触控显示面板及其制作方法与流程

本申请涉及显示领域，特别涉及一种触控显示面板及其制作方法。

背景技术：

随着信息时代的发展及生活节奏的加快，触控技术由于其人性化的设计及简单快捷的输入等特点，已逐渐取代传统的鼠标和键盘，广泛地应用到各种电子产品中，其中，电容式触摸屏由于具有反应速度快，灵敏度高，可靠性佳等优点而被广泛使用。

根据触控感测层在显示面板中的设置方式不同，触控显示面板分为外挂式(addonmode)、内嵌式(in-cell)和外嵌式(on-cell)等结构。考虑到工艺以及良品率等因素，目前仅能实现将采用on-cell技术的显示装置的量产。

由于触控显示面板中有机发光器件对温度和水汽比较敏感。在触控显示面板的上玻璃基板上制备触控层时容易受到环境和温度等因素的制约，这对触控层的材料和制备工艺提出了较高的要求。

因此，目前亟需一种显示装置及制作方法以解决上述问题。

技术实现要素：

本申请提供了一种触控显示面板及制作方法，以解决现有触控显示面板中有机发光器件对触控层的制备产生干扰的技术问题。

为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：

根据本申请的一个方面，提供了一种触控显示面板，包括：

衬底；

触控层，设置在所述衬底上，所述触控层包括触控图案层、第一绝缘层和桥接层；

保护层，设置在所述触控层上，所述保护层覆盖所述桥接层；

阵列基板，设置在所述保护层之上，所述阵列基板包括阵列分布的薄膜晶体管；

有机发光器件，设置在所述保护层之上，所述有机发光器件包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间的发光层。

在本申请的触控显示面板中，所述触控显示面板包括发光区域以及位于相邻所述发光区域之间的非发光区域；

其中，所述有机发光器件设置在所述发光区域，所述薄膜晶体管设置在所述非发光区域。

在本申请的触控显示面板中，所述薄膜晶体管包括；

有源层，设置在所述保护层上，所述有源层包括中间的沟道区以及位于所述沟道区两端的源极掺杂区和漏极掺杂区；

第二绝缘层，设置在所述有源层上；

第一金属层，设置在第二绝缘层上，所述第一金属层与所述沟道区相对设置；

第三绝缘层，设置在所述第一金属层和所述阳极上，并覆盖所述第一金属层和所述阳极；

第二金属层，设置在所述第三绝缘层上，所述第二金属层包括源极金属和漏极金属，所述源极金属与所述源极掺杂区电连接，所述漏极金属与所述漏极掺杂区电连接。

在本申请的触控显示面板中，所述触控显示面板还包括：

所述阳极，设置在所述第二绝缘层上，并与所述第一金属层分离；

第一电极层，设置在所述阳极上，所述第一电极层与所述阳极相对设置，所述第一电极层内设置有用以容纳发光层的第一过孔，所述第一电极层与所述漏极金属电连接；

像素定义层，设置在所述第二金属层上，所述像素定义层覆盖所述第二金属层和所述第三绝缘层层，所述像素定义层包括间隔分布的像素定义体；

所述发光层，设置在相邻所述像素定义体之间，并通过所述第一过孔与所述阳极电连接；

所述阴极，设置在所述像素定义层和所述发光层上。

在本申请的触控显示面板中，所述阳极为透明阳极。

在本申请的触控显示面板中，所述触控图案层包括网格状的驱动电极和感应电极，所述驱动电极和所述感应电极均为网格状结构；

所述驱动电极和所述感应电极中的其中一者通过所述桥接层跨接。

在本申请的触控显示面板中，所述发光层在所述触控图案层上的正投影图案位于所述触控图案层的网格内。

在本申请的触控显示面板中，所述触控显示面板还包括第一封装层和第二封装层；

所述第一封装层设置在所述保护层和所述阵列基板之间；

所述第二封装层设置在所述阴极上。

根据本申请的另一个方面，还提供了一种触控显示面板的制作方法，所述触控显示面板的制作方法包括以下步骤：

s10、提供基底，在所述基底上形成衬底，并在所述衬底上形成触控层，所述触控层包括触控图案层、第一绝缘层和桥接层；

s20、在所述触控层上形成保护层；

s30、在所述保护层上形成阵列基板和有机发光器件，所述阵列基板包括阵列分布的薄膜晶体管，所述有机发光器件包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间的发光层；

