一种基于片选控制的闪存保护电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明可以解决嵌入式微处理器闪存内容被破坏问题，应用于监控等拥有嵌入式硬件设备的所有领域。
【背景技术】
[0002]目前，各个领域的设备几乎都有嵌入式微处理器组成，但是嵌入式系统的硬件设备不同于电脑，经常是意外断电，微处理器在没有规律地读写这微处理器，意外断电等情况发生后，装载着系统程序和数据信息的闪存芯片的内容时有被破坏现象。可以想象整个嵌入系统里面所有的程序和重要信息都在闪存里面，轻则系统不正常，重则是系统直接崩溃不能启动，表象是整个嵌入式设备损坏。
[0003]监控如果闪存本身没有损坏，而是因为概率相对小的闪存内容损坏而返修，不仅对品牌影响不好，快递费用，故障分析，维修等也会造成不小的利润损失。
【发明内容】
[0004]如图1所示，本发明是基于电源控制和片选控制的双重闪存保护电路，解决闪存内容损坏的问题。
[0005]如图2所示，首先总电压监测模块时发现电压低于输入电压的90%左右，即1V左右时，输出两个拉低信号，一个是控制3.3V电源模块进入关的状态，一个是直接控制闪存芯片的WP (写保护管脚)，提前关掉向闪存内部写数据这个功能。这是第一层保护作用。
[0006]如图4所示，可控开关的电源模块是，当接收到总电压监测模块输出的电源状态信号没有被拉低时，是正常输出3.3V，是工作状态。当接收到拉低信号时，进入关闭状态，这个模块这时不输出电压，也就是输出电压是0V。
[0007]如图5所示，这个3.3V和一直应该处于工作状态的1.0V都是微处理器的供电电压，微处理器电压监测模块一直监测这两个电压都正常时，这个模块输出不输出拉低信号给片选控制模块，当这两个电压有一个不正常时，都会输出拉低信号，即关掉片选控制模块。
[0008]如图6所示，片选控制模块就是根据微处理器电压监测模块的结果，来控制片选信号。当接收到微处理器电压监测模块结果是不正常时，就控制闪存不工作，任何读写操作都会无效。这是第二层保护
本发明的有益效果:
本发明的有益效果其一是减少闪存没有损坏，可是闪存内容被破坏的概率，减少返修率，提高品牌效果。其二是能够提高嵌入式系统的可靠性。
[0009]【附图说明】:
图1.一种基于片选控制的闪存保护电路框图
图2.—种基于片选控制的闪存保护电路_总电压监测部分_的具体电路图图3.—种基于片选控制的闪存保护电路_闪存部分_具体电路图图4.一种基于片选控制的闪存保护电路_可控制开关电源模块_的具体电路图图5.—种基于片选控制的闪存保护电路_微处理器电压监测_的具体电路图图6.—种基于片选控制的闪存保护电路_片选控制模块_的具体电路图【具体实施方式】:
如图1所示，本发明是基于电源控制和片选控制的双重闪存保护电路具体框架图。按照这个框图，本发明共分为4各控制模块和一个被控制的闪存模块。
[0010]如图2所示，是总电压监测模块的具体电路图。R630、R631、R632是分压电路，当输入电压在1V左右时，分压R632的电压时2.5V。把这个分压输入给D9 (TL431)，分压低于
2.5V时，Qll (8550)的基极和发射机电压绝对值高于0.7V，Qll (8550)进入开状态，同理，Q4(8050)、Q7 (8050)、Q5 (8050)基极和发射机电压绝对值高于0.7V，都处于开状态。分别拉低接受电路的信号状态。也就是说发现输入电压低于输入电压的90%左右，即1V左右时，输出两个拉低信号，一个是进入可控开关电源模块控制3.3V电源模块进入关的状态。另一个是直接控制闪存芯片的WP (写保护管脚)，提前关掉向闪存内部写数据这个功能。这是第一层保护作用。
[0011]如图4所示，可控开关电源模块的具体电路图。当没有接收到总电压监测模块输出的拉低信号时，认为电源状态信号是正常，U56 (DC-DC开关电源芯片)的管脚SHDN/S被R64拉高，是高电平，这个模块输出3.3V，是工作状态。当接收到拉低信号时，U56(DC-DC开关电源芯片)的管脚SHDN/S被拉低，进入关闭状态，这个模块这时不输出电压，也就是输出电压是0V。
