一种大容量NORFlash存储芯片及其扩展方法

文档序号:9564402阅读:1013来源:国知局
一种大容量NOR Flash存储芯片及其扩展方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及电子技术领域,尤其涉及一种大容量NOR Flash存储芯片及其扩展方法。
【背景技术】
[0002]NOR Flash是现在市场上主要的非易失闪存技术之一。NOR Flash芯片具有可靠性高、体积小、密度大、可擦除、可重写等优点,并且N0R地址线和数据线分开,所以N0R芯片可以像SRAM —样连在数据线上。N0R芯片的使用也类似于通常的内存芯片,它的传输效率很高,可执行程序可以在芯片内执行,这样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。由于N0R的这个特点,嵌入式系统中经常将N0R芯片做启动芯片使用。因此NOR Flash作为一种存储器在信息技术设备上得到越来越广泛的应用。
[0003]在以太网交换机的硬件电路中,NOR Flash既可用作存储启动代码和嵌入式操作系统的启动Flash,也可以用作存储关键配置参数和重要用户数据的应用Flash。但是对于大容量,如16Mbit以上的场合,单片的NOR Flash芯片还很难做到,或者即使能做到的话,对于普通用户而言要么不方便购买,要么是供货不稳定。但是对于小容量的NOR Flash芯片,其购买比较容易,供货也比较稳定。因此,提供一种由小容量的NOR Flash芯片构成的大容量存储芯片,成为目前亟待解决的问题。

【发明内容】

[0004]鉴于上述问题,本申请记载了一种大容量NOR Flash存储芯片,所述存储芯片包括:
[0005]若干个NOR Flash芯片,用以存储数据;
[0006]复杂可编程逻辑器件,所述复杂可编程逻辑器件的10 口与所述NOR Flash芯片的地址引脚和控制引脚相连,用以根据地址信息向相应的NOR Flash芯片输送使能信号;
[0007]CPU,与所述复杂可编程逻辑器件的10 口相连以及通过数据线与NOR Flash芯片相连,用以向所述复杂可编程逻辑器件发送所述地址信息。
[0008]较佳的,所述存储芯片还包括:
[0009]测试单元,与所述复杂可编程逻辑器件相连,用以对所述复杂可编程逻辑器件进行测试;
[0010]时钟单元,与所述复杂可编程逻辑器件相连,用以向所述复杂可编程逻辑器件输送时钟信号。
[0011]较佳的,所述测试单元包括与所述复杂可编程逻辑器件相连的JTAG接口,所述JTAG接口的第四脚接入固定电压。
[0012]较佳的,所述测试单元还包括第一电阻、第二电阻以及第三电阻,所述第一电阻和所述第二电阻一端均接入固定电压,另一端均与所述JTAG接口以及所述复杂可编程逻辑器件相连;所述第三电阻的一端接地,另一端与所述JTAG接口以及所述复杂可编程逻辑器件相连。
[0013]较佳的,所述时钟单元为晶体振荡器,所述晶体振荡器的一端接入固定电压,另一端与所述复杂可编程逻辑器件相连。
[0014]较佳的,所述固定电压为3.3V。
[0015]较佳的,所述复杂可编程逻辑器件的型号为EPM240T100 ;所述NOR Flash芯片的型号为 SST39VF040。
[0016]本发明还提供了一种大容量NOR Flash存储芯片的扩展方法,所述方法包括步骤:
[0017]当需要读取或写入数据时,CPU向复杂可编程逻辑器件发送读取或写入数据所需地址的地址信息;
[0018]所述复杂可编程逻辑器件判断所述地址信息所对应的NOR Flash芯片;
[0019]所述复杂可编程逻辑器件向所述NOR Flash芯片的控制管脚输入使能信号;
[0020]从所述NOR Flash芯片中读取数据或在所述NOR Flash芯片中写入数据。
[0021]较佳的,当从所述NOR Flash芯片中读取数据后,所述NOR Flash芯片通过数据线将所述数据传递至所述CPU。
[0022]上述技术方案具有如下优点或有益效果:一种大容量NOR Flash存储芯片及其扩展方法中,CPU通过CPLD扩展NOR Flash, CPU原有的程序无需变更。在实际应用中,可根据实际需要,决定扩展NOR Flash的数量。与现有技术相比本发明可以较为方便的使用多个容量较小的NOR Flash应用于需要大容量NOR Flash容量的场合,并且可以根据实际需要决定扩展NOR Flash的数量。容量较小的NOR Flash货源较多,价格较为便宜,本发明可以有效的降低成本。
【附图说明】
[0023]参考所附附图,以更加充分的描述本发明的实施例。然而,所附附图仅用于说明和阐述,并不构成对本发明范围的限制。
[0024]图1为本发明一种大容量NORFlash存储芯片的结构示意图一;
[0025]图2为本发明一种大容量NORFlash存储芯片的结构示意图二 ;
[0026]图3为本发明一种大容量NORFlash存储芯片的电路图;
[0027]图4为本发明一种大容量NORFlash存储芯片的扩展方法的流程示意图。
【具体实施方式】
[0028]下面结合附图和具体实施例对本发明一种大容量NOR Flash存储芯片及其扩展方法进行详细说明。
[0029]实施例一
[0030]如图1所示,一种大容量NOR Flash存储芯片,包括:
[0031 ] CPU,用以将地址信息发送至CPLD中;
[0032]CPLD (Complex Programmable Logic Device,复杂可编程逻辑器件),与所述 CPU相连,用以根据所述地址信息控制相应的NOR Flash芯片;
[0033]若干个NOR Flash芯片,均分别与所述CPLD以及CPU相连,用以存储数据。
[0034]具体来说,存储芯片中包括多个小容量的NOR Flash芯片,所有的小容量NORFlash芯片的均与CPLD相连。具体来说,CPU的NOR Flash接口与CPLD的10引脚相连,同时NOR Flash芯片的地址引脚和控制引脚也与CPLD的10引脚相连,NOR Flash芯片通过数据线与CPU相连。当CPU需要从存储芯片中读取数据时,CPU通过与CPLD相连的地址线发送地址信息至CPLD,CPLD接收到该地址信息后,判断该地址信息对应的地址范围属于哪个NOR Flash芯片,然后向该NOR Flash芯片的控制引脚输送使能电压。最后,该NOR Flash芯片将相应的数据通过与CPU相连的数据线传递至CPU。
[0035]如图2所示,所述大容量NOR Flash存储芯片还包括
当前第1页1 2 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1