专利名称：在光学记录媒体中记录数据的方法及设备和光学记录媒体的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种在光学记录媒体中记录数据的方法、一种在光学记录媒体中记录数据的设备和一种光学记录媒体，具体地说，涉及一种使用具有较低的记录功率的激光束在较高的线性记录速度下在写一次型光学记录媒体中能够记录数据的在光学记录媒体中记录数据的方法和在光学记录媒体中记录数据的设备，以及一种使用具有较低的记录功率的激光束在较高的线性记录速度下在其中能够记录数据的写一次型光学记录媒体。
背景技术：
光学记录媒体比如CD、DVD等被广泛地用作记录数字数据的记录媒体。这些光学记录媒体大致可以分为不能写和重写数据的光学记录媒体比如CD-ROM和DVD-ROM(ROM型光学记录媒体)、能够写但不能重写数据的光学记录媒体比如CD-R和DVD-R(写一次型光学记录媒体)和能够重写数据的光学记录媒体比如CD-RW和DVD-RW(数据可重写型光学记录媒体)。
在本领域中十分公知的是，一般使用在制造过程中在衬底中形成的预制凹坑将数据记录在ROM型光学记录媒体中，同时在数据可重写型光学记录媒体中，一般将相变材料用作记录层的材料并且利用由相变材料的相变引起的光学特性的变化记录数据。
在另一方面，在写一次型光学记录媒体中，有机染料比如花青染料、酞菁染料或偶氮染料通常用作记录层的材料并且利用由有机染料的化学变化或有机染料的化学变化和物理变化引起的光学特性的变化记录数据。
此外，公知的是通过层叠两个记录层形成写一次型光学记录媒体(例如参见日本专利申请公开No.62-204442)，在这种光学记录媒体中，通过将激光束投影在其上并混合两个记录层中包含的元素以形成与周围区域的光学特性不同的光学特性的区域，在其中记录数据。
在本说明书中，在光学记录媒体包括包含有机染料的记录层的情况下，其中一旦以激光束辐射有机染料化学地变化或者化学地和物理地变化的区域称为“记录标记”，以及在光学记录媒体包括两个记录层(每个记录层包含无机元素作为基本成分)的情况下，其中一旦以激光束辐射则两个记录层中作为基本成分包含的无机元素发生混合的区域称为“记录标记”。
调制投影在光学记录媒体上的激光束的功率以将数据记录在其中的最佳方法一般称为“脉冲串模式”或“记录策略”。
附图8所示为在包括包含有机染料的记录层的CD-R中用于记录数据的典型的脉冲串模式的附图，该附图示出了在EFM调制码中记录3T至11T信号的脉冲串模式。
如附图8所示，在数据记录在CD-R中的情况下，一般应用具有与要形成的记录标记M的长度相对应的宽度的记录脉冲(例如参见日本专利申请公开No.2000-187842)更具体地说，在激光束投射到其中没有形成记录标记M的空白区时激光束的功率固定到底部功率Pb，在激光束投射到其中要形成记录标记M的区域时固定到记录功率Pw。结果，在记录层中包含的有机染料在其中要形成记录标记M的区域中被分解或裂解并且该区域物理变形，由此在其中形成了记录标记M。在本说明书中，这种脉冲串模式称为单脉冲模式。
附图9所示为在包括包含有机染料的记录层的DVD-R中用于记录数据的典型脉冲串模式的附图，该附图示出了以8/16调制码记录7T信号的脉冲串模式。
由于以比在CD-R中记录数据时更高的线性记录速度在DVD-R中记录数据，因此与在CD-R中记录数据的情况不同的是，使用具有与要形成的记录标记M的长度相对应的宽度的记录脉冲难以形成具有良好形状的记录标记。
因此，使用其中如附图9所示的脉冲串在DVD-R中记录数据，记录脉冲分割为对应于要形成的记录标记M的长度的多个分脉冲。
更具体地说，在记录nT信号的情况下，这里在8/16调制码中n是等于或大于3并且等于小于11或14的整数，应用(n-2)个分脉冲，并在每个分脉冲的峰值下将激光束的功率设定到记录功率Pw，而在脉冲的其它部分上设定到底部功率Pb。在本说明书中，由此构成的脉冲串被称为“基本脉冲串模式”。
如附图9所示，在基本脉冲串模式中，底部功率Pb的电平设定到用于再现数据的再现功率Pr或接近它的功率。
在另一方面，最近已经提出了具有改善的记录密度并具有非常高的数据传输速率的下一代型光学记录媒体。
在这种下一代型光学记录媒体中，为了实现非常高的数据传输速率，要求以比常规的光学记录媒体更高的线性记录速度记录数据，由于在写一次型光学记录媒体中形成记录标记所需的记录功率Pw一般与线性记录速度的平方根基本成比例，因此在下一代型光学记录媒体中需要利用具有较高的输出的半导体激光器以便记录数据。
此外，在下一代型光学记录媒体中，实现增加记录容量和非常高的数据传输速率不可避免地要求用于记录和再现数据的激光束点的直径减小到非常小的尺寸。
为了减小激光束点直径，聚集激光束的物镜的数值孔径需要增加到0.7或更大，例如大约0.85，并且激光束的波长需要缩短到450纳米或更短，例如大约400纳米。
然而，发射具有波长等于或短于450纳米的激光束的半导体激光器的输出小于发射用于CD的具有780纳米的波长的激光束的半导体激光器的输出、和发射用于DVD的具有650纳米的波长的激光束的半导体激光器的输出，并且发射具有等于或短于450纳米的波长的激光束并具有较高的输出的半导体激光器较昂贵。
在如下构造的写一次型光学记录媒体中这些问题特别严重其中在多个记录层中包含的元素由于由投射到其中的激光束产生的热量而彼此混合，由此形成记录标记。
发明内容
因此本发明的一个目的是提供一种在光学记录媒体中记录数据的方法，该方法能够使用具有较低的记录功率的激光束以较高的线性记录速度在写一次型光学记录媒体中记录数据。
本发明的另一目的是提供一种在光学记录媒体中记录数据的方法，该方法能够使用具有较低的输出的低廉的半导体激光以较高的线性记录速度在写一次型光学记录媒体中记录数据。
本发明的另一目的是提供一种在光学记录媒体中记录数据的方法，该方法能够使用具有较低的记录功率的激光束以较高的线性记录速度在包括两个或更多个记录层的写一次型光学记录媒体中记录数据。
本发明的另一目的是提供一种在光学记录媒体中记录数据的设备，该设备能够使用具有较低的记录功率的激光束以较高的线性记录速度在写一次型光学记录媒体中记录数据。
本发明的另一目的是提供一种在光学记录媒体中记录数据的设备，该设备能够使用具有较低的输出的低廉的半导体激光以较高的线性记录速度在写一次型光学记录媒体中记录数据。
本发明的另一目的是提供一种在光学记录媒体中记录数据的设备，该设备能够使用具有较低的记录功率的激光束以较高的线性记录速度在包括两个或更多个记录层的写一次型光学记录媒体中记录数据。
本发明的另一目的是提供一种光学记录媒体，使用具有较低的记录功率的激光束以较高的线性记录速度能够在该光学记录媒体中记录数据。
本发明的另一目的是提供一种光学记录媒体，使用具有较低的输出的低廉的半导体激光以较高的线性记录速度能够在该光学记录媒体中记录数据。
本发明的另一目的是提供一种包括两个或更多个记录层的光学记录媒体，使用具有较低的记录功率的激光束以较高的线性记录速度能够在该光学记录媒体中记录数据。
本发明的发明人一直努力地从事实现上述目的的研究，结果，发现为使用具有较低的记录功率的激光束以较高的线性记录速度在光学记录媒体中记录数据，使用单脉冲模式通过调制激光束的功率增加为形成记录标记而输送的热量的总量比较有效，但是在数据的线性记录速度较低的情况下，如果通过使用单脉冲模式调制激光束的功率增加为形成记录标记而输送的热量的总量，则记录标记变得更宽而且数据的串绕增加，以及在线性记录速度变得更高时利用具有其电平被设定到对应于记录功率的电平的更少数量的脉冲的脉冲串模式并且调制激光束的功率由此将数据记录在写一次型光学记录媒体中的情况下，可以使用具有较低的记录功率在较高的线性记录速度下将数据记录在写一次型光学记录媒体中，并且即使在线性记录速度较低时也可以防止数据的串绕增加。
因此，本发明的上述目的通过将数据记录在光学记录媒体中的方法实现，其中，通过将激光束投射到在衬底上设置的至少一个记录层并在至少一个记录层的预定区域中形成记录标记，将数据记录在包括至少一个记录层的写一次型光学记录媒体中，该激光束的功率根据脉冲串模式调制，该脉冲串模式至少包括其电平被设定到对应于记录功率和底部功率的电平的脉冲，这种将数据记录在光学记录媒体中的方法包括如下的步骤在线性记录速度变得更高时利用具有其电平被设定到对应于记录功率的电平的更少数量的脉冲的脉冲串模式，以及调制激光束的功率由此在至少一个记录层的预定区域中形成记录标记。
在本说明书中，在光学记录媒体包括包含有机染料的记录层的情况下，其中一旦以激光束辐射有机染料化学地变化或化学地和物理地变化的区域被称为“记录标记”，以及在光学记录媒体包括每个包含无机元素作为基本成分的两个记录层的情况下，其中一旦以激光束辐射其中在两个记录层中作为基本成分包含的无机元素发生混合的区域被称为“记录标记”。
