[0082]行间伪跨接线470进一步包括行间跨接线中心区域476，该行间跨接线中心区域476包括行间跨接线中点478。行间跨接线中心区域476可基本对应(例如，同心地排列)于行间跨接线中点478，该行间跨接线中点可与第一和第二行间跨接线端点472和474竖直对齐，并且也与相应的行跨接线中点450竖直对齐。例如，端点472和474和中点478可共同沿竖直轴413对齐。
[0083]在此实施例中，在第一和第二行间跨接线端点472和474之间延伸的行间跨接线锯齿结构包括关于竖直轴(例如竖直轴413)交替成负角度和正角度的三个行间跨接线段，这类似于上面描述的行跨接线锯齿结构以及列间跨接线锯齿结构(旋转大致90° )。具体而言，每个行间跨接线470包括行间跨接线中间段480，行间跨接线中心区域476和行间跨接线中点478对应于该行间跨接线中间段。中间段480在上侧被第一行间跨接线末端段482围绕并接合，且在下侧被第二行间跨接线末端段484围绕并接合。末端段482和484各自包括行跨接线远端486，每个行跨接线远端相应地包括第一和第二行间跨接线端点472和474，行间伪跨接线470在所述行间跨接线端点处连接到行导体414的相邻部分。
[0084]类似于行跨接线440，第一行间末端段482、行间跨接线中间段480、以及第二行间末端段484相对于竖直轴(例如竖直轴413)交替地成负和正倾斜角度排列。针对置于中心行电极402和上方行电极402之间的行间区域中的特定行间伪跨接线470示出了这样的角度；第一行间跨接线末端段482与竖直轴490形成负列角度488，行间跨接线中间段480与竖直轴490形成正列角度492，且第二行间跨接线末端段484与竖直轴490形成负列角度488。例如，竖直轴490可以是竖直轴413的换位。要领会，其中第一和第二行跨接线末端段482和484与竖直轴490形成不同角度的其它实施例是可能的。
[0085]作为非限制性示例，负列角度488可以是30°，且正列角度492可以是-30° (替换地，120° )，而如沿竖直轴490测量的第一行间跨接线末端段482、行间跨接线中间段480、以及第二行间跨接线末端段484的节距可以分别是0.75mm, 1.5mm和0.75mm，分别对应于行跨接线440的相应角度和节距。然而，这些角度和节距可被调整而不背离本公开的范围，并且可基于对行电极要被置于其中的触敏显示设备期望的各种特征(包括但不限于显示和触敏分辨率)来选择。而且，在一些实施例中，行间伪跨接线470的角度和/或节距与行跨接线440的那些角度和/或节距相比可改变。
[0086]与上面参考图3B-3F描述的列间伪跨接线370相同，行间伪跨接线470与相邻导电结构(例如，行跨接线440、导体414)电绝缘并被配置成不贯穿其结构或其被接合到的结构传送电流。诸如间隙394之类的中断可被应用于行间伪跨接线470来打断原本毗连的导电路径，将跨接线绝缘，并使得伪跨接线不导电。与列间伪跨接线370相同，行间伪跨接线470被置于相邻行电极402之间的区域中，在所示实施例中与占据相同竖直区域(例如列)的行跨接线竖直对齐，行跨接线和行间跨接线的列可看上去基本毗连。尽管跨接线可能不可光学分辨，然而其感知度可被减小，因为在被遮挡和未遮挡像素之间的光输出方面的差异被变得不透明。
[0087]在图4B中示出了向行间伪跨接线470应用中断的一种方法；此处，中断394沿其整个长度(例如，末端段和中间段的长度的和)对伪跨接线打孔。然而，其它方法是可能的，包括如在图3C-3F中所示地应用中断的方法。在这些实施例中，一个或多个中断可在行间段拐点、行间段中心区域或中点、行间末端段端点附近等处应用。
[0088]要领会，上面描绘的实施例(尤其是行间伪跨接线中的中断的所描绘的变化)在本质上是示例性的且不旨在限制本公开的范围。本领域普通技术人员将领会行间伪跨接线中的中断的形成和定位中的其它变体。而且，在一些实施例中，行间伪跨接线470可作为绝缘结构被定位在独立的层中但是与相应跨接线440 —致地定位，以使得在由竖直方向上的用户查看电极矩阵时伪像可感知度被减小。
