透明导电膜与包含其的电容式触摸屏的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及触摸屏领域，具体而言，设及一种透明导电膜与包含其的电容式触摸 屏。
【背景技术】
[0002] 现有的电容式触摸屏用透明导电膜在蚀刻及热处理之后，会出现立体纹，无法满 足部分高端客户的需求
[0003] 立体纹产生原因主要是因为：（1)IT0层（氧化铜锡层）的蚀刻部分与非蚀刻部分 产生了光学特性差别（包括可视光范围内的透过和反射特性，简称为色差），从而产生立体 纹路；（2)在后期的热处理工艺中，因各层的热收缩率的不同会出现涂层间应力不匹配现 象，该是因为IT0层和透明基材层及硬化层之间的组成差异比较大，相互之间存在的应力 较大，尤其是IT0层由加热前的非结晶态变为加热后的结晶态，会导致IT0层与透明基材层 及硬化层之间的应力增大，进而造成蚀刻部分和透明基材层及硬化层之间的应力与非蚀刻 部分与有机层之间的应力差别会进一步增大，从而导致立体纹的加重。
[0004] 现有专利及文献主要使用热收缩率较小的硬化层与透明基材层形成透明导电膜， 进一步作为电容式触摸屏的制作材料，但是，在IT0层蚀刻后，透明导电膜仍然会产生立体 纹，使得电容式触摸屏不足W满足客户的需求。
[0005] 因此，亟需一种低立体纹的透明导电膜。
【发明内容】
[0006] 本发明的主要目的在于提供一种透明导电膜与包含其的电容式触摸屏，W解决现 有技术中透明导电膜中立体纹严重的问题。
[0007] 为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种透明导电膜，该透明导电 膜包括；透明基材层、光学调整层与非结晶IT0层。其中，上述光学调整层设置于上述透明 基材层的表面上；上述非结晶IT0层设置于上述光学调整层的远离上述透明基材层的表面 上。
[0008] 进一步地，上述非结晶性IT0层中Sn的重量含量为7 %~30 %，优选为8 %~ 20%，更有选为15%。
[0009] 进一步地，上述非结晶性IT0层的厚度在10~100皿之间，优选在15~40皿之 间。
[0010] 进一步地，上述光学调整层包括；第一光学调整层与第二光学调整层，第一光学调 整层设置在上述透明基材层与上述非结晶性IT0层之间；第二光学调整层设置在上述第一 光学调整层与上述非结晶性IT0层之间。
[0011] 进一步地，上述第一光学调整层的折射率在1. 55~3之间，优选在1. 60~2. 80 之间。
[0012] 进一步地，上述第一光学调整层的厚度在5皿~10 ym之间，优选在10皿~Sum 之间。
[0013] 进一步地，上述第二光学调整层的折射率在1. 10~1. 55之间，优选在1. 20~ 1. 50之间。
[0014] 进一步地，上述第二光学调整层的厚度在5~500皿之间，优选在10~300皿之 间。
[0015] 进一步地，上述透明导电膜还包括第一硬化层，上述第一硬化层设置在上述透明 基材层的远离上述光学调整层的表面上。
[0016] 进一步地，上述第一硬化层的铅笔硬度在4B~9H之间，进一步优选在2B~甜之 间。
[0017] 进一步地，上述透明导电膜还包括第二硬化层，上述第二硬化层设置在透明基材 层与上述光学调整层之间，优选上述第二硬化层的折射率在1. 4~1. 6之间。
[0018] 进一步地，上述第二硬化层的厚度在0. 3~50 y m之间，优选在0. 5~5 y m之间， 进一步优选上述第一硬化层的厚度比第二硬化层的厚度大0. 1~5 ym。
[0019] 进一步地，上述透明基材层的全光透过率大于85%，优选上述透明基材层的厚度 在10~500 y m之间，进一步优选在20~200 y m之间。
[0020] 进一步地，上述透明基材层的机械运行方向的收缩率大于0小于等于0. 5%，垂直 于上述机械运行方向的收缩率大于0小于等于0. 1%。
