专利名称：用于垂直记录的具有倾斜翼的有切口的屏蔽件和磁极结构的制作方法
技术领域：
本发明涉及下列公共受让的专利申请用于减小拐角杂散磁场的翼状设计(Winged Design For Reducing Corner Stray Magnetic Fields)，2004年10月29日提交，申请号为10/977315；在垂直写头中用于减小杂散场的翼状磁极和屏蔽结构(Winged Pole and Shield Structure for Reduced Stray Field in aPerpendicular Write Head)，2004年10月29日提交，申请号为10/971478；用于磁头中杂散场减小的双重切口屏蔽件和磁极结构(Double NotchedShield and Pole Structure For Stray Field Reduction in a Magnetic Head)，2005年10月29日提交，申请号为10/977446。
计算机长期存储的核心是被称作磁盘驱动器的组件。磁盘驱动器包括旋转磁盘，被悬臂悬挂在旋转磁盘表面附近的写和读头、以及转动悬臂从而将读和写头置于旋转磁盘上选定圆形磁道上的致动器(actuator)。读和写头直接位于具有气垫面(ABS)的滑块上。悬臂使滑块偏向磁盘表面，当磁盘旋转时，磁盘附近的空气和磁盘表面一起移动。滑块在磁盘表面上该移动气垫上飞行。当滑块骑在气垫上时，写和读头被用于将磁转变(magnetictransition)写入旋转磁盘并从旋转磁盘读取磁转变。读和写头连接根据计算机程序运行的处理电路从而实现写和读功能。
写头通常包括埋入在第一、第二和第三绝缘层(绝缘堆叠)中的线圈层，该绝缘堆叠被夹在第一和第二极片层之间。在写头的气垫面(ABS)间隙通过间隙层形成在第一和第二极片层之间，该极片层在背间隙处连接。传导到线圈层的电流在极片中感应磁通，其导致磁场在ABS写间隙处弥散出来，用于在移动介质上磁道中写上述磁转变，例如在上述旋转磁盘上圆形磁道中。
在近来的读头设计中，自旋阀传感器，也称为巨磁致电阻(GMR)传感器，已经被用于检测来自旋转磁盘的磁场。该传感器包括下文中称为间隔层的非磁性导电层，其被夹在下文中称为被钉扎层和自由层的第一和第二铁磁层之间。第一和第二导线连接到自旋阀传感器，以传导通过那里的检测电流。该被钉扎层的磁化被钉扎在垂直于气垫面(ABS)，该自由层的磁矩位于平行于ABS，但可以响应于外磁场自由旋转。该被钉扎层的磁化通常被与反铁磁层的交换耦合所钉扎。
间隔层厚度被选择为小于通过该传感器的传导电子的平均自由程。采用此设置，一部分传导电子被间隔层与被钉扎层和自由层每个的界面所散射。当被钉扎层和自由层的磁化彼此平行时，散射最小，当被钉扎层和自由层的磁化反平行时，散射最大。散射的变化与cosθ成比例地改变自旋阀传感器的电阻，其中θ是被钉扎层与自由层的磁化之间的角度。在读模式中，自旋阀传感器的电阻相对于来自旋转磁盘的磁场的大小成比例地改变。当检测电流传导通过该自旋阀传感器时，电阻变化导致电压变化，其作为重放信号(playback signal)被检测并处理。
当自旋阀传感器采用单个被钉扎层时其被称为简单自旋阀。当自旋阀采用反平行(AP)被钉扎层时其被称为AP被钉扎自旋阀。AP自旋阀包括被薄非磁性耦合层如钌间隔开的第一和第二磁层。选择该间隔层的厚度从而反平行耦合被钉扎层的铁磁层的磁化。自旋阀根据钉扎层是在顶部(形成在自由层之后)还是在底部(在自由层之前)也称为顶型自旋阀或底型自旋阀。
自旋阀传感器位于第一和第二非磁性电绝缘读间隙层之间，该第一和第二读间隙层位于铁磁性第一和第二屏蔽层之间。在合并式磁头(merged head)中单个铁磁层作用为读头的第二屏蔽层并且作用为写头的第一极片层。在背负式(piggyback)磁头中该第二屏蔽层和该第一极片层是分开的层。
