专利名称：双面复合光盘的制作方法
技术领域：
本发明涉及光存储盘，尤其是涉及形成有多层光涂层的小尺寸光存储盘。
背景技术：
光数据存储介质通常以在以聚碳酸酯基片定型的光盘上形成的数据载体层的形式成形。这些设备典型的属于基片入射类型的介质，因为通过基片照射数据载体层，记录在数据载体层上的数据是可恢复的。尤其是，照射光在由数据载体层表面接收之前首先通过基片。
光数据存储介质或盘具有不同的特性，并且可由它们的属性表征，例如只读光数据存储介质或一次写入型光数据存储介质。在只读光数据存储介质中，数据以一系列的物理标记或凸缘的形式记录在数据载体层中。这些物理标记或凸缘典型的使用注入成型工艺形成。该物理标记或凸缘一旦形成，就不能擦除或重写。当与没有物理标记或凸缘的只读数据载体层的区域进行比较时，该物理标记或凸缘具有不同的衍射特性。通过衍射特性方面的差异，使得只读光数据存储介质中的数据恢复变得容易。
一次写入型光数据存储介质通常以在聚碳酸酯基片上旋转涂敷一层有机染料的形式形成。利用光束透过基片照射有机染料层使得数据得以记录，其中光束的强度根据待记录的数据进行调整。选择有机染料区域受高强度光的照射以进行化学变化并产生“黑色”区域，也就是当与未受高强度光照射的有机燃料区进行比较时具有低反射率的区域。为了获得与只读光数据存储介质的兼容性，数据以一连串的低反射率黑色区域进行记录，其中的每个区域位于高反射率区之间。该反射率的差异使得数据恢复变得容易。有机染料中的化学变化为不可逆的。因此，写入到有机染料层中的数据不能被重写。
通过在盘的一侧或两侧包括只读部分和一次写入部分可以增加盘的实用性。然而，为了制造这样的盘，有机旋转涂敷的染料在光盘上以用于只读部分和一次写入部分的分开的区域进行摹制。这在制造光盘的过程中，增加了复杂性，从而增加了成本。尤其是在涂敷表面过程中的问题为屏蔽掉有效的表面。表面的有效屏蔽要求覆盖一内部或外部的环形区域而不会引起阴影(例如，溅射涂膜光盘)或者在基于染料的盘的情况下，在旋转涂敷的过程中，没有染料拖尾。进一步，根据盘到盘内容的不同必须实现不同程度的覆盖。实际上，在不影响工艺收益和相关的废料成本的情况下这是很难获得的。
因此，希望提出一种克服上面讨论的传统光盘所具有的缺陷的光盘。
发明内容
根据本发明的一个方面，一种光盘，具有覆盖小凸缘和槽脊的多层经调谐的光涂层，其中凸缘用于存储预记录信息，槽脊用于向其写入信息和读取信息。光涂层包括在盘的基片上形成的相变金属/合金层和在相变层上形成的介电层。根据本发明的光盘具有特殊的拓扑特性和尺寸。
根据一个实施例，一基片具有相互面对的第一和第二表面。至少第一表面具有代表只读部分的凸缘和环形平面区域的图案，和代表可写入部分的槽脊和凹槽的螺旋图案。第一金属/合金层通过覆盖基片的第一表面而形成。第一金属/合金层由锡、锑和从由铟、锗、铝和锌构成的组中选出的元素形成。在形成第一金属/合金层之后，通过覆盖第一金属/合金层而形成第一介电层。该介电层由氧氮化硅形成，但其它的电介质也是合适的。第一金属/合金层位于基片和第一介电层之间。这两层形成覆盖只读和可写入部分的连续的光涂层。涂层的厚度和光学常数可被调节用于特定的波长。
在该实施例中，在使用氧氮化硅层时具有显著的优点，该氧氮化硅是，例如，在氧和氮的气体混合物中进行硅的溅射而形成。通过改变氧和氮的比例可以调节和控制氧氮化硅层的光学指标。光学指标的这个良好调整允许实现高度的调整能力来获得精确的光学调整。能被控制和改变的参数是对氧和氮混合物控制和厚度控制的固有指标控制。对介电层的光学调整可以使用于跟踪和聚焦的表面反射达到一个合适的程度，且对于写能力获得足够程度的激光吸收。
