液， 涂布第二硬化层50的硬化液为日本DIC公司的型号为PC13-1082的硬化液。透明导电膜 的具体结构参数见表1。
[005引 实施例3
[0057] 采用与实施例1相同的方法制备透明导电膜，制备得到的透明导电膜的结构参数 见表1，其中，涂布第一硬化层10的硬化液为日本荒川化学公司的型号为FZ001的硬化液， 涂布第二硬化层50的硬化液为日本DIC公司的型号为PC13-1082的硬化液，形成图3所示 的透明导电膜。透明导电膜的具体结构参数见表1。
[00则实施例4
[0059] 采用与实施例1相同的方法制备透明导电膜，制备得到的透明导电膜的结构参数 见表1，其中，涂布第一硬化层10的硬化液为日本荒川化学公司的型号为FZ001的硬化液， 涂布第二硬化层50的硬化液为日本DIC公司的型号为PC13-1082的硬化液，形成图3所示 的透明导电膜。透明导电膜的具体结构参数见表1。
[0060] 实施例5
[0061] 采用与实施例1相同的方法制备透明导电膜，制备得到的透明导电膜的结构参数 见表1，其中，涂布第一硬化层10的硬化液为日本荒川化学公司的型号为FZ001的硬化液， 涂布第二硬化层50的硬化液为日本DIC公司的型号为PC13-1082的硬化液，形成图3所示 的透明导电膜。透明导电膜的具体结构参数见表1。
[00的]实施例6
[0063] 采用与实施例1相同的方法制备透明导电膜，制备得到的透明导电膜的结构参数 见表1，其中，涂布第一硬化层10的硬化液为日本荒川化学公司的型号为FZ001的硬化液， 涂布第二硬化层50的硬化液为日本DIC公司的型号为PC13-1082的，形成图3所示的透明 导电膜。透明导电膜的具体结构参数见表1。
[0064] 实施例7
[0065] 采用与实施例1相同的方法制备透明导电膜，制备得到的透明导电膜的结构参数 见表1，其中，涂布第一硬化层10的硬化液为日本荒川化学公司的型号为FZ001的硬化液， 涂布第二硬化层50的硬化液为日本DIC公司的型号为PC13-1082的硬化液，形成图3所示 的透明导电膜。透明导电膜的具体结构参数见表1。
[006引 实施例8
[0067] 采用与实施例1相同的方法制备透明导电膜，制备得到的透明导电膜的结构参数 见表1，其中，涂布第一硬化层10的硬化液为日本荒川化学公司的型号为FZ001的硬化液； 涂布第二硬化层50的硬化液为日本DIC公司的型号为PC13-1082的硬化液，形成图3所示 的透明导电膜。透明导电膜的具体结构参数见表1。
[006引实施例9
[0069] 采用与实施例1相同的方法制备透明导电膜，制备得到的透明导电膜的结构参数 见表1，其中，透明基材层30为日本东丽公司型号为U483PET层；涂布第一硬化层10的硬化 液为日本荒川化学公司的型号为FZ001的硬化液，涂布第二硬化层50的硬化液为日本DIC 公司的型号为PC13-1082的硬化液，形成图3所示的透明导电膜。透明导电膜的具体结构 参数见表1。
[0070] 实施例10
[0071] 采用与实施例1相同的方法制备透明导电膜，制备得到的透明导电膜的结构参数 见表1，其中，透明基材层30为帝人杜邦公司型号为KEL86W的阳T层；涂布第一硬化层10 的硬化液为日本荒川化学公司的型号为FZ001的硬化液，涂布第二硬化层50的硬化液为日 本DIC公司的型号为PC13-1082的硬化液，形成图3所示的透明导电膜。透明导电膜的具 体结构参数见表1。
[00刮实施例11
[0073] 采用与实施例1相同的方法制备透明导电膜，制备得到的透明导电膜的结构参数 见表1，其中，涂布第一硬化层10的硬化液为日本荒川化学公司的型号为FZ001的硬化液， 涂布第二硬化层50的硬化液为日本DIC公司的型号为PC13-1082的硬化液，形成图3所示 的透明导电膜。透明导电膜的具体结构参数见表1。