根据本发明，由于，通过在线性记录速度变得更高时利用具有其电平被设定到对应于记录功率的电平的更少数量的脉冲的脉冲串模式并调制激光束的功率由此在至少一个记录层的预定区域中形成记录标记，将数据记录在至少一个记录层的预定区域中，因此即使在线性记录速度较高时使用具有较低的记录功率的激光束仍然可以将数据记录在光学记录媒体中，并且即使在线性记录速度较低时仍然可以防止数据的串绕增加。因此，即使在以较高的线性记录速度记录数据时仍然可以利用具有相对较低的输出的半导体激光器。
此外，根据本发明，即使在不同的线性记录速度下使用具有基本相同的记录功率的激光束仍然可以记录数据。
在本发明的优选方面，在以等于或高于第一线性记录速度VH的线性记录速度记录数据的情况下将脉冲数量设定到1。
在本发明的优选方面，在以低于第一线性记录速度VH但高于第二线性记录速度VL的线性记录速度VM记录数据的情况下，至少在要形成最短的记录标记时将脉冲数量设定到1，并且随着要形成的记录标记的长度变得越长将脉冲数量设定得越大。
在本发明的优选方面，在以低于第一线性记录速度VH但高于第二线性记录速度VL的线性记录速度记录数据的情况下，至少在要形成最短的记录标记时将脉冲数量设定到1，并且随着线性记录速度VM变得越低将脉冲数量设定得越大。
在本发明的优选方面，在通过以线性记录速度形成具有相应的长度的记录标记记录数据的情况下，脉冲数量被设置成使得在它本身和表示记录标记的长度的数量之间的差值恒定。
在本发明的更加优选方面，第一线性记录速度被确定为等于或高于10m/sec。
在本发明的更加优选方面，随着线性记录速度变得越高，底部功率的电平被设定得越高。
在本发明的更加优选方面，随着线性记录速度变得越高，底部功率与记录功率的比率被设定得越高。
在本发明的更加优选方面，通过将具有等于或短于450纳米的波长的激光束投射到光学记录媒体上，将数据记录到其中。
在本发明的更加优选方面，通过利用其数值孔径NA和波长λ满足λ/NA≤640纳米的物镜和激光束并经由该物镜将激光束投射到光学记录媒体上，将数据记录到该光学记录媒体中。
在本发明的优选方面，光学记录媒体进一步包括光透射层和形成在衬底和光透射层之间的第一记录层和第二记录层，并且被构造成使至少两个记录标记通过如下过程形成将激光束投射到其上，由此混合包含在第一记录层中作为基本成分的元素和包含在第二记录层中作为基本成分的元素。
在本发明的更加优选方面，第二记录层被形成为与第一记录层接触。
本发明的上述目的也可以通过将数据记录在光学记录媒体中的方法实现，其中，通过将激光束投射到在衬底上设置的至少一个记录层并在至少一个记录层的预定区域中形成记录标记，将数据记录在包括至少一个记录层的写一次型光学记录媒体中，该激光束的功率根据脉冲串模式调制，该脉冲串模式至少包括其电平被设定到对应于记录功率和底部功率的电平的脉冲，这种将数据记录在光学记录媒体中的方法包括如下的步骤在光学记录媒体的轨道间距TP与激光的束点的直径的比率变得更小时，利用具有其电平被设定到对应于记录功率的电平的更少数量的脉冲的脉冲串模式，以及调制激光束的功率，由此在至少一个记录层的预定区域中形成记录标记。
本发明的上述目的也可以通过将数据记录在光学记录媒体中的设备实现，其中，通过将激光束投射到在衬底上设置的至少一个记录层并在至少一个记录层的预定区域中形成记录标记，将数据记录在包括至少一个记录层的写一次型光学记录媒体中，该激光束的功率根据脉冲串模式调制，该脉冲串模式至少包括其电平被设定到对应于记录功率和底部功率的电平的脉冲，这种将数据记录在光学记录媒体中的设备被构造成在线性记录速度变得更高时利用具有其电平被设定到对应于记录功率的电平的更少数量的脉冲的脉冲串模式，以及调制激光束的功率由此在至少一个记录层的预定区域中形成记录标记。
根据本发明，这种将数据记录到光学记录媒体的设备被构造成在线性记录速度变得更高时利用具有其电平被设定到对应于记录功率的电平的更少数量的脉冲的脉冲串模式，以及调制激光束的功率由此在至少一个记录层的预定区域中形成记录标记，因此即使在线性记录速度较高时使用具有较低记录功率的激光束仍然可以将数据记录在光学记录媒体中，并且即使在线性记录速度较低时仍然可以防止数据的串绕增加。因此，即使在以较高的线性记录速度记录数据时仍然可以利用具有相对较低的输出的半导体激光器。
在本发明的优选方面，在以等于或高于第一线性记录速度VH的线性记录速度记录数据的情况下将脉冲数量设定到1。
在本发明的优选方面，在以低于第一线性记录速度VH但高于第二线性记录速度VL的线性记录速度VM记录数据的情况下，至少在要形成最短的记录标记时将脉冲数量设定到1，并且随着要形成的记录标记的长度变得越长将脉冲数量设定得越大。
在本发明的优选方面，在以低于第一线性记录速度VH但高于第二线性记录速度VL的线性记录速度记录数据的情况下，至少在要形成最短的记录标记时将脉冲数量设定到1，并且随着线性记录速度VM变得越低将脉冲数量设定得越大。
在本发明的优选方面，在通过以线性记录速度形成具有相应的长度的记录标记记录数据的情况下，脉冲数量被设置成使在它本身和表示记录标记的长度的数量之间的差值恒定。
在本发明的更加优选方面，第一线性记录速度被确定为等于或高于10m/sec。
本发明的上述目的和其它目的也可以通过包括衬底和设置在衬底上的至少一个记录层的写一次型光学记录媒体实现，并且该写一次型光学记录媒体被构造成通过将激光束投射到至少一个记录层并在至少一个记录层的预定区域中形成记录标记来记录数据，该激光束的功率根据脉冲串模式调制，该脉冲串模式至少包括其电平被设定到对应于记录功率和底部功率的电平的脉冲，这种光学记录媒体记录有实施如下过程所需的设定记录条件的数据在线性记录速度变得更高时利用具有其电平被设定到对应于记录功率的电平的更少数量的脉冲的脉冲串模式，以及由此调制激光束的功率。
根据本发明，因为，通过在要将数据记录在光学记录媒体中时读取在光学记录媒体中记录的设置记录条件的数据、在线性记录速度变得更高时利用具有其电平被设定到对应于记录功率的电平的更少数量的脉冲的脉冲串模式以及调制由此形成的激光束的功率，可以将数据记录在光学记录媒体中，因此即使在线性记录速度较高时使用具有较低的记录功率的激光束仍然可以将数据记录在光学记录媒体中，并且即使在线性记录速度较低时仍然可以防止数据的串绕增加。因此，即使在以较高的线性记录速度记录数据时仍然可以利用具有相对较低的输出的半导体激光器。
在本发明的优选方面，光学记录媒体进一步包括光透射层和形成在衬底和光透射层之间的第一记录层和第二记录层，并且被构造成使至少两个记录标记通过如下过程形成将激光束投射到其上，由此混合包含在第一记录层中作为基本成分的元素和包含在第二记录层中作为基本成分的元素。
在本发明的更加优选方面，第二记录层被形成为与第一记录层接触。
在本发明中，可取的是，第一记录层和第二记录层包含不同的元素作为基本成分，它们每个包含从由如下元素组成的组中选择的元素作为基本成分Al、Si、Ge、C、Sn、Au、Zn、Cu、B、Mg、Ti、Mn、Fe、Ga、Zr、Ag和Pt。
在本发明的优选方面，第一记录层包含从由Si、Ge、Sn、Mg、In、Zn、Bi和Al组成的组中选择的元素作为基本成分，以及第二记录层包含Cu作为基本成分。
在本发明中，在第一记录层包含从由Si、Ge、Sn、Mg、In、Zn、Bi和Al组成的组中选择的元素作为基本成分以及第二记录层包含Cu作为基本成分的情况下，除了第一记录层和第二记录层之外，光学记录媒体还可以包括包含从由Si、Ge、Sn、Mg、In、Zn、Bi和Al组成的组中选择的元素作为基本成分的一个或多个记录层或包含Cu作为基本成分的一个或多个记录层。
在本发明中，可取的是，第一记录层包含从由Ge、Si、Mg、Al和Sn组成的组中选择的元素作为基本成分。
在本发明中，在第一记录层包含从由Si、Ge、Sn、Mg、In、Zn、Bi和Al组成的组中选择的元素作为基本成分以及第二记录层包含Cu作为基本成分的情况下，优选将从由Al、Si、Zn、Mg、Au、Sn、Ge、Ag、P、Cr、Fe和Ti组成的组中选择的至少一种类型的元素增加到第二记录层中，并且更为可取的是将从由Al、Zn、Sn和Au组成的组中选择的至少一种类型的元素增加到第二记录层中。
在本发明的另一优选方面，第一记录层包含从由Si、Ge、C、Sn、Zn和Cu组成的组中选择的元素作为基本成分，以及第二记录层包含Al作为基本成分。
在本发明中，在第一记录层包含从由Si、Ge、C、Sn、Zn和Cu组成的组中选择的元素作为基本成分以及第二记录层包含Al作为基本成分的情况下，除了第一记录层和第二记录层之外，光学记录媒体还可以包括包含从由Si、Ge、C、Sn、Zn和Cu组成的组中选择的元素作为基本成分的一个或多个记录层或包含Al作为基本成分的一个或多个记录层。
在本发明中，在第一记录层包含从由Si、Ge、C、Sn、Zn和Cu组成的组中选择的元素作为基本成分以及第二记录层包含Al作为基本成分的情况下，优选将从由Mg、Au、Ti和Cu组成的组中选择的至少一种类型的元素增加到第二记录层中。
