成三个部 分，处于外侧且宽度为MAX—CRIT一WIDTH的两个部分、以及"剩 余"的中间部分。此分割操作的结果显示在图11C中，其中形状 1026己被分成形状1026a、 1026b和1026c。以同样的方式，将图10A的非关键形状1004分成如图11A所 示的形状1004a与1004b。同样地，可以将图10B的非关键形状 1014分成如图IIB所示的形状1014a和1014b。在每一个小于MIN—CRIT—SPACE的形状之间产生间隙。产生 表示这些间隙之间的空间的层(被称为"分割")。例如，图IOC 中的非关键多边形1026现在具有三个关键部分，如图12C所示，并 且这些关键部分与关键形状相结合。图12C中的颜色较深的形状处 在一个分割层上，而颜色较浅的形状系处在不同的分割层上。分割 的位置具有〉maxj:rit—width的宽度，并且利用任何适当的标 准光刻工具来进行写入。颜色较深的形状和颜色较浅的形状邻接的 边缘被分开，从而在形状之间产生间隙。该间隙被称为"分割间 隙"。以同样的方式，分别为图IIA和11B中的形状1001和1003产 生间隙。颜色较深的形状处在一个分割层上，而颜色较浅的形状设 置在另一分割层上，并且如图12A和12B所示，在形状之间产生间 隙。回到图8，在关键形状之间以及在关键形状与非关键形状之间 产生多边形 (806 )。 使用 MIN—CRIT—SPACE 至 MAX—CRIT—SPACE的范围来产生多边形。这些多边形与彼此相邻 的两个形状的边缘邻接，而形成多边形。这些多边形在这里处被称 为"Crit一Region"，且如图13的点状部分所示。对设计中的形状进行掩膜分配(808)。该操作确定应该将每一个形状设置在哪一个掩膜上。可以使用任何适当的EDA工具来执行 该操作，例如包括可从美国加州San Jose的Cadence Design Systems 公司获得的Virtuoso Phase Designer (VPD)工具。VPD命令 geomColor用于传入关键形状和Crit—Region形状，并且返回分成两 个不同掩膜层的形状。 一种用于执行该操作的方法是确定任何与两 个且仅两个关键形状邻接的Crit—Region形状，其表示将关键形状交 错到不同层的环境。这些形状以关系"交错"来标示。第二 VPD命 令getColor用于将所交错的形状输出为两个分离的多边形层以供输 出。图14示出对图13中的形状实施该操作的示例性结果。以用户定义的重叠(SPLIT—OVERLAP)将间隙加回在正确的 分割层上。图15示出对图14中的形状实施该操作的示例性结果。对于非关键形状在设计中的设置进行确定。通常，可以将任何 非关键宽度形状设置成紧邻布图中的任何其它非关键宽度形状。在 一些情况下，应该将非关键形状设置在特定的掩膜上。例如，在一 些实施例中，如果非关键宽度形状在关键形状的Max_Crit_Space 内，则它们应具有与其它形状相关的交错特性。在图16中示出该 例。可以将接触关键形状的非关键形状设置在与邻接的关键形状匹 配的分割层上。可以将任何不与关键形状邻接的非关键形状设置在 第一关键层上。在图17中示出这些情况。可以通过在非关键形状与关键形状之间产生较大的空间来修改 被过分限制的布图，以便允许在形状的交错中具有更大的灵活性， 如图18所示。可以对结果执行校错以验证掩膜分配操作是否成功。以下是可 以执行的校错操作的实例-检查任何小于阈值的形状。-检查任何比阈值更接近的分割多边形形状并将这些形状作为错误来报告。-检查任何比阈值更接近的关键多边形形状并确保它们处在不同 的输出层上。-如果它们相隔较远，则将这些形状作为"浮动(floating)"关 键形状来报告。-增加对分割层接触的位置的检查。这些位置是用于非关键多边 形的所期望的分割位置，并且应该为分割的光刻质量对其进行再检 査。在某些情况下，将用于不同曝光的光掩膜构造成在不同曝光之 间产生重叠。使这发生的一个示例性情况是修正光刻工艺的光学效 应。为了举例说明，考虑图19A所示的形状1902和1904。假设使 用第一次曝光来印刷形状1902并且使用第二次曝光来印刷形状 1904。光刻工艺的光学效应可以造成形状的端部变圆，如图19A的 右侧所示。这将导致所印刷的一组形状与所期望的的布图形状不匹 配。例如，形状1902与形状1904接触的部分可以变得足够圆，以 致于造成两组形状之间的接触不充分，从而可能导致最终IC上的缺 陷。为了修正这种光学效应，可以使形状1902和1904朝彼此延 伸，从而在布图的一部分上形成重叠1906，其将通过与如图19B所 示的各组形状1902和1904相关联的掩膜来进行印刷。两次曝光都 将在重叠区域中进行印刷。