专利名称：：具混合式存储器插槽的主板的制作方法
技术领域：
：本发明涉及一种计算机主板，特别涉及一种可弹性支持双倍资料速率2(DoubleDataRate2，简称DDR2)存储器及双倍资料速率3(简称DDR3)存储器的主板。
背景技术：
：现在一般的计算机主板上，除了有中央处理器，控制芯片组及可供安装外接卡的插槽外，还有若干用于安装存储器的插槽。用户可以根据需要，安装不同数量的存储器。随着存储器制造技术的快速发展，DDR3存储器由于功耗及速度方面更强的性能将成为未来存储器的主流。然而，从目前普遍使用的DDR2存储器转换至DDR3存储器仍需要一定的过渡期。
发明内容鉴于以上内容，有必要提供一种具混合式存储器插槽的主板，以弹性支持DDR2存储器及DDR3存储器。一种具混合式存储器插槽的主板，包括一北桥芯片、至少两个第一存储器插槽和至少两个第二存储器插槽，所述北桥芯片通过一通道依次连接所述两个第一存储器插槽和两个第二存储器插槽及一电压调节电路，所述第一存储器插槽用于插接第一类型存储器，第二存储器插槽用于插接第二类型存储器，所述电压调节电路根据存储器插槽上所插接的不同类型存储器为存储器提供工作电压。所述具混合式存储器插槽的主板上的存储器插槽采用单一通道混合式排列，使得在保持信号完整性的前提下同时支持不同类型的存储器。下面结合附图及较佳实施方式对本发明作进一步详细描述图l是本发明具混合式存储器插槽的主板的第一较佳实施方式的示意图。图2是本发明具混合式存储器插槽的主板的第二较佳实施方式的示意图。图3是本发明具混合式存储器插槽的主板的电压调节电路的示意图。具体实施例方式请参照图l，本发明具混合式存储器插槽的主板的第一较佳实施方式包括一北桥芯片50、两DDR2插槽10和20、两DDR3插槽30和40及一电压调节电路200。所述DDR2插槽10和20用于插接DDR2存储器。所述DDR3插槽30和40用于插接DDR3存储器。所述北桥芯片50通过一通道A依次连接所述DDR2插槽10和20、DDR3插槽30和40及电压调节电路200。所述电压调节电路200为所述DDR2插槽10、20及DDR3插槽30、40提供工作电压。请参照图2，本发明具混合式存储器插槽的主板的第二较佳实施方式包括一北桥芯片IOO、两DDR3插槽60和70、两DDR2插槽80和90及一电压调节电路200。所述DDR3插槽60和70用于插接DDR3存储器。所述DDR2插槽80和90用于插接DDR2存储器。所述北桥芯片100通过一通道B依次连接所述DDR3插槽60和70、DDR2插槽80和90及电压调节电路200。所述电压调节电路200为所述DDR3插槽60、70及DDR2插槽80、90提供工作电压。DDR2存储器插槽和DDR3存储器插槽有多种不同的排列方式，根据实验测得的存储器插槽各种排列方式下信号完整性情况如下表所示<table>tableseeoriginaldocumentpage5</column></row><table>表中箭头的方向代表北桥芯片经由一通道顺次连接到DDR2存储器或DDR3存储器的实际排列次序。由上表可知，采用本发明第一较佳实施方式和第二较佳实施方式的信号上升时间分别为0.667ns和0.597ns，且在信号传输过程中也没有产生非单调现象，符合设计规范要求，因此为最佳的插槽排列方式。而其他几种插槽排列方式或者在信号传输过程中产生了非单调现象，或者信号上升时间较长产生了信号传输的延时，因此无法符合设计规范要求。本发明第一较佳实施方式和第二较佳实施方式以最常见的单一通道连接四个插槽举例说明，所述具混合式存储器插槽的主板插槽排列方式也可推广至单一通道连接四个以上的插槽。