始的处理。S卩，电子设备100维持动作状态A。而另一方面，在该处理负荷是阈值A以上的情况下(步骤S104中为“是”)，电子设备100从动作状态A转变为动作状态B (步骤S106)。具体地说，多内核10增加激活内核的数量，并且使DH)状态的2GB的SDRAM60恢复为正常状态。
[0069]接着，电子设备100判断多内核10的处理负荷是否小于规定的阈值B(步骤S108)。具体地说，多内核10基于内核的使用率、内核的动作频率、激活的内核的数量中的至少任一种进行该判断。例如，多内核10在内核11的使用率小于70%且内核11的动作频率为900MHz且内核11以外的激活内核的数量为I个以下的情况下，判断为处理负荷小于阈值B。
[0070]在多内核10的处理负荷不小于阈值B的情况下(步骤S108中为“否”)，电子设备100重复步骤S106的处理。S卩，电子设备100维持动作状态B。而另一方面，在该处理负荷小于阈值B的情况下(步骤S108中为“是”)，电子设备100从动作状态B转变为动作状态C(步骤S110)。具体地说，多内核10例如使内核13成为非激活状态而将激活内核的数量减少为2个。此外，多内核10也可以使激活内核的数量为I个。
[0071]接着，电子设备100判断多内核10的处理负荷是否小于规定的阈值C(步骤S112)。具体地说，多内核10基于激活内核的使用率和/或动作频率进行该判断。例如，多内核10在激活内核的使用率小于70%且激活内核的动作频率小于900MHz的情况下，判断为处理负荷小于阈值C。
[0072]在多内核10的处理负荷不小于阈值C的情况下(步骤S112中为“否”)，电子设备100重复步骤SllO的处理。S卩，电子设备100维持动作状态C。而另一方面，在该处理负荷小于阈值C的情况下(步骤S112中为“是”)，判断控制器50的读/写缓冲器的使用率是否小于规定的阈值D (步骤S114)。具体地说，多内核10监视控制器50，判断该缓冲器的使用率小于25%的状态是否持续一定时间以上。
[0073]在该缓冲器的使用率不小于阈值D的情况下(步骤S114中为“否”)，电子设备100重复步骤SllO的处理。S卩，电子设备100维持动作状态C。而另一方面，在该缓冲器的使用率小于阈值D的情况下(步骤S114中为“是”)，电子设备100前进到步骤S116的处理。上述的步骤S112、S114的处理是多内核10用于寻找对SDRAM60的访问请求不频繁出现的定时的处理。
[0074]接着，电子设备100判断控制器50是否是空闲状态(步骤S116)。具体地说，多内核10确认控制器50的状态寄存器，判断控制器50是否是没有对SDRAM60进行读/写访问的状态。步骤S116的处理是用来寻找以下定时的处理:在该定时，多内核10将用于使SDRAM60转移到DB)状态的命令(以下也称为“DH)命令”。)发给该SDRAM60。
[0075]在控制器50不是空闲状态的情况下(步骤S116中为“否”)，电子设备100重复步骤S116的处理。此外，如上所述，多内核10以一定的周期监视内核11、12、13、14的动作频率和使用率，管理整个多内核10的动作频率和激活内核数。具体地说，多内核10即使在步骤SllO至步骤S116的处理之间也始终监视内核11、12、13、14的动作频率和使用率，进行内核11、12、13、14的动作频率和激活内核数的控制。因此，例如，在从步骤SllO进行到步骤S116中“是”的处理为止的期间，如果多内核10的负荷变为阈值B以上，则电子设备100会再次回到动作状态B (步骤S106)。
[0076]而另一方面，在控制器50是空闲状态的情况下(步骤S116中为“是”)，电子设备100从动作状态C转变为动作状态A(步骤S118)。具体地说，多内核10在控制器50处于空闲状态时，对2GB的SDRAM60发出DI3D命令，使该SDRAM60转移到DI3D状态。
[0077]接着，电子设备100判断向待机状态转移的条件是否成立(步骤S120)。具体地说，多内核10判断是否在一定时间内通过输入装置40接受了来自用户的指示。多内核10在一定时间内未接受到该指示的情况下，转移到待机状态，在一定时间内接受到该指示的情况下，不向待机状态转移。
[0078]在该条件不成立的情况下(步骤S120中为“否”)，电子设备100重复步骤S120的处理。而另一方面，在该条件成立的情况下(步骤S120中为“是”)，电子设备100(多内核10)转移到待机状态(步骤S122)。
[0079]接着，电子设备100判断是否解除待机状态(步骤S124)。具体地说，多内核10判断是否检测到解除待机状态的中断。多内核10在检测到该中断的情况下，解除待机状态，在未检测到该中断的情况下，不解除待机状态。所谓中断的检测，例如是来自通信网络的呼叫的检测、用户的按键操作的检测等。
