专利名称：光衍射元件及其制造方法和应用这种光衍射元件的光学拾取器装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种光衍射元件及其制造方法和使用再生光盘的该光衍射元件的光学拾取器装置。
2.相关技术的描述光盘现在被广泛地用作用于记录音乐、图像和数据的媒体。发展了多种用于将数据记录到光盘并从光盘重现数据的装置。其中，渴望提出一种具有小尺寸、高度集成形式并以高性能为特征的光学拾取器装置。
本申请已经提出了一种光拾取器装置300，如
图10所示，它旨在减小高度集成形式的尺寸。光学拾取器装置300由这样的结构组成支座301、位于支座301上的作为光源的半导体激光器302、用于覆盖支座301的罩套303、安装在罩套303上的光透射基片304、安装在光透射基片304上的半波长板305、安装在半波长板305上的光束分离器306、用于将半导体激光器302发射的光束转换为平行光束的准直透镜307、用于将来自于准直透镜307的平行光束聚焦到磁光记录介质309的物镜308和安装在支座301上以检测由光束分离器306分支出的并由磁光记录介质309反射的光的光检测器310。
光束分离器306包括由玻璃材料制成的第一元件315和由具有双折射的材料制成的第二元件316。一偏振器/分离器膜形成在第一元件315和第二元件316之间的边界表面上。
在光透射基片304中，形成有第一衍射元件312和第二衍射元件311，从而构成光衍射元件317。
由半导体激光器302发射的一束光通过第一衍射元件312从而被分割成三束光，也就是，一束透射光(主光束)和±初级(primary)衍射光束(子束)，然后，这些光束穿过半波长板305，被光束分离器306的第一平面313和第二平面314所反射，穿过准直透镜307和物镜308并且聚焦到磁光记录介质309上。
由磁光记录介质309反射的光束以在由第一元件315的折射系数和第二元件316一对常态光和反常态光的折射系数的比率所确定的折射角被光束分离器306的第二平面314分离成常态光和反常态光。从而这样被分离的六光束落到布置在其下的第二衍射元件311上。
图11为通过在光透射基片304上形成第一衍射元件312和第二衍射元件311获得的光衍射元件317的平面图。参照图11，第二衍射元件311被分成第一至第三区域311a至311c，并且落在第二衍射元件311上的六光束进一步被分割成18束透射光和衍射光，然后这些光聚焦在光检测器310上。
图12为说明聚焦在光检测器310上的光点的示意图。在透射过第二衍射元件的六光束中，主光束的常态光分量落在光检测器部分310f上，主光束的反常态光分量落在光检测器部分310e，子束的常态光分量和反常态光分量分别落在光检测器部分310g和310h上。
在由第二衍射元件311的第一区域311a衍射的六光束中，主光束的常态光分量和反常态光分量落在光检测器部分310c和光检测器部分310d之间的边界上。
在由第二衍射元件311的第二区域311b衍射的六光束中，主光束的常态光分量和反常态光分量落到光检测器部分310b。
在由第二衍射元件311的第二区域311c衍射的六光束中，主光束的常态光分量和反常态光分量落到光检测器部分310a。
通过控制由光检测器部分310c和310d输出的信号的差，根据刀刃(knife-edge)方法而获得一聚焦误差信号。通过控制由光检测器部分310g和310h输出的信号的不同，根据三束(three-beam)法而获得一径向误差信号。通过控制由光检测器部分310a和310b输出的信号的差，而获得一所谓的推挽(push-pull)信号。该推挽信号用于检测以弯曲方式记录在磁光记录介质上的地址信号。通过控制由光检测器部分310e和310f输出的信号的差而获得磁光型信号。