在传统的仅支持DDR2存储器的主板上，在DDR2存储器插槽的末端都串接有一终端电阻。由于DDR3存储器模组中定址信号的末端本身就自带该终端电阻，因此当DDR2存储器和DDR3存储器混插的时候两终端电阻会形成并联关系，使得总电阻值降低而影响信号幅值。因此在本发明较佳实施方式中省去了DDR2存储器插槽末端串接的终端电阻，但DDR2存储器的定址信号仍然符合设计要求。请参考图3，所述电压调节电路200包括一控制器12、一滤波器14、一线性稳压器16及一反馈偏压电路18。所述反馈偏压电路18包括两个场效应晶体管Ql和Q2及五个电阻RrR5。所述场效应晶体管Q1和Q2均为NM0S场效应晶体管，所述场效应晶体管Q1及Q2的栅极分别与所述DDR2插槽及DDR3插槽的一接地引脚连接，所述场效应晶体管Q1的栅极还通过所述电阻R1与一5V电源连接，所述场效应晶体管Q1的源极接地，所述场效应晶体管Q1的漏极与所述场效应晶体管Q2的栅极连接并通过所述电阻R2与所述5V电源连接，所述场效应晶体管Q2的源极接地，所述场效应晶体管Q2的漏极通过所述电阻R3与所述控制器12的一反馈引脚连接，所述反馈引脚通过所述电阻R4接地并与所述电阻R5的一端相连。所述控制器12的输出端与所述滤波器14的输入端连接以传输一电压信号，所述滤波器14的输出端输出一滤波后的电压VDD，所述滤波器14的输出端与所述反馈偏压电路18的电阻R5的另一端连接以构成反馈回路，所述滤波器14还将电压VDD传送给所述线性稳压器16，并经所述线性稳压器16转换为电压VTT分别提供给所述DDR2插槽及DDR3插槽。所述滤波器14的输出端还直接与所述DDR2插槽及DDR3插槽连接向所述DDR2插槽及DDR3插槽输出电压VDD。在本较佳实施方式中，所述控制器12反馈引脚端的反馈电压Vfb设定为0.78V，所述电阻R1R5的阻值分别为4.7千欧姆、4.7千欧姆、2.4千欧姆、1.2千欧姆及1.l千欧姆。当在所述DDR2存储器插槽上安装DDR2存储器，所述DDR3存储器插槽空接，计算机系统开机时，所述场效应晶体管Q1的栅极接收所述DDR2存储器插槽接地引脚产生的一低电平信号，因此所述场效应晶体管Q1截止而场效应晶体管Q2导通，因为反馈偏压电路18必须将所述控制器12反馈引脚端的反馈电压Vfb调整至控制器12反馈引脚的设定值0.78V，根据反馈电压Vfb与滤波器14的输出电压VDD的分压公式VDD4fl^(R5+RX)/RX，其中1=R3*R4/(R3+R4)，计算得所述输出电压VDD为1.8V，故控制器12将调整输出电压，使滤波器14的输出电压VDD为1.8V，所述输出电压VDD直接提供给所述反馈偏压电路18及安装在DDR2存储器插槽上的DDR2存储器，所述输出电压VDD还通过线性稳压器16转换成一VTT电压(0.9V)提供给DDR2存储器当在所述DDR3存储器插槽上安装DDR3存储器，所述DDR2存储器插槽空接，计算机系统开机时，所述场效应晶体管Q2的栅极接收所述DDR3存储器插槽接地引脚产生的一低电平信号，因此所述场效应晶体管Q2截止，所述电阻R3接入反馈电路，因为所述反馈偏压电路18必须将所述控制器12反馈引脚端的反馈电压Vfb调整至设定值0.78V，根据反馈电压Vfb与滤波器14的输出电压VDD的分压公式VDD4fl^(R5+R4)/R4，计算得输出电压VDD为l.5V，故控制器12将调整输出电压，使滤波器14的输出电压VDD为1.5V，所述输出电压VDD直接提供给所述反馈偏压电路18及安装在DDR3存储器插槽上的DDR3存储器，所述输出电压VDD又通过线性稳压器16转换成一VTT电压(0.75V)提供给DDR3存储器。