被钉扎层的磁化通常通过交换耦合铁磁层之一(AP1)与反铁磁材料例如PtMn层来被固定。虽然反铁磁材料例如PtMn本质上自然地没有磁化，但是当与磁性材料交换耦合时，它可以强烈地钉扎该铁磁层的磁化。
为了满足日益增长的提高数据速度和数据容量的需求，研究人员近来已经集中努力于垂直记录系统的开发。传统的纵向记录系统，例如结合了上述写头的记录系统，将数据存储为磁盘表面的平面中沿磁道纵向取向的磁位。该纵向数据位通过形成在由写间隙分隔开的一对磁极之间的弥散场(fringingfield)被记录。
相反，垂直记录系统记录数据为取向垂直于磁盘平面的磁化。磁盘具有被薄的硬磁性顶层覆盖的软磁衬层。垂直写头包括具有非常小的横截面的写极和具有大地多的横截面的返回极。强的、高度集中的磁场从写极以垂直于磁盘表面的方向发出，磁化硬磁性顶层。产生的磁通然后穿过软磁衬层行进，返回到返回极，在那里它充分地展开并且是弱的，从而在其回到返回极的路上当其穿过硬磁顶层返回时它不会擦除写极记录的信号。
垂直存储系统促进比纵向系统更大的存储密度。虽然下面的具体实施方式
中给出了垂直记录系统的更详细的说明，其中可实现本发明，但是这里参考图1给出这样的垂直记录系统面临的挑战的更集中的讨论，图1中示出磁结构102和它与磁介质112的关系，该磁结构102可以是例如磁屏蔽件、磁极或一些其它的磁结构。
垂直记录系统的磁介质112产生纵向记录系统一般不会遇到的关于数据擦除的问题。磁介质112包括薄的硬磁顶层114和低矫顽力的衬层110。因为低矫顽力和相对大的尺寸，所以该软磁衬层极易受到磁场的影响。
仍参考图1，当施加纵向外场104时，软磁衬层110加强了磁荷在暴露在磁头气垫面(ABS)的记录头的磁结构102的拐角中的聚集，如线条106所示。这会导致集中在该磁结构的拐角的不需要的杂散场108，其潜在地会从记录介质158擦除存储的数据。应该指出的是，虽然磁通106被描述为是由纵向场导致的，但是存在垂直场或者它们之间倾斜某些其它角度的场时将会出现相似的结果。
虽然磁结构例如磁屏蔽件和磁极表现出上述问题，但是这样的磁结构是磁记录头的必要部件，不能简单地被除去。因此，迫切需要能够允许磁结构为其预期目的(例如磁屏蔽)的有效性能同时避免这样的不需要的杂散场写入的磁结构设计。对上述问题的这样的解决办法优选地将不涉及到显著的工艺复杂度的增加，并且将允许目前可得到的所需磁材料的使用。
发明内容
本发明提供一种用于磁头中的磁结构，其被构造来防止在附近的磁介质中的杂散场写入。该磁结构具有朝向该磁头的气垫面(ABS)延伸的前凸部分。第一和第二翼形部分延伸至该前凸部分的左边和右边。该翼部中的每个在该气垫面(ABS)附近具有凹进去的前沿，该前沿这样设计从而该翼部的该前沿的凹进量随着距该前凸部分的距离的增大而增大。
该翼部的楔形(taper)有利地转移该磁通集中的焦点(即，该翼部的外部向前的拐角)远离该ABS。这确保从该翼的拐角发射的任何磁场将会充分远离该磁介质从而意外的杂散场写入将不会发生。
该翼部的该楔形也有利地导致该翼部的该外部前拐角形成钝角，其减小在这些拐角的磁通集中并且进一步防止杂散场写入。
该磁屏蔽件的该前沿的该楔形具有定义为距该气垫面的距离的变化除以距该结构的中心的该前凸部分的横向距离的相应变化的斜率。该倾斜优选是约1到15度。该向前延伸部分优选位于沿着横轴测量时该磁结构的中心，但是不必位于位于正好在该结构的中心。
该横向延伸翼部的该前沿(靠近ABS的沿)优选在其最内端从该ABS凹进去至少0.2μm到3.0μm。该翼部的最外端优选从ABS凹进去0.5μm到8μm。