在本发明中，在第一记录层包含从由Si、Ge、C、Sn、Zn和Cu组成的组中选择的元素作为基本成分以及第二记录层包含Al作为基本成分的情况下，可取的是第一记录层和第二记录层被形成为其总厚度为2纳米至40纳米，更为可取的是2纳米至30纳米，最为可取的是2纳米至20纳米。
在本发明中，第一记录层包含从由Si、Ge、C和Al组成的组中选择的元素作为基本成分以及第二记录层包含Zn作为基本成分，第一记录层和第二记录层被形成为其总厚度等于或小于30纳米。
在本发明中，在第一记录层包含从由Si、Ge、C和Al组成的组中选择的元素作为基本成分以及第二记录层包含Zn作为基本成分的情况下，光学记录媒体可以包括包含从由Si、Ge、C和Al组成的组中选择的元素作为基本成分的一个或多个记录层或包含Zn作为基本成分的一个或多个记录层。
在本发明中，在第一记录层包含从由Si、Ge、C和Al组成的组中选择的元素作为基本成分以及第二记录层包含Zn作为基本成分的情况下，可取的是第一记录层包含从由Si、Ge和C组成的组中选择的元素作为基本成分。
在本发明中，在第一记录层包含从由Si、Ge、C和Al组成的组中选择的元素作为基本成分以及第二记录层包含Zn作为基本成分的情况下，可取的是第一记录层和第二记录层被形成为其总厚度为2纳米至30纳米，更为可取的是2纳米至24纳米，最为可取的是2纳米至12纳米。
在本发明中，在第一记录层包含从由Si、Ge、C和Al组成的组中选择的元素作为基本成分以及第二记录层包含Zn作为基本成分的情况下，可取的是将从由Mg、Cu和AlI组成的组中选择的至少一种元素增加到第二记录层中。
在本发明的优选方面中，形成光透射层以使其具有10纳米至300纳米的厚度。
通过下文结合附图的描述，将会清楚本发明的上述和其它目的和特征。
附图1所示为本发明的优选实施例的光学记录媒体的结构的示意性横截面视图。
附图2(a)所示为在附图1中的光学记录媒体的示意性放大的横截面视图，以及附图2(b)所示为在已经在其中记录了数据之后的光学记录媒体的示意性放大的横截面视图。
附图3所示为调制激光束的功率的脉冲串模式的脉冲数量和线性记录速度如何与使用1，7RLL调制码要形成的记录标记的长度相关的表格。
附图4所示为在第一线性记录速度VL下用于将数据记录在光学记录媒体中的脉冲串模式的附图组，其中附图4(a)所示为用于记录2T信号的脉冲串模式，以及附图4(b)所示为用于记录3T信号至8T信号中的一个的脉冲串模式。
附图5所示为在第三线性记录速度VH下用于将数据记录在光学记录媒体中的脉冲串模式的附图组，其中附图5(a)所示为用于记录2T信号的脉冲串模式，以及附图5(b)所示为用于记录3T信号至8T信号中的一个的脉冲串模式。
附图6所示为在高于第一线性记录速度VL并低于第三线性记录速度VH的第二线性记录速度VM下用于将数据记录在光学记录媒体中的脉冲串模式的附图组，其中附图6(a)所示为用于记录2T信号至5T信号中的一个的脉冲串模式，以及附图6(b)所示为用于记录6T信号至8T信号中的一个的脉冲串模式。
附图7所示为本发明的优选实施例的数据记录和再现设备的方块图。
附图8所示为用于将数据记录在包括包含有机染料的记录层的CD-R的典型脉冲串模式的附图，示出了以EFM调制码记录3T信号至11T信号中的一个的脉冲串模式。
附图9所示为用于将数据记录在包括包含有机染料的记录层的DVD-R的典型脉冲串模式(基本脉冲串模式)的附图，示出了以8/16调制码记录7T信号的脉冲串模式。
具体实施例方式
现在参考附图描述本发明的优选实施例。
附图1所示为本发明的优选实施例的光学记录媒体的结构的示意性横截面视图。
如附图1所示，根据本实施例的光学记录媒体10被构造为写一次型光学记录媒体，并且包括衬底11、形成在衬底11的表面上的反射层12、形成在反射层12的表面上的第二电介质层13、形成在第二电介质层13的表面上的第二记录层32、形成在第二记录层32的表面上的第一记录层31、形成在第一记录层31的表面上的第一电介质层15和形成在第一电介质层15的表面上的光透射层16。
如附图1所示，在光学记录媒体10的中心部分上形成中心孔。
在本实施例中，如附图1所示，激光束L10投射到光透射层16的表面上，由此将数据记录到光学记录媒体10或者从光学记录媒体10再现数据。
衬底11用作确保光学记录媒体10所要求的机械强度的支撑。
用于形成衬底11的材料没有特别的限制，只要衬底11能够用作光学记录媒体10的支撑即可。衬底11可以由玻璃、陶瓷、树脂等形成。在这些材料中，树脂优选用于形成衬底11，因为树脂容易成形。适合于形成衬底40的树脂的示例性实例包括聚碳酸酯树脂、聚丙烯树脂、环氧树脂、聚苯乙烯树脂、聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、硅树脂、含氟聚合物、丙烯腈丁二烯苯乙烯树脂、聚氨酯树脂等。在这些材料中，从易于处理、光学特性等角度看，最为优选的是，聚碳酸酯树脂用于形成衬底11。
在本实施例中，衬底11具有大约1.1毫米的厚度。
衬底11的形状没有特别限制，但是通常为盘状、卡状或片状。
如附图1所示，凹区11a和凸区11b交替地形成在衬底11的表面上。在记录数据时或者在再现数据时，凹区11a和/或凸区11b用作激光束L10的导轨。
反射层12用于反射通过光透射层16的激光束L10以便将它从光透射层16发射。
反射层12的厚度没有特别限制，但优选从10纳米至300纳米，更为优选的是从20纳米到200纳米。
用于形成反射层12的材料没有特别限制，只要它能够反射激光束即可，反射层12可以由Mg、Al、Ti、Cr、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ge、Ag、Pt、Au等形成。在这些材料中，优选具有较高的反射率的金属材料形成反射层12，比如Al、Au、Ag、Cu或包含这些金属中的至少一种金属的合金，比如Al和Ti的合金。
提供反射层12以便在激光束L10用于从第一记录层31和第二记录层32光学地再现数据时通过多次干涉效应增加在记录区和未记录区之间的反射系数的差值，由此获得更高的再现信号(C/N比率)。
第一电介质层15和第二电介质层13用于保护第一记录层31和第二记录层32。通过第一电介质层15和第二电介质层13可以在较长的周期上防止光学地记录的数据的劣化。此外，由于第二电介质层13也用于防止衬底11等受热变形，因此可以有效地防止由于衬底11等的变形引起抖动等变得更差。
用于形成第一电介质层15和第二电介质层13的电介质材料没有特别的限制，只要它是透明的即可，第一电介质层15和第二电介质层13可以由例如包含氧化物、硫化物、氮化物或其组合作为基本成分的电介质材料形成。更具体地说，为了防止衬底11等受热变形，由此保护第一记录层31和第二记录层32，优选第一电介质层15和第二电介质层13包含从由Al2O3、AlN、ZnO、ZnS、GeN、GeCrN、CeO、SiO、SiO2、SiN和SiC组成的组中选择的至少一种电介质材料作为基本成分，更优选的是第一电介质层15和第二电介质层13包含ZnS·SiO2作为基本成分。
第一电介质层15和第二电介质层13可以由相同的电介质材料或不同的电介质材料形成。此外，第一电介质层15和第二电介质层13中至少一个可以具有包括多个电介质膜的多层结构。
在本说明书中，“电介质层包含某一电介质材料作为基本成分”的表述意味着该电介质材料在该电介质层中包含的电介质材料中最多。ZnS·SiO2表示ZnS和SiO2的混合物。
第一电介质层15和第二电介质层13的厚度没有特别的限制，但是优选从3纳米到200纳米。如果第一电介质层15或第二电介质层13薄于3纳米，则难以获得上述的优点。在另一方面，如果第一电介质层15或第二电介质层13厚于200纳米，则形成第一电介质层15和第二电介质层13需要较长的时间，由此降低了光学记录媒体10的生产率，并且由于在第一电介质层15和/或第二电介质层13中存在的应力，在光学记录媒体10中可能造成裂纹。
第一记录层31和第二记录层32适合于其中记录数据。在本实施例中，第一记录层31设置在光透射层16的一侧上，而第二记录层32设置在衬底11的一侧上。
在本实施例中，第一记录层31包含从由Si、Ge、Sn、Mg、In、Zn、Bi和Al组成的组中选择的元素作为基本成分，以及第二记录层32包含Cu作为基本成分。
通过以这种方式提供包含从由Si、Ge、Sn、Mg、In、Zn、Bi和Al组成的组中选择的元素作为基本成分的第一记录层31和包含Cu作为基本成分的第二记录层32，可以改善光学记录媒体10的长久的存储可靠性。
此外，这些元素仅将光送入环境中，因此不存在破坏全球大气的危险。
为了彻底地改善再现信号的C/N比率，对于第一记录层31特别优选的是包含从由Ge、Si、Mg、Al和Sn组成的组中选择的元素作为基本成分，对于第二记录层32特别优选的是包含Si作为基本成分。
