在第二硬化层的远离透明基材层的表面上锻膜，依次形成膜 第一光学调整层、第二光学调整层与结晶IT0层。
[0094] 采用油墨网印蚀刻法对上述的透明导电膜的结晶IT0层进行刻蚀，然后进行烘 烤，烘烤温度为150°C，时间为60min。制备得到的透明导电膜的结构参数见表1。
[009引对比例4
[0096] 在透明基材层的表面上涂布选自日本荒川化学公司的型号为FZ001的硬化液，经 干燥，固化制成第一硬化层。然后利用同样的方式，在透明基材层的远离上述第一硬化层的 表面涂布选自日本Die公司的型号为PC13-1082的硬化液，制成第二硬化层。
[0097] 利用磁控瓣射工艺，在第二硬化层的远离上述透明基材层的表面上锻膜，依次得 到光学调整层与非结晶性IT0层，形成图1所示的透明导电膜。
[009引采用油墨网印蚀刻法对透明导电膜的非结晶IT0层70进行刻蚀，然后，对其进行 烘烤，烘烤温度为150°C，时间为60min。透明导电膜的具体结构参数见表1。
[0099] 表1
[0100]
[0101]
[0102]
[0103]
[0104]
[0105] 将所有实施例与对比例的透明导电膜用LG化学公司的50 ym的OCA胶层与大猩 猩强化玻璃贴合在一起，非结晶IT0层70与大猩猩强化玻璃接触，目视进行透明导电膜立 体纹的判断，采用四探针法对其阻抗进行测试。具体测试结果见表2,其中，立体纹的效果按 照A、B、C、D、E的顺序逐渐变好。
[0106] 表 2
[0107]
[010引
[0109] 根据表2可知；当非结晶ITO层中Sn的重量含量为7%~30%，优选在8%~20% 之间，更优选为15%，其厚度在10~100皿之间；第一光学调整层的折射率在1. 55~3之 间，厚度在5nm~10 y m之间；第二光学调整层的折射率在1. 10~1. 55,厚度在5~500nm 之间；第一硬化层的铅笔硬度在4B~9H之间；第二硬化层的折射率在1. 4~1. 6之间，其 厚度在0. 3~50 ym之间；第一硬化层的厚度比第二硬化层的厚度大0. 1~5 ym ;透明基材 层的全光透过率大于85 %，其厚度在10~500 y m之间，其机械运行方向的收缩率大于0小 于等于0. 5%，垂直于机械运行方向的收缩率大于0小于等于0. 1 %时，透明导电膜的阻抗 较小，其低立体纹效果也较好，并且其制作过程仅需要3道工艺，工艺简单，生产成本较低。
[0110] 从W上的描述中，可W看出，本发明上述的实施例实现了如下技术效果：
[0111] 本申请的透明导电膜通过采用非结晶IT0层代替现有技术中的结晶IT0层，非结 晶IT0层在后期的热处理过程后，不会由非结晶态变为结晶态，而是保持非结晶态，进而使 得非结晶IT0层的收缩率保持不变，进而使得蚀刻及加热前后各层之间的应力差异大大减 小，缓解了透明导电薄膜的立体纹严重的问题，同时，光学调整层通过调整其自身的折射率 与厚度，缩小非结晶IT0层中的刻蚀部分与非刻蚀部分之间的光学特性（透过及反射）差 异，即减小色差，进一步缓解了透明导电薄膜的立体纹严重的问题，得到低立体纹的电容式 触摸屏用透明导电薄膜；并且，非结晶IT0层的阻抗较低，使其满足现有技术中触摸屏设备 大型化的需求，扩展了其在大型化触控产品市场中的应用；另外，该透明导电膜的制作工艺 较简单，降低了透明导电膜的生产成品。
[0112] 本申请的电容式触摸屏中的透明导电膜具有低立体纹，能够满足客户的要求，同 时由于该电容式触摸屏中的透明导电膜的阻抗较低，使得电容式触摸屏可W实现大尺寸 化，进而满足现有技术中触摸屏设备大型化的需求；另外，该电容式触摸屏的透明导电膜的 生产工艺较简单，使得电容式触摸屏的生产成本也较低。