[0080]在不解除待机状态的情况下(步骤S124中为“否”)，电子设备100重复步骤S124的处理。即，电子设备100(多内核10)维持待机状态。而另一方面，在解除待机状态的情况下(步骤S124中为“是”)，电子设备100重复从步骤S102开始的处理。
[0081]在上述中，说明了在步骤S112中判断多内核10的处理负荷是否小于规定的阈值C的情况。然而，在电子设备100是包含多内核10以外的总线主控器的构成的情况下，电子设备100也可以考虑包括多内核10在内的所有的总线主控器的处理负荷。具体地说，也可以是取代步骤S112，而多内核10判断是否满足以下的⑴和⑵的条件的情况:(1)自身的处理负荷小于阈值C ; (2)其它总线主控器各自的处理负荷均小于对各个总线主控器设定的阈值Cx。在满足⑴和⑵的条件的情况下，电子设备100前进到步骤S114的处理。另外，在不满足⑴和⑵的条件的情况下，电子设备100重复步骤S112的处理。
[0082][实施方式2]
[0083]<硬件构成>
[0084]图8是示出根据实施方式2的电子设备200的硬件构成的示意图。电子设备200的硬件构成是在根据实施方式I的电子设备100的硬件构成中追加了多内核20。因此，关于与电子设备100的硬件构成同样的部分，不重复其详细说明。
[0085]多内核20具有多个内核21?24。具体地说，多内核20是搭载有4个仅能够以比多内核10所搭载的内核11?14低速的频率动作(信息处理能力低)但消耗功率比内核11?14小的内核(内核21?24)的多内核处理器。多内核10和多内核20以可个别地进行信息处理的方式构成，由至少任一方控制电子设备200的各部的动作。即，多内核20与多内核10同样能够控制非易失性存储器30、输入装置40、控制器50、50狀160、通信接口 70和显示器80。以下，为了容易说明，假定至少内核21为激活内核。另外，多内核20为了进行CPU动作频率和激活内核数的控制，以一定的周期监视内核21、22、23、24的动作频率和使用率，管理整个多内核20的动作频率和激活内核数。
[0086]<动作状态>
[0087]图9是用于说明根据实施方式2的电子设备200所具有的多个动作状态的概念图。此外，在图9中，为了容易说明，仅图示出多内核10、多内核20、控制器50和SDRAM60。另外，假定每个SDRAM60的容量为IGB。
[0088]图9(a)所示的电子设备200的动作状态是多内核20通过控制器50A利用SDRAM60A，通过控制器50B利用SDRAM60C，并且控制电子设备200的动作的状态(以下也称为“动作状态Al”。)。在动作状态Al中，SDRAM60B、60D转移到DI3D状态，因此，多内核20能够利用2GB的存储器容量。
[0089]图9(b)所示的电子设备200的动作状态是多内核10通过控制器50A利用SDRAM60A、60B，通过控制器50B利用SDRAM60C、60D，并且控制电子设备200的动作的状态(以下也称为“动作状态BI”。)。在动作状态BI中，不存在转移到DH)模式状态的SDRAM60。因此，多内核10能够利用整个SDRAM60 (4GB的存储器容量)。
[0090]图9(c)所示的电子设备200的动作状态是多内核20通过控制器50A利用SDRAM60A、60B，通过控制器50B利用SDRAM60C、60D，并且控制整个电子设备200的动作的状态(以下也称为“动作状态Cl”。)。在动作状态Cl中，与动作状态BI同样，不存在转移到DPD状态的SDRAM60。因此，多内核20能够利用整个SDRAM60 (4GB的存储器容量)。
[0091]从以上来看，动作状态Al?Cl中的电子设备200的消耗功率最小的动作状态是消耗功率比多内核10小的多内核20可利用2GB的SDRAM60 (其余的2GB为DB)状态)的动作状态Al。S卩，动作状态Al是电子设备200的省电模式状态。另外，电子设备200的消耗功率最大的动作状态是消耗功率大的多内核10可利用4GB的SDRAM60 (无DB)状态的SDRAM60)的动作状态BI。此外，动作状态Cl中的电子设备200的消耗功率比动作状态BI中的该消耗功率小，比动作状态Al中的该消耗功率大。
[0092]电子设备200以根据多内核10和多内核20的处理负荷等变更上述的多个动作状态的方式构成。例如，在利用处理器的处理负荷大的应用程序的情况下，成为消耗功率大但信息处理能力最高的动作状态BI，在利用处理器的处理负荷小的应用程序的情况下，成为消耗功率最小的动作状态Al。动作状态Cl是基于规定的条件从动作状态BI向动作状态Al转移时发挥中介作用的动作状态。
[0093]此外，动作状态Al只要是多内核20可利用2GB的SDRA