M60的状态即可，不限于如图9(a)所示的例子。例如，动作状态Al也可以是多内核20通过控制器50A利用SDRAM60A.60B控制整个电子设备200的动作的情况，也可以是多内核20通过控制器50B利用SDRAM60C、60D控制整个电子设备200的动作的情况。
[0094]<消耗功率的降低效果>
[0095]图10是用于说明根据实施方式2的电子设备200的动作状态Al (省电模式)中的消耗功率的降低效果的时序图。具体地说，图10(a)是以时间序列示出根据比较例的电子设备的多内核的动作、存储器容量的变化和消耗功率的变化的图。图10(b)是以时间序列示出根据实施方式2的电子设备200的多内核20的动作、存储器容量的变化和消耗功率的变化的图。此外，假定根据比较例的多内核的性能与多内核20的性能是同样的。基本上能够认为动作状态Al中的消耗功率的降低效果与实施方式I中所说明的动作状态A中的消耗功率的降低效果是同样的。
[0096]参照图10(a)可知，根据比较例的多内核在每次切换待机状态和激活状态时使存储器容量变化。即，根据比较例的多内核在激活状态时利用4GB的存储器，在待机状态时利用2GB的存储器并且使其余的2GB的存储器转移到DH)状态。
[0097]而另一方面，参照图10(b)，根据实施方式2的多内核20在省电模式(动作状态Al)中，无论是待机状态或者激活状态，均利用2GB的存储器，维持其余的2GB的存储器的DI3D状态。因此，根据实施方式2的多内核20与根据比较例的多内核相比，能够降低T 1+T2的处理时间这部分的消耗电流。
[0098]如上所述，在智能手机等电子设备中，按每2?3秒与基站等进行通信，因此，多内核会频繁重复待机状态和激活状态。因此，与每次切换待机状态/激活状态时均切换存储器容量的根据比较例的多内核的电子设备相比，搭载有无论是待机状态或者激活状态均不切换存储器容量的多内核20的电子设备200整体上能够降低消耗功率。
[0099]此外，虽然在电子设备200中，在动作状态Al与动作状态BI之间转变时也切换存储器容量，但除非是用户刻意而为，否则不会从待机状态转变为动作状态BI。至少不会由于与基站的通信而导致从待机状态转变为动作状态BI。因此，电子设备200与搭载有根据比较例的多内核的电子设备相比，能实现低消耗功率化。
[0100]如上所述，电子设备200在动作状态Al中，即使多内核20是激活状态，可利用的存储器容量也会是2GB。动作状态Al是不要求处理器的处理能力的状况中的动作状态，因此，无论是激活状态或者待机状态均将存储器容量维持为2GB所带来的坏处小，而所带来的能够降低消耗功率的益处大。
[0101]<动作状态的转变>
[0102]图11是用于说明根据实施方式2的电子设备200的动作状态的转变的时序图。参照图11来说明电子设备200从动作状态Al转变为动作状态BI的情形。在动作状态Al中，电子设备200在多内核20的处理负荷变为规定的阈值Al以上(例如，内核21?24以最大频率动作，内核21的使用率为90%以上)的情况下，开始向高性能的动作状态BI转变。具体地说，多内核20将电子设备200的动作控制切换为多内核10。作为处理器的切换方法的一例，可举出big.Little系统等中用于切换不同种类的处理器的任务迀移(TaskMigrat1n)功能等。详细地说，多内核20通过将用于使多内核10取代多内核20来控制电子设备200的动作的起动信息发送给多内核10而起动多内核10。当接收到该起动信息的多内核10起动时，多内核20会将处理器状态完全保存到二级缓存。然后，多内核10读入该处理器状态而使状态恢复，继续多内核20原来正在执行的处理。此时，多内核10和多内核20这两者的二级缓存为了确保同一性而被进行复制，确保了同一性之后，多内核20将缓存清除，将自身的电源断开。
[0103]然后，多内核10开始电子设备200的动作控制，使转移到Dro状态的2GB的SDRAM60恢复为正常状态。即，电子设备200转变为多内核10利用4GB的SDRAM60控制电子设备200的动作的动作状态BI。此外，在从动作状态Al向动作状态BI转变过程中，会临时产生多内核10利用2GB的SDRAM60进行电子设备200的动作控制的动作状态Dl。
[0104]接着，说明电子设备200从动作状态BI转变为动作状态Al的情形。在动作状态BI中，电子设备200在多内核10的处理负荷变为小于规定的阈值BI (例如，激活内核仅是内核11，内核11以最低频率动作，内核11的使用率小于20% )的情况下，开始向低性能的动作状态Al转变。通过上述的切换方法，电子设备200的动作控制从多内核10切换为多内核20。多内核20开始电子设备200的动作控制，从动作状态BI转变为动作状态Cl。