这导致如图19B的右侧所示的示例性结 果，其中所印刷的形状之间的重叠与设计布图上的所期望的形状更 加紧密地匹配。系统架构综述图20为适用于实施本发明的实施例的示例性计算系统1400的方框图。计算机系统1400包括总线1406或其它用于传送信息的通 信机构，其使子系统和装置互连，例如处理器1407、系统存储器 1408 (例如RAM)、静态储存装置1409 (例如ROM)、盘驱动器 1410 (例如磁盘驱动器或光盘驱动器)、通信接口 1414 (例如调制 解调器或以太网卡)、显示器1411 (例如CRT或LCD)、输入装 置1412 (例如键盘)、以及光标控制器。根据本发明的一个实施例，计算机系统1400通过处理器1407 执^1由包含在系统存储器1408中的一个或多个指令组成的一个或多 个序列来执行特定的操作。可以将这种指令从诸如静态储存装置 1409或盘驱动器1410的另一计算机可读/可用介质读入到系统存储 器1408中。在可选实施例中，可以使用硬件电路(hard-wired circuitry)来代替软件指令或与软件指令相结合来使用硬件电路，以 便实施本发明。因此，本发明的实施例不限于硬件电路和/或软件的 任何特定结合。在一个实施例中，术语"逻辑"应该是指用于实施 本发明的全部或部分的软件或硬件的任何结合。如这里所使用的术语"计算机可读介质"或"计算机可用介 质"是指参与向处理器1407提供指令以便执行的任何介质。这种介 质可以采用许多形式，包括但不限于非易失性介质、易失性介质、 以及传输介质。非易失性介质例如包括光盘或磁盘，如盘驱动器 1410。易失性介质包括动态存储器，例如系统存储器1408。传输介 质包括同轴电缆、铜线、以及光纤，其包括包含总线1406的线缆。 传输介质还可以采用声波或光波的形式，例如在无线电波和红外数 据通信期间所产生的声波或光波。计算机可读介质的一般形式例如包括软盘、软磁盘(flexible disk)、硬盘、磁带、任何其它磁性介质、CD-ROM、任何其它光学 介质、穿孔卡、纸带、任何其它具有孔的图案的物理介质、RAM、 PROM、 EPROM、 FLASH-EPROM、任何其它存储芯片或盒(cartridge)、载波、或任何其它计算机从其中可以读取的介质。在本发明的实施例中，由单一计算机系统1400来执行实施本发 明的指令序列。根据本发明的其它实施例，通过通信链路1415 (例 如LAN、 PTSN、或无线网络)耦合的两个或多个计算机系统1400 可以彼此协调地执行实施本发明所需的指令序列。计算机系统1400可以通过通信链路1415和通信接口 1414传送 和接收消息、数据、以及指令(包括程序，即应用代码)。当接收 到程序代码时，所接收到的程序代码可以通过处理器1407来执行， 和/或将其存储在盘驱动器1410或其它非易失性存储装置中，以便 稍后执行。在前述说明中，己参考本发明的具体实施例对本发明进行了说 明。然而，显然在不背离本发明的较宽的实质精神和范围的情况 下，可以进行各种修改和变化。例如，参考了特定的工艺操作的顺 序对上述工艺流程进行了说明。然而，可以在不影响本发明的范围 和操作的情况下可以改变许多所述工艺操作的顺序。因此，本说明 书和附图为示例性的而非限制性的。
权利要求
1、一种使用光刻制造设备来印刷用于IC产品的图像的方法，该方法包括识别一个或多个关键特征，所述一个或多个关键特征对应于所述IC产品上的由于间距尺寸问题而无法在所述光刻制造设备的单次曝光中被印刷的一个或多个特征；识别一个或多个非关键特征，所述一个或多个非关键特征对应于所述IC产品上的可以在所述光刻制造设备的单次曝光中被印刷的一个或多个特征；如果需要则分割所述一个或多个非关键特征中的任何一个；以及产生用于使用第一次曝光来制造所述一个或多个关键特征中的第一组以及使用第二次曝光来制造所述一个或多个关键特征中的第二组的数据。
2、 如权利要求l所述的方法，其中，所述产生数据的操作包括 产生掩膜分配信息，其中所述第一组对应于第一掩膜而所述第二组 对应于第二掩膜。
3、 如权利要求1所述的方法，其中，所述识别一个或多个关键 特征的操作包括识别最小宽度(MIN一CRIT一WIDTH)大于或等于可 印刷的尺寸且最大宽度(MAX—CRIT一WIDTH)小于可使用单次曝 光印刷的尺寸的形状。
4、 如权利要求1所述的方法，其中，所述分割非关键特征的操 作识别邻接或相邻于关键特征的非关键特征。
5、 如权利要求4所述的方法，其中，逻辑切割线与根据邻接或 相邻于所述非关键特征的关键特征的数量和设置而被分割的所述非 关键特征相关联。
6、 如权利要求1所述的方法，还包括 在两个形状之间设置间隙；以及 在所述间隙中产生多边形。