本发明有助于减小在暴露于磁头的有效表面(active surface)的拐角的磁通(进而磁场)的集中。软磁衬层和磁头结构的总体几何构型和磁属性是决定出现在这些拐角处以及响应于写电流和/或外场而感应的绝对场的其它因素。对写电流和沿各种方向的外场分量的相对灵敏度可以通过改变磁头结构的几何构型来调节。例如，更宽的翼倾向于减小(改进)对于“越过磁道(cross-track)”的外场的灵敏度，但是增加(恶化)对于“垂直”的外场的灵敏度。通过调整该磁头结构的几何构型而产生这样的折衷的能力在最大化该记录系统反抗外场的总体强度方面也是非常重要的。
结合附图阅读下面的优选实施例的详细说明，本发明的这些和其它特征和优点将更加明显，全部附图中相同的附图标记表示相同的元件。
为了更全面地理解本发明的本质和优点，以及优选的使用模式，请结合附图阅读下面的详细说明，该附图不符合比例。
图1是磁结构的视图，示出环境磁场对该磁结构和附近磁介质的影响；
图2是磁盘驱动系统的示意图，其中可包含本发明；图3是由图2的线3-3取得的滑块的ABS视图，示出了在其上的磁头的位置；图4是由图3的线4-4取得并旋转180度的根据本发明的实施例的磁头的ABS视图；图5A是由图4的线5A-5A取得的放大显示的根据本发明的可行实施例的磁结构的视图；图5B是由图5A的圆5B取得的放大显示的示出图5A的磁结构的翼的楔形前沿的斜面的视图；图6是类似于图5的视图的根据本发明的可选实施例的磁结构的视图；图7是类似于图5的视图的根据本发明的另一可选实施例的磁结构的视图；以及图8是类似于图6的视图的根据本发明的又另一可选实施例的磁结构的视图。
具体实施例方式
下面的描述是关于用于实施本发明的目前预期的优选实施例。该说明的目的是阐明本发明的基本原理，而并不是要限制这里所声明的发明概念。
现在参考图2，示出包括本发明的磁盘驱动器200。如图2所示，至少一个可旋转的磁盘212被支持在轴214上，并且被磁盘驱动马达218所旋转。每个磁盘上的磁记录是磁盘212上的同心数据磁道的环状图案(未示出)的形式。
至少一个滑块213位于磁盘212附近，每个滑块213支持一个或更多个磁头组件221。当磁盘旋转时，滑块213在磁盘表面222之上径向进出移动，从而磁头组件221可以存取磁盘的所需数据写在其中的不同磁道。每个滑块213借助悬臂215附着到致动臂219。悬臂215提供轻微的弹力，该弹力偏置滑块213倚着磁盘表面222。每个致动臂219附着到致动装置227。如图2所示的致动装置227可以是音圈马达(VCM)。该VCM包括可在固定磁场中移动的线圈，该线圈移动的方向和速度被由控制器229提供的马达电流信号所控制。
磁盘存储系统运行期间，磁盘212的旋转在滑块213和磁盘表面222之间产生对滑块施加向上的力或举力的气垫。于是在正常运行期间该气垫平衡悬臂215的轻微的弹性力，并且支持滑块213离开磁盘表面并且以小的基本恒定的距离稍微浮于磁盘表面之上。
磁盘存储系统的各种组元在运行中由控制单元229产生的控制信号来控制，例如存取控制信号和内部时钟信号。通常，控制单元229含有逻辑控制电路，存储设备和微处理器。控制单元229产生控制信号从而控制各种系统操作，例如线223上的驱动马达控制信号以及线228上的磁头定位和寻道控制信号。线228上的控制信号提供所需的电流分布(current profile)，从而优化地移动并定位滑块213到磁盘212上的所需数据磁道。写和读信号借助记录通道225传达到写和读头221并从其传出。
参考图3，滑块213中的磁头221的取向可以看得更详细。图3是滑块213的ABS视图，正如所见，包括感应写头和读传感器的磁头位于滑块的尾沿。上述普通磁盘存储系统的说明和附图2仅以说明为目的。应该明显的是，磁盘存储系统可以包含多个磁盘和致动器，并且每个致动器可以支持多个滑块。