同一时间在所述主机板上只能选择安装一种类型的存储器。在所述具混合式插槽架构的主板上可选择安装不同类型的存储器，所述支持混合式存储器的主机板可自动侦测安装在所述主机板上的存储器类型，并通过电压调节电路提供适合的电压，使同一主机板可弹性支持不同类型的存储器，满足不同用户的需求。在存储器换代时，尤其在DDR2存储器转换至DDR3存储器的过渡期内，提供使用者更大的应用弹性。权利要求权利要求1一种具混合式存储器插槽的主板，包括一北桥芯片、至少两个第一存储器插槽和至少两个第二存储器插槽，所述北桥芯片通过一通道依次连接所述两个第一存储器插槽和两个第二存储器插槽及一电压调节电路，所述第一存储器插槽用于插接第一类型存储器，第二存储器插槽用于插接第二类型存储器，所述电压调节电路根据存储器插槽上所插接的不同类型存储器为存储器提供工作电压。2.如权利要求l所述的具混合式存储器插槽的主板，其特征在于所述第一类型存储器为DDR2存储器，所述第二类型存储器为DDR3存储器。3.如权利要求2所述的具混合式存储器插槽的主板，其特征在于所述插接DDR2存储器的两个存储器插槽临近北桥芯片排列。4.如权利要求2所述的具混合式存储器插槽的主板，其特征在于所述插接DDR3存储器的两个存储器插槽临近北桥芯片排列。5.如权利要求2所述的具混合式存储器插槽的主板，其特征在于所述电压调节电路包括一控制器，一反馈偏压电路及一滤波器，所述滤波器的输入端与所述控制器连接，所述控制器包括一反馈引脚，所述反馈偏压电路包括一第一场效应晶体管及一第二场效应晶体管，所述第一及第二场效应晶体管的栅极分别与所述DDR2存储器插槽及DDR3存储器插槽的一接地引脚连接，所述第一场效应晶体管的栅极还通过一第一电阻与一电源连接，所述第一场效应晶体管的源极接地，所述第一场效应晶体管的漏极与所述第二场效应晶体管的栅极连接并通过一第二电阻与所述电源连接，所述第二场效应晶体管的源极接地，所述第二场效应晶体管的漏极通过一第三电阻与所述控制器的反馈引脚连接，所述第二场效应晶体管的漏极还通过一第四电阻接地并通过一第五电阻分别与所述滤波器的输出端及所述DDR2及DDR3存储器插槽相连。6.如权利要求5所述的具混合式存储器插槽的主板，其特征在于所述电压调节电路还包括一线性稳压器，所述滤波器的输出端还通过所述线性稳压器分别与所述DDR2及DDR3存储器插槽连接。7如权利要求5所述的具混合式存储器插槽的主板，其特征在于所述第一场及第二场效应晶体管均为NMOS场效应晶体管。8如权利要求5所述的具混合式存储器插槽的主板，其特征在于所述第一至第五电阻的阻值分别为4.7千欧姆、4.7千欧姆、2.4千欧姆、1.2千欧姆及1.1千欧姆，且所述控制器的反馈引脚的电压为0.78V。全文摘要一种具混合式存储器插槽的主板，包括一北桥芯片、至少两个第一存储器插槽和至少两个第二存储器插槽，所述北桥芯片通过一通道依次连接所述两个第一存储器插槽和两个第二存储器插槽及一电压调节电路，所述第一存储器插槽用于插接第一类型存储器，第二存储器插槽用于插接第二类型存储器，所述电压调节电路根据存储器插槽上所插接的不同类型存储器为存储器提供工作电压。所述具混合式存储器插槽的主板上的存储器插槽采用单一通道混合式排列，使得在保持信号完整性的前提下同时支持不同类型的存储器。文档编号G06F1/26GK101414290SQ20071020215公开日2009年4月22日申请日期2007年10月19日优先权日2007年10月19日发明者何敦逸,李政宪,许寿国申请人:鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司