进一步，根据本发明，涂层为单一连续的层结构，它在盘上不要求任何屏蔽而能同时涂敷到整个表面。涂层为连续的且不会根据预记录或可写入的光盘的等级变化。
在一个实施例中，光盘具有螺旋型式的凸缘和/或螺旋槽脊，其中盘的外径不大于50mm，典型的为32mm或更少，并且厚度典型的为0.6mm。槽脊被这样形成，其侧壁与盘的底部不垂直。为了使推挽信号效率(push-pullsignal efficiency)最大化且能获得合适的制造工艺收益，该角度在约40°和50°之间，典型的为45°，且具有±15°的变化量。超过该范围，就很难从模子中取出盘，从而影响工艺收益。低于该范围，有损信号长度。槽脊的高度为85nm±5nm，而轨迹节距，也就是邻近槽脊的中心线之间的径向距离为0.74μm±0.03μm。在模制盘上在全宽半最大值时测得的槽脊的宽度为400nm±50nm或者约为轨迹节距的55％。形成的槽脊具有正弦摆动，且在一个实施例中，摆动频率和幅度分别为128.2051kHz和55±15nm(或者为轨迹节距的7.5％±2％)。高频摆动标记(HFWM)在摆动中形成，其中HFWM的振幅约等于摆动振幅，其偏差在±25％范围内，HFWM的频率在384.6153和641.0256kHz之间，相应于摆动频率的3到5倍。
在制造过程中形成的且用于存储主控信息的凸缘具有225±20nm或轨迹节距的30％±3％的宽度(在模制盘上在全宽半最大值时测得的)。在一个实施例中，邻近凸缘的中心线之间的轨迹节距为0.74μm±0.03μm。类似于槽脊，凸缘形成为具有倾斜的侧壁，倾斜角在40°和50°之间，典型的为45°。凸缘的高度为85±5nm，且凸缘的长度以179nm的整数倍长度变化。
参照下列结合附图的详细说明，将能充分理解本发明。
附图的简略说明
图1为根据本发明一个实施例的第一表面光盘的顶视图；图2为图1的光盘沿剖面线2-2的侧视图；图3为表示槽脊侧壁的角度与推挽信号效率和过程收益的关系的坐标图；图4示出根据本发明的一个实施例的摆动和HFWM的一部分；图5表示关于交叉跟踪和推挽信号的Iland和Igroove；图6为沿剖面线6-6的图1的光盘的侧视图；图7为沿图1的光盘的ROM部分的顶视图；图8表示关于交叉跟踪和推挽信号的Ispace和Ibump；和图9表示根据一个实施例的从随机ROM数据和各种相关的参数获得的模拟回读信号。
在不同附图中使用相同或相似的参考标记表示相同或同样的元件。
优选实施例的说明根据本发明的一个方面，光存储盘由基片形成，该基片具有用于存储预记录信息或控制信息(mastered information)的小的模制凸缘和用于向其写入信息和从其读取信息的螺旋槽脊。一相变型金属/合金层在凸缘和槽脊的顶面上沉积，接着，在相变层上进行介电层的沉积。这将导致光涂层充分地覆盖盘的整个表面并且能被“调整”到特定的光波长范围。该“调整”通过改变相变层和介电层的厚度和光学指数获得。具有这些小的模制凸缘的盘具有与之关联的特定的属性，例如外径的尺寸不大于约50mm。根据本发明的光盘具有清楚的拓扑结构(topology)，其在与这些特征相关联的特定范围内还包括不同密度的可写入和预记录(ROM)部分和高低频摆动。