在以激光束L10辐射时，在第二记录层32中作为基本成分包含的Cu可以与在第一记录层31中包含的元素快速地混合，由此可以实现将数据快速地记录在第一记录层31和第二记录层32中。
为了改善第一记录层31的记录灵敏度，优选的是为第一记录层31增加从由Mg、Al、Cu、Ag和Au组成的组中选择的至少一种类型的元素。
为了改善第二记录层32的存储可靠性和记录灵敏度，优选的是为第二记录层32增加从由Al、Si、Zn、Mg、Au、Sn、Ge、Ag、P、Cr、Fe和Ti组成的组中选择的至少一种类型的元素。
第一记录层31和第二记录层32的总厚度没有特别的限制，但是随着第一记录层31和第二记录层32的总厚度变得越厚，以激光束L10辐射的第一记录层31的表面光滑度变得越差。结果，再现的信号的噪声电平变得更高，记录灵敏度降低。在另一方面，在第一记录层31和第二记录层32的总厚度太小的情况下，在以激光束L10辐射之前和之后之间反射系数的变化较小，因此不能获得具有较高的强度(C/N比)的再现信号。此外，变得难以控制第一记录层31和第二记录层32的厚度。
因此，在本实施例中，第一记录层31和第二记录层32被形成为使其总厚度从2纳米至40纳米。为了获得具有更高的强度(C/N比)的再现信号并进一步降低再现信号的噪声电平，第一记录层31和第二记录层32的总厚度优选从2纳米至20纳米，更为优选的是从2纳米到10纳米。
第一记录层31和第二记录层32的单个厚度没有特别的限制，但是为了极大地改善记录灵敏度并极大地增加在以激光束L10辐射之前和之后之间的反射系数的变化，第一记录层31的厚度优选从1纳米到30纳米并且第二记录层32的厚度优选从1纳米到30纳米。此外，优选将第一记录层31的厚度与第二记录层32的厚度的比率(第一记录层31的厚度/第二记录层32的厚度)界定到从0.2至5.0。
光透射层16用于发射激光束L10，并且优选具有10微米至300微米的厚度。更优选的是，光透射层16含有50微米到150微米的厚度。
用于形成光透射层16的材料没有特别的限制，但是在通过旋涂过程等形成光透射层16的情况下，优选使用紫外线可固化树脂、电子束可固化树脂等。更为优选的是，光透射层16由紫外线可固化树脂形成。
光透射层16可以通过使用粘合剂将由光可透射的树脂制成的片粘接到第一电介质层15的表面形成。
具有上述构造的光学记录媒体10例如可以以如下的方式制造。
反射层12首先形成在形成有凹区11a和凸区11b的衬底11的表面上。
反射层12可以通过使用包含用于形成反射层12的元素的化学种类的气相生长过程形成。气相生长过程的示例性实例包括真空淀积过程、溅射过程等。
第二电介质层13然后形成在反射层12的表面上。
第二电介质层13也可以通过使用包含用于形成第二电介质层13的元素的化学种类的气相生长过程形成。气相生长过程的示例性实例包括真空淀积过程、溅射过程等。
第二记录层32进一步形成在第二电介质层13上。第二记录层32也可以通过使用包含用于形成第二记录层32的元素的化学种类的气相生长过程形成。
第一记录层31然后形成在第二记录层32上。第一记录层31也可以通过使用包含用于形成第一记录层31的元素的化学种类的气相生长过程形成。
第一电介质层15然后形成在第一记录层31上。第一电介质层15也可以通过使用包含用于形成第一电介质层15的元素的化学种类的气相生长过程形成。
最后，光透射层16形成在第一电介质层15上。光透射层16例如可以通过如下过程形成通过旋涂将调节到适当粘度的丙烯酸紫外线可固化树脂或环氧紫外线可固化树脂应用到第一电介质层15的表面上以形成涂层并以紫外线辐射该涂层以固化涂层。
因此，制造了光学记录媒体10。
例如以下述方式将数据记录在上述构造的光学记录媒体10上。
如附图1和2(a)所示，以具有预定的功率的激光束L10通过光透射层16首先辐射第一记录层31和第二记录层32。
为了以较高的记录密度记录数据，优选通过具有0.7或更大的数值孔径NA的物镜(未示)将具有450纳米或更短的波长λ的激光束L10投射到光学记录媒体10上，并且更为优选的是λ/NA等于或小于640纳米。在这种情况下，在第一记录层31的表面上的激光束L10的束点直径等于或小于0.65微米。
在本实施例中，具有405纳米的波长λ的激光束L10通过具有0.85的数值孔径NA的物镜聚集在光学记录媒体10上以使在第一记录层31的表面上的激光束L10的束点直径变为大约0.43微米。
结果，在第一记录层31中作为基本成分包含的元素和在第二记录层32中作为基本成分包含的元素彼此混合并如附图2(b)所示，形成了由第一记录层31的基本成分元素和第二记录层32的基本成分元素的混合构成的记录标记M。
在混合第一记录层31和32的基本成分元素时，该区域的反射系数显著地变化。因为由此形成的记录标记M的反射系数因此与在混合的区域M的周围区域极大地不同，因此在再现光学地形成的记录的信息时可以获得较高的再现信号(C/N比)。
在投射激光束L10时，第一记录层31和第二记录层32通过激光束L10加热。然而，在本实施例中，第一电介质层15和第二电介质层13设置在第一记录层31和第二记录层32的外面。因此有效地防止了衬底11和光透射层16因受热而变形。
在通过将激光束L10投射到其上将数据记录在光学记录媒体10中的情况下，根据包括其电平被设定到记录功率Pw和底部功率Pb的脉冲的脉冲串模式调制激光束L10的功率。
在如附图1和2中所示的下一代型典型光学记录媒体10中，要求在较高的线性记录速度下记录数据，并且在写一次型光学记录媒体中，形成记录标记所需的记录功率Pw基本与线性记录速度的平方根成比例。因此，需要将脉冲串模式的记录功率Pw设定到较高的电平以在较高的线性记录速度下将数据记录到光学记录媒体10中。
然而，由于适合于发射具有等于或短于450纳米的波长的激光束并用于将数据记录在下一代型光学记录媒体10中的半导体激光器的输出较低，而具有较高的输出的半导体激光器较昂贵，即使在以较高的线性记录速度将数据记录在光学记录媒体10中的情况下，仍然需要选择可能在最低的线性记录速度下将数据记录到其中的脉冲串模式。
在通过本发明的发明人完成的研究中，发现比较有效的是，在使用具有较低的记录功率在较高的线性记录速度下，通过使用脉冲串模式调制激光束L10的功率以将数据记录在光学记录媒体10中，增加为形成记录标记M输送的总热量，但是在数据的线性记录速度较低的情况下，如果通过使用单脉冲模式调制激光束L10的功率形成记录标记，则为形成记录标记输送的总热量过多，记录标记变得更宽，由此增加了数据的串绕。进一步发现，这种趋势随着记录标记的长度变得越长而变得越突出。
因此，在本实施例中，在数据的线性记录速度更高时，使用具有其电平被设定到对应于记录功率Pw的电平的更小数量的脉冲的脉冲串模式，由此调制激光束L10的功率以形成记录标记。
具体地，在利用1，7RLL调制码的情况下，如附图3所示，根据线性记录速度和形成的记录标记M的长度选择脉冲串模式的脉冲数量。
更具体地说，如附图3所示，在数据要以较低的第一线性记录速度VL记录在光学记录媒体10中的情况下，选择基本的脉冲串模式作为调制激光束L10的脉冲串模式，以及在记录nT信号(这里在1，7RLL调制码中n是2至8的整数)时，利用包括(n-1)个分脉冲的基本脉冲串模式。在要记录2T信号的情况下，分脉冲的数量变为1，基本脉冲串模式具有与单脉冲模式的模式相同的模式。
相反，在以较高的第三线性记录速度VH将数据记录到光学记录媒体10中的情况下，选择单脉冲模式作为调制激光束L10的功率的脉冲串模式。在此，第一线性记录速度VL和第三线性记录速度VH优选为使2*VL等于或低于VH，更为可取的是使4*VL等于或低于VH。此外，第三线性记录速度VH优选等于或高于10m/sec并且更为优选的是等于或高于20m/sec。
在另一方面，在以高于第一线性记录速度VL并低于第三线性记录速度VH的第二线性记录速度VM将数据记录到光学记录媒体10中的情况下，在要形成的记录标记M较短时选择单脉冲模式作为调制激光束L10的功率的脉冲串模式，而在要形成的记录标记M较长时选择基本脉冲模式作为调制激光束L10的功率的脉冲串模式。
此外，在以高于第一线性记录速度VL并低于第三线性记录速度VH的第二线性记录速度VM下在光学记录媒体10中要形成具有相同长度的记录标记M的情况下，确定脉冲串模式以便线性记录速度VM变得越低在脉冲串模式中包括的脉冲数量越大，以及在高于第一线性记录速度VL并低于第三线性记录速度VH的第二线性记录速度VM下在光学记录媒体10中要形成具有相同长度的记录标记M的情况下线性记录速度VM相同时，确定脉冲串模式，这样记录标记越长在脉冲串模式中包括的脉冲数量越大。
在本实施例中，基本脉冲串模式不仅包括如附图9所示的并包括(n-1)个分脉冲的基本脉冲串模式，而且还包括n或(n-2)个分脉冲的基本脉冲串模式。可取的是，利用包括在8/16调制码中的(n-2)个分脉冲的基本脉冲串模式并利用在1，7RLL调制码中的(n-1)个分脉冲的脉冲串模式。