这样的光学拾取器装置300具有很好的光利用率，因为除了光束分离器306的第一元件315和第一衍射元件312之外，在由半导体激光器302发射的光束通过它而到达磁光记录介质309的光路中再没有额外的光分支元件。此外，由于磁光信号、聚焦误差信号和径向误差信号都是通过共有的光检测器310检测的，光检测器310在支座301上的面积能被减小，并且光学拾取器装置300能以小型化低成本而实现。
当通过在光透射基片上形成衍射元件从而使衍射元件得以制造时，一般来说，使用反应离子蚀刻装置(以下称作RIE装置)。
图13为普通衍射元件的剖视图。节距(pitch)代表从衍射元件的一给定凹进部分到邻近的凹进部分的宽度v，凹槽宽度代表衍射元件凹进部分的宽度w，占空比(duty)代表凹槽宽度和节距的比率w/v，而凹槽深度代表凹进部分的深度d。
图6为根据占空比被设定为0.5时的凹槽宽度的蚀刻时间与蚀刻深度的关系的曲线。即使当蚀刻时间(t)相同时，蚀刻效率随着凹槽宽度的增加而增加(W0＞W1＞W2)，因此凹槽深度随之增加(d0＞d1＞d2)。
图7为说明衍射元件的凹槽深度和衍射效率的关系的曲线图。通过这幅图，当占空比w/v设定为常值时，也就是，w/v＝0.5，0度(0-degree)衍射效率随着凹槽深度的增加而下降，而初级衍射效率将随之增加。
在上述的作为光学拾取器装置300组成部分的光衍射元件317中，第一衍射元件312具有一个比第二衍射元件大的节距。这些衍射元件分别有一个占空比值0.5。因此，当对这些衍射元件的凹槽宽度进行比较时，第一衍射元件312具有一个较大的凹槽宽度。此外，当对最佳凹槽宽度进行比较时，第一衍射元件312具有一个较小的凹槽深度。
因此当利用RIE装置施加相同的蚀刻时间而试图在光透射基片上同时形成第一衍射元件312和第二衍射元件311时，具有较大凹槽宽度的第一衍射元件312形成具有较大的凹槽深度。因此，未能实现衍射元件的最佳凹槽深度。
具体地讲，当蚀刻时间被调节以使第二衍射元件311呈现最佳凹槽深度时，第一衍射元件312被形成获得一个比最佳值大的凹槽深度，因为第一衍射元件312的凹槽宽度比第二衍射元件311的凹槽宽度大。因此，第一衍射元件312的初级衍射率变得比设计值大。也就是，由第一衍射元件312衍射的±初级衍射光的量变得比设计值大，并且穿过第一衍射元件312而传递到光盘309的光量减少了。因此，信噪比降低了，并且再现信号的质量降低了。
相反地，当蚀刻时间被这样地调节以使第一衍射元件312获得一最佳凹槽深度时，第二衍射元件311被形成获得一比最佳值小的凹槽深度，因为第二衍射元件311的凹槽宽度比第一衍射元件312的凹槽宽度小。因此，第二衍射元件的初级衍射率变得比设计值小。也就是，由第二衍射元件311衍射的±初级衍射光的量变得比设计值小，并且过第二衍射元件311传递的光量增加了。因此，减少的光量被第二衍射元件311所衍射并被传到光检测器部分310a至310d，从而引起聚焦伺服信号和寻址信号的质量的下降，并且对于稳定地运行聚焦和寻址变得困难。
因此，在目前，蚀刻是通过两个过程被实施的，以便两个衍射元件311和312被形成以获得最佳凹槽深度。即，衍射元件311和312不是同时形成在光透射基片304上的。相反，首先仅仅形成第一衍射元件312，然后再形成第二衍射元件311以构成一个所期望的光衍射元件317。
