一种金属网格触摸屏的制作方法

文档序号:15315797发布日期:2018-08-31 23:16阅读:156来源:国知局

本实用新型涉及触摸技术,尤其涉及一种金属网格触摸屏。



背景技术:

触摸屏广泛应用于手机、平板、车载设备等各种显示终端上。为了不影响显示效果,触摸屏上的传感器一直以来都是采用透明导电材料制作,通常为ITO材料,但是,ITO材料的电阻大,仅适用于数据处理量较小的小尺寸触摸屏,在大尺寸触摸屏中,由于数据处理量大,高阻抗的ITO材料会限制触摸屏的灵敏度、响应速度等。

基于上述原因,采用低电阻的金属材料来制作触摸屏的传感器成了新的发展方向,金属网格(Metal Mesh)触摸屏也应运而生。但是,金属材料不仅不透明,还会反射光线,为了保证金属网格触摸屏的出光率,其金属线的线宽必须严格控制在5μm或以下,这在工艺制程和工艺精度上的要求很高,线宽在5μm或以下的金属线极其容易发生断裂,导致金属网格触摸屏的良品率一直不高,无法达到有效的量产,成本居高不下。



技术实现要素:

为了解决上述现有技术的不足,本实用新型提供一种金属网格触摸屏,其良品率高,容易实现量产,成本较低。

本实用新型所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现:

一种金属网格触摸屏,包括依次层叠的第一功能层、绝缘层和第二功能层,所述第一功能层包括X走向的若干第一金属线,所述第二功能层包括Y走向的若干第二金属线,所述若干第一金属线和若干第二金属线之间在空间上相交错形成金属网格触摸传感器;所述第一功能层还包括至少一第一透明导电线,每条第一透明导电线均与对应的第一金属线相层叠;和/或,所述第二功能层还包括至少一第二透明导电线,每条第二透明导电线均与对应的第二金属线相层叠。

进一步地,所述第一金属线和/或第二金属线的线宽小于或等于5μm。

进一步地,所述第一透明导电线的线宽比对应的第一金属线的线宽大3-4μm,和/或,所述第二透明导电线的线宽比对应的第二金属线的线宽大3-4μm。

进一步地,在所述第一金属线和第二金属线的至少一交错处,所述第一金属线断开和/或所述第二金属线断开。

进一步地,所述第一功能层背向所述第二功能层的一面设置在透明盖板上;所述第一功能层中的第一透明导电线设置在对应的第一金属线朝向所述透明盖板的一面,和/或,所述第二功能层中的第二透明导电线设置在对应的第二金属线朝向所述透明盖板的一面。

进一步地,所述第一功能层包括第一基膜,所述第一金属线和第一透明导电线依次层叠在所述第一基膜背向所述第二功能层的一面上;和/或,所述第二功能层包括第二基膜,所述第二金属线和第二透明导电线依次层叠在所述第二基膜朝向所述第一功能层的一面上。

进一步地,所述绝缘层为透明基板;所述第一功能层中的第一透明导电线设置在对应的第一金属线朝向所述绝缘层的一面,和/或,所述第二功能层中的第二透明导电线设置在对应的第二金属线朝向所述绝缘层的一面。

进一步地,所述绝缘层为透明基膜;所述第一功能层中的第一透明导电线设置在对应的第一金属线背向所述绝缘层的一面,和/或,所述第二功能层中的第二透明导电线设置在对应的第二金属线背向所述绝缘层的一面。

进一步地,所述第一功能层背向所述第二功能层的一面上粘贴有透明盖板。

进一步地,每条第一金属线均向外围区域延伸出有第一走线,并电连接至对应的第一引脚;每条第二金属线均向外围区域延伸出有第二走线,并电连接至对应的第二引脚。

本实用新型具有如下有益效果:该金属网格触摸屏在所述第一金属线上层叠所述第一透明导电线,使所述第一金属线和第一透明导电线相接触并形成电性连接,在所述第二金属线上层叠所述第二透明导电线,使所述第二金属线和第二透明导电线相接触并形成电性连接,在制作所述第一金属线和第二金属线时,即使由于工艺制程或工艺精度等原因而出现所述第一金属线和/或第二金属线断裂的情况,所述第一金属线也能够通过所述第一透明导电线保持整体导通,所述第二金属线也能够通过所述第二透明导电线保持整体导通,所述第一金属线和第二金属线依然能够保持正常的触摸功能,其能够在很大程度上提高良品率,容易实现大规模的量产,在实现量产后能够大幅度降低生产成本和产品价格。

附图说明

图1为本实用新型提供的金属网格触摸屏的正面示意图;

图2为图1所示的金属网格触摸屏的A-A剖视图;

图3为图1所示的金属网格触摸屏的B-B剖视图;

图4为本实用新型提供的OGS结构的触摸屏的示意图;

图5为本实用新型提供的GFF结构的触摸屏的示意图;

图6为本实用新型提供的GG结构的触摸屏的示意图;

图7为本实用新型提供的GF结构的触摸屏的示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型进行详细的说明。