附图4所示为在第一线性记录速度VL下在光学记录媒体中用于记录数据的脉冲串模式的附图组，其中附图4(a)所示为用于记录2T信号的脉冲串模式，以及附图4(b)所示为用于记录3T信号至8T信号中的一个的脉冲串模式。
如附图4(a)和附图4(b)所示，在第一线性记录速度VL下在光学记录媒体10中要记录数据的情况下，形成记录标记M的记录脉冲被分割为(n-1)个分脉冲，并在每个分脉冲的峰值下将激光束L10的功率设定到记录功率PwL，而在脉冲的其它部分上设置到底部功率PbL。
这样，在以第一线性记录速度VL要将数据记录到光学记录媒体10中的情况下，由于形成记录标记M的记录脉冲被分割为(n-1)个分脉冲，并且在每个分脉冲的峰值下将激光束L10的功率设定到记录功率PwL，而在脉冲的其它部分上设置到底部功率PbL，因此可以防止为形成记录标记M而输送的总热量过多，因此可以有效地防止记录标记变得更宽和数据的串绕增加。
在具有记录功率PwL的激光束投射到光学记录媒体10上时，记录功率PwL被设定到高电平，在这种高电平下在第一记录层31中作为基本成分包含的元素和在第二记录层32中作为基本成分包含的元素被加热并混合以形成记录标记M。在另一方面，即使在具有第一底部功率PbL的激光束被投射到光学记录媒体10上时，底部功率PbL被设定到这样的低电平，在该低电平下在第一记录层31中作为基本成分包含的元素和在第二记录层32中作为基本成分包含的元素基本不混合。
此外，如附图4(a)和附图4(b)所示，底部功率PbL被设定到比再现功率Pr更高的电平。
如果以这种方式将底部功率PbL的电平设定到比再现功率Pr更高的电平，则通过具有底部功率PbL的激光束L10可以增大通过具有记录功率PwL的激光束L10对记录层的加热并因此将记录功率PwL设定到低电平。
附图5所示为在第三线性记录速度VH下用于将数据记录到光学记录媒体10中的脉冲串模式的附图组，其中附图5(a)所示为用于记录2T信号的脉冲串模式，以及附图5(b)所示为3T信号至8T信号中的一个信号的记录的脉冲串模式。
如附图5(a)和附图5(b)所示，在第三线性记录速度VH下将数据记录到光学记录媒体10中的情况下，选择单脉冲串模式作为调制激光束L10的功率的脉冲串模式，并在其中要形成记录标记M的区域中上将激光束L10的功率设定到记录层PwH，而在脉冲的其它部分上设定到底部功率PbH。
因此，由于为形成记录标记M而输送的总热量可能增加，因此可以将记录层PwH设定到低电平。
在具有记录功率PwH的激光束投射到光学记录媒体10上时，记录功率PwH设定到这样的高电平，在该高电平下在第一记录层31中作为基本成分包含的元素和在第二记录层32中作为基本成分包含的元素可以被加热并混合以形成记录标记M。在另一方面，即使在具有第一底部功率PbH的激光束投射到光学记录媒体10上时，第一底部功率PbH设定到这样的低电平，在该低电平下在第一记录层31中作为基本成分包含的元素和在第二记录层32中作为基本成分包含的元素基本不混合。
底部功率PbH设定到比再现功率Pr更高的电平。如果以这种方式底部功率PbH的电平设定到比再现功率Pr更高的电平，则通过具有底部功率PbH的激光束L10可以增大通过具有记录功率PwH的激光束L10对记录层的加热并因此将记录功率PwH设定到低电平。
附图6所示为在高于第一线性记录速度VL并低于第三线性记录速度VH的第二线性记录速度VM下用于将数据记录到光学记录媒体10中的脉冲串模式的附图组，其中附图6(a)所示为用于记录2T信号至5T信号中的一个信号的脉冲串模式，以及附图6(b)所示为6T信号至8T信号中的一个信号的记录的脉冲串模式。
如附图6(a)，在低于第三线性记录速度VH的第二线性记录速度VM下将数据记录到光学记录媒体10中的情况下，在要记录2T信号至5T信号中的一个信号时选择单脉冲串模式作为调制激光束L10的功率的脉冲串模式，以及在要记录6T信号至8T信号中的一个信号时选择包括2至4个分脉冲的基本脉冲串模式。在这些情况下，在单脉冲的峰值下或每个分脉冲下调制激光束L10的功率以使其等于记录功率PwM，以及在该脉冲的其它部分上使其等于底部功率PbM。
如果以这种方式确定调制激光束L10的功率的脉冲串模式，则在要记录2T信号至5T信号中的一个信号时，由于为形成记录标记M而输送的总热量变大，因此可以将记录功率PwM设定到低电平。在另一方面，由于可以防止为形成记录标记M而输送的总热量过多，因此可以有效地防止使用6T信号至8T信号中的一个信号形成的较长的记录标记M变得更宽，并且防止了数据的串绕增加。
在具有记录功率PwM的激光束投射到光学记录媒体10上时，记录功率PwM设定到这样的高电平，在该高电平下在第一记录层31中作为基本成分包含的元素和在第二记录层32中作为基本成分包含的元素可以被加热并混合以形成记录标记M。在另一方面，即使在具有第一底部功率PbM的激光束投射到光学记录媒体10上时，第一底部功率PbM设定到这样的低电平，在该低电平下在第一记录层31中作为基本成分包含的元素和在第二记录层32中作为基本成分包含的元素基本不混合。
底部功率PbM设定到比再现功率Pr更高的电平。如果以这种方式底部功率PbM的电平设定到比再现功率Pr更高的电平，则通过具有底部功率PbM的激光束L10可以增大通过具有记录功率PwM的激光束L10对记录层的加热，并因此将记录功率PwM设定到低电平。
对于用于在第一线性记录速度VL下记录数据的脉冲串模式的底部功率PbL，可取的是用于在第三线性记录速度VH下记录数据的底部功率PbH和用于在第二线性记录速度VM下记录数据的脉冲串模式的底部功率PbM使PbL低于PbM以及PbM等于或低于PbH，对于它们，更为可取的是使3*PbL等于或低于PbM以及PbM等于或低于PbH，对于它们，最为可取的是使5*PbL等于或低于PbM以及PbM低于PbH。
此外，可取的是，确定脉冲串模式以使用于在第一线性记录速度VL下记录数据的脉冲串模式的底部功率PbL与记录功率PwL的比率(PbL/PwL)、用于在第三线性记录速度VH下记录数据的脉冲串模式的底部功率PbH与记录功率PwH的比率(PbH/PwH)以及用于在第二线性记录速度VM下记录数据的脉冲串模式的底部功率PbM与记录功率PwM的比率(PbM/PwM)以使(PbL/PwL)低于(PbM/PwM)并且(PbM/PwM)等于或低于(PbH/PwH)，对于这些比率更为可取的是3*(PbL/PwL)等于或低于(PbM/PwM)并且(PbM/PwM)等于或低于(PbH/PwH)，最为可取的是5*(PbL/PwL)等于或低于(PbM/PwM)并且(PbM/PwM)等于或低于(PbH/PwH)。
在以这种方式设定用于调制激光束的功率的脉冲串模式的记录功率和底部功率的情况下，在其中通过选择从多个线性记录速度中选择的所需的线性记录速度来记录数据的(多速度记录)系统中以不同的线性记录速度记录数据时，可以将记录功率设定到基本相同的电平。
因此，在本实施例中，由于可以将记录功率PwM设定到低电平，并且在以不同的线性记录速度记录数据的情况下将记录功率设定到基本相同的电平，因此可以利用具有较低输出的相对低廉的半导体激光。
根据本实施例，由于在以较高的第三线性记录速度VH记录数据的情况下单脉冲模式被选择作为调制激光束L10的功率的脉冲串模式，因此可以增加用于形成记录标记M而输送的总热量，因此可以通过设定到更低电平的记录功率PwH将数据记录到光学记录媒体10中。
此外，根据本实施例，在以较低的第一线性记录速度VL记录数据的情况下，由于基本脉冲串模式被选择作为调制激光束L10的功率的脉冲串模式，并且在要记录nT信号时该基本脉冲串模式包括(n-1)个分脉冲，这里在(1，7)RLL调制码中n是2至8的整数，可取的是有效地防止了为形成记录标记M而输送的总热量过度地增加，由此可以防止记录标记M的宽度加宽并且数据的串绕增加。
因此，根据本实施例，即使在以较高的线性记录速度将数据记录到光学记录媒体10中时，仍然可以利用具有较低的输出的相对低廉的半导体激光。
附图7所示为本发明的优选实施例的数据记录设备的方块图。
如附图7所示，数据记录设备100包括用于旋转光学记录媒体10的主轴马达52、将激光束投射到光学记录媒体10上并接收通过光学记录媒体10反射的光的记录头53、控制主轴马达52和记录头53的操作的控制器54、将激光驱动信号馈送给记录头53的激光驱动电路55和将透镜驱动信号馈送给记录头53的透镜驱动电路56。
如附图7所示，控制器54包括聚焦伺服跟踪电路57、跟踪伺服电路58和激光控制电路59。
在启动聚焦伺服跟踪电路57时，激光束L10聚焦到光学记录媒体10的第一记录层51，以及在启动跟踪伺服电路58时激光束L10的束点自动地跟随光学记录媒体10的轨道。
如附图7所示，聚焦伺服跟踪电路57和跟踪伺服电路58中每个具有自动地调节聚焦增益的自动增益控制功能和自动地调节跟踪增益的自动增益控制功能。此外，激光控制电路59适合于产生通过激光驱动电路55提供的激光驱动信号。