然而，按照这种制造方法，制造步骤的数量增加了一倍，另外，第一衍射元件312和第二衍射元件311必须被精确的定位，这使得很难以低成本地批量生产该装置。
发明概述本发明提供一种能获得通过每个衍射元件的最佳衍射效率比(初级衍射率0度衍射率)的光衍射元件，一种通过一次处理而制造光衍射元件的方法，和利用这种光衍射元件的光学拾取器装置。
本发明提供一种光衍射元件，它包括第一衍射元件；和其节距比第一衍射元件的节距小的第二衍射元件，其中第一衍射元件的占空比小于第二衍射元件的占空比。
在本发明中，优选地，第二衍射元件的占空比为0.5，而第一衍射元件的占空比比0.5小。
依据本发明，每个衍射元件具有一个与它的节距相应的最佳占空比，并且提供有一个能够呈现最佳衍射效率比的光衍射元件。
本发明根据光刻技术，进一步提供一种制造包括有第一衍射元件和第二衍射元件的光衍射元件的方法，其中第二衍射元件的节距比第一衍射元件的节距小，所述方法包括利用光掩膜同时形成第一衍射元件和第二衍射元件，所束光掩膜使得第一衍射元件的占空比变得比第二衍射元件的占空比小。
根据本发明，因为使用了能够使每个衍射元件获得与它的节距相应的最佳占空比的光掩膜，每个衍射元件能获得最佳凹槽深度。因此，获得了最佳衍射效率比。另外，因为第一衍射元件和第二衍射元件是同时形成的，具有不同节距的多个衍射元件能通过单一的过程而形成。因此有可能精确廉价的形成多个衍射元件。
在本发明中，进一步，优选地，光掩模是使得第一衍射元件的占空比小于0.5的掩膜。
根据本发明，由于使用了能使第一衍射元件的占空比变得比0.5小的光掩膜，第一衍射元件获得一最佳凹槽深度。因此，通过第一衍射元件获得了一最佳衍射效率比。
本发明进一步根据光刻技术而提供一种制造包含有第一衍射元件和第二衍射元件的光衍射元件的方法，其中第一和第二衍射元件具有不同的节距，所述方法包括通过具有不同透射率的两种光透射部分的单一光掩膜进行曝光，同时形成第一衍射元件和第二衍射元件。
按照本发明，由于使用了具有不同透射率的两种光透射部分的单一光掩膜，每个衍射元件都能获得最佳凹槽深度。因此，有可能得到具有最佳衍射效率比的衍射元件。另外，由于第一衍射元件和第二衍射元件是同时形成的，具有不同节距的多个衍射元件能通过单一的处理而形成。因此有可能精确廉价地形成多个衍射元件。
本发明进一步提供一种光拾取器装置，其中包括用于产生光束的光源；用于将由光源发射的光束分割成多条光束的第一衍射元件；用于将已经穿过第一衍射元件的光束聚焦到一光记录介质的聚焦装置；布置在第一衍射元件和聚焦装置之间的光束分离器；布置在与光源相同封装中的光检测器；和用于衍射已经穿过光束分离器并被光记录介质反射的光并将光引导至光检测器的第二衍射元件；其中第一衍射元件和第二衍射元件形成在一个光透射基片上，并具有不同的占空比。
在本发明中，优选地，第一衍射元件的占空比小于第二衍射元件的占空比。
在本发明中，优选地，第二衍射元件的占空比为0.5，而第一衍射元件的占空比小于0.5。
根据本发明，由于该装置具有形成在一个光透射基片上且具有不同的占空比的第一衍射元件和第二衍射元件，所以每个衍射元件都获得了最佳的凹槽深度和最佳衍射效率比。因此，能够提供这样一种光拾取器装置它有效地利用光并能稳定地再现记录在光盘上的信号。此外，因为第一和第二衍射元件是通过单一的处理而形成的，光拾取器装置能以低成本而批量生产。