[0113] W上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技 术人员来说，本发明可W有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修 改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1. 一种透明导电膜，其特征在于，所述透明导电膜包括： 透明基材层（30); 光学调整层（50)，设置在所述透明基材层（30)的表面上；以及 非结晶性ITO层（70)，设置在所述光学调整层（50)的远离所述透明基材层（30)的表 面上。2. 根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述非结晶性ITO层（70)中Sn的 重量含量为7%~30%，优选为8%~20%，更有选为15%。3. 根据权利要求1或2所述的透明导电膜，其特征在于，所述非结晶性ITO层（70)的 厚度在10~IOOnm之间，优选在15~40nm之间。4. 根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述光学调整层（50)包括： 第一光学调整层（51)，设置在所述透明基材层（30)与所述非结晶性ITO层（70)之间； 以及 第二光学调整层（52)，设置在所述第一光学调整层（51)与所述非结晶性ITO层（70) 之间。5. 根据权利要求4所述的透明导电膜，其特征在于，所述第一光学调整层（51)的折射 率在1. 55~3之间，优选在1. 60~2. 80之间。6. 根据权利要求4所述的透明导电膜，其特征在于，所述第一光学调整层（51)的厚度 在5nm~10 y m之间，优选在IOnm~5 y m之间。7. 根据权利要求4所述的透明导电膜，其特征在于，所述第二光学调整层（52)的折射 率在1. 10~1. 55之间，优选在1. 20~1. 50之间。8. 根据权利要求6所述的透明导电膜，其特征在于，所述第二光学调整层（52)的厚度 在5~500nm之间，优选在10~300nm之间。9. 根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述透明导电膜还包括第一硬化 层（20)，所述第一硬化层（20)设置在所述透明基材层（30)的远离所述光学调整层（50)的 表面上。10. 根据权利要求9所述的透明导电膜，其特征在于，所述第一硬化层（20)的铅笔硬度 在4B~9H之间，进一步优选在2B~5H之间。11. 根据权利要求10所述的透明导电膜，其特征在于，所述透明导电膜还包括第二硬 化层（40)，所述第二硬化层（40)设置在透明基材层（30)与所述光学调整层（50)之间，优 选所述第二硬化层（40)的折射率在1. 4~1. 6之间。12. 根据权利要求11所述的透明导电膜，其特征在于，所述第二硬化层（40)的厚度在 0. 3~50 y m之间，优选在0. 5~5 y m之间，进一步优选所述第一硬化层（20)的厚度比第 二硬化层（40)的厚度大0. 1~5 ym。13. 根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述透明基材层（30)的全光透 过率大于85%，优选所述透明基材层（30)的厚度在10~500 ym之间，进一步优选在20~ 200 ym之间。14. 根据权利要求10所述的透明导电膜，其特征在于，所述透明基材层（30)的机械运 行方向的收缩率大于〇小于等于〇. 5 %，垂直于所述机械运行方向的收缩率大于0小于等于 0? 1%〇15. -种电容式触摸屏，包括透明导电膜，其特征在于，所述透明导电膜为权利1至14 中任一项所述的透明导电膜。
【专利摘要】本发明提供了一种透明导电膜与包含其的电容式触摸屏。该透明导电膜包括：透明基材层、光学调整层与非结晶ITO层。其中，光学调整层设置于透明基材层的表面上；非结晶ITO层设置于光学调整层的远离透明基材层的表面上。该透明导电膜具有良好的低立体纹效果，阻抗较低，并且制作工艺简单，生产成本较低。
【IPC分类】G06F3/044
【公开号】CN104951164
【申请号】CN201510404506
【发明人】张国臻
【申请人】张家港康得新光电材料有限公司
【公开日】2015年9月30日
【申请日】2015年7月10日