图1为根据本发明的一个实施例的第一表面光盘100的顶视图。盘100具有包含预记录的或主控的信息的第一或主控(ROM)部分102，该部分由凸缘104、沿相同螺旋的凸缘104之间的平面区域106、和跨越螺旋轨迹的凸缘104之间的平面部分107组成；盘100还包括具有可由用户向其写入的槽脊110的第二或可写入部分108。注意槽脊和凸缘为在光读写头一侧的光盘上的凸出物。槽脊110具有摆动和微小的起伏，其允许光头跟踪摆动槽脊以进行精确读取。主控或ROM部分102与可写入部分108相比具有较低的密度或存储容量，下面将详细描述。应该注意虽然图1表示根据凸缘(ROM部分)和槽脊(可写入部分)的特定部分，根据本发明的光盘在一侧可具有整体的主控部分，或在一侧具有整体的可写入部分，或者是二者的结合，即ROM部分102和可写入部分108可位于光盘表面的任何地方和多个区域。这样的光盘在下列文献中有叙述美国专利申请号09/764042，名称是“First-Side Dual-Layer Optical Data Storage Disk and Method ofManufacturing the same”，提出日为2001年1月16日；09/560781，名称为“Miniature Optical Disk for Data Storage”，提出日2000年4月28日；和申请号为未知，名称为“A Dual Density Disc With Associated Properties”(M-12013US)；所有这些通过整体参考而被结合起来。
ROM部分102包含一系列的凸缘104，其被读取以再现存储的信息。凸缘104在盘的制造过程中形成。可写入部分108包含螺旋槽脊110，其中槽脊为光盘的最接近光读取器或光头的部分。槽脊110分别被写入和从其读取以便存储和再现信息，以及摆动槽脊用于跟踪。用于跟踪的装置(例如摆动槽脊)必须与通过原始主控光束切割的装置相同。因此，这要求光盘通过下述的母模制成。使用母模来制造光盘的细节在下列文献中予以公开未知的美国专利申请号，名称为“Use of Mother Stamper for Optical DiskMolding”，bearing Attorney Docket第M-11628US号，提出日2002年1月24日，其作为整体参考而被结合。
母模具有与原始激光切割相应的凹口和凹槽。树脂或聚碳酸酯流入这些凹口和凹槽，例如通过注入模制，以形成光盘的凸缘和槽脊。当使用父模形成光盘时，对于树脂要想完全流入小的凹口(以形成小的凸缘)比流过小的凸起(以形成小的凹坑)更加困难。从而，凸缘(下面将更加详细说明)的小尺寸限制使用母模形成的光盘的尺寸至约50mm或更少，优选的为32mm或更少。
该尺寸限制可归因于不同的因素，其中一个就是对于热树脂完全充满母模的小凹口的能力。这要求树脂完全替代凹口中的空气，也就是要求树脂的粘度尽可能的低。因为在注入成型的过程中，树脂从中心向盘的外边缘流动，沿外周界充满凹口的能力通常为所述的限制条件。因此，光盘的直径越小，也就越容易获得产生成型的凸缘的凹口的最佳填充度。
有三种可能的方式来使树脂的粘度最小化。一个方法为使用低分子量物质；然而低分子量能损害光盘的物理完整性并且还能降低所产生的光盘的最高使用温度。另外一个方法为把树脂加热到一个非常高的温度；然而，为了缩短成型周期，注入成型典型的已经使用了最高温度，所以任何进一步的增加都将导致炭化和树脂退化。第三种方法为当树脂流过凹口时使其冷却过程最小化。这种方法在成型处理过程中可通过限制树脂必须向外流经的距离来实现。已经确定通过当前的注入成型处理，最大距离为光盘所具有的大约50mm的外径。根据过程收益(process yield)和凹口填充的较好的结果为更低的，例如32mm的直径。小于32mm的直径导致光盘具有太小的存储容量而不适于实际使用。