附图的简略说明本发明的其它和更多的目的、特征和优点将通过下面结合附图的详细说明而更加明显，其中图1为说明根据本发明实施例的光拾取器装置18的结构的视图；图2为光衍射元件17的平面图；图3为说明聚焦在根据本发明实施例的光拾取装置18的光检测器上的光点的示意图；图4为说明制造光衍射元件17的步骤的流程图；图5A至5E为表示图4中的每个步骤(a)至(e)中的处理过程的简化图；图6为根据衍射元件的凹槽宽度的蚀刻时间和蚀刻深度之间的关系的曲线；图7为说明衍射元件的凹槽深度和衍射率关系的曲线图；图8A和8B为占空比被调节前后的衍射元件的剖面图；图9A和9B为形成在光衍射元件17上的第一衍射元件5和第二衍射元件6的剖面图；图10为传统的光拾取器装置300的结构视图；图11为传统的光拾取器装置300中的光衍射元件317的平面图；图12为聚焦在传统光拾取器装置300的光检测器310上的光点的示意图；图13为一般衍射元件的剖面图。
优选实施例的详细描述下面参考附图来说明本发明的优选实施例。
图1为根据本发明实施例的光拾取器装置18的示意图。光拾取器装置18读取记录在磁光记录介质11上的信号。
光拾取器装置18包括支座8、布置在支座8上以发射光束的光源1、覆盖支座8的罩套19、一布置在罩套19上并具有第一衍射元件5和与第一衍射元件5并列且与之同时形成在光透射基片4上的第二衍射元件6的光衍射元件17、用于将光源1发射的光束转变为平行光束的准直透镜9、用于将来自于准直透镜9的平行光束聚焦在磁光记录介质11上的物镜10、布置在光源1和准直透镜9之间的光束分离器2，所述光束分离器由一各向同性材料的第一元件13和一各向异性材料的第二元件12构成并且在第一元件13和第二元件12相粘贴的平面14上具有一起偏器/分离器膜、一布置在光束分离器2和光源1之间的半波长板3、布置在光束分离器2和准直透镜9之间的半波长板16、和与光源1构成在相同封装中的光检测器7。
由光源1发射的光束通过第一衍射元件5并被分割成3束光，然后再通过半波长板3以便转换成s偏振光。通过半波长板3的光束被第二表面15和第一表面14所反射，通过半波长板16以便转换成p偏振光，通过准直透镜9和物镜10，然后被聚焦在光盘11上。被光盘11反射的光束通过物镜10、准直透镜9和半波长板16，在第一表面14被分离成以直角相交的两种偏振光，然后进一步通过半波长板3。总共有六束光通过了半波长板3而落在了第二衍射元件6上，如上所述，第二衍射元件与第一衍射元件5并置的形成在光透射底片4上。
图2为光衍射元件17的平面图。光衍射元件17包括形成在一个光透射底片4上的第一衍射元件5和第二衍射元件6。当第一衍射元件5与第二衍射元件6进行对比时，第一衍射元件5具有一个比第二衍射元件6大的节距，并具有一个比第二衍射元件6小的占空比。此外，如图2所示，第二衍射元件6被分成三，也就是第一至第三区域6a-6c。
光检测器7利用通过第二衍射元件6和被第二衍射元件6衍射的光来检测信号。图3为聚焦在光检测器7上的光点的示意图。
在传输通过第二衍射元件6的六束光中，主光束的常态光分量聚焦到光检测器部分7f，主光束的反常态光分量聚焦到光检测器部分7e，子光束的常态光分量和反常态光分量分别聚焦到光检测器部分7g和7h。
在被第二衍射元件6的第一区域6c所衍射的六束光中，主光束的常态光分量聚焦到光检测器部分7c和光检测器部分7d之间的边界。
在被第二衍射元件6的第二区域6b所衍射的六束光中，主光束的常态光分量聚焦到光检测部分7b。
在被第二衍射元件6的第三区域6a所衍射的六束光中，主光束的常态光分量聚焦到光检测部分7a。
