电容触摸屏及具有其的触控装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于触控设备技术领域，具体涉及一种电容触摸屏及具有其的触摸装置。
【背景技术】
[0002]触摸屏以其操作的便捷性广泛应用于现代化社会的各行各业。针对此，技术人员近年来提出一种新型GlF(glass-film)结构的触摸屏产品。在现有技术中，GlF触摸屏的构造主要为:带有装饰层的透明保护基板、氧化铟锡(Indium Tin Oxide, ITO)等组成。当手指触摸时，手指和ITO表面形成一个耦合电容，引起触摸点电容量的变化，从而计算出手指所在位置。但对于大尺寸的GlF触摸屏来说，存在方阻高和良率低的问题。
[0003]目前针对10寸以上的触摸屏产品，因膜材阻值限定，一般采用0GS(0neglasssolut1n)的结构居多。OGS结构需搭桥制作，至少需开5道Mask，产品开发制作成本高。因此，亟需提出一种新型的方阻低、制备工艺简单、制造成本低的电容触摸屏。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型旨在至少在一定程度上解决上述技术问题之一。为此，本实用新型的目的在于提出一种方阻低、制备工艺简单的电容触摸屏及具有其的触控装置。
[0005]本实用新型实施例的电容触摸屏，可以包括:玻璃传感器、位于所述玻璃传感器之上的薄膜传感器，和位于所述玻璃传感器和所述薄膜传感器之间的光学透明胶层，其中，所述玻璃传感器包括:透明基板；主要装饰层，所述主要装饰层位于所述透明基板之上且位于非视窗区域；和透明的第一金属导电层，所述第一金属导电层位于所述透明基板之上，所述第一金属导电层中的第一传感单元位于视窗区域，所述第一金属导电层中的第一边缘走线位于非视窗区域，所述薄膜传感器包括:透明薄膜层；和透明的第二金属导电层，所述第二金属导电层位于所述透明薄膜之下，所述第二金属导电层中的第二传感单元位于视窗区域，所述第二金属导电层中的第二边缘走线位于非视窗区域。
[0006]在本实用新型上述实施例的电容触摸屏中，采用金属导电层代替现有GlF触摸屏中的ITO导电层，适用于大尺寸触摸屏，具有方阻低、制备工艺简单、成本低等优点。
[0007]可选地，所述第一金属导电层和所述第二金属导电层均由图形化的金属丝网格构成。
[0008]可选地，所述第一金属导电层和所述第二金属导电层中的金属丝网格中丝线宽度为纳米级别。
[0009]可选地，所述第一金属导电层和所述第二金属导电层的厚度范围为10-300nm。
[0010]可选地，所述第一金属导电层和所述第二金属导电层的透光率大于90%。
[0011]可选地，所述第一金属导电层和所述第二金属导电层的方阻小于10 Ω/ 口。
[0012]可选地，所述透明基板的厚度范围为30-700 μπι。
[0013]可选地，所述透明薄膜层的厚度范围为10-175 μπι。
[0014]可选地，所述光学透明胶层的厚度范围为50-175 μπι。
[0015]本实用新型实施例的触控装置可以包括上述任一种电容触摸屏。基于类似的理由，该触控装置也具有方阻低、制备工艺简单、成本低等优点。
【附图说明】
[0016]图1为本实用新型实施例的电容触摸屏的结构示意图。
[0017]图2为本实用新型实施例的电容触摸屏中第一金属导电层的局部俯视不意图。
【具体实施方式】
[0018]下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。
[0019]图1为本实用新型一个实施例的电容触摸屏的结构示意图。如图1所示，本实用新型实施例的电容触摸屏，可以包括:玻璃传感器(glass sensor) 1、位于玻璃传感器之上的薄膜传感器(film sensor) 2，和位于玻璃传感器I和薄膜传感器2之间的光学透明胶层3。玻璃传感器I包括:透明基板11、主要装饰层12和第一金属导电层13。主要装饰层12位于透明基板12之上且位于非视窗区域。第一金属导电层13也位于透明基板11之上。第一金属导电层13中的第一传感单元位于视窗区域，第一金属导电层13中的第一边缘走线位于非视窗区域。薄膜传感器2包括:透明薄膜层21和第二金属导电层22。第二金属导电层22位于透明薄膜层21之下。第二金属导电层22中的第二传感单元位于视窗区域，第二金属导电层22中的第二边缘走线位于非视窗区域。需要说明的是，本实用新型实施例的电容触摸屏中还可以包括其他常见结构，此为本领域技术人员的已知知识，本实用新型不做赘述。
[0020]在本实用新型上述实施例的电容触摸屏中，采用金属导电层代替现有GlF触摸屏中的ITO导电层，适用于大尺寸触摸屏，具有方阻低、制备工艺简单、成本低等优点。
[0021]本实用新型的电容触摸屏中，透明基板11由光学透明材料构成，优选为强化玻璃。透明基板11的厚度范围约为30-700 ym。
[0022]本实用新型的电容触摸屏中，主要装饰层12无特殊限定，可制作任意颜色，通常采用黄光工艺或丝印的方式制作，采用BM(Black Matrix，黑色矩阵光阻)层或油墨层遮挡功能层的金属引线，以形成装饰效果。BM层图形可以通过曝光、显影的方式完成。油墨层图形可以通过丝网印刷方式完成。
[0023]本实用新型的电容触摸屏中，第一金属导电层13和第二金属导电层22 二者类似，均通过滚动掩模光刻技术形成。滚动掩模光刻技术是指采用银或者铝等导电性良好的金属材料，基于近场连续光刻技术透过圆柱相位掩模来实现。第一金属导电层13和第二金属导电层22可以由图形化的金属丝网格构成。具体地，该金属丝网格的图案的线宽线距为微米级别，金属丝网格本身是通过金属纳米线印刷得到的。由于第一金属导电层13和第二金属导电层22是由镂空的金属丝网格构成，金属丝网格中丝线宽度为纳米级别。由于金属丝网格中透光的镂空面积比例较大、不透光的实体面积比例较小(即金属细丝面积比例较小)，因此第一金属导电层13和第二金属导电层22整体上看起来是透明的。需要说明的是，第一金属导电层13和第二金属导电层22中的金属丝网格的图案可以按照需求进行灵活设计，只需确保最终形成的第一、第二传感单元和第一、第二边缘走线图案无短路、断路缺陷即可。可选地，第一金属导电层13和第二金属导电层22的厚度范围约为10-300nm。通常地，第一金属导电层13和第二金属导电层22的透光率大于90%，方阻小于10 Ω/ 口。
[0024]本实用新型的电容触摸屏中，透明薄膜层21由光学透明材料构成，优选为PET (Polyethylene terephthalate,聚对苯二甲酸类塑料)材质。透明薄膜层21的厚度范围约为10-175 μ m。
[0025]本实用新型的电容触摸屏中，光学透明胶层3用于将玻璃传感器I和薄膜传感器2粘接在一起，厚度范围约为50-175 μπι。在光学透明胶层3粘接之后，通常还进行柔性电路板(FPC)的热压过程，此为本领域技术人员已知技术，本文不赘述。目前市场追求超薄产品，综合制程良率及工艺实现难易度，通常黑色触摸屏产品中光学透明胶层3厚度约为10