在本实施例中，用于识别上述的脉冲串模式的数据与用于识别各种记录条件(比如记录数据所需的线性记录速度)的数据一起以摆动或预制凹坑的形式记录在光学记录媒体10中作为设定记录条件的数据。
因此，激光控制电路59读取在光学记录媒体10中记录数据之前在光学记录媒体10中记录的设定记录条件的数据，基于由此读取的设定记录条件的数据选择所需的脉冲串模式以产生激光驱动信号，以及使激光驱动电路55将它输出给记录头53。
因此，根据所需的记录策略将数据记录到光学记录媒体10中。
根据本实施例，与用于识别各种记录条件(比如记录数据所需的线性记录速度)的数据一起将用于识别脉冲串模式的数据记录在光学记录媒体10中作为设定记录条件的数据，并且在将数据记录到光学记录媒体10之前，激光控制电路59读取在光学记录媒体10中记录的设定记录条件的数据，基于由此所读取的设定记录条件的数据选择所需的脉冲串模式以产生激光驱动信号并控制记录头53以将激光束投射到光学记录媒体10上。因此，可以以所需的记录策略记录数据。
工作实例和比较实例下文阐述工作实例和比较实例以进一步清楚说明本发明的优点。
工作实例1以如下的方式制造具有如附图1所示的光学记录媒体1的构造相同的构造的光学记录媒体。
具有1.1毫米厚和120毫米的直径的聚碳酸脂衬底首先置于溅射设备上。然后，使用溅射过程将包含Ag、Pd和Cu的混合物并具有100纳米厚的反射层、包含ZnS和SiO2的混合物并具有30纳米的厚度的第二电介质层、包含Cu作为基本成分并具有5纳米的厚度的第二记录层、包含Si作为基本成分并具有5纳米的厚度的第一记录层、和包含ZnS和SiO2的混合物并具有25纳米的厚度的第一电介质层顺序地形成在聚碳酸脂衬底上。
在第一电介质层和第二电介质层中包含的ZnS和SiO2的混合物中ZnS与SiO2的摩尔比是80∶20。
此外，使用旋涂法应用丙烯酸紫外线可固化树脂涂敷第一电介质层以形成涂层，并以紫外线辐射该涂层，由此固化丙烯酸紫外线可固化树脂以形成具有100微米厚的光透射层。
由此制造的光学记录媒体置于光学记录媒体评价设备“DDU1000”(产品名称)(由Pustec Industrial Co.，Ltd制造)。然后使用具有405纳米的蓝激光束作为记录数据的激光束并通过光透射层使用其数字孔径为0.85的物镜将该激光束聚集在光学记录媒体上并将数据记录到其中。
作为记录信号，使用包括2T信号至8T信号(没有特别的顺序)的随机信号并与记录信号无关地使用包括(n-1)个分脉冲的第一脉冲串模式调制激光束的功率。
通过将第一脉冲串模式的底部功率Pb固定到0.5mW并在第一线性记录速度VL、第二线性记录速度VM和第三线性记录速度VH之间改变记录功率Pw记录数据。
第一线性记录速度VL被设定到5.3m/sec(通道时钟66MHz)，第二线性记录速度VM被设定到10.6m/sec(通道时钟132MHz)，以及第三线性记录速度VH被设定到21.2m/sec(通道时钟263MHz)。
在第一线性记录速度VL下，在格式效率是80％时，数据传输率大约35Mbps，最短空白区间隔与线性记录速度的比(最短空白区间隔/线性记录速度)是30.4纳秒。此外，在第二线性记录速度VM下，在格式效率是80％时，数据传输率大约70Mbps，最短空白区间隔与线性记录速度的比(最短空白区间隔/线性记录速度)是15.2纳秒。此外，在第三线性记录速度VH下，在格式效率是80％时，数据传输率大约140Mbps，最短空白区间隔与线性记录速度的比(最短空白区间隔/线性记录速度)是7.6纳秒。
然后，使用上述的光学记录媒体评价设备再现在光学记录媒体中记录的数据，测量在其再现的信号的时钟抖动最小的激光束的记录功率Pw并将其确定为光学记录功率。在再现数据时，使用具有405纳米的波长的激光束和具有0.85的数值孔径NA的物镜。使用时间间隔分析器测量再现的信号的波动б并按б/Tw计算时钟抖动，这里Tw是一个时钟周期。
测量的结果在表1中示出。
工作实例2除了使用被指定的第二脉冲串模式调制激光束的功率以使在记录2T信号至5T信号中的一个时选择单脉冲模式并在记录6T信号至8T信号中的一个时选择包括两至四个分脉冲的基本脉冲串模式之外，以与工作实例1的方式将数据记录在光学记录媒体中。然后，再现记录在光学记录媒体中的数据并测量在其再现的信号的时钟抖动最小的记录功率Pw并确定为光学记录功率。
测量的结果在表1中示出。
工作实例3除了使用被指定的第三脉冲串模式调制激光束的功率以使与记录信号无关地选择单脉冲模式之外，以与工作实例1的方式将数据记录在光学记录媒体中。然后，再现记录在光学记录媒体中的数据并测量在其再现的信号的时钟抖动最小的记录功率Pw并确定为光学记录功率。
测量的结果在表1中示出。
表1
如表1所示，发现在底部功率Pb固定0.5mW的情况下，最佳记录功率随着线性记录速度增加而变高。
此外，发现在每个线性记录速度下光学记录功率以第一脉冲串模式、第二脉冲串模式和第三脉冲串模式的顺序降低。
然而，由于激光束功率调制的速率限制在用于实验的光学记录媒体评价设备中，因此通过根据第三脉冲串模式调制激光束的功率在第三线性记录速度VH下不能将数据记录在光学记录媒体中。
工作实例4除了在以第一线性记录速度VL将数据记录在光学记录媒体中时将第一脉冲串模式的底部功率Pb固定到1.5mW、在以第二线性记录速度VM将数据记录在光学记录媒体中时将第一脉冲串模式的底部功率Pb固定到2.0mW以及在以第三线性记录速度VH将数据记录在光学记录媒体中时将第一脉冲串模式的底部功率Pb固定到2.5mW之外，以与工作实例1的方式将数据记录在光学记录媒体中。然后，再现记录在光学记录媒体中的数据并测量在其再现的信号的时钟抖动最小的记录功率Pw并确定为光学记录功率。
测量的结果在表2中示出。
在表2中，在括号中的每个值表示在本工作实例中获得的光学记录功率和在工作实例1中获得的光学记录功率之间的差值。
工作实例5除了在以第一线性记录速度VL将数据记录在光学记录媒体中时将第二脉冲串模式的底部功率Pb固定到1.5mW、在以第二线性记录速度VM将数据记录在光学记录媒体中时将第二脉冲串模式的底部功率Pb固定到2.0mW以及在以第三线性记录速度VH将数据记录在光学记录媒体中时将第二脉冲串模式的底部功率Pb固定到2.5mW之外，以与工作实例1的方式将数据记录在光学记录媒体中。然后，再现记录在光学记录媒体中的数据并测量在其再现的信号的时钟抖动最小的记录功率Pw并确定为光学记录功率。
测量的结果在表2中示出。
在表2中，在括号中的每个值表示在本工作实例中获得的光学记录功率和在工作实例2中获得的光学记录功率之间的差值。
工作实例6除了在以第一线性记录速度VL将数据记录在光学记录媒体中时将第三脉冲串模式的底部功率Pb固定到1.5mW、在以第二线性记录速度VM将数据记录在光学记录媒体中时将第三脉冲串模式的底部功率Pb固定到2.0mW以及在以第三线性记录速度VH将数据记录在光学记录媒体中时将第三脉冲串模式的底部功率Pb固定到2.5mW之外，以与工作实例1的方式将数据记录在光学记录媒体中。然后，再现记录在光学记录媒体中的数据并测量在其再现的信号的时钟抖动最小的记录功率Pw并确定为光学记录功率。
测量的结果在表2中示出。
在表2中，在括号中的每个值表示在本工作实例中获得的光学记录功率和在工作实例3中获得的光学记录功率之间的差值。
表2
如表2所示，发现在第一线性记录速度VL下将数据记录在光学记录媒体中时每个脉冲串模式的底部功率Pb固定到1.5mW、在第二线性记录速度VM下将数据记录在光学记录媒体中时每个脉冲串模式的底部功率Pb固定到2.0mW以及在第三线性记录速度VH下将数据记录在光学记录媒体中时每个脉冲串模式的底部功率Pb固定到2.5mW的情况下，与将每个脉冲串模式的底部功率Pb设定到0.5mW的情况相比最佳记录功率Pw降低了。
此外，发现最佳记录功率Pw的降低随着线性记录速度的增加而变大。认为这种发现的原因如下是合理的。具体地说，由于从相邻的记录标记传递的热量的影响随着线性记录速度的增加而变大，通过设定每个脉冲串模式的底部功率Pb到高电平引起的最佳记录功率Pw的降低随着线性记录速度增加而变大。
工作实例7记录功率Pw被设定到在工作实例4中获得的最佳记录功率并以工作实例4的方式将包括2T信号至8T信号(没有特别的顺序)的随机信号记录在光学记录媒体的一个轨道上。然后，再现由此记录的信号并测量所再现的信号的时钟抖动。在下文中，由此测量的时钟抖动被称为“单抖动”。
此外，在相同的记录条件下将包括2T信号至8T信号(没有特别的顺序)的随机信号记录在彼此相邻的三个轨道上。然后，再现在中央轨道上记录的信号并测量所再现的信号的时钟抖动。在下文中，由此测量的时钟抖动被称为“交叉抖动”。
此外，确定每个线性记录速度的单抖动和交叉抖动之间的差值。
确定结果在表3中示出。
工作实例8记录功率Pw被设定到在工作实例5中获得的最佳记录功率并以工作实例5的方式将包括2T信号至8T信号(没有特别的顺序)的随机信号记录在光学记录媒体的一个轨道上。然后，再现由此记录的信号并测量所再现的信号的单抖动。