[0021] 根据本发明的另一方面，提供了一种电容式触摸屏，该电容式触摸屏包含上述的 透明导电膜。
[0022] 应用本发明的技术方案，透明导电膜通过采用非结晶IT0层代替现有技术中的结 晶IT0层，非结晶IT0层在后期的热处理过程后，不会由非结晶态变为结晶态，而是保持非 结晶态，进而使得非结晶IT0层的收缩率保持不变，进而使得蚀刻及加热前后各层之间的 应力差异大大减小，缓解了透明导电薄膜的立体纹严重的问题，同时，光学调整层通过调整 其自身的折射率与厚度，缩小非结晶IT0层中的刻蚀部分与非刻蚀部分之间的光学特性 (透过及反射）差异，即减小色差，进一步缓解了透明导电薄膜的立体纹严重的问题，得到 低立体纹的电容式触摸屏用透明导电薄膜；并且，非结晶IT0层的阻抗较低，使其满足现有 技术中触摸屏设备大型化的需求，扩展了其在大型化触控产品市场中的应用；另外，该透明 导电膜的制作工艺较简单，降低了透明导电膜的生产成品。
【附图说明】
[0023] 构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示 意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
[0024] 图1示出了本申请一种典型实施方式提供的透明导电膜的剖面结构示意图；
[0025] 图2示出了本申请一种优选实施例提供的透明导电膜的剖面结构示意图拟及
[0026] 图3示出了本申请另一种优选实施例提供的透明导电膜的剖面结构示意图。
【具体实施方式】
[0027] 需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可W相 互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。
[002引本申请的一种典型的实施方式提供了一种透明导电膜，如图1所示，该透明导电 膜包括：透明基材层30、光学调整层50与非结晶IT0层70。其中，上述光学调整层50设置 于上述透明基材层30的表面上；上述非结晶IT0层70设置于上述光学调整层50的远离上 述透明基材层30的表面上。
[0029] 结晶IT0是指在热处理过程中会由非结晶态变为结晶态的一种IT0 ;本发明的非 结晶IT0是指在热处理过程后不会由非结晶态变为结晶态的一种口0。光学调整层50用于 调整透明导电膜的光学特性。
[0030] 上述的透明导电膜通过采用非结晶IT0层70代替现有技术中的结晶IT0层，在后 期的热处理过程后，非结晶IT0层70不会由非结晶态变为结晶态，而是保持非结晶态，使得 非结晶IT0层70的收缩率保持不变，进而使得蚀刻及加热前后各层之间的应力差异大大减 小，缓解了透明导电薄膜的立体纹严重的问题，同时，光学调整层50通过调整其自身的折 射率与厚度，缩小非结晶IT0层70中的刻蚀部分与非刻蚀部分之间的光学特性（透过及反 射）差异，进一步缓解了透明导电薄膜的立体纹严重的问题，得到低立体纹的电容式触摸 屏用透明导电薄膜；并且，非结晶IT0层70的阻抗较低，使其满足现有技术中触摸屏设备大 型化的需求，扩展了其在大型化触控产品市场中的应用；另外，该透明导电膜的制作工艺较 简单，降低了透明导电膜的生产成品。
[0031] 为了使透明导电膜具有更好的立体纹，本申请优选上述非结晶IT0层70中Sn的 重量含量为7%~30%。当非结晶IT0层70中的Sn的重量含量大于7%时，进一步保证 IT0不结晶，使透明导电膜达到更好的低立体纹效果；当非结晶IT0层70中的Sn的重量含 量小于30%时，非结晶IT0层70的阻抗较小，同时，其透光度较高，进一步提高了透明导电 膜的光学特性。为了进一步保证透明导电薄膜的低立体纹效果与光学特性，本申请进一步 优选非结晶IT0层70中Sn的重量含量为8%~20%，更优选非结晶IT0层70中Sn的重 量含量为15%。
[003引本申请的另一种优选的实施例中，上述非结晶IT0层70的厚度在10~100皿之 间，当非结晶IT0层70的厚度大