最小化注入的树脂的量(该“注料量(shot)”大小意指在成型中每次注料所使用的树脂的量)使得注入的速度最大化，这也有利于最小化树脂粘度。这是因为较大树脂喷射量的前沿由于更大的冷却和较低的粘度而变得难于流入到模型区中。注入树脂的时间越少，驻留在注入口的时间越少且在该过程中发生的冷却越少。已知聚碳酸酯的喷射量大小在0.5至0.8g之间为合适的，这导致约0.6mm或更少的盘的厚度，典型的厚度为0.6±0.3mm。较少的量将导致盘太薄而不稳定，较多的量将导致在期望的温度而很难获得喷射量的大小。较多的树脂量还将导致一较厚的盘(从生产的观点是不期望的)或者要求盘的外经增大，这恶化了上面提到的流动问题。
图2为沿包含可写入部分108的图1的剖面线2-2的光盘100的侧视图。可写入部分108包括形成在基片200，例如通过注入成型制成的聚碳酸酯基片上的槽脊110和凹槽112。基片200的数据表面包含槽脊和凹槽，因为这是一个第一表面盘，因而来自用于读取和写入数据的激光250的光首先到达基片200的数据表面。光涂敷层212形成在基片200上面。光涂敷层212包括相变型金属/合金层和覆在其上的介电层。注意光涂层212为覆盖ROM部分102和可写入部分108的充分连续的涂层，例如，层212以相同的方式并在同一时间沉积在ROM部分102和可写入部分108上。相变层和介电层的厚度可根据期望的读写激光的波长而不同。用于沉积相变层和介电层以及用于沉积的合适的材料及其各种特性的细节在美国专利申请号09/764042和09/854333中公开了。
根据本发明，数据被写入到槽脊110上而不是第一表面盘的凹槽112中。第一表面盘是这样一种盘读或写激光到达第一表面(例如光涂层212)并通过其反射，而不是在激光到达信息或数据层之前首先穿过基片。当在槽脊上进行写操作时，与在凹槽上进行写操作进行对比，光的相移将产生一有效的较浅的凹槽。该收益在写入和未写入部分存在着较鲜明的对照。因此，光学系统接收较高的反射信号振幅，从而改善了系统的执行效率。关于光栅结构和相变材料的作用的其它细节在下列文献中披露了未知的美国专利申请号，名称为“Use of Mother Stamper for Optical Disc Molding”，bearing Atty.Docket第M-11628US号，提出日2002年1月24日，以及未知的申请号，名称为“A Dual Density Disc With Associated Properties”，bearingAtty.Docket第M-12013US号，提出日2002年2月26日，它们作为整体参考而被结合。应该注意虽然说明参照的是在光盘的一侧上形成的单一数据层，但在一侧上形成的两个数据层也是合适的，例如在美国专利申请号09/764042中所公开的。
在一些实施例中，使用SbInSn合金作为相变材料，用氧氮化硅做为介电层，它们的厚度范围分别从约80nm至约90nm，典型的厚度为85±3％，和从约54至约58nm，典型的厚度为56nm±3％。
可写入部分108包括多个交替的槽脊110a-c和凹槽112a-b，它们表示为具有相同的宽度，然而它们的宽度可以不同。凹槽112a-b为细长槽的形式，其具有倾斜的左和右侧壁202和平坦的底部204并且能被安排为螺旋模式或任何其它期望的模式。左和右侧壁202典型的以从约30°至约50°的范围内变动的角度α(alpha)倾斜，其典型角度为约45°角。该角度是相应于未涂敷盘的凹槽112的底面并沿在0.1Th和0.9Th之间的凹槽壁测得的，其中Th为凹槽高度。该角度范围应该从额定值45°偏差±15°。