现在参考图4，说明用于垂直磁记录系统中的磁头221。磁头221包括写元件402和读传感器404。该读传感器优选是巨磁致电阻(GMR)传感器并且优选是电流垂直于平面(CPP)的GMR传感器。CPP GMR传感器特别适合用于垂直磁记录系统中。然而，传感器404也可以是另一种类型的传感器，例如电流平行平面(CIP)的GMR传感器、隧道结传感器(TMR)或者某些其它类型的传感器。传感器404位于第一和第二磁屏蔽件406、408之间并与它们绝缘。可以由例如CoFe或NiFe构成的该磁屏蔽件吸收磁场，例如来自前面的或后面的磁道数据信号的磁场，确保读传感器404仅探测位于屏蔽件406、408之间的所需数据磁道。
继续参考图4，写元件402包括磁连接磁成形层(magnetic shaping layer)412的写极410。该写极在气垫面(ABS)具有小的横截面，并且由具有大的饱和磁矩密度的磁性材料例如FeNi或CoFe构成。该成形层412由磁性材料例如CoFe或NiFe构成，并且具有平行于ABS表面的显著大于写极410横截面的横截面。
写元件402还具有返回极414，其优选具有暴露在ABS面的表面并且具有比写极410的平行于ABS面的横截面大得多的平行于ABS面的横截面。该返回极414通过背间隙部分416磁连接成形层412。返回极414和背间隙416可以由例如NiFe、CoFe或某些其它磁性材料构成。
图4中的横截面示出的导电写线圈418在成形层412和返回极414之间穿过写元件402。写线圈418被电绝缘材料420包围，该电绝缘材料420使线圈418的各匝彼此绝缘，并且使线圈418和周围磁结构410、412、416、414电隔离。当电流经过线圈418时，产生的磁场导致磁通流经返回极414、背间隙416、成形层412和写极410。该磁通导致写场422朝向附近的磁介质424发射。正如背景技术中所说明的，该磁介质优选包括薄的硬磁顶层426和软磁衬层428。来自写极410的强的、高度集中的磁场磁化(如固定其磁矩)硬磁顶层426，并且产生的磁通430经软磁衬层428行进。该磁通行进到返回极414，在那里它朝向返回极414穿过硬磁顶层426返回。当磁通430穿过顶层426到达返回极414时，其已经充分展开并且是弱的，以至于不能影响硬磁顶层426的磁化。
继续参考图4，围绕写元件402、屏蔽件406、408和磁致电阻读元件的区域被非磁性电绝缘材料432如氧化铝(Al2O3)所填充。该绝缘材料432可形成为多层。
现在参考图5，说明对杂散场写入具有提高的抵抗力的磁结构500。该磁结构可以是可能出现在具有由虚线502所表示的气垫面(ABS)的磁头221中的例如磁屏蔽件406和408(图4)、磁返回极414(图5)或者任何其它必要的磁结构。对于磁屏蔽件来说杂散场写入问题特别敏锐，因为它们本来就被构造来从它们的周围吸收磁场。因此，为清楚起见，将按照磁屏蔽件500来说明该磁结构，尽管应该明白的是，该磁结构可以是任何磁结构。
如上面在背景技术中所说明的，由许多不同来源如机场保安设备或蜂窝电话引起的环境磁场，导致流经屏蔽件500的磁通。磁通的经过磁结构的流动被这样的结构的几何构型严重影响。磁通线在突变特征尤其是磁结构的拐角处变得高度集中。现有技术的具有位于ABS附近的尖锐拐角的磁屏蔽件在ABS附近表现出磁通的强烈集中，其导致磁场从这些拐角朝向附近的磁介质发射。这导致杂散场写入和磁信号从部分磁介质的完全擦除。
继续参考图5，该磁屏蔽件500包括延伸或前凸部分504，其朝向ABS表面502延伸。前凸部分504优选延伸到并且暴露于ABS表面，但是也可以从ABS 502凹进一些量，另外优选在ABS 502具有平坦表面。凸出部分504优选形成在屏蔽件500的中心或屏蔽件500的中心的附近。形成在该凸出部分每一侧的第一和第二切口(notch)506、508形成凸出部分504的侧面510、512，定义凸出部分504的宽度。当自ABS测量时，切口506、508优选凹进到磁头221中大约0.3到3微米终止于内拐角514、516，该内拐角514、516可以是尖的或者圆的。切口506、508也形成外拐角513、515，其也可以是尖的或圆的。