通过查找光检测器7的光检测部分7c和7d之间的差，根据傅科(Foucault’s)方法检测出一聚焦误差信号。通过查找光检测器7的光检测部分7a和7b之间的差，检测出一地址信号。通过查找光检测器7的光检测部分7e和7f之间的差，检测出一磁光信号。通过查找光检测器7的光检测部分7g和7h之间的差，根据3束法检测出一径向误差信号。
第一衍射元件5具有最佳的占空比，这使得它能够获得最佳的衍射效率比。因此，获得了良好的信噪比，并且再现信号具有高质量。第二衍射元件6也具有最佳的占空比，这也使得它能够获得最佳的衍射效率比。因此，获得有良好的聚焦伺服信号和寻址信号，并且聚焦和寻址能被稳定的进行。
具有第一衍射元件5和第二衍射元件6且它们具有不同的占空比的光衍射元件17被用于光拾取器装置18。换句话说，提供有一种光拾取器装置18，它具有良好的光利用率，并能被大批生产，而且能够稳定的再现记录在光盘上的信号。
接着，下面将叙述制造光衍射元件17的方法。
图4为说明根据光刻技术在由玻璃底片构成的光透射底片4上同时形成第一衍射元件5和第二衍射元件6来制造光衍射元件17的步骤的流程图。图5A至5E为表示图4中的每个步骤(a)至(e)中的处理过程的简化图。
如图5A所示，在步骤(a)，首先通过使用旋转涂覆设备，感光保护膜被均匀地涂在玻璃底片上，然后预烘干。
然后，在步骤(b)，如图5B所示，玻璃底片上的保护膜通过使用光掩膜曝光，其中光掩膜具有能够使衍射元件5和6拥有最佳占空比的图形。光掩膜被这样设计以使第二衍射元件6具有0.5的占空比。至于第一衍射元件5，占空比被这样的设置当第二衍射元件6通过最佳的一段时间的蚀刻而形成时第一衍射元件5拥有最佳衍射效率比。
然后，在步骤(C)，如图5C所示，曝光后的保护膜被显影，并被后烘干。直到这一步，用于第一衍射元件5和第二衍射元件6的保护膜图形才被形成在玻璃基片上。
然后，在步骤(d)，如图5D所示，在其上形成用于第一衍射元件5和第二衍射元件6的保护膜图形的玻璃基片通过使用RIE装置而发生蚀刻。蚀刻时间选择为最适合形成第二衍射元件6。
然后，在步骤(e)，如图5E所示，保留在玻璃基片上的保护膜通过清洗而被除去，因而形成第一衍射元件5和第二衍射元件6。
下面说明的是如何在上面图4的步骤(b)使第一衍射元件5的占空比达到最佳化。
下面说明的是占空比、凹槽宽度、凹槽深度和衍射效率之间的关系。参照上面提到的图6，当施加了相同时间的蚀刻时，凹槽深度随着凹槽宽度的减小而减小。此外，参照上面提到的图7，当占空比相同时，即当凹槽宽度相同时，随着凹槽深度的减小，0度衍射效率将增加，而初级衍射效率将减小。此外，如图7所示，即使当凹槽深度相同时，0度衍射效率将随着占空比的减小，也就是随着凹槽宽度的减小而增加。
因此，根据上面的占空比、凹槽宽度、凹槽深度和衍射效率之间的关系，为了获得最佳衍射效率，第一衍射元件5的占空比将被设定为不大于0.5。
图8A和8B为衍射元件的占空比被调节前后的剖面图。图8A为具有节距V0的衍射元件其占空比为0.5时的剖面图，而图8B为当占空比被调节为小于0.5时的剖面图。分别在图8A和8B中示出的衍射元件被蚀刻相同的时间。当衍射元件的占空比改变时，且凹槽深度从W0减小到W1，那么，经过蚀刻时间t之后而形成的凹槽深度将从d0下降到d1，如图6所示。
这里，当与占空比为0.5的衍射元件进行对比，依赖于符合效应，而该符合效应来自于渐减的占空比而引起的0度衍射效率的增加和由于渐减的凹槽深度而引起的0度衍射效率的增加，衍射元件显示出逐渐增加的0度衍射效率和逐渐减少的初级衍射效率，其占空比被调节为小于0.5，如图7所示。