图3为表示角度α与推挽信号效率和工艺收益的关系的坐标图。这里定义推挽信号为通过光头中的分割检测器元件检测得到的电信号，该信号用于产生跟踪误差信号。当表示为百分比时，推挽信号是作为检测器强度的和的百分比给出的差分强度。而相对光衍射效率来说，推挽效率为作为总共返回强度百分比的返回的衍射信号的相关效率。具体的数学推导可在G.Bouwhuis等人提出的“Principles of Optical Disc Systems”AdamHilger，Bristol 1985，第2章中找到。
正如从图3看到的，在工艺收益和推挽信号效率之间有一个折衷方案。推挽信号效率由线300和相关的纵坐标303表示，而工艺收益由线302和相关的纵坐标304表示。对于本发明，近似45°的壁角α提供了过程收益和推挽信号效率的一个期望的复合点。应该注意如果设计要求一个较高的过程收益或者要求一个较高的推挽信号效率，可以选择不同的角度，同时伴随着另外特性的执行效率的相应降低。
再参考图2，在没有涂敷的情况下，侧壁202(即从槽脊的顶端到凹槽的底部的距离)的高度Th在约80nm至约90nm的范围内变动，典型的高度为85nm。邻近槽脊110a和110b的中心线的物理节距或距离Tp典型的为约0.74μm±0.03μm并且可在范围约0.70至约0.78μm内变动，其中物理轨迹节距为在径向侧量的邻近物理槽脊中心线之间的平均距离。
槽脊110的宽度Lw和凹槽112的底部的宽度Tw典型的约是相同的，且倾斜的左和右侧壁202也具有近似相同的长度。对于未涂敷的盘，在一个实施例中，Lw为400nm±50nm或近似为轨迹节距Tp的55％，其是在全宽半最大值(full-width half-max)的情况下测得的。然而，将能够理解，根据本发明，Lw(槽脊110的宽度)和Tw(凹槽112的底部宽度)可以是不同的。然而，部分因为在制造过程中可写入部分108不需要填充小的型腔，所以数据密度比ROM部分102的高。当根据本发明制造光盘时，该双重密度允许过程收益获得最大值。
盘的可写入部分108包含将用于连续伺服跟踪方法的轨迹。物理轨迹包括凹槽-槽脊-凹槽的结合，其中每个凹槽与邻近的物理轨迹共享。槽脊为光盘的整个可写入部分上的连续摆动螺旋。摆动是公知的，例如在美国专利号4791627中所公开的，其作为整体参考而被结合。地址信息作为高频摆动标记(HFWM)嵌入到摆动槽脊中，所述标记为比原始摆动频率高(典型的高3至5倍)的单周期摆动。图4表示带有HFWM402的摆动400的一部分。光盘上槽脊的摆动中的HFWM用于存储物理地址信息。在摆动的负零交叉(negetive zero crossing)(即波形的负斜面区域)上出现的HFWM表示有效比特，而在摆动的负零交叉上缺少HFWM表示无效比特。可选择的，在摆动的正零交叉(positive zero crossing)上出现的HFWM表示有效比特，而在摆动的正零交叉上缺少HFWM表示无效比特。HFWM的零交叉位于摆动标记零交叉本是缺少HFWM的位置的±10度范围内。存储的比特包括类似用于计时的同步标记信息，包括物理扇区地址的物理扇区信息和用于纠正物理扇区信息误读取的纠错码。
在一个实施例中，如图4所示，HFWM具有正弦曲线的形状，且其具有与摆动的振幅近似相等的振幅，例如相互之间的偏差在±25％之内。在盘的平面内从波峰到波峰的幅度为，例如55nm±15(或者为轨迹节距的7.5％±2％)，其中该幅度是在进行跟踪时对推挽跟踪信号进行测量得到的。同时，如所示出的，HFWM被插入或定位在摆动的斜面上，其向盘的靠近里面的部分移动。光盘的每个扇区包括，例如，248个摆动周期。从而，对于一个扇区，最多可向摆动周期中插入248HFWM比特。可写入部分中的摆动频率为128.2051kHz(20MHz编码时钟/156)，扫描速度为2.9m/sec，其中所述的频率对应于384.6153kHz至641.0256kHz的HFWM频率。156为将摆动频率置于适于控制台式(bench)激光调制器的范围中而且为RLL编码时钟频率和ECC块大小的整数倍的合适的除数。
