一种近耦合或密耦合集成电路卡的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及集成电路卡，具体地说是一种符合IS0/IEC1443国际标准的近耦合或密親合集成电路卡。
【背景技术】
[0002]符合IS0/IEC14443国际标准的近耦合或密耦合集成电路卡是我们日常使用最频繁、最广泛的微电子产品，如二代身份证、城市一卡通、校园一卡通、电梯卡、门禁卡等。集成电路卡设计的使用距离为O?1CM以内(实际使用距离普遍在5CM以内)，其设计的使用操作方式为人工持卡，靠近读卡器使用。现有的集成电路卡如图1、图2所示，包括上层主体1、下层主体2、线圈3及芯片4，上、下层主体1、2相连，下层主体2朝向上层主体I的表面上分别设有线圈凹槽5及芯片凹槽6，线圈3及芯片4分别容置于该线圈凹槽5及芯片凹槽6内，夹在上、下层主体1、2之间。现有的这种集成电路卡存在下列不足:
[0003]1.不便携带:需要放进钱夹，兜里或用卡夹挂到胸前携带。
[0004]2.容易丢失。
[0005]3.不便使用:如果与其它智能卡一同放进钱夹会相互干扰，使用时必须要从钱夹中掏出，才能使用，非常麻烦。
[0006]4.手机干扰:有的人买了封皮内带有卡袋的书皮工智能手机壳，以为将卡放入卡袋就可以实现用手机刷卡，却发现根本用不了 ；民间普遍对此的说法是“手机会使一卡通消磁，所以用不了”。
[0007]5.寿命短:使用时必须靠近读卡器，此时卡呈现弯曲状态，次数多了，就会造成卡内金属线圈疲劳断裂、短路，卡就损坏了(很多人误以为是“消磁”了，这是错误认识)。
[0008]目前，具有能克服上述缺点的符合IS0/IEC14443国际标准的近耦合或密耦合集成早路卡产品在市场上尚未出现，也未见报道。
【实用新型内容】
[0009]为了解决现有集成电路卡存在的上述不足之处，本实用新型的目的在于提供一种近耦合或密耦合集成电路卡。该近耦合或密耦合集成电路卡符合IS0/IEC14443国际标准的全部功能，可以实现手机携带，手机刷卡，多卡同时携带、使用。
[0010]本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的:
[0011]本实用新型包括上层主体、下层主体、线圈及芯片，其中上、下层主体相连，所述下层主体朝向上层主体的表面上分别设有线圈凹槽及芯片凹槽，所述线圈及芯片分别容置于该线圈凹槽及芯片凹槽内，夹在所述上、下层主体之间；所述上层主体为双层结构，即所述上层主体的一面与所述下层主体连接，另一面设有吸波导磁层。
[0012]其中:所述上层主体另一面的边缘沿厚度方向向上延伸、形成吸波导磁层凹槽，所述吸波导磁层容置于该吸波导磁层凹槽内；所述吸波导磁层的上表面与上层主体边缘的上表面共面；所述上层主体及下层主体的形状相同，位于所述吸波导磁层凹槽下方的上层主体的厚度与吸波导磁层的厚度相同，且为所述下层主体厚度的二分之一；所述上层主体、下层主体及吸波导磁层的形状相同，所述上层主体的厚度与吸波导磁层的厚度相同，且为所述下层主体厚度的二分之一。
[0013]本实用新型的优点与积极效果为:
[0014]1.本实用新型放在装有多个卡的钱夹的最外边，使吸波导磁层的那一面朝里，就可以用钱夹刷卡，不必再掏出钱夹，便于携带、使用。
[0015]2.本实用新型的上层主体边缘可向上延伸，形成保护吸波导磁层的凹槽，避免吸波导磁层边缘磨损，延长了使用寿命。
[0016]3.本实用新型放在装卡卡袋的钱夹式手机壳的卡袋里，使吸波导磁层的那一面朝向手机，就可以用手机刷卡。
[0017]4.本实用新型放在有装卡凹槽的手机壳的凹槽里，使吸波导磁层的那一面朝向手机，就可以用手机刷卡。
[0018]5.本实用新型放在内部带有装卡凹槽的手机内，使吸波导磁层的那一面朝向手机主体，就可以用手机刷卡(后壳不能为金属)。
[0019]6.本实用新型与智能手机一起存放、携带，不仅仅可以实现手机刷卡、支付，而且还可隔断手机SAR辐射，保护人体健康，磁卡采用的吸波材料可以大幅减少手机对人体的辐射。
[0020]7.本实用新型能提高刷卡质量，增加读卡距离、速度及成功率。
[0021]8.本实用新型可以提高智能手机数据通讯质量，减少流量浪费，吸波导磁层是电子涡流和无效电磁波的克星，它对无线数据电波的净化作用，能有效提升智能手机处理上网数据的速度，减少数据中断。
[0022]9.本实用新型还有提高通话质量的作用，吸波导磁层还具有改善内埋天线性能的作用，可以消减通话杂音，提高通讯的语音质量。
[0023]10.本实用新型与智能手机一起存放、携带，可大幅延长卡的寿命。
【附图说明】
[0024]图1为现有近耦合或密耦合集成电路卡的爆炸图；