屏蔽件500还包括向外横向延伸的第一和第二翼部518、520。每个翼部518、520具有从每个切口506、508的内拐角514、516延伸至每个翼518、520的外端526、528的前沿522、524。当其从向前延伸部分向外横向延伸时，前沿522、524倾斜离开ABS，因此每个翼518、520的前沿522、524在其各自外端526、528比其在内拐角514、516离ABS更远。每个翼518、520的前沿522、524可以有某种轮廓，但是优选是直的，具有恒定斜率。每个翼的前沿522、524的斜率测量为距ABS的距离的变化除以在从切口506、508到外端526、528的方向上横向测量的距离的相应变化。参照图5B可以更容易地理解此斜率，其中前沿522的斜率是dR/dL，dR是从ABS凹进的变化，dL是纵向测量的距离的变化。相应于dR/dL的该斜率优选定义相对于ABS 502(图5A)1到15度的角，但可以是某些其它合适的斜率。正如所见，楔形斜面导致外端526、528比没有该楔形斜面的情况从ABS 502凹进更大的量。每个翼518、520的前沿522、524在其最外端优选从ABS 502凹进0.5μm到8μm。
继续参考图5，该前凸部分具有沿ABS面测量的宽度W1，其是由切口506、508形成的第一和第二横向相对的侧面510、506之间的距离定义。翼518、520优选具有从切口514、516到各自的翼端526、528大约10μm到100μm的长度L，然而，这些尺寸并不是实现本发明的必要条件，W1和L可以是某些其它尺寸。另外，限制深度D有助于限制垂直磁场(即，磁场垂直于ABS 502)的杂散场影响。
继续参考图5，屏蔽件500具有包括从第一翼518的末端526到第二翼520的末端528测量的横向宽度W2的总体尺寸。该屏蔽件500也具有背对ABS 502的后沿530。该屏蔽件具有测量为从ABS到后沿530的距离的总体深度D。屏蔽件500的该总体宽度可以是40μm到200μm，但是也可以是某些其它的尺寸。该总体深度D优选小于20μm，但是也可以是某些其它尺寸。另外，总体宽度W2对总体深度D的比值优选是0.5到3，但是也可以是某些其它比值。另外，继续参考图5，屏蔽件500具有取向进入页面平面的厚度(未示出)。该厚度可变，但优选是0.3μm到5μm。尽管上面已经提到过，应该再次指出的是，在这里该磁结构500按照磁屏蔽件说明，但是其可以是现有或未来磁头所需的许多其它类型的磁结构之一。
楔形凹进去的翼518、520至少以两种方式防止杂散场写入。仅形成第一和第二切口510、512和非楔形翼在一定程度上将有助于防止杂散场写入。经屏蔽件500横向行进的磁通在某种意义上将通过翼被集中，并且将不会在向前延伸部分的外拐角513、515变得集中。因为向前延伸部分504的外拐角513、515位于靠近磁性介质424(图4)，有磁通集中的话这将是非常有问题的地方。但是，磁通仍将集中于翼部的外拐角结束，并且磁通在翼部末端拐角处的该集中通过增加翼长度被加剧。
参考图5A，可以看到即使磁通集中在翼部518、520的外拐角532、534，磁通的该集中位于被转移到离ABS充分远的位置，其不能给经过的磁介质424赋予磁信号。
继续参考图5A，可以看到楔形翼的另一优点。归因于翼518、520的前沿522、524的楔形形状，翼518、520的外拐角532、534是钝的。外拐角532、534的该钝角产生更少的磁通集中，导致更小的发射的磁场。