对于跨越包括摆动和HFWM且包括光盘的写入和非写入区域的5个连续的轨迹测得的峰峰信号振幅的平均值满足下列关系0.05＜Amppeak-to-peak/Iland＜0.10Iland在图5中示出，并且定义为从凹槽盘的槽脊区域获得的完整和信号(对所有检测器信号区进行求和)。如上面要注意的，该摆动和HFWM的峰峰振幅相互之间的偏差在25％之内。
摆动CNR定义为与在频谱分析仪上测得的噪声最低值振幅相关的摆动信号载体振幅。当测量摆动CNR时，频谱分析仪的分辨率带宽设为1kHz，且频谱分析仪的中心频率设为128.2051kHz。摆动CNR典型的大于23dB。
图6为沿包含ROM部分102的图1的剖面线6-6的光盘的侧视图。主控或预记录信息由一系列的凸缘104和在径向邻近的凸缘104之间的平面部分107表示。图5示出三个邻近的凸缘104a、104b、104c，和三个径向邻近的平面部分107a、107b和107c。这些凸缘104和平面部分107典型的在光盘表面上以螺旋图案的方式设定。未涂敷凸缘104的宽度Wb在200至250nm的范围内变动，典型的宽度为在全宽半最大值时测得的225nm±5nm。从相关的角度来说，凸缘104的宽度Wb典型的为轨迹节距的30％±3％。在一个实施例中，当凸缘出现在邻近的轨迹中时，未涂敷平面区域107的宽度Wp在485至545nm的范围内变动，在全宽半最大值时测得的典型宽度为515nm。轨迹节距TPB为邻近凸缘的中心线之间的平均距离，且在一个实施例中，为0.74±0.03μm。每个未涂敷的凸缘104的高度H在约80nm至约90nm的范围内变动，典型的高度为85nm。凸缘104以从光盘的平面区域成壁角β而被形成。类似于槽脊的壁角，在0.1H和0.9H之间沿凸缘的壁测得的壁角β在40°和50°之间，且具有与额定值±15°的偏差。涂敷(用相变材料和保护涂层)之后，凸缘的宽度范围在约340和360nm之间。注意模制盘在ROM部分也涂敷光涂层212，这部分中的涂层只用作反射层并不向其写入。
图7为沿ROM部分102的一个区域的光盘的顶视图。示出了一系列的凸缘104a-g和平面区域107a-d，其中光读取器沿径向扫描或读取凸缘和平面区域。凸缘104的长度具有各不相同的涂敷和未涂敷长度，其在下面的表1中示出。平面区域107通常具有与凸缘104相同的长度。标记T表示最小的计时标记，且具有与在3T至14T之间变动的脉冲间隔相应的标记长度。
表1通常，每个凸缘和每个平面区域代表多个二进制比特。凸缘104和平面区域107可以在使用母模形成光盘的时候形成，如在上面参考的美国专利申请号M-11628US中所披露的。
概括而言，盘100包含两个基本的区域，ROM部分102和可写入部分108。ROM部分包含在制造过程中模压到盘上的螺旋轨迹型式的凸缘，凹坑或凸缘在空间上是分离的；随后进行下列制造，可写入部分只包含也模压到盘上的螺旋形的凹槽和槽脊。ROM部分不需要包含凹槽，因为经模压得到的凸缘的轨迹能被光头用于跟踪目的。在可写入部分中，在凹槽之间的螺旋槽脊在信息的读或写的过程中提供一跟踪信号。在所述的实施例中，在可写入部分中的数字信息包括存在于不同的无定形有效层中的晶态(crystalline)“比特”。对于ROM部分中的凸缘来说，为无定形的晶态比特成型在槽脊上。