此外，在相同的记录条件下将包括2T信号至8T信号(没有特别的顺序)的随机信号记录在彼此相邻的三个轨道上。然后，再现在中央轨道上记录的信号并测量所再现的信号的交叉抖动。
此外，确定每个线性记录速度的单抖动和交叉抖动之间的差值。
确定结果在表3中示出。
工作实例9记录功率Pw被设定到在工作实例6中获得的最佳记录功率并以工作实例6的方式将包括2T信号至8T信号(没有特别的顺序)的随机信号记录在光学记录媒体的一个轨道上。然后，再现由此记录的信号并测量所再现的信号的单抖动。
此外，在相同的记录条件下将包括2T信号至8T信号(没有特别的顺序)的随机信号记录在彼此相邻的三个轨道上。然后，再现在中央轨道上记录的信号并测量所再现的信号的交叉抖动。
此外，确定每个线性记录速度的单抖动和交叉抖动之间的差值。
确定结果在表3中示出。
表3
如表3所示，发现在第一线性记录速度VL和第二线性记录速度VM中的每种速度下将数据记录到光学记录媒体的情况下，在单抖动和交叉抖动之间的差值变大并且数据的串绕以第一脉冲串模式、第二脉冲串模式和第三脉冲串模式的顺序增加。认为出现这种结果的合理的原因是记录标记的宽度以第一脉冲串模式、第二脉冲串模式和第三脉冲串模式的顺序变大是。
此外，发现在以第一线性记录速度VL记录数据的情况下在单抖动和交叉抖动之间的差值以第一脉冲串模式、第二脉冲串模式和第三脉冲串模式的顺序的增加比在第二线性记录速度VM下记录数据的情况下的增加得更大。
在另一方面，发现在以第三线性记录速度VH记录数据的情况下，在利用第二脉冲串模式获得的单抖动和交叉抖动和在利用第三脉冲串模式时获得的单抖动和交叉抖动之间的差别不显著。
从工作实例1至工作实例9，发现，因为在以第一线性记录速度VL将数据记录在光学记录媒体的情况下，在使用第二脉冲串模式或第三脉冲串模式调制激光束的功率时数据的串绕增加，因此在以第一线性记录速度VL将数据记录在光学记录媒体的情况下使用第一脉冲串模式调制激光束的功率比较可取。合理地推定这种发现的原因如下。具体地说，在以第一线性记录速度VL下将数据记录到光学记录媒体的情况下，由于线性记录速度较低，因此基本不要求增加记录功率Pw的电平。结果，如果记录功率Pw的电平增加，则数据的串绕增加。
此外，从工作实例1至工作实例9，发现虽然在以第二线性记录速度VM将数据记录到光学记录媒体的情况下数据的串绕以第一脉冲串模、第二脉冲串模式和第三脉冲串模式的顺序增加，但是更为重要的是，在以第二线性记录速度VM将数据记录到光学记录媒体的情况下降低了记录功率Pw的电平，因此可取的是使用第二脉冲串模式调制激光束的功率。
此外，从工作实例1至工作实例9，发现在以第三线性记录速度VH将数据记录到光学记录媒体的情况下，由于在使用第三脉冲串模式调制激光束的功率时可以将记录功率Pw的电平设定到最低电平，并且在使用第三脉冲串模式调制激光束的功率时和通过第二脉冲串模式调制它时之间数据的串绕电平没有显著的差别，因此可取的是，在以第三线性记录速度VH将数据记录到光学记录媒体的情况下使用第三脉冲串模式调制激光束的功率。
已经参考具体实施例和工作实例示出并描述了本发明。然而，应该注意的是本发明并不限于所描述的结构的细节，在不脱离附加的权利要求的范围的前提下可以进行修改和改进。
例如，在上述的实施例和工作实例中，虽然第一记录层31和第二记录层32彼此接触地形成，但是并不绝对需要彼此接触地形成第一记录层31和第二记录层32，而是只要第二记录层32位于第一记录层31的附近以使在以激光束辐射该区域时包括第一记录层31的基本成分元素和第二记录层32的基本成分元素的混合区域能够形成就足够。此外，一个或多个其它的层比如电介质层也可以插入在第一记录层31和第二记录层32之间。
此外，在上述的实施例中，虽然第一记录层31包含从由Si、Ge、Sn、Mg、In、Zn、Bi和Al组成的组中选择的元素作为基本成分和第二记录层32包含Cu作为基本成分，但是第一记录层31包含从由Si、Ge、Sn、Mg、In、Zn、Bi和Al组成的组中选择的元素作为基本成分和第二记录层32包含Cu作为基本成分并不是绝对必要的，第一记录层31可以包含从由Si、Ge、C、Zn和Cu组成的组中选择的元素作为基本成分和第二记录层32可以包含Al作为基本成分。此外，第一记录层31可以包含从由Si、Ge、C和Al组成的组中选择的元素作为基本成分和第二记录层32可以包含Zn作为基本成分。此外，第一记录层31和第二记录层32包含彼此不同的元素并包含从由Al、Si、Ge、C、Sn、Au、Zn、Cu、B、Mg、Ti、Mn、Fe、Ga、Zr、Ag和Pt组成的组中选择的元素作为基本成分就足够。
此外，在上述的实施例和工作实例中，虽然光学记录媒体10包括第一记录层31和第二记录层32，但是，除了第一记录层31和第二记录层32之外，光学记录媒体还可以包括包含从由Si、Ge、Sn、Mg、In、Zn、Bi和Al组成的组中选择的元素作为基本成分的一个或多个记录层和包含Al作为基本成分的一个或多个记录层。
此外，虽然在上述的实施例和工作实例中第一记录层31设置在光透射层16的一侧和第二记录层32设置在衬底11的一侧上，但是也可以将第一记录层31设置在衬底11的一侧和将第二记录层32设置在光透射层16的一侧上。
此外，在上述的实施例和工作实例中，光学记录媒体10包括第一电介质层15和第二电介质层13并且第一记录层31和第二记录层32设置在第一电介质层15和第二电介质层13之间。然而，光学记录媒体10包括第一电介质层15和第二电介质层13不是绝对必要的，即光学记录媒体10可以不包括电介质层。此外，光学记录媒体10可以包括单电介质层并且在这种情况下相对于第一记录层31和第二记录层32可以将电介质层设置在衬底11的一侧上或者在光透射层16的一侧上。
此外，在工作实例中，虽然在上述的实施例和工作实例中第一记录层31和第二记录层32被形成为具有相同的厚度，但是形成第一记录层31和第二记录层32具有相同的厚度不是绝对必要的。
此外，在上述的实施例和工作实例中，虽然光学记录媒体10具有反射层12，但是如果在通过混合在第一记录层中作为基本成分包含的元素和在第二记录层中作为基本成分包含的Zn形成的记录标记M中的反射光的电平和在其上没有投射激光束的区域中的反射光的电平彼此相差极大，则可以省去反射层。
此外，在附图6所示的实施例中，虽然设定记录条件的数据以摆动或预制凹坑的形式记录在光学记录媒体10中，但是设定记录条件的数据也可以记录在第一记录层31或第二记录层32中。
此外，在附图6所示的实施例中，虽然将聚焦伺服跟踪电路57、跟踪伺服电路58和激光控制电路59并入在控制器54中，但是将聚焦伺服跟踪电路57、跟踪伺服电路58和激光控制电路59并入在控制器54中不是绝对必要的，聚焦伺服跟踪电路57、跟踪伺服电路58和激光控制电路59也可以与控制器54分开提供。此外，可替换地，可以将用于实现聚焦伺服跟踪电路57、跟踪伺服电路58和激光控制电路59的软件安装在控制器54中。
此外，在上述的实施例和工作实例中，虽然解释了将数据记录在下一代形光学记录媒体10中并且要求运用具有较高的输出的半导体激光器的情况，但是本发明的应用并不限于将数据记录在下一代型光学记录媒体中的情况，而是还可以将本发明广泛地应用到将数据记录到除了下一代型光学记录媒体之外的写一次型光学记录媒体中的情况。
此外，在上述的实施例中，基于线性记录速度选择脉冲串模式，因为随着线性记录速度降低，记录标记M的宽度易于变得更宽并且数据的串绕变得更大。然而，由于在轨道间距变得更窄并且激光束的束点直径变得更大时由记录标记M的变宽引起的数据串绕增加，因此可以考虑以轨道间距TP与激光束的束点直径D的比(TP/D)来替代线性记录速度或与线性记录速度一起来选择脉冲串模式。在这种情况下，在考虑轨道间距TP与激光束的束点直径D的比(TP/D)相对较小时可以选择如附图4所示的基本脉冲串模式，在考虑轨道间距TP与激光束的束点直径D的比(TP/D)相对较大时可以选择如附图5所示的单脉冲模式，以及在考虑轨道间距TP与激光束的束点直径D的比(TP/D)既不小也不大时可以使用基本脉冲串模式和单脉冲模式的组合。在组合使用基本脉冲串模式和单脉冲模式的情况下，可以确定脉冲串模式以使其电平被设定到对应于记录功率Pw的电平的脉冲数量随着轨道间距TP与激光束的束点直径D的比(TP/D)变小而变大，并确定脉冲串模式，以使其电平被设定到对应于记录功率Pw的电平的脉冲数量随着轨道间距TP与激光束的束点直径D的比(TP/D)变大而变小。
根据本发明，可以提供一种将数据记录到光学记录媒体中的方法，该方法可以使用具有较低的记录功率的激光束以较高的线性记录速度将数据记录到写一次型光学记录媒体中。
此外，根据本发明，可以提供一种将数据记录到光学记录媒体中的方法，该方法可以使用具有较低的低廉的半导体激光以较高的线性记录速度将数据记录到写一次型光学记录媒体中。
