:
[0036]测试单元，与所述CPLD相连，用以对所述CPLD进行测试；
[0037]时钟单元，与所述CPLD相连，用以向所述CPLD输送时钟信号。
[0038]具体在实际应用中，型号为EPM240T100的CPLD以及型号为SST39VF040的N0RFlash都是在以太网交换机中常用的芯片。如图3所示，其为大容量NOR Flash存储芯片的一种优选的电路图。其中，测试电路为由Rl、R2、R3以及JTAG接口 J1构成的JTAG电路，JTAG电路与CPLD相连，用以对CPLD进行测试。3.3V电压经电容C1 (第一电容)滤波后进入J1的第四脚，R1 (第一电阻)、R2(第二电阻)、R3(第三电阻)和J1组成JTAG电路，用以芯片的测试。所述第一电阻和所述第二电阻一端均接入3.3V固定电压，另一端均与所述JTAG接口以及所述复杂可编程逻辑器件相连；所述第三电阻的一端接地，另一端与所述JTAG接口以及所述复杂可编程逻辑器件相连。此外，所述时钟单元为晶体振荡器，3.3V电压电容C2滤波后进入晶体振荡器0SC的第一和第四脚，分别给晶振供电和使能晶振，CPLD芯片U2的时钟信号由0SC提供。CPLD芯片U2的电源和地引脚分别接3.3V电源和地。CPLD芯片的101-1023分别接到CPU对应的NOR FlashU3和U4的地址和控制引脚上。两片N0RFlash的地址和控制引脚分别接到CPLD的10引脚上，数据线D0-D7接到CPU对应的N0RFlash数据线上。
[0039]距离来说，若NOR Flash的存储容量是512KB，相应的地址范围是OXOOOOO-OxEFFFF。当CPU需要从NOR Flash中读取数据时，需要把地址发送到CPLD，如果CPLD的接收到的地址落在0X00000-0x7FFFF之间，CPLD使能CS0，选中NOR Flash芯片U3，CPU从NOR Flash芯片U3中读写数据。如果CPLD接收到的地址落在0x80000_0xFFFFF之间，CPLD使能CS1，选中NOR Flash芯片U4，CPU从NOR Flash芯片U4中读写数据。
[0040]本实施例中提出的一种大容量NOR Flash存储芯片，CPU通过CPLD扩展NORFlash，CPU原有的程序无需变更。在实际应用中，可根据实际需要，决定扩展NOR Flash的数量。与现有技术相比本发明可以较为方便的使用多个容量较小的NOR Flash应用于需要大容量NOR Flash容量的场合，并且可以根据实际需要决定扩展NOR Flash的数量。容量较小的NOR Flash货源较多，价格较为便宜，本发明可以有效的降低成本。
[0041]实施例二
[0042]根据上述实施例提出的一种大容量NOR Flash存储芯片，本实施例对该存储芯片的扩展方法进行说明。
[0043]如图4所示，一种大容量NOR Flash存储芯片的扩展方法，包括步骤:
[0044]当需要读取或写入数据时，CPU向CPLD发送读取或写入数据所需地址的地址信息;
[0045]CPLD判断该地址信息所对应的NOR Flash芯片；
[0046]CPLD向该NOR Flash芯片的控制管脚输入使能信号；
[0047]从该NOR Flash芯片中读取数据或在该NOR Flash芯片中写入数据。
[0048]具体来说，当用户需要读取或写入数据时，CPU向CPLD发送读取或写入数据所需地址的地址信息。CPLD接收该地址信息后，判断该地址信息所对应的NOR Flash芯片，然后向该NOR Flash芯片的控制管脚输入使能信号，最后，从该NOR Flash芯片中读取数据或在该NOR Flash芯片中写入数据。值得指出的是，由于NOR Flash芯片通过数据线与CPU相连，所以当读取了 NOR Flash芯片的数据后，该数据通过数据线传递至CPU中。
[0049]对于本领域的技术人员而言，阅读上述说明后，各种变化和修正无疑将显而易见。因此，所附的权利要求书应看作是涵盖本发明的真实意图和范围的全部变化和修正。在权利要求书范围内任何和所有等价的范围与内容，都应认为仍属本发明的意图和范围内。
【主权项】
1.一种快速检测NAND Flash内存的方法，其特征在于，所述方法包括步骤: 擦除NAND Flash内存的一个存储单元块； 在所述存储单元块的一存储单元页中写入测试数据； 读取写入的所述测试数据； 根据所述存储单元页中原始写入的测试数据和读取的测试数据判断数据线是否正常； 若不正常，判定NAND Flash内存异常；否则，判定NAND Flash内存正常。2.根据权利要求1所述的快速检测NANDFlash内存的方法，其特征在于，在所述存储单元页的基地址0偏移处写入所述测试数据。3.根据权利要求2所述的快速检测NANDFlash内存的方法，其特征在于，读取写入的所述测试数据时，依次读取从所述基地址处开始的地址空间。4.根据权利要求2或3所述的快速检测NANDFlash内存的方法，其特征在于，根据所述存储单元块中原始写入的测试数据和读取的测试数据判断所述数据线是否正常的过程包括步骤: 将原始写入的测试数据和读取的测试数据进行异或，判断结果是否为0 ; 若结果为0，判定所述数据线正常；否则，判定所述数据线异常。5.根据权利要求1所述的快速检测NANDFlash内存的方法，其特征在于，当所述数据线正常时，判定地址线及相应的控制信号线正常。6.根据权利要求5所述的快速检测NANDFlash内存的方法，其特征在于，写入的所述测试数据为交替的Oxaa和0x55。
【专利摘要】本发明提供一种大容量NOR？Flash存储芯片及其扩展方法，所述存储芯片包括：若干个NOR？Flash芯片，用以存储数据；复杂可编程逻辑器件，所述复杂可编程逻辑器件的IO口与所述NOR？Flash芯片的地址引脚和控制引脚相连，用以根据地址信息向相应的NORFlash芯片输送使能信号；CPU，与所述复杂可编程逻辑器件的IO口相连以及通过数据线与NOR？Flash芯片相连，用以向所述复杂可编程逻辑器件发送所述地址信息。本发明可以较为方便的使用多个容量较小的NOR？Flash应用于需要大容量NOR？Flash容量的场合，并且可以根据实际需要决定扩展NOR？Flash的数量，有效的降低成本。
【IPC分类】G06F3/06
【公开号】CN105320472
【申请号】CN201510887883
【发明人】王振
【申请人】上海斐讯数据通信技术有限公司
【公开日】2016年2月10日
【申请日】2015年12月4日