参考图6，在本发明的可选实施例中，屏蔽件600形成有后凸部分602以及前凸部分504。后凸部分602从屏蔽件600的后沿604在远离ABS的方向上延伸，并终止于第一和第二侧面606、608。该后凸部分具有优选为0.1D到0.7D的深度，并且具有由该第一和第二侧面之间的距离定义的宽度W3。后凸部分的宽度W3不需要和前凸部分504的宽度W1一样，并且不需要与前凸部分504对齐或对称。和前面说明的实施例一样，屏蔽件600具有从所述前凸部分的侧面510、512延伸到外末端526、528的翼518、520，并且具有楔形前沿522、524。
现在参考图7，本发明的可选实施例包括磁结构700，该磁结构具有中心向前突出部分702并具有带非线性前沿的第一和第二横向延伸翼706、704，该非线性前沿弯曲远离ABS从而形成圆形拐角。该圆形拐角有利地消除在翼704、706的外端ABS附近的尖锐拐角，从而进一步防止杂散场写入。
现在参考图8，本发明的又另一实施例中，提供具有向前延伸中心部分802以及具有多个台阶的第一和第二翼804、806的磁结构800。该多台阶提供一定的制造优势，同时也在翼804、806的外端提供距ABS增大的距离。
虽然上面说明了本发明的各种实施例，但是应该明白的是，它们只是以示例的方式被提出，而不是限制。落入本发明范围之中的其它实施例对本领域技术人员也变得明显。例如，虽然本发明已经被说明为被引用在垂直记录系统中，并且将尤其适合于在这样的系统中使用，但是本发明可以在包括纵向磁记录系统的任何磁记录系统中实施。因此，本发明的广度和范围不应被局限于任何上述示例性实施例，但是应该仅根据后附的权利要求及其等价物来定义。
权利要求
1.一种用于具有气垫面(ABS)的磁记录头中的磁结构，该磁结构包括前凸部分，其向ABS延伸并终止于第一和第二横向相对的侧面；以及第一和第二横向延伸翼部，其从中心部分的该第一和第二侧面横向向外延伸，该横向延伸翼部中的每个都具有从该气垫面凹进去一定距离的前沿，该凹进去的距离随着距该前凸部分的距离增加而增加。
2.如权利要求1所述的磁结构，其中该横向延伸翼部中的每个的前沿具有相对于该ABS定义1到15度角的斜率。
3.如权利要求1所述的磁结构，其中该横向延伸翼部中的每个具有外端，并且其中每个翼的该前沿在其外端从该气垫面凹进去0.5μm到8μm的距离。
4.如权利要求1所述的磁结构，其中该横向延伸翼部中的每个具有设置在该横向延伸翼部与该前凸部分的各个侧面的连接处的内部部分，并且其中每个横向延伸翼部的该内部部分从该ABS凹进去0.3μm到3.0μm之间的距离。
5.如权利要求1所述的磁结构，其中该翼部中的每个都具有接近该ABS的非线性的前沿，其弯曲远离该ABS。
6.如权利要求1所述的磁结构，其中该磁结构是设置在磁致电阻读传感器附近的磁屏蔽件。
7.如权利要求1所述的磁结构，其中该磁结构形成磁写头的一部分。
8.如权利要求1所述的磁结构，其中该磁结构被引用在磁头中以用于垂直磁记录系统。
9.如权利要求1所述的磁结构，其中该磁结构具有背对该气垫面(ABS)设置的后沿，其中该后沿具有距该ABS基本恒定的距离。
10.如权利要求1所述的磁结构，其中该磁结构具有背对该气垫面(ABS)设置的后沿，其中该磁结构还包括从该后沿在远离ABS的方向延伸的后凸部分。
11.如权利要求1所述的磁结构，其中该第一和第二翼部中的每个都具有形成在ABS附近前沿中的多个台阶，该前沿具有距ABS的距离，随着该翼横向向外进展时该距离随着每个台阶而增大。
12.如权利要求1所述的磁结构，其中该后凸部分被设置于该磁结构的后沿的中心附近。
13.如权利要求1所述的磁结构，其中该磁结构包含CoFe。
14.如权利要求1所述的磁结构，其中该前凸部分延伸至该ABS。
15.如权利要求1所述的磁结构，其中该前凸部分从ABS凹进去。
16.如权利要求1所述的磁结构，其中该磁结构具有从该第一横向延伸翼部的外端到该第二横向延伸翼部的外端测量的总体宽度W；该磁结构具有背对ABS形成的后沿；该磁结构具有从该向前延伸部分的最前沿到该后沿测量的深度D；以及D/W的比值在1/3和2之间。