光盘的特定拓扑结构特征在可写入部分产生许多优点。数据时钟抖动在小于9％的范围内。在盘的表面使用小于250微瓦的读取功率级和小于2mW的写入功率级，载波噪音比高于50dB。邻近轨迹串扰等级小于-25dB。
交叉跟踪信号为在聚焦光束横跨轨迹时测得的和信号。在一个实施例中，横跨盘的未写入区域和写入区域的交叉跟踪信号满足下列关系0.05＜(Iland-Igroove)/Iland＜0.20再参考图5，Iland为从槽脊部分获得的和信号，而Igroove为从盘的凹槽部分获得的整体和信号。
通过盘的写入区域获得的推挽跟踪信号满足下列关系0.29＜Push-Pull Signalpeak-to-peak/Iland＜0.39，而通过光盘的未写入区域获得的推挽跟踪信号满足下列关系0.24＜Push-Pull Signalpeak-to-peak/Iland＜0.34在写入区域PPW和未写入区域PPU获得的峰峰推挽信号的比值满足下列关系0.65＜PPW/PPU＜0.90分开的推挽信号定义为通过盘表面的整体写入部分测得的最小峰峰推挽信号振幅除以最大峰峰信号振幅。该分开的推挽信号典型的大于0.60。
另外，根据一个实施例，所述的拓扑结构允许在盘的ROM部分或预记录部分获得下列性能。交叉跟踪信号以100kHz的截止频率被第二级(2ndorder)低通滤波器滤波以便通过ROM数据进行测量。该经滤波的交叉跟踪信号满足下列关系0.05＜(Ispace-Ibump)/Ispace＜0.20Ispace和Ibump在图8中示出，并被定义为从检测器信号区获得的整体和信号，而检测器信号区上的信号是从为凸缘和凸缘之间的空隙的盘表面区域获得的。
推挽跟踪信号也以100kHz的截止频率被第二级(2ndorder)低通滤波器滤波以便通过ROM数据进行测量。经滤波的推挽跟踪信号满足下列关系0.11＜push-pull signalpeak-to-peak/Iland＜0.20抖动为二进制读取信号的时间变化的标准偏差，其为从数据获得的正信号或负信号。前沿和尾沿的抖动相应于PLL时钟被测量并且通过信道比特时钟周期(对于20MHz RLL时钟为50nsec)标准化。该测得的抖动典型的小于9％。
图9表示从随机ROM数据获得的模拟回读信号和用于进一步定义根据一个实施例的光盘的识别参数。3T信号I3的峰峰振幅与14T信号I14的峰峰振幅的比值大于30％，即I3/I14＞0.30。调制深度定义为14T信号I14的峰峰振幅除以14T信号I14H的最大振幅。调制深度满足下列关系0.33＜I14/I14H＜0.48ROM数据信号包络调制(envelope modulation)定义为14T峰峰信号振幅(I14TMIN/I14TMAX)在轨迹周围和整个盘表面上的变化量，并且满足下列关系在任何单个轨迹周围I14TMIN/I14TMAX＞0.85在整个盘表面上I14TMIN/I14TMAX＞0.70ROM数据串扰在横跨轨迹时通过测量ROM数据包络获得。ROM数据串扰定义为最小峰峰ROM数据包络振幅除以最大峰峰ROM数据包络振幅。ROM数据串扰满足下列关系ROMdata envelope MIN/ROMdata envelope MAX＜0.85不对称性定义为14T信号的平均值减去3T信号的平均值再除以14T信号的振幅，其中下标H和L分别表示最大和最小振幅。不对称性满足下列关系-0.05＜[(I14H+I14L)/2-(I3H+I3L)/2]/I14＜0.15本发明的上述实施例仅仅是说明性的，但并不受局限。从而，对于本领域技术人员来说，在不脱离本发明的情况下可以在较宽范围内产生不同的变化和修改。因此，后附权利要求包括落入本发明的精神和范围内的所有这样的变化和修改。