[0074] 实施例12
[0075] 采用与实施例1相同的方法制备透明导电膜，制备得到的透明导电膜的结构参数 见表1，其中，涂布第一硬化层10的硬化液为日本荒川化学公司的型号为FZ001的硬化液， 涂布第二硬化层50的硬化液为日本DIC公司的型号为PC13-1082的硬化液，形成图3所示 的透明导电膜。透明导电膜的具体结构参数见表1。
[00M] 实施例13
[0077] 采用与实施例1相同的方法制备透明导电膜，制备得到的透明导电膜的结构参数 见表1，其中，涂布第一硬化层10的硬化液为日本荒川化学公司的型号为FZ001的硬化液， 涂布第二硬化层50的硬化液为日本DIC公司的型号为PC13-1082的硬化液，形成图3所示 的透明导电膜。透明导电膜的具体结构参数见表1。
[007引实施例14
[0079] 采用与实施例1相同的方法制备透明导电膜，制备得到的透明导电膜的结构参数 见表1，其中，涂布第一硬化层10的硬化液为日本荒川化学公司的型号为FZ001的硬化液， 涂布第二硬化层50的硬化液为日本DIC公司的型号为PC13-1082的硬化液，形成图3所示 的透明导电膜。透明导电膜的具体结构参数见表1。
[0080] 实施例15
[0081] 采用与实施例1相同的方法制备透明导电膜，制备得到的透明导电膜的结构参数 见表1，其中，涂布第一硬化层10的硬化液为日本荒川化学公司的型号为FZ001的硬化液， 涂布第二硬化层50的硬化液为日本DIC公司的型号为PC13-1082的硬化液，形成图3所示 的透明导电膜。透明导电膜的具体结构参数见表1。
[00的]实施例16
[0083] 采用与实施例1相同的方法制备透明导电膜，制备得到的透明导电膜的结构参数 见表1，其中，涂布第一硬化层10的硬化液为日本DIC公司的型号为PC13-1082的硬化液， 涂布第二硬化层50的硬化液为日本DIC公司的型号为PC13-1082的硬化液，形成图3所示 的透明导电膜。透明导电膜的具体结构参数见表1。
[0084] 对比例1
[0085] 在日本东丽公司型号为U483的阳T层的表面上，涂布日本DIC公司的型号为 PC13-1082的硬化液，经干燥固化，制成第一硬化层。然后，利用同样的方式，在此阳T基材 层的远离上述第一硬化层的表面上涂布日本DIC公司的型号为PC13-1082的硬化液，制成 第二硬化层。
[0086] 利用磁控瓣射工艺，在第二硬化层的远离透明基材层的表面上锻膜，依次形成第 一光学调整层、第二光学调整层与结晶IT0层。
[0087] 采用油墨网印蚀刻法对上述的透明导电膜的结晶IT0层进行刻蚀，然后进行烘 烤，烘烤温度为150°C，时间为60min。制备得到的透明导电膜的结构参数见表1，
[0088] 对比例2
[0089] 在日本东丽公司型号为U483的PET层的表面上，涂布日本Die公司的型号为 PC13-1082的硬化液，经干燥固化，制成第一硬化层。然后，利用同样的方式，在此阳T基材 层的远离上述第一硬化层的表面上涂布日本Die公司的型号为PC13-1082的硬化液，制成 第二硬化层。利用磁控瓣射工艺，在第二硬化层的远离透明基材层的表面上锻膜，依次形成 膜第一光学调整层、第二光学调整层与结晶IT0层。
[0090] 采用油墨网印蚀刻法对上述的透明导电膜的结晶IT0层进行刻蚀，然后进行烘 烤，烘烤温度为150°C，时间为60min。制备得到的透明导电膜的结构参数见表1。
[00川对比例3
[0092] 在帝人杜邦公司型号为LEL86W的阳T层的表面上，涂布日本荒川化学公司型号为 FZ001的硬化液，经干燥固化，制成第一硬化层。然后，利用同样的方式，在此阳T基材层的 远离上述第一硬化层的表面上涂布日本Die公司的型号为PC13-1082的硬化液，制成第二 硬化层。
[0093] 利用磁控瓣射工艺，