17.一种用于磁记录系统并具有气垫面的磁头，该磁头包括磁性写元件，其包括由磁性材料构成的写极；由磁性材料构成的返回极，该返回极比该写极具有更大的横截面；以及置于该写极和该返回极之间的电线圈；置于该写元件附近的磁致电阻传感器；以及置于该磁致电阻传感器附近并与其电绝缘的磁屏蔽件，该磁屏蔽件由磁性材料构成并且包括前凸部分，其向该ABS延伸并终止于该第一和第二横向相对的侧面；以及第一和第二横向延伸翼部，其从该中心前凸部分的该第一和第二侧面横向向外延伸，该横向延伸的翼部每个都具有从该气垫面凹进去一定距离的前沿，该凹进去的一定距离随着距该前凸部分的距离的增加而增加。
18.如权利要求17所述的磁头，其中该每个横向延伸翼部的每个前沿具有相对于ABS定义1到15度角的斜率。
19.如权利要求17所述的磁头，其中该横向延伸翼部中的每个都具有外端，其中该每个翼的该前沿在其外端从气垫面凹进去0.5μm到8.0μm的距离。
20.如权利要求17所述的磁头，其中该横向延伸翼部中的每个都具有设置在该横向延伸翼部和该前凸部分的各个侧面的连接处的内部部分，其中每个横向延伸翼部的该内部部分从该ABS凹进去0.3μm到3.0μm之间的距离。
21.如权利要求17所述的磁头，其中该横向延伸翼部中的至少一个从该前凸部分延伸10μm到100μm的距离。
22.如权利要求17所述的磁头，其中该磁结构是置于磁致电阻读传感器附近的磁屏蔽件。
23.如权利要求17所述的磁头，其中该磁结构形成写头的磁极的至少一部分。
24.如权利要求17所述的磁头，其中该磁结构具有背对该气垫面(ABS)设置的后沿，其中该后沿具有距该ABS基本恒定的距离。
25.如权利要求17所述的磁结构，其中该磁结构具有背对该气垫面(ABS)设置的后沿，其中该磁结构还包括从该后沿在远离该ABS的方向上延伸的后凸部分。
26.如权利要求17所述的磁头，其中该前凸部分延伸到该ABS。
27.一种磁性数据记录系统，包括磁介质；致动器；滑块，其与该致动器相连接以在磁介质附近移动；连接该滑块的磁头，该磁头包括磁性写元件，其包括由磁性材料构成的写极；由磁性材料构成的返回极，该返回极比该写极具有更大的横截面；以及置于该写极和该返回极之间的电线圈；置于该写元件附近的磁致电阻传感器；以及置于该磁致电阻传感器附近并与其电绝缘的磁屏蔽件，该磁屏蔽件由磁性材料构成并且包括前凸部分，其向该ABS延伸并终止于第一和第二横向相对的侧面；以及第一和第二横向延伸翼部，其从该中心前凸部分的该第一和第二侧面横向向外延伸，该横向延伸翼部每个都具有从该气垫面凹进去一定距离的前沿，该凹进去的一定距离随着距该前凸部分的距离的增加而增加。
28.如权利要求27所述的磁记录系统，其中该第一和第二翼部中的每个都在其内端具有从ABS凹进去的最小量，该最小量在0.3μm和3.0μm之间，并且在其外端具有从ABS凹进去的最大量，该最大量在0.5μm和8.0μm之间。
29.如权利要求27所述的磁性数据记录系统，其中该横向延伸翼部中每个的该前沿具有相对于ABS定义1-15度角的斜率。
全文摘要
本发明提供一种使用在磁头中用于避免杂散场写入的磁结构，该结构可以是例如磁屏蔽件或写头的磁极，并且特别有利于在垂直记录系统中使用，因为这种垂直记录系统对于杂散场写入特别敏感。该磁结构包括朝向磁头的气垫面(ABS)延伸的前凸部分，还包括从该前凸部分横向延伸的第一和第二翼部。该翼部每个都具有从气垫面(ABS)凹进去的前沿。该翼是楔形的，从而该翼的前沿的凹进量随着距该磁结构的中心的横向距离而增加。
文档编号G11B5/187GK1783216SQ20051011875
公开日2006年6月7日 申请日期2005年10月31日 优先权日2004年10月29日
发明者何国山, 徐一民, 曾庆骅 申请人:日立环球储存科技荷兰有限公司