此外，根据本发明，可以提供一种将数据记录到光学记录媒体中的方法，该方法可以使用具有较低的记录功率的激光束以较高的线性记录速度将数据记录到包括两个或更多个记录层的写一次型光学记录媒体中。
此外，根据本发明，可以提供一种将数据记录到光学记录媒体中的设备，该设备可以使用具有较低的记录功率的激光束以较高的线性记录速度将数据记录到写一次型光学记录媒体中。
此外，根据本发明，可以提供一种将数据记录到光学记录媒体中的设备，该设备可以使用具有较低的低廉的半导体激光以较高的线性记录速度将数据记录到写一次型光学记录媒体中。
此外，根据本发明，可以提供一种将数据记录到光学记录媒体中的设备，该设备可以使用具有较低的记录功率的激光束以较高的线性记录速度将数据记录到包括两个或更多个记录层的写一次型光学记录媒体中。
此外，根据本发明，可以提供一种使用具有较低的记录功率的激光束以较高的线性记录速度将数据记录到其中的光学记录媒体。
此外，根据本发明，可以提供一种使用具有较低的低廉的半导体激光以较高的线性记录速度将数据记录到其中的光学记录媒体。
此外，根据本发明，可以提供一种使用具有较低的记录功率的激光束以较高的线性记录速度将数据记录到其中的包括两个或更多个记录层的光学记录媒体。
权利要求
1.一种将数据记录在光学记录媒体中的方法，其中，通过将激光束投射到在衬底上设置的至少一个记录层并在所述至少一个记录层的预定区域中形成记录标记，将数据记录在包括所述至少一个记录层的写一次型光学记录媒体中，该激光束的功率根据脉冲串模式调制，该脉冲串模式至少包括其电平被设定为对应于记录功率和底部功率的电平的脉冲，这种将数据记录在光学记录媒体中的方法包括如下的步骤在线性记录速度变得更高时，利用具有其电平被设定为对应于记录功率的电平的更少数量的脉冲的脉冲串模式，以及调制激光束的功率，由此在至少一个记录层的预定区域中形成记录标记。
2.根据权利要求1所述的将数据记录到光学记录媒体中的方法，其中在以等于或高于第一线性记录速度VH的线性记录速度记录数据的情况下将脉冲数量设定为1。
3.根据权利要求1或2所述的将数据记录到光学记录媒体中的方法，其中在以低于第一线性记录速度VH但高于第二线性记录速度VL的线性记录速度VM记录数据的情况下，至少在要形成最短的记录标记时将脉冲数量设定为1，并且随着要形成的记录标记的长度变得越长将脉冲数量设定得越大。
4.根据权利要求1或2所述的将数据记录到光学记录媒体中的方法，其中在以低于第一线性记录速度VH但高于第二线性记录速度VL的线性记录速度记录数据的情况下，至少在要形成最短的记录标记时将脉冲数量设定为1，并且随着线性记录速度VM变得越低将脉冲数量设定得越大。
5.根据权利要求1至4中任一权利要求所述的将数据记录到光学记录媒体中的方法，其中在通过以线性记录速度形成具有相应的长度的记录标记记录数据的情况下，脉冲数量被设置成使得在它本身和表示记录标记的长度的数量之间的差值恒定。
6.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的将数据记录到光学记录媒体中的方法，其中第一线性记录速度被确定为等于或高于10m/sec。
7.根据权利要求1至6中任一权利要求所述的将数据记录到光学记录媒体中的方法，其中随着线性记录速度变得越高，底部功率的电平被设定得越高。
8.根据权利要求1至7中任一权利要求所述的将数据记录到光学记录媒体中的方法，其中随着线性记录速度变得越高，底部功率与记录功率的比率被设定得越高。
9.根据权利要求1至8中任一权利要求所述的将数据记录到光学记录媒体中的方法，其中通过将具有等于或短于450纳米的波长的激光束投射到光学记录媒体上，将数据记录到其中。
10.根据权利要求1至8中任一权利要求所述的将数据记录到光学记录媒体中的方法，其中通过利用其数值孔径NA和波长λ满足λ/NA≤640纳米的物镜和激光束并经由该物镜将激光束投射到光学记录媒体上，将数据记录到该光学记录媒体中。
11.根据权利要求1至10中任一权利要求所述的将数据记录到光学记录媒体中的方法，其中光学记录媒体进一步包括光透射层和形成在衬底和光透射层之间的第一记录层和第二记录层，并且被构造成使至少两个记录标记通过如下过程形成将激光束投射到其上，由此混合包含在第一记录层中作为基本成分的元素和包含在第二记录层中作为基本成分的元素。
12.一种将数据记录在光学记录媒体中的方法，其中，通过将激光束投射到在衬底上设置的至少一个记录层并在所述至少一个记录层的预定区域中形成记录标记，将数据记录在包括所述至少一个记录层的写一次型光学记录媒体中，该激光束的功率根据脉冲串模式调制，该脉冲串模式至少包括其电平被设定为对应于记录功率和底部功率的电平的脉冲，这种将数据记录在光学记录媒体中的方法包括如下的步骤在光学记录媒体的轨道间距TP与激光的束点的直径的比率变得更小时，利用具有其电平被设定为对应于记录功率的电平的更少数量的脉冲的脉冲串模式，以及调制激光束的功率，由此在至少一个记录层的预定区域中形成记录标记。
13.一种将数据记录在光学记录媒体中的设备，其中，通过将激光束投射到在衬底上设置的至少一个记录层并在所述至少一个记录层的预定区域中形成记录标记，将数据记录在包括所述至少一个记录层的写一次型光学记录媒体中，该激光束的功率根据脉冲串模式调制，该脉冲串模式至少包括其电平被设定为对应于记录功率和底部功率的电平的脉冲，这种将数据记录在光学记录媒体中的设备被构造成在线性记录速度变得更高时利用具有其电平被设定为对应于记录功率的电平的更少数量的脉冲的脉冲串模式，以及调制激光束的功率由此在至少一个记录层的预定区域中形成记录标记。
14.根据权利要求13所述的将数据记录到光学记录媒体中的设备，其中在以等于或高于第一线性记录速度VH的线性记录速度记录数据的情况下将脉冲数量设定为1。
15.根据权利要求13或14所述的将数据记录到光学记录媒体中的设备，其中在以低于第一线性记录速度VH但高于第二线性记录速度VL的线性记录速度VM记录数据的情况下，至少在要形成最短的记录标记时将脉冲数量设定为1，并且随着要形成的记录标记的长度变得越长将脉冲数量设定得越大。
16.根据权利要求13或14所述的将数据记录到光学记录媒体中的设备，其中在以低于第一线性记录速度VH但高于第二线性记录速度VL的线性记录速度记录数据的情况下，至少在要形成最短的记录标记时将脉冲数量设定为1，并且随着线性记录速度VM变得越低将脉冲数量设定得越大。
17.根据权利要求13至16所述的将数据记录到光学记录媒体中的设备，其中在通过以线性记录速度形成具有相应的长度的记录标记记录数据的情况下，脉冲数量被设置成使得在它本身和表示记录标记的长度的数量之间的差值恒定。
18.根据权利要求13至17中任一权利要求所述的将数据记录到光学记录媒体中的设备，其中第一线性记录速度被确定为等于或高于10m/sec。
19.一种包括衬底和设置在衬底上的至少一个记录层的写一次型光学记录媒体，该写一次型光学记录媒体被构造成通过将激光束投射到所述至少一个记录层并在所述至少一个记录层的预定区域中形成记录标记来记录数据，其中该激光束的功率根据脉冲串模式调制，该脉冲串模式至少包括其电平被设定为对应于记录功率和底部功率的电平的脉冲，这种光学记录媒体记录有实施如下过程所需的设定记录条件的数据在线性记录速度变得更高时利用具有其电平被设定为对应于记录功率的电平的更少数量的脉冲的脉冲串模式，以及由此调制激光束的功率。
20.根据权利要求19所述的写一次型光学记录媒体，其中进一步包括光透射层和形成在衬底和光透射层之间的第一记录层和第二记录层，并且被构造成使至少两个记录标记通过如下过程形成将激光束投射到其上，由此混合包含在第一记录层中作为基本成分的元素和包含在第二记录层中作为基本成分的元素。
21.根据权利要求20所述的写一次型光学记录媒体，其中第二记录层被形成为与第一记录层接触。
22.根据权利要求20或21所述的写一次型光学记录媒体，其中形成光透射层以使其具有10纳米至300纳米的厚度。
全文摘要
本发明的一个目的是提供一种将数据记录到光学记录媒体的方法及设备和光学纪录媒体，该方法可以使用具有较低的记录功率的激光束以较高的线性记录速度将数据记录到写一次型光学记录媒体中。根据本发明将数据记录到光学记录媒体的方法被构造成，在通过将激光束投射到光学记录媒体并在第一记录层和第二记录层的预定区域上形成记录标记将数据记录到包括衬底、第一记录层和第二记录层的光学记录媒体中时，该激光束的功率根据包括其电平被设定到对应于记录功率Pw和底部功率Pb的电平的脉冲的脉冲串模式调制，随着线性记录速度增加，使用包括其电平被设定到对应于记录功率Pw的电平的更少数量的脉冲的脉冲串模式调制激光束的功率，由此形成记录标记。
文档编号G11B7/125GK1666261SQ03815549
公开日2005年9月7日 申请日期2003年6月2日 优先权日2002年5月31日
发明者加藤达也, 平田秀树 申请人:Tdk株式会社