技术总结
本发明涉及非挥发性储存装置与控制器。对于单层闪存存储器与多层闪存存储器，在异常状态结束后可根据其稳定性采取不同的操作。具体来说，对于多层闪存存储器在异常状态结束后，对于先前的实体区块，可以整个不再继续写入，而采用新的实体区块继续进行操作。相对的，对于单层闪存存储器，在异常状态结束后，控制器需要对于先前实体区块的最后实体页进行对应的处理。
技术研发人员：柯冠宇
受保护的技术使用者：慧荣科技股份有限公司
文档号码：201510204826
技术研发日：2015.04.27
技术公布日：2016.11.23