[0089]作为非限制性示例，行电极402可沿竖直轴312以3_7mm之间的节距彼此间隔开，行导体414可沿竖直轴以l_4mm之间的节距彼此间隔开，而线形行段(例如段418和420)可相对于水平轴410成在15° -35°和-15° -(-35° )之间的角度被交替定位。行跨接线440可沿水平轴410以2-4mm之间的节距彼此间隔开，并可包括相对于竖直轴413在50° -70°和-50° -(-70° )之间的角度交替定位的行跨接线段(例如，段454)。
[0090]现在转向图5，示出了被配置成感测触摸输入的电容式电极矩阵500的实施例。具体而言，矩阵500的平面视图被示出，其包括在行电极矩阵400上方竖直定位的列电极矩阵300。例如，列电极矩阵300可在触摸传感器208的接收电极层210中形成，而行电极矩阵400可在传送电极层212中形成。矩阵可形成包括在适当显示设备(例如，IXD、0LED、AM0LED、等离子等)中的触摸传感器的部分。
[0091]矩阵500包括驱动电路502，该驱动电路被配置成用唯一时变电压分别驱动行电极矩阵400中的每个行电极402，而列电极矩阵300中的列电极302被保持在地电势。相应电容器504在每个列电极302和行电极402的相交区域中形成。响应于用户的手指或诸如指示笔之类的其它设备施加的触摸输入，至少一个电容器504的电容可改变。该改变可由耦合至列电极302中的每一个的一个或多个检测电路506检测到并被评估以解释触摸输入并基于例如收到信号中的相移和/或衰减来确定其位置。要注意，驱动电路502可替代地被连接至列电极矩阵300中的列电极302，而检测电路506可被连接至行电极矩阵400中的行电极402，而不背离本公开的范围。驱动电路502和检测电路506可被统称为“控制电子电路”。
[0092]图5还示出了从竖直方向508 (延伸出图5的页面)看到的列电极302和行电极402之间的相对定位以及各种交点。在此实施例中，列电极302(例如，列段中点338)基本对齐于竖直轴312(例如，在5°内)，而行电极402(例如，行段中点436)基本对齐于水平轴410 (例如，在5°内)。然而，要领会，列和行电极302和402对竖直轴312和水平轴410的对齐可被改变以在电极及其相应轴之间产生角度偏离，且更具体而言，在列段和行段及其相应轴之间产生角度偏离。而且，这种角度偏离可在各列和行电极之间变化一一例如，相邻列电极可被对齐至距同一竖直轴的不同角度。每个列导体316的锯齿结构在相应的跨越区域(例如，跨越区域510)跨越每个行导体414的锯齿结构。跨越区域可在竖直轴312和水平轴410的交点处形成。尽管示出了每个竖直和水平轴312和410的单个实例，但是要领会，竖直轴可与列电极矩阵300中的每个和全部列电极302相关联，且水平轴可与行电极矩阵400中的每个和全部行电极402相关联，以使得每个和全部竖直和水平轴之间的交点形成相应的跨越区域510。在此实施例中，更具体而言，从竖直方向508上看，每个成负角度的列段322的第一中点338与每个成负角度的行段418的第二中点436基本重叠(例如，视觉上相交)。由这种重叠形成的交点可在倾斜角度处，如上面参考列电极302和行电极402所描述的倾斜相交一样。然而，在一些实施例中，其它列和行段区域可重叠。例如，列段的中点可与行段的更靠近该行段的端点之一的区域重叠。
[0093]图5还示出了列跨接线342可如何在相邻行导体414对之间或在相邻行电极402之间竖直放置。同样，行跨接线440可以水平置于相邻列导体416对之间或相邻列电极302之间。而且，每个列跨接线中点352取决于其在矩阵500中的位置而与行跨接线中点450或行间跨接线中点478相交。同样，每个行跨接线中点450取决于其在矩阵500中的位置而与列跨接线中点352或列间跨接线中点478相交。列跨接线或列间跨接线和行跨接线或行间跨接线之间在其中点处的相交可以处于倾斜角度，如上所述(例如90° +/-10° )。