[0025]图2为现有近耦合或密耦合集成电路卡的截面图；
[0026]图3为本实用新型实施例一的爆炸图；
[0027]图4为图3的局部放大图；
[0028]图5为本实用新型实施例一的截面图；
[0029]图6为本实用新型实施例二的爆炸图；
[0030]图7为本实用新型实施例二的上层主体与吸波导磁层的连接结构图；
[0031]图8为本实用新型实施例二的截面图；
[0032]其中:1为上层主体，2为下层主体，3为线圈，4为芯片，5为线圈凹槽，6为芯片凹槽，7为吸波导磁层，8为吸波导磁层凹槽。
【具体实施方式】
[0033]下面结合附图对本实用新型作进一步详述。
[0034]实施例一
[0035]如图3、图4及图5所示，本实用新型包括上层主体1、下层主体2、线圈3、芯片4及吸波导磁层7，本实施例的上层主体I为双层结构，即上层主体I的厚度可为现有近耦合或密耦合集成电路卡中上层主体I厚度的二分之一，在上层主体I的上表面连接有吸波导磁层7，上层主体1、下层主体2及吸波导磁层7的形状相同，上层主体I的厚度与吸波导磁层7的厚度相同，且为下层主体2厚度的二分之一。上层主体I的下表面与下层主体2的上表面相连，下层主体2朝向上层主体I的上表面上分别设有线圈凹槽5及芯片凹槽6，线圈3及芯片4分别容置于该线圈凹槽5及芯片凹槽6内，夹在上、下层主体1、2之间。这样，本实施例即形成一个和现有IS0/IEC1443国际标准的近耦合或密耦合集成电路卡(长、宽、高)外形标准完全相同，而且具有现有IS0/IEC1443国际标准的近耦合或密耦合集成电路卡的全部功能，同时还具有可以实现手机携带，手机刷卡，多卡同时携带、使用等优点的产品。
[0036]上层主体I及下层主体2的材料与现有近耦合或密耦合集成电路卡的材料相同，采用PVC白卡中料融合为整体的结构，吸波导磁层的材料采用具有吸波导磁功能的铁氧体复合材料。
[0037]实施例二
[0038]如图6、图7及图8所示，本实施例与实施例一的区别在于:上层主体I及吸波导磁层7的厚度不变，上层主体I上表面的边缘沿厚度方向向上延伸、形成吸波导磁层凹槽8，吸波导磁层7的尺寸(长、宽)要小于实施例一，这样即可容置于该吸波导磁层凹槽8内，避免吸波导磁层7在长时间使用过程中边缘破损。
[0039]本实施例的吸波导磁层7的上表面与上层主体I边缘的上表面共面。上层主体I及下层主体2的形状相同，位于吸波导磁层凹槽8下方的上层主体I的厚度与吸波导磁层7的厚度相同，且为下层主体2厚度的二分之一。
【主权项】
1.一种近耦合或密耦合集成电路卡，包括上层主体、下层主体、线圈及芯片，其中上、下层主体相连，所述下层主体朝向上层主体的表面上分别设有线圈凹槽及芯片凹槽，所述线圈及芯片分别容置于该线圈凹槽及芯片凹槽内，夹在所述上、下层主体之间；其特征在于:所述上层主体(I)为双层结构，即所述上层主体(I)的一面与所述下层主体(2)连接，另一面设有吸波导磁层(7)。2.按权利要求1所述的近耦合或密耦合集成电路卡，其特征在于:所述上层主体(I)另一面的边缘沿厚度方向向上延伸、形成吸波导磁层凹槽(8)，所述吸波导磁层(7)容置于该吸波导磁层凹槽(8)内。3.按权利要求2所述的近耦合或密耦合集成电路卡，其特征在于:所述吸波导磁层(7)的上表面与上层主体(I)边缘的上表面共面。4.按权利要求2所述的近耦合或密耦合集成电路卡，其特征在于:所述上层主体(I)及下层主体(2)的形状相同，位于所述吸波导磁层凹槽(8)下方的上层主体(I)的厚度与吸波导磁层(7)的厚度相同，且为所述下层主体(2)厚度的二分之一。5.按权利要求1所述的近耦合或密耦合集成电路卡，其特征在于:所述上层主体(I)、下层主体(2)及吸波导磁层(7)的形状相同，所述上层主体(I)的厚度与吸波导磁层(7)的厚度相同，且为所述下层主体(2)厚度的二分之一。
【专利摘要】本实用新型涉及集成电路卡，具体地说是一种符合ISO/IEC1443国际标准的近耦合或密耦合集成电路卡，包括上层主体、下层主体、线圈及芯片，其中上、下层主体相连，所述下层主体朝向上层主体的表面上分别设有线圈凹槽及芯片凹槽，所述线圈及芯片分别容置于该线圈凹槽及芯片凹槽内，夹在所述上、下层主体之间；所述上层主体为双层结构，即所述上层主体的一面与所述下层主体连接，另一面设有吸波导磁层。本实用新型放在装有多个卡的钱夹的最外边，使吸波导磁层的那一面朝里，就可以用钱夹刷卡，不必再掏出钱夹，便于携带、使用。
【IPC分类】G06K19/077
【公开号】CN204856563
【申请号】CN201520576106
【发明人】谭宏伟
【申请人】谭宏伟
【公开日】2015年12月9日
【申请日】2015年8月4日