一种寿命均衡的NandFlash存储器读写方法与流程

文档序号:11294939阅读:来源:国知局
技术总结
本发明涉及一种大容量存储控制技术,具体地说是涉及一种寿命均衡的NandFlash存储器读写方法。该方法进行读写时,可识别坏块、躲避坏块、均衡写入,保证所有的块的写入次数一致,以保证整个存储器的寿命均衡的NandFlash存储器读写。由于采用上述技术方案,本发明的方法具有计算量小、需要内存小的特点,适合适用于同一时间单一文件操作的应用场合,对系统硬件、软件需求低,能为这种低成本、低功耗的嵌入式系统的操作提供完整的文件系统方案。

技术研发人员:杨永友;陈文轩;底青云;张文秀;孙云涛;郑健
受保护的技术使用者:中国科学院地质与地球物理研究所
文档号码:201610838881
技术研发日:2016.09.21
技术公布日:2017.03.22

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