s40、剥离所述基底。

在本申请的触控显示面板的制作方法中，所述触控图案层包括网格状的驱动电极和感应电极，所述驱动电极和所述感应电极均为网格状结构；

其中，所述发光层在所述触控图案层上的正投影图案位于所述触控图案层的网格内。

有益效果：本申请将触控层设置在衬底和有机发光器件之间，通过先制备触控层，再制备有机发光器件，使得触控层的工艺不会受到有机发光器件的影响，进而提升了产品良率。

附图说明

为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请第一实施例提供的触控显示面板的剖面图；

图2为本申请第二实施例提供的触控层和衬底的剖面图；

图3为本申请第三实施例提供的触控层的电极俯视图；

图4为本申请第三施例提供的触控层的电极图案与发光层的位置示意图；

图5为本申请第四施例提供的触控显示面板的制作方法的流程示意图。

具体实施方式

以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本申请，而非用以限制本申请。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。

本申请提供了一种触控显示面板及制作方法，以解决现有触控显示面板中有机发光器件对触控层的制备产生干扰的技术问题。

请参阅图1，图1为本申请第一实施例提供的触控显示面板100的剖面图。

根据本申请的一个方面，提供了一种触控显示面板100，包括衬底11、触控层12、保护层13、阵列基板和有机发光器件15。

所述衬底11的制备材料包括聚酰亚胺和有机树脂中的其中一者。

请参阅图2，图2为本申请第二实施例提供的触控层12和衬底11的剖面图。

请参阅图3，图3为本申请第三实施例提供的触控层12的电极俯视图。

所述触控层12设置在所述衬底11上，所述触控层12包括触控层121、第一绝缘层123和桥接层122。

在一种实施例中，所述触控层121包括感应电极和驱动电极，所述感应电极和所述驱动均为网格状结构；

其中，所述驱动电极和所述感应电极中的其中一者通过所述桥接层122跨接。

所述驱动电极和所述感应电极均采用导电金属制备。

所述第一绝缘层123的制备材料即可以为有机树脂，也可以为氮化硅和氧化硅。

所述桥接层122包括跨接金属。

所述第一绝缘层123内设置有用以将驱动电极或感应电极与所述桥接层122电连接的过孔。

这是由于当感应电极和驱动电极设置在同一金属层时，感应电极与驱动电极相互绝缘设计，但是当两者需要发生“跨越”时，需要借助桥接层122实现。

在一种实施例中，所述驱动电极和所述感应电极均为菱形网格状结构。

所述保护层13设置在所述触控层121和所述桥接层122上，所述保护层13的制备材料包括有机树脂；同时，所述保护层13能够起到平坦化所述桥接层122的作用。

在一种实施例中，所述触控层121和所述桥接层122的上下关系不做具体限制，具体可根据实际情况进行限定。

制备上述结构的触控层12，所需的工艺均没有低温的限制，因此可采用高温制备，能够提升工艺的信赖性。

所述阵列基板设置在所述保护层13上，所述阵列基板包括阵列分布的薄膜晶体管14。

所述有机发光器件15，设置在所述保护层13之上，所述有机发光器件15包括阳极151、阴极153以及设置在所述阳极151和所述阴极153之间的发光层152。

在一种实施例中，所述有机发光器件15还包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层。

所述空穴注入层和空穴传输层设置在所述阳极151和所述发光层152之间，所述电子传输层和所述电子注入层设置在所述阳极151和所述发光层152之间。

在一种实施例中，所述触控显示面板100包括发光区域以及位于相邻发光区域之间的非发光区域；

其中，所述有机发光器件15设置在所述发光区域，所述薄膜晶体管14设置在所述非发光区域。

在一种实施例中，薄膜晶体管14包括：

有源层141，设置在所述保护层13上，所述有源层141包括中间的沟道区以及位于所述沟道区两端的源极掺杂区和漏极掺杂区；

第二绝缘层142，设置在所述有源层141上；

第一金属层143，设置在第二绝缘层142上，所述第一金属层143与所述沟道区相对设置；

第三绝缘层，设置在所述第一金属层143和所述阳极151上，并覆盖所述第一金属层143和所述阳极151；

第二金属层，设置在所述第三绝缘层上，所述第二金属层包括源极金属146和漏极金属145，所述源极金属146与所述源极掺杂区电连接，所述漏极金属145与所述漏极掺杂区电连接。

其中，所述触控显示面板100还包括第二过孔和第三过孔，所述第二过孔和所述第三过孔均设置在第二绝缘层142和所述第三绝缘层内，所述漏极金属145通过所述第二过孔与所述漏极掺杂区电连接，所述源极金属146通过所述第三过孔与所述源极掺杂区电连接。