图9A为沿图2的光衍射元件17所拥有的第一衍射元件5的①-①′线所做的剖面图，图9B为沿图2的光衍射元件17所拥有的第二衍射元件6的②-②′线所做的剖面图。第一衍射元件5具有节距V3而第二衍射元件6具有节距V4。
第二衍射元件6具有凹槽宽度W4，且占空比w4/v4为0.5。至于第一衍射元件5，占空比基于上面的关系而被调节，以便当以最适合于制造第二衍射元件6的时间周期进行蚀刻时，第一衍射元件5呈现最佳的衍射效率比。依靠这一调节，第一衍射元件5的凹槽宽度被设定为w3，而它的占空比w3/v3设置为小于0.5。
因此，第一衍射元件的占空比设置为小于第二衍射元件的占空比，于是光掩膜基于其上而形成。通过使用这样的光掩膜，根据光刻技术，第一衍射元件5和第二衍射元件6被同时形成。被形成的第一衍射元件5具有凹槽深度d3，而第二衍射元件6具有凹槽深度d4.第一衍射元件5的凹槽深度d3小于用常规方法得到的凹槽深度。
如上所述，通过适当地设置第一衍射元件5的占空比，并利用基于由渐减的凹槽宽度而引起的0度衍射效率的增加和由作为渐减的凹槽宽度的结果的减渐的凹槽深度引起的0度衍射效率的增加而产生的协同作用，通过一个处理就可以制造出具有期望衍射效率比和不同节距的第一衍射元件5和第二衍射元件6。
实例第一衍射元件和其节距小于第一衍射元件的节距的第二衍射元件，通过本发明的制造方法而形成在玻璃基片上。
第一衍射元件具有的节距为20μm，而第二衍射元件具有的节距为5μm。光掩膜被这样的形成，以使它们的占空比分别为0.45和0.5。通过使用旋转涂覆机将一保护膜涂到玻璃基片上，通过紧密粘附在那里的光掩膜而被曝光，显影，烘干，和蚀刻。通过同一时间的处理而形成的第一和第二衍射元件经测量得到第一衍射元件的平均凹槽深度为0.259μm，而第二衍射元件的平均凹槽深度为0.254μm。此外，测量它们的衍射效率以计算衍射效率比。第一衍射元件显示出的衍射效率比为1∶10.5，而第二衍射元件显现出的衍射效率比为1∶9.9，它们都是最佳的比率。
对比实例第一衍射元件和其节距比第一衍射元件小的第二衍射元件通过传统的方法形成在玻璃基片上。
第一衍射元件具有的节距为20μm，而第二衍射元件具有的节距为5μm。光掩膜被这样的制备，以使它们的占空比分别为0.5。衍射元件以与实例中相同的方式被形成，并且测量它们的凹槽深度得到第一衍射元件的凹槽深度为0.261μm，而第二衍射元件的凹槽深度为0.254μm。此外，它们的衍射效率也被测量以计算衍射效率比。第一衍射元件显示出的衍射效率比为1∶8.2，而第二衍射元件显示出的衍射效率比为1∶9.9。因此，第二衍射元件显示出一最佳的衍射效率比，但第一衍射元件并未呈现出最佳衍射效率比。
依照上面的方法，第一衍射元件的占空比被改变用来设计一光掩膜，即使当施加的蚀刻的时间最适合于形成第二衍射元件，所述光掩膜能使第一衍射元件的衍射效率比达到最佳化。然而，还可能这样形成每个衍射元件通过利用半度(half-tone)光掩膜而使第一衍射元件曝光，而利用标准光掩膜使第二衍射元件曝光，以此来使它们表现出最佳的衍射效率比。
