触摸屏及其形成方法_2

文档序号:9249011阅读:来源:国知局
电电极。
[0032]C.形成基础装饰层。
[0033]具体地,基础装饰层位于触摸屏的非视窗区域,通常在触摸屏的边缘处。基础装饰层可以为绝缘油墨,通过丝印油墨方式形成。基础装饰层的至少一部分覆盖透明导电层,并且覆盖透明导电层的至少一部分基础装饰层中具有通孔。该通孔是为搭接基础装饰层的上下相邻的两层结构而预留的空间。
[0034]需要说明的是,“先形成透明导电层、后形成基础装饰层”的步骤顺序,可以规避相反顺序带来的透明导电层在基础装饰层的爬坡处的短路问题,提高了良率。
[0035]D.形成导电油墨层。
[0036]导电油墨层填充通孔。导电油墨层优选采用与基础装饰层的颜色相同的导电油墨以规避色差,可以通过丝印油墨方式形成。
[0037]E.形成银浆导电层。
[0038]具体地,在基础装饰层之上形成银浆导电层。银浆导电层的至少一部分覆盖导电油墨层的顶表面,也就是说银浆导电层通过导电油墨层与透明导电层电性连接。银浆导电层包括多个银浆PIN脚和多条银浆走线。通常地,相邻银浆PIN脚的间距较宽,范围为0.1-0.5_,通常宽度为0.2-0.4mm,因此可以通过丝印工艺形成多个银浆PIN脚。相邻银浆走线的间距较窄,范围为0.05-0.1mm,因此需要通过先丝印银浆块后干刻线条工艺形成多条银浆走线。所述先丝印银浆块后干刻银浆线条工艺,具体地为:丝印银浆块后,用激光刻蚀工艺将多余的银浆部分刻蚀掉,形成多条银浆走线。具体激光刻蚀的工艺参数,要依据丝印银浆油墨的厚度与材质调整,确保干刻完整,无短路、断路问题存在。优选地,丝印银浆油墨层的厚度为6-20um时,激光刻蚀的推荐参数为:扫描速度为2000-3500mm/s,电流功率为35-65%,干刻次数2-5次。
[0039]在本发明的一个优选实施例中,还包括步骤:在透明基板和透明导电层之间插入减反射膜层。即,在步骤A和步骤B之间还可以包括步骤:形成减反射膜层。减反射膜层可以由二氧化硅组成。二氧化硅材料一方面可以减少屏幕反光,另一方面还可以提升透明导电层的附着力。
[0040]在本发明的一个优选实施例中,还包括步骤:在银浆导电层之上形成盖底装饰层。盖底装饰层可以采用和基础装饰层相同的绝缘油墨材料。盖底装饰层的图形至少覆盖银浆导电层中经历干刻工艺的区域,优选覆盖整个银浆导电层。银浆导电层中被干刻的区域引入了透光问题,盖底装饰层可以很好地进行掩盖。
[0041]在本发明的一个优选实施例中,还包括:形成薄膜传感部件,并将玻璃传感部件和薄膜传感部件通过光学透明胶粘合以形成触摸屏。薄膜传感部件可以采用现有制作工艺。最终粘合得到的触摸屏为GlF型的触摸屏。
[0042]本发明上述实施例的触摸屏的形成方法中,采用丝印加干刻的方法形成银浆导电层,具有图形精确、制程良率高的优点。
[0043]如图2所示,本发明提出一种触摸屏,该触摸屏包括玻璃传感部件,其中玻璃传感部件具体包括:透明基板1、透明导电层2、基础装饰层3、导电油墨层4以及银浆导电层5。
[0044]透明基板I由光学透明绝缘材料制成,优选为强化玻璃。
[0045]透明导电层2位于透明基板I之上。透明导电层2可以为单层或多层结构。透明导电层可以由掺锡氧化铟(ΙΤ0)、掺铝氧化锌(ΑΖ0)、掺氟氧化锡(FTO)或掺镓氧化锌等透明导电材料,通过真空溅射法等方法制备。需要说明的是,透明导电层并非一个整体结构,而是被刻蚀成多个透明导电电极,此为本领域技术人员的已知知识,本文不赘述。此外,优选丝印耐酸工艺方法形成多个透明导电电极。