7、 如权利要求1所述的方法，其中，所述一个或多个非关键特 征与所述第一组或所述第二组相关联。
8、 如权利要求7所述的方法，其中，非关键特征与非关键特征 之间的距离确定哪一组与所述非关键特征相关联。
9、 如权利要求1所述的方法，其中，在非关键特征与关键特征 之间产生较大的空间，以处理被过分限制的布图。
10、 如权利要求l所述的方法，还包括校错。
11、 如权利要求1所述的方法，其中，修改所述一个或多个关 键或非关键特征，以处理所述光刻制造设备的光刻效应的预期物理 特性。
12、 如权利要求11所述的方法，其中，对于所述第一次曝光的 印刷的一部分与对于所述第二次曝光的印刷的一部分重叠。
13. 一种使用光刻制造设备来印刷用于IC产品的图像的方法， 该IC产品具有比可在单次曝光中印刷的间距还小的间距。
14. 如权利要求13所述的方法，还包括将布图分成两次或多次 曝光，每次曝光具有任意细的线但大于必要的间距。
15. 如权利要求13所述的方法，还包括从一个或多个第二特征中识别所述IC产品上的应该经受单独曝 光的一个或多个第一特征；使用第一次曝光印刷所述一个或多个第一特征；以及 使用第二次曝光印刷所述一个或多个第二特征。
16. 如权利要求15所述的方法，其中，产生对应于所述一个或 多个第一特征的用于第一掩膜的第一数据，并且产生对应于所述一 个或多个第二特征的第二数据。
17. 如权利要求15所述的方法，其中，分割特征以将该特征的 一部分设置在所述第一次曝光上而将该特征的另一部分设置到所述 第二次曝光。
18. 如权利要求13所述的方法，其中，通过电子设计自动工具 来自动实施该方法。
19. 一种使用光刻制造设备来印刷用于IC产品的图像的方法， 该方法包括识别一个或多个特征，所述一个或多个特征对应于通过所述光 刻制造设备的多次曝光而被制造的几何形状；以及产生用于使用所述多次曝光来制造所述一个或多个特征的数据。
20、如权利要求19所述的方法，其中，所述产生数据的操作包 括产生掩膜分配信息。
21、如权利要求19所述的方法，还包括识别一个或多个关键特征，所述一个或多个关键特征对应于由 于间距尺寸问题而无法在所述光刻制造设备的单次曝光中被印刷的特征；识别一个或多个非关键特征；以及 分割所述一个或多个非关键特征中的任何一个。
22、如权利要求21所述的方法，其中，所述识别一个或多个关 键特征的操作包括识别最小宽度(MIN—CRIT—WIDTH)大于或等于 可印刷的尺寸且最大宽度(MAX—CRIT—WIDTH)小于可使用单次 曝光印刷的尺寸的形状。
23、如权利要求21所述的方法，其中，所述分割非关键特征的 操作识别邻接或相邻于关键特征的非关键特征。
24、如权利要求19所述的方法，还包括: 在两个形状之间设置间隙；以及 在所述间隙中产生多边形。
25、如权利要求19所述的方法，其中，修改所述一个或多个特 征，以处理所述光刻制造设备的光刻效应的预期物理特性。
26、 如权利要求25所述的方法，其中，对于第一次曝光的印刷 的一部分与对手第二次曝光的印刷的一部分重叠。
27、 如权利要求19所述的方法，还包括将布图分成两次或多次 曝光，每次曝光具有任意细的线但大于必要的间距。
28、 如权利要求19所述的方法，还包括从一个或多个第二特征中识别所述IC产品上的应该经受单独曝 光的一个或多个第一特征；使用第一次曝光印刷所述一个或多个第一特征；以及 使用第二次曝光印刷所述一个或多个第二特征。
29、 如权利要求28所述的方法，其中，产生对应于所述一个或 多个第一特征的用于第一掩膜的第一数据，并且产生对应于所述一 个或多个第二特征的第二数据。
30、 如权利要求28所述的方法，其中，分割特征以将该特征的 一部分设置在所述第一次曝光上而将该特征的另一部分设置到所述 第二次曝光。
31、 如权利要求19所述的方法，其中，通过电子设计自动工具 来自动实施该方法。
32、 如权利要求19所述的方法，其中，基于所述方法来制造 IC产品。
33、 一种包括用于执行权利要求1至32所述的方法中的任何一种的装置的系统。
34、 一种包括计算机可用介质的计算机程序产品，该计算机可 用介质具有用于执行权利要求1至32所述的方法中的任何一种的可 执行代码。
全文摘要
公开了一种用于把将被印刷的设计分为两次或多次曝光的系统和方法，其中每一次所述曝光至少具有最小间距。这些多次曝光一起印刷出无法仅用一次曝光而印刷的设计。
文档编号G06F17/50GK101223527SQ200680025643
公开日2008年7月16日 申请日期2006年5月13日 优先权日2005年5月13日
发明者J·赫卡贝 申请人:凯迪斯设计系统公司