[0094]每个列跨接线342、列间伪跨接线370、行跨接线440以及行间伪跨接线470可在三岔口交点处与周围的电极结构相交，同样处于倾斜角度。例如，图5示出了三岔口列相交区域512，其中列间伪跨接线370在左侧与成正角度的列段320相交(在列段中点338和第一列间跨接线端点372处)，在中点378和478处与行间伪跨接线470相交，且在右侧与第二成正角度的列段320相交(在列段中点338和第二列间跨接线端点374处)。这种相交可以处于一个或多个倾斜角度(例如，90° +/-10° )。类似地，三岔口交点还应用于列跨接线342、行跨接线440、以及行间伪跨接线470。行相交区域514表示其中行间伪跨接线470加入与成正角度的行段和列跨接线中间段的三岔口交点的区域。
[0095]在呈现各种类型的对称的电极矩阵500的实施例中，列和行跨接线也呈现各种类型的对称。例如如图5中所示，对于每个列跨接线342，第一和第二列跨接线末端段356和358以及列跨接线中间段354是相邻行导体414的相应的竖直对齐的关于水平轴410的倒影。对于每个列间伪跨接线370，相应的第一、第二和中间段也是相邻的行导体414的相应的竖直对齐的部分的水平倒影。同样，对于每个行跨接线440，第一和第二行跨接线末端段454和456以及行跨接线中段452是相邻的列导体316的相应的水平对齐部分关于竖直轴312的倒影。对于每个行间伪跨接线470，相应的第一、第二和中间段也是相邻的列导体316的相应的水平对齐的部分的竖直倒影。
[0096]尽管在图5中描绘的示例实施例中示出了三个列和行电极302和402，然而要领会，这些电极可连同多个附加的列和行电极形成电容式触敏电极矩阵。该数量将取决于实现来变化且可基于各种所需特征来选择，诸如触摸感测分辨率和电容式电极矩阵位于其上方的显不器设备的分辨率。
[0097]如图5中看出，跨接线及其伪跨接线对应者可呈现某种对称性(例如，跨接线342和伪跨接线370、以及跨接线440和伪跨接线470)。例如，伪跨接线与其跨接线对应者可具有基本类似的大小和/或形状(例如，5%以内)。跨接线和伪跨接线可具有相同的空间密度一一例如，每单位面积电极矩阵500的跨接线和伪跨接线的数量可以相同。而且，伪跨接线可与相邻电极中的相应跨接线对齐地定位。例如，伪跨接线370可与相邻列电极300中的相应跨接线342在列电极矩阵300中对齐。
[0098]还要领会，上面公开的实施例可适应于所绘触摸传感器外的其它电容式触摸传感器——例如，不测量从列到行的电容的电容式触摸传感器。
[0099]示例1
[0100]在一个非限制性示例实施例中，电极矩阵包括层叠到行电极膜的列电极膜。两个电极膜被由50 μ m厚的、光学清澈的、丙稀酸的、压敏粘结膜粘结在一起。
[0101]每个电极膜包括涂覆有大致1.5 μπι厚的铜层的100 μπι厚的、光学清澈的、双轴取向聚(对苯二甲酸乙二醇酯)膜，该铜层被化学处理以最小化光反射，随后被光刻以形成列或行电极的阵列。替换地，涂覆可被沉积以减小光学反射。
[0102]在此示例中，列电极膜是大致矩形的，且大小为2000Χ 1180mm。其包括300X1列电极阵列，其共同占据1920 X 1092mm的矩形感测区域。每个列电极占据大致4.2 X 1092mm的矩形区域。列电极沿X(例如水平)方向在6.4mm的节距上间隔开，且每个列电极跨越感测区域的整个Y(例如竖直)尺寸。
[0103]在此示例中，行电极膜是矩形的，且大小为2000X 1118mm。其包括1X182行电极阵列，其共同占据1920 X 1092mm的矩形感测区域。每个行电极占据大致1920X4.2mm的矩形区域。行电极沿Y方向在6mm的节距上间隔开，且每个行电极跨越感测区域的整个X尺寸。
[0104]每个列电极由ΙΟμπι标称宽度的锯齿铜列导体的梯状网络构成。两个等同的、平行的、长的锯齿列导体各包括728个等长的线性列段，所述线性列段相对于水平线被交替定位在60°和-60°的角度(相对于竖直线30°和-30° );每个线性列段沿Υ方向延伸
1.5mm。两个长锯齿列导体具有列节距，沿X轴间隔开3.2mm。这两个长