专利名称：晶片和绝缘特性监测方法
技术领域：
本发明涉及在形成在晶片上的薄膜磁头的多个层需要彼此绝缘的情 况下，对是否确保了所述多个层之间的绝缘进行测量的方法。
背景技术：
随着磁存储装置的容量的增大，磁记录介质的记录密度逐年增加。 高密度记录技术的这种进步主要归因于磁记录介质的噪声的降低和灵敏
度的增强以及薄膜磁头的尺寸的减小。具体地说，在家庭视频设备、PC
(个人计算机)等中硬盘装置被用来记录运动图像，并具有用于记录信 息的大容量。因此，需要进一步增加硬盘装置的记录密度。
作为薄膜磁头，已广泛使用了其中层叠有用于记录信息的感应磁转 换元件和用于再现信息的磁阻效应元件的混合型薄膜磁头。在薄膜磁头 的制造过程中，为了测量是否确保了磁头的多个层之间的绝缘(这对于 形成写入部是必要的)，直接对磁头元件进行测量。因此，根据测量条件， 存在导致磁头元件的特性发生毁坏或劣化的可能性。此外，在绝缘失效 的情况下，通过切割磁头元件的相应层并观察这些层的截面来识别绝缘 失效的位置。然而，很难识别失效的位置，并且分析过程会耗费时间。
涉及在制造过程中对磁头元件的绝缘进行测量的传统技术文件包括
日本特开平06-084146和11-306519号公报。
发明内容
本发明的一个方面是一种具有多个磁头元件和至少一个磁头监测元
件的晶片。所述磁头元件具有上磁层、下磁层、位于所述上磁层与所 述下磁层之间的绝缘层、以及形成在所述绝缘层中的由导电材料构成的 线圈层。所述磁头监测元件具有上磁层、下磁层、位于所述上磁层与
所述下磁层之间的绝缘层、以及形成在所述绝缘层中的由导电材料构成 的线圈层，并且所述绝缘层将所述磁头监测元件的所述上磁层与所述下 磁层相隔离。所述多个磁头元件中的每一个的上线圈层和下线圈层可通 过与所述多个磁头元件中的至少一个的所述上线圈层和所述下线圈层连 接的电极来测量。
因此，可以在不毁坏所述磁头元件的情况下对形成所述多个磁头元 件的每一个的各层之间的绝缘进行检查。
图1是例示了第一实施例中的晶片上的磁头元件和绝缘监测元件的 布置的图2是图1中例示的晶片的表面的放大图3是第一实施例中的晶片上的磁头元件的放大图4是第一实施例中的晶片上的绝缘监测元件的放大图5是第一实施例中的磁头元件的剖视图6是第一实施例中的绝缘监测元件的剖视图7是例示了第一实施例中的磁头元件的制造过程的第一示图8是例示了第一实施例中的磁头元件的制造过程的第二示图9是例示了第一实施例中的磁头元件的制造过程的第三示图10是例示了第一实施例中的磁头元件的制造过程的第四示图11是例示了第一实施例中的磁头元件的制造过程的第五示图12是例示了第一实施例中的磁头元件的制造过程的第六示图13是例示了第一实施例中的磁头元件的制造过程的第七示图14是例示了第一实施例中的磁头元件的制造过程的第八示图15是例示了第一实施例中的绝缘监测元件的制造过程的第一示
图16是例示了第一实施例中的绝缘监测元件的制造过程的第二示
图17是例示了第一实施例中的绝缘监测元件的制造过程的第三示
图18是例示了第一实施例中的绝缘监测元件的制造过程的第四示
图19是例示了第一实施例中的绝缘监测元件的制造过程的第五示
图20是例示了第一实施例中的绝缘监测元件的制造过程的第六示
图21是例示了第一实施例中的绝缘监测元件的制造过程的第七示
图22是例示了第一实施例中的绝缘监测元件的制造过程的第八示
图23例示了在对第一实施例中的绝缘监测元件的测量过程中的配
置；
图24是例示了第二实施例中的晶片上的磁头元件和绝缘监测元件 的布置的图25是图24中例示的晶片的表面的放大图26是第二实施例中的晶片上的磁头元件的放大图27是第二实施例中的晶片上的绝缘监测元件的放大图28是第二实施例中的磁头元件的剖视图29是第二实施例中的绝缘监测元件的剖视图30例示了在对第二实施例中的绝缘监测元件的测量过程中的配
置；
图31是在对第一实施例中的绝缘监测元件的测量过程中的配置的 放大图；以及
图32是在对第二实施例中的绝缘监测元件的测量过程中的配置的 放大图。
具体实施例方式
以下将参照附图对本发明多个实施例进行说明。 第一实施例
图1是本发明的实施例中的形成有多个绝缘监测元件的晶片的平面 图。图1例示了整个晶片。同时，图2是以放大比例对图1的划圈部分 进行例示的图。如这两张图所示，在晶片12上均匀地设置有多个磁头元
件51 ，并规则地设置有多个绝缘监测元件52。
绝缘监测元件是用于对是否确保了磁头元件的需要彼此绝缘的多个
层之间的绝缘进行测量的元件。通过如下步骤来执行所述测量将绝缘 监测元件的与磁头元件的需要彼此绝缘的多个层相对应的多个层完