[0105]然后，当满足规定的条件时，多内核20使可利用的4GB的SDRAM60中的2GB的SDRAM60转移到DH)状态。例如，多内核20在判断为自身的处理负荷小于规定的阈值Cl (例如，内核21以低速频率动作，内核21的使用率小于90 %，且内核21以外的激活内核为I个以下)的情况下，基于控制器50的状态，使2GB的SDRAM60转移到DB)状态。详细地说，多内核20在判断为自身的处理负荷小于阈值Cl且基于控制器50的状态寄存器判断为控制器50是空闲状态的情况下，使2GB的SDRAM60转移到DB)状态。这样，电子设备200从动作状态Cl转变为动作状态Al。
[0106]接着，说明根据实施方式2的电子设备200的动作状态的另一转变例。图12是用于说明根据实施方式2的电子设备200的动作状态的转变的另一时序图。参照图12，电子设备200从动作状态Al转变为动作状态BI的情形、从动作状态BI转变为动作状态Cl的情形与图11的例子是同样的，因此不重复其详细说明。
[0107]如图12所示，在从动作状态Cl转变为动作状态Al的情形中，与图11的时序图相比，从开始使2GB的SDRAM60转移到DB)状态的处理到该处理结束为止的时间较长。这是因为，多内核20会确认包括自身在内的所有的总线主控器的处理负荷。
[0108]具体地说，多内核20在判断为包括自身在内的其它所有的总线主控器的处理负荷均小于对各个总线主控器来说已最佳化的规定的阈值的情况下，基于控制器50的状态，使2GB的SDRAM60转移到DB)状态。详细地说，多内核20判断是否满足以下的(I)和(2)的条件:(1)多内核20的处理负荷小于阈值Cl ; (2)其它总线主控器各自的处理负荷小于对各个总线主控器准备的阈值Clx。然后，多内核20在满足(I)和(2)的条件且基于控制器50的状态寄存器判断为控制器50是空闲状态的情况下，使2GB的SDRAM60转移到DPD状态。这样，电子设备200从动作状态Cl转变为动作状态Al。
[0109]<处理次序>
[0110]图13是示出根据实施方式2的电子设备200的SDRAM容量的控制处理的流程图。以下的各步骤基本上是多内核10和多内核20通过执行存储于非易失性存储器30的程序来实现的。
[0111]参照图13，电子设备200在维持动作状态Al时(步骤S202)，判断多内核20的处理负荷是否是规定的阈值Al以上(步骤S204)。具体地说，多内核20基于激活内核的数量、内核21?24的使用率和动作频率中的至少任一种进行该判断。例如，多内核20在内核21的使用率为90%以上且内核21?24以可动作的最大频率进行动作的情况下，判断为处理负荷是阈值Al以上。
[0112]在多内核20的处理负荷不是阈值Al以上的情况下(步骤S204中为“否”)，电子设备200重复从步骤S202开始的处理。而另一方面，在该处理负荷是阈值Al以上的情况下(步骤S204中为“是”)，电子设备200从动作状态Al转变为动作状态BI (步骤S206)。具体地说，通过上述的切换方法，电子设备200的动作控制从多内核20切换为多内核10，多内核10开始电子设备200的动作控制，使转移到DH)状态的2GB的SDRAM60恢复为正常状
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[0113]接着，电子设备200判断多内核10的处理负荷是否小于规定的阈值BI (步骤S208)。具体地说，多内核10基于激活内核的数量、内核11?14的使用率和动作频率中的至少任一种进行该判断。例如，多内核10在仅内核11动作且内核11的使用率小于20%且内核11进行动作的动作频率是可动作的最低频率的情况下，判断为处理负荷小于阈值BI。
[0114]在多内核10的处理负荷不小于阈值BI的情况下(步骤S208中为“否”)，电子设备200重复从步骤S206开始的处理。而另一方面，在该处理负荷小于阈值BI的情况下(步骤S208中为“是”)，电子设备200从动作状态BI转变为动作状态Cl (步骤S210)。具体地说，通过上述的切换方法，电子设备200的动作控制从多内核10切换为多内核20。
[0115]接着，电子设备200判断多内核20的处理负荷是否小于规定的阈值Cl (步骤S212)。具体地说，多内核20基于激活内核的数量、内核21?24的使用率和内核21?24的动作频率中的至少任一种进行该判断。例如，多内核20判断是否是:内核21以最低频率动作，内核21的使用率小于90%，内核21以外的激活内核为I个以下。
[0116]在多内核20的处理负荷不小于阈值Cl的情况下(步骤S212中为“否”)，电子设备200重复从步骤S210开始的处理。而另一方面，在该处理负荷小于阈值Cl的情况下(步骤S212中为“是”)，判断控制器50的读/写缓冲器的使用率是否小于规定的阈值Dl (步骤S214)。具体地说，多内核20监