在一种实施例中，所述第一金属层143包括栅极金属。

在一种实施例中，所述触控显示面板100还包括设置在所述有源层141与所述保护层13之间的阻隔层18和第一缓冲层19；

其中，所述组隔层设置在所述保护层13之上，所述阻隔层18的制备材料包括氮化硅。

所述第一缓冲层19设置在所述阻隔层18上，所述第一缓冲层19的制备材料包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅的其中一者。

在一种实施例中，所述触控显示面板100还包括：

所述阳极151，设置在所述第二绝缘层142上，并与所述第一金属层143分离；

第一电极层22，设置在所述阳极151上，所述第一电极层22与所述阳极151相对设置，所述第一电极层22内设置有用以容纳发光层152的第一过孔，所述第一电极层22与所述漏极金属145电连接；

像素定义层16，设置在所述第二金属层上，所述像素定义层16覆盖所述第二金属层和所述第三绝缘层，所述像素定义层16包括间隔分布的像素定义体；

所述发光层152，设置在相邻所述像素定义体之间，并通过所述第一过孔与所述阳极151电连接；

所述阴极153，设置在所述像素定义层16和所述发光层152上。

其中，所述触控显示面板100还包括第四过孔，所述第四过孔贯设置在所述第三第一缓冲层19内，所述第一电极层22通过第四过孔与所述源极金属146电连接。

在一种实施例中，所述薄膜晶体管14设置在所述像素定义层16的覆盖范围内。

在一种实施例中，所述阳极151为透明阳极，所述阳极151的制备材料包括氧化铟锌，所述氧化铟锌为透明金属材料。

在一种实施例中，所述发光层152发出的光线穿透阳极151射出，采用氧化铟锌制备的阳极151相较于阴极153具有更高的透过率，有利于提升触控显示面板100的亮度。

再者，在本申请中，由于薄膜晶体管14中金属层与发光层152基本设置在同一水平面的不同区域，因此能够避免薄膜晶体管14的结构对发光层152的出光产生影响，有利于提升触控显示面板100的亮度。

请参阅图4，图4为本申请第三施例提供的触控层12的电极图案与发光层152的位置示意图。

在一种实施例中，为了避免触控层12对发光层152的出光产生影响，所述发光层152在所述触控层121上的正投影图案位于所述触控层121的网格内。即所述发光层152的出光从所述触控层121的网格空隙内射出，从而是的触控层12的结构不会对出光产生遮挡。

在一种实施例中，所述触控显示面板100还包括第一封装层171和第二封装层172；

所述第一封装层171设置在所述保护层13和所述阵列基板之间；

所述第二封装层172设置在所述阴极153上。

通过所述触控显示面板100的双封装层结构设计，更有利于提升有机发光器件15对水氧的阻隔，能够延长有机发光器件15的使用寿命。

在一种实施例中，所述触控显示面板还包括设置在所述第二封装层上的第二缓冲层20，以及设置在所述第二缓冲层20上的柔性层21。

所述柔性层21相当于所述触控显示面板另一端的衬底。

在一种实施例中，所述触控显示面板100还包括偏光片和盖板；

所述偏光片和所述盖板均设置在所述衬底11背离所述触控层12的一侧，且所述偏光片设置在所述盖板和所述衬底11之间。

请参阅图5，图5为本申请第四施例提供的触控显示面板100的制作方法的流程示意图。

根据本申请的另一个方面，还提供了一种触控显示面板100的制作方法，所述触控显示面板100的制作方法包括以下步骤：

s10、提供基底，在所述基底上形成衬底11，并在所述衬底11上形成触控层12，所述触控层12包括触控层121、第一绝缘层123和桥接层122；

s20、在所述触控层12上形成保护层13；

s30、在所述保护层13上形成阵列基板和有机发光器件15，所述阵列基板包括阵列分布的薄膜晶体管14，所述有机发光器件15包括阳极151、阴极153以及设置在所述阳极151和所述阴极153之间的发光层152；

s40、剥离所述基底。

上述实施例采用类似转印的方案模式，优先制备触控层12，再制备有机发光器件15，因此触控层12的制备工艺不会受到有机发光器件15的限制，有利于提升产品的良率和信赖性。

在一种实施例中，所述触控层121包括网格状的驱动电极和感应电极；

其中，所述发光层152在所述触控层121上的正投影图案位于所述触控层121的网格内。

有益效果：本申请将触控层设置在衬底和有机发光器件之间，通过先制备触控层，再制备有机发光器件，使得触控层的工艺不会受到有机发光器件的影响，进而提升了产品良率。

综上所述，虽然本申请已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本申请，本领域的普通技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。