[0012]如图5所示，是微处理器电压监测模块的具体电路图。这个3.3V和一直处于工作状态的1.0V都是微处理器的供电电压，微处理器电压监测模块一直监测这两个电压。1.0V正常时，R642、R643的分压大于0.7V，也就是Q6(8050)基极和发射机电压绝对值高于0.7V,进入导通状态，同理Q19 (8050)基极和发射机电压绝对值小于0.7V，不输出拉低信号给片选控制模块，当这两个电压有一个不正常时，都会输出拉低信号，即关掉片选控制模块。
[0013]如图6所示，片选控制模块就是根据微处理器电压监测模块的结果，来控制片选信号。当接收到微处理器电压监测模块结果是不正常时的拉低信号时，Q13 (8550)的基极和发射机电压绝对值高于0.7V，Q13(8550)进入开状态，CSlN_Pro就会被拉高，就控制闪存不工作，任何读写操作都会无效。这是第二层保护。
【主权项】
1.一种基于片选控制的闪存保护电路，由总电压监测模块，可控制开关的电源模块，微处理器电压监测模块，片选控制模块，闪存模块组成。2.根据权利要求1所述，一种基于片选控制的闪存保护电路，其特征在于，总电压监测模块对输入电压进行监测。3.根据权利要求1所述，一种基于片选控制的闪存保护电路，其特征在于，总电压监测模块输出两个拉低信号。4.根据权利要求1所述，一种基于片选控制的闪存保护电路，其特征在于，总电压监测模块电压低于某个值时，输出两个拉低信号。5.根据权利要求1所述，一种基于片选控制的闪存保护电路，其特征在于，总电压监测模块电压低于某个值时，输出写保护拉低信号，直接控制闪存芯片。6.根据权利要求1所述，一种基于片选控制的闪存保护电路，其特征在于，总电压监测模块对输入电压进行监测。7.根据权利要求1所述，一种基于片选控制的闪存保护电路，其特征在于，可控开关的电源模块，由逻辑电平控制工作与不工作状态。8.根据权利要求1所述，一种基于片选控制的闪存保护电路，其特征在于，可控开关的电源模块，没有拉低输入信号时，这个电源模块正常输出3.3V。9.根据权利要求1所述，一种基于片选控制的闪存保护电路，其特征在于，微处理器电压监测模块，监测两个电压。10.根据权利要求1所述，一种基于片选控制的闪存保护电路，其特征在于，微处理器电压监测模块，有一个电源电压不正常时，都输出拉低信号，控制片选控制模块。11.根据权利要求1所述，一种基于片选控制的闪存保护电路，其特征在于，片选控制模块，接收到拉低信号时，会将闪存芯片片选控制信号拉高，起到禁止闪存读写作用。12.根据权利要求1所述，一种基于片选控制的闪存保护电路，其特征在于，片选控制模块，没接收到拉低信号时，闪存芯片片选控制信号不收任何影响，正常控制闪存读写操作。
【专利摘要】本发明是基于电源控制和片选控制的双重闪存保护电路，解决闪存内容损坏的问题。首先总电压监测模块时发现电压低于10V左右时，输出两个拉低信号，一个是控制3.3V电源模块进入关的状态，一个是直接控制闪存芯片的WP（写保护管脚），提前关掉向闪存内部写数据这个功能。这是第一层保护作用。可控开关的电源模块是，当接收到总电压监测模块输出的拉低信号时，进入关闭状态，这个模块这时不输出电压，也就是输出电压是0V。微处理器电压监测模块一直监测1.0V和3.3V这两个电压。当这两个电压有一个不正常时，都会输出拉低信号，即关掉闪存芯片片选控制模块。闪存芯片片选控制模块就是根据微处理器电压监测模块的结果，来控制片选信号。当接收到微处理器电压监测模块结果是不正常时，就控制闪存不工作，任何读写操作都会无效。
【IPC分类】G06F11/07
【公开号】CN105589759
【申请号】CN201510063059
【发明人】李欣, 于海燕
【申请人】北京亚太安讯科技有限责任公司
【公开日】2016年5月18日
【申请日】2015年2月8日