在把形成在玻璃基片上的光致抗蚀剂曝光时，在光透射部分具有100％透射率的标准光掩膜被用于第二衍射元件，而在光透射部分具有小于100％的透射率的光掩膜被用于第一衍射元件。当使用上面的光掩膜进行曝光并显影时，被曝光的第二衍射元件的光致抗蚀剂部分全都被除去，而被曝光的第一衍射元件的光致抗蚀剂部分并不除去，而是保留着。当光透射基片以这样一种状态被蚀刻时即将第一衍射元件和第二衍射元件的图案转录到光致抗蚀剂，保留的光致抗蚀剂将使第一衍射元件的凹槽深度变得比光透射基片使用标准光掩膜进行曝光而被蚀刻时的凹槽深度小。
因此，光致抗蚀剂的蚀刻比率和基片的蚀刻比率被预先测量，并且依靠这些比率，用于使第一衍射元件进行曝光的光掩膜的光透射部分的透射率被设定为小于100％。通过使用其光透射部分的透射率被设定为小于100％的光掩膜来形成第一衍射元件，尽管受到的蚀刻的时间能给第二衍射元件提供一最佳凹槽深度，第一衍射元件能获得一最佳凹槽深度，并且实现了期望的衍射效率比。
通过使用上面的半度光掩膜来制造光衍射元件的方法而形成第一衍射元件和第二衍射元件，依据这种方式可能通过一个处理而在玻璃基片上形成多个具有最佳衍射效率比的衍射元件。
上文描述了根据光衍射元件透射类型的情形来制造本发明的光衍射元件的方法。然而，本发明也能被应用到反射类型的光衍射元件。
在不脱离其精神或实质特征的情况下，本发明可以体现在其它特定的形式。因此本发明的实施例被认为是涉及到所说明的、并不受限制的各个方面，由所附权利要求而不是上文的说明限定的本发明的范围和与权利要求等效的含义和范围的所有变化都包括在其中。
权利要求
1.一种光衍射元件，包括第一衍射元件；和其节距比第一衍射元件小的第二衍射元件，其中第一衍射元件的占空比小于第二衍射元件的占空比。
2.如权利要求1的光衍射元件，其中第二衍射元件的占空比为0.5，而第一衍射元件的占空比小于0.5。
3.一种根据光刻技术制造光衍射元件的方法，所述光衍射元件包括第一衍射元件和其节距比第一衍射元件的节距小的第二衍射元件，该方法包括利用光掩膜同时形成第一衍射元件和第二衍射元件，所述光掩膜使得第一衍射元件的占空比小于第二衍射元件的占空比。
4.如权利要求3的方法，其中光掩膜是使第一衍射元件的占空比小于0.5的掩膜。
5.一种根据光刻技术制造光衍射元件的方法，所述光衍射元件包括具有不同节距的第一衍射元件和第二衍射元件，所述方法包括通过曝光而同时形成第一衍射元件和第二衍射元件，所述曝光是通过具有两种不同透射率的光透射部分的单一光掩膜来实现的。
6.一种光拾取器装置，包括用于产生光束的光源；第一衍射元件，用于将光源发射的光束分割成多条光束；聚焦装置，用于将通过第一衍射元件的光束聚焦到光记录介质；布置在第一衍射元件和聚焦装置之间的光束分离器；布置在与光源相同的封装中的光检测器；和第二衍射元件，用于对经过光束分离器并被光记录介质反射的光进行衍射，并将光导引至光检测器；其中第一衍射元件和第二衍射元件形成在一个光透射基片上，并具有不同的占空比。
7.如权利要求6的光拾取器装置，其中第一衍射元件的占空比小于第二衍射元件的占空比。
8.如权利要求6的光拾取器装置，其中第二衍射元件的占空比为0.5，而第一衍射元件的占空比小于0.5。
全文摘要
本发明的目的是提供一种能够通过多个独立设置的衍射元件而获得最佳衍射效率比的光衍射元件，一种通过单一的处理来制造光衍射元件的方法，和一种应用所述光衍射元件的光拾取器装置。光衍射元件包括第一衍射元件和其节距比第一衍射元件的节距小的第二衍射元件，第一衍射元件的占空比小于第二衍射元件的占空比。
文档编号G11B7/12GK1392438SQ0212057
公开日2003年1月22日 申请日期2002年5月10日 优先权日2001年5月11日
发明者佐伯哲夫 申请人:夏普株式会社