[0046]基础装饰层3位于触摸屏的非视窗区域,通常在触摸屏的边缘处。基础装饰层3可以为绝缘油墨,通过丝印油墨方式形成。基础装饰层3的至少一部分覆盖透明导电层2,并且覆盖透明导电层2的至少一部分基础装饰层3中具有通孔。该通孔是为搭接基础装饰层3的上下相邻的两层结构而预留的空间。需要说明的是,“透明导电层2在下、基础装饰层3在上”的相对位置,可以规避相反顺序带来的透明导电层2在基础装饰层3的爬坡处的短路问题,提闻了良率。
[0047]导电油墨层4填充通孔。导电油墨层4优选采用与基础装饰层的颜色相同的导电油墨以规避色差,可以通过丝印油墨方式形成。
[0048]银浆导电层5位于基础装饰层3之上,参考图3所示。银浆导电层5的至少一部分覆盖导电油墨层4的顶表面,也就是说银浆导电层5通过导电油墨层4与透明导电层2电性连接。银浆导电层5包括多个银浆PIN脚(参考图3中的5-1)和多条银浆走线(参考图3中的5-2)。通常地,相邻银浆PIN脚的间距较宽,范围为0.1-0.5mm,通常宽度为0.2-0.4mm。因此可以通过丝印工艺形成多个银浆PIN脚。相邻银浆走线的间距较窄,范围为0.05-0.1mm,因此需要通过先丝印银浆块后干刻线条工艺形成多条银浆走线。具体地:丝印银浆块后,用激光刻蚀工艺将多余的银浆部分刻蚀掉,形成多条银浆走线。具体激光刻蚀的工艺参数,要依据丝印银浆油墨的厚度与材质调整,确保干刻完整,无短路、断路问题存在。优选地,当丝印银浆油墨层的厚度为6-20um时,激光刻蚀的推荐参数为:扫描速度为2000-3500mm/s,电流功率为35-65%,干刻次数2-5次。
[0049]在本发明的一个优选实施例中,还包括:位于透明基板I和透明导电层2之间的减反射膜层6。减反射膜层6可以为二氧化硅。二氧化硅材料一方面可以减少屏幕反光,另一方面还可以提升透明导电层2的附着力。
[0050]在本发明的一个优选实施例中,还包括:位于银浆导电层5之上的盖底装饰层7。盖底装饰层7可以采用和基础装饰层3相同的绝缘油墨材料。盖底装饰层7的图形至少覆盖银浆导电层5中经历干刻工艺的区域,优选覆盖整个银浆导电层5。银浆导电层5中被干刻的区域引入了透光问题,盖底装饰层7可以很好地进行掩盖。
[0051]在本发明的一个优选实施例中,还包括薄膜传感部件和光学透明胶层。薄膜传感部件可以采用现有制作工艺。玻璃传感部件和薄膜传感部件通过光学透明胶粘合以形成触摸屏。粘合得到的触摸屏为GlF型的触摸屏。
[0052]本发明上述实施例的触摸屏中,银浆导电层通过丝印加干刻的方法制备,具有图形精确、制程良率高的优点。
[0053]为使本领域技术人员更好地理解本发明,设定产品为带黑色边框的触摸屏,通过如下方法制备。
[0054](I)提供透明基板。选择经强化处理后的高透光率的硅酸盐类玻璃,清洗后备用。其强化深度为7-10um,波长在520-580nm处分光透过率大于91%。
[0055](2)制备二氧化硅材料的减反射膜层。通过中频反应溅射法,工艺条件为:选用高纯硅靶(纯度>99.999%);基板温度为180-220°C ;溅射腔真空度为0.5-0.8Pa ;高纯Ar和02分别作为溅射气体和反应气体(纯度均大于99.99%),流量比为5:1-8:1 ;溅射功率为
5-10KW。制备膜厚为1575nm,具体厚度可通过控制溅射时间实现。
[0056](3)制备ITO材料的透明导电层。该层由单层透明导电电极构成,由直流磁控溅射等方法制备,工艺条件为:靶材为高纯ITO靶(纯
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