权利要求
1.一种光盘，包括基片，该基片具有圆形第一表面和对立的圆形第二表面，其中第一和第二表面的外径约小于50mm；在圆形第一表面的第一部分上的螺旋型的凸缘，其中信息存储在凸缘上并从凸缘读取信息；在圆形第一表面的第二部分上的螺旋槽脊，其中信息被写入槽脊并从槽脊读取信息；和在圆形第一表面上覆盖凸缘和槽脊的连续的多层光涂层，其中光涂层包括金属/合金层，所述金属/合金层包括锡、锑和从由铟、锗、铝和锌构成的组中选出的元素；和覆盖金属/合金层的介电层。
2.权利要求1的盘，其中第一和第二表面的外径约为32mm或更少。
3.权利要求1的盘，其中基片的厚度约为0.6mm±0.03mm。
4.权利要求1的盘，其中凸缘的宽度在近似200nm和250nm之间，该宽度是在半宽全最大值下测得的。
5.权利要求1的盘，其中凸缘的宽度为凸缘的轨迹节距的30％±3％，轨迹节距为沿径向邻近凸缘的中心线之间的距离。
6.权利要求1的盘，其中沿径向的邻近凸缘的中心线之间的平均距离为0.74μm±0.03μm。
7.权利要求1的盘，其中凸缘的高度在约80nm和90nm之间。
8.权利要求1的盘，其中凸缘包括以30°和50°之间的一个角度倾斜的测壁，所述角度是沿第一圆形表面测得的。
9.权利要求8的盘，其中所述角度约为45°。
10.权利要求1的盘，其中在径向邻近的两个凸缘之间的距离在约485nm和545nm之间，该距离是在全宽半最大值的情形下测得的。
11.权利要求1的盘，其中由光涂层覆盖的凸缘的长度为179nm的倍数，最短的长度为3倍，而最大长度为14倍。
12.权利要求1的盘，其中槽脊的高度在约80nm和90nm之间。
13.权利要求1的盘，其中槽脊的宽度约为400nm±50nm，该宽度是在半宽全最大值时测得的。
14.权利要求1的盘，其中槽脊的宽度约为槽脊的轨迹节距的55％，轨迹节距为槽脊的径向邻近的部分的中心线之间的距离。
15.权利要求1的盘，其中槽脊的径向邻近的部分的中心线之间的平均距离在约0.70μm至0.78μm之间。
16.权利要求16的盘，其中槽脊包括以30°和50°之间的一个角度倾斜的测壁，所述角度是沿第一圆形表面测得的。
17.权利要求16的盘，其中所述角度约为45°。
18.权利要求1的盘，其中槽脊具有正弦摆动。
19.权利要求18的盘，其中沿径向的摆动幅度为55±15nm。
20.权利要求18的盘，其中沿径向的摆动幅度为槽脊的轨迹节距的7.5％±2％，轨迹节距为槽脊的径向邻近的部分的中心线之间的距离。
21.权利要求18的盘，其中摆动频率约为128kHz。
22.权利要求18的盘，进一步包括沿摆动的高频摆动标记(HFWM)。
23.权利要求22的盘，其中HFWM的频率约为摆动频率的3到5倍。
24.权利要求22的盘，其中HFWM的频率在约384kHz到641kHz之间。
25.权利要求18的盘，其中摆动和HFWM的振幅之间的偏差在±25％范围内。
26.权利要求1的盘，其中介电层包括氧氮化硅。
全文摘要
一种光盘，具有覆盖小凸缘和槽脊的多层经调谐的光涂层，其中凸缘用于存储预记录信息，槽脊用于向其写入信息和读取信息。光涂层包括在盘的基片上形成的相变金属/合金层和在相变层上形成的介电层。根据本发明的光盘具有特殊的拓扑特性和尺寸。
文档编号G11B7/257GK1465053SQ02802332
公开日2003年12月31日 申请日期2002年5月2日 优先权日2001年5月11日
发明者戴维·L·布兰肯贝克勒, 布赖恩·S·梅多沃, 伊恩·R·雷德蒙, 戴维·H·戴维斯 申请人:数据播放公司