如图1-3所示,一种金属网格触摸屏,包括依次层叠的第一功能层1、绝缘层3和第二功能层2,所述第一功能层1包括X走向的若干第一金属线11,所述第二功能层2包括Y走向的若干第二金属线21,所述若干第一金属线11和若干第二金属线21之间在空间上相交错形成金属网格触摸传感器;所述第一功能层1还包括至少一第一透明导电线12,每条第一透明导电线12均与对应的第一金属线11相层叠,和/或,所述第二功能层2还包括至少一第二透明导电线22,每条第二透明导电线22均与对应的第二金属线21相层叠。

该金属网格触摸屏在所述第一金属线11上层叠所述第一透明导电线12,使所述第一金属线11和第一透明导电线12相接触并形成电性连接,在所述第二金属线21上层叠所述第二透明导电线22,使所述第二金属线21和第二透明导电线22相接触并形成电性连接,在制作所述第一金属线11和第二金属线21时,即使由于工艺制程或工艺精度等原因而出现所述第一金属线11和/或第二金属线21断裂的情况,所述第一金属线11也能够通过所述第一透明导电线12保持整体导通,所述第二金属线21也能够通过所述第二透明导电线22保持整体导通,所述第一金属线11和第二金属线21依然能够保持正常的触摸功能,其能够在很大程度上提高良品率,容易实现大规模的量产,在实现量产后能够大幅度降低生产成本和产品价格。

所述第一金属线11和/或第二金属线21的线宽小于或等于5μm;所述第一透明导电线12的线宽比对应的第一金属线11的线宽大3-4μm,和/或,所述第二透明导电线22的线宽比对应的第二金属线21的线宽大3-4μm。

所述第一透明导电线21和第二透明导电线22优选但不限于采用ITO或IZO等,所述第一金属线11和第二金属线21优选但不限于采用Cu或Ag等。

最优地,在所述第一金属线11和第二金属线21的至少一交错处,所述第一金属线11断开和/或所述第二金属线21断开。

由于所述第一金属线11和第二金属线21之间的上下交叠会在金属网格的黄光制程中,对掩膜版的曝光显影产生衍射,导致所述第一金属线11和第二金属线21之间的交叠点粗大,使交叠点容易被看见,而该金属网格触摸屏将所述第一金属线11和/或第二金属线21在交叠处断开,可以减轻对掩膜版曝光显影的衍射影响。

其中,在所述第一功能层1中,所述第一金属线11和第一透明导电线12之间的上下位置,和,在所述第二功能层2中,所述第二金属线21和第二透明导电线22之间的上下位置,均不作限定,可按需设置。

在一实施例(OGS结构)中,如图4所示,所述第一功能层1背向所述第二功能层2的一面设置在透明盖板4;所述第一功能层1中的第一透明导电线12设置在对应的第一金属线11朝向所述透明盖板4的一面,和/或,所述第二功能层2中的第二透明导电线22设置在对应的第二金属线21朝向所述透明盖板4的一面;所述绝缘层3为OCA胶或OCR胶,所述透明盖板4为有机玻璃盖板。在制作工艺上,每一功能层中,先制作透明导电线,再制作金属线。

在另一实施例(GFF结构)中,如图5所示,所述第一功能层1包括第一基膜13,所述第一金属线11和第一透明导电线12依次层叠在所述第一基膜13背向所述第二功能层2的一面上;和/或,所述第二功能层2包括第二基膜23,所述第二金属线21和第二透明导电线22依次层叠在所述第二基膜23朝向所述第一功能层1的一面上。所述绝缘层3为OCA胶或OCR胶,所述第一基膜13和第二基膜23为有机塑料基膜。在制作工艺上,每一功能层中,先在基膜上制作金属线,再制作透明导电线。

在又一实施例(GG结构)中,如图6所示,所述绝缘层3为透明基板;所述第一功能层1中的第一透明导电线12设置在对应的第一金属线11朝向所述绝缘层3的一面,和/或,所述第二功能层2中的第二透明导电线22设置在对应的第二金属线21朝向所述绝缘层3的一面。所述透明基板为有机玻璃基板。在制作工艺上,每一功能层中,先制作透明导电线,再制作金属线。

在又一实施例(GF结构)中,如图7所示,所述绝缘层3为透明基膜;所述第一功能层1中的第一透明导电线12设置在对应的第一金属线11背向所述绝缘层3的一面,和/或,所述第二功能层2中的第二透明导电线22设置在对应的第二金属线21背向所述绝缘层3的一面。所述透明基膜为有机塑料基膜。在制作工艺上,每一功能层中,先在基膜上制作金属线,再制作透明导电线。

在GFF结构、GG结构和GF结构的触摸屏中,最后在所述第一功能层1背向所述第二功能层2的一面上通过粘胶粘贴上透明盖板4,所述透明盖板4为有机玻璃盖板。

当然,该金属网格触摸屏的层级结构类型并不局限于上述实施例。

每条第一金属线11均向外围区域延伸出有第一走线,并电连接至对应的第一引脚;每条第二金属线21均向外围区域延伸出有第二走线,并电连接至对应的第二引脚。所述第一引脚和第二引脚用于绑定驱动IC和线路板,并最终电连接至电源。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制,但凡采用等同替换或等效变换的形式所获得的技术方案,均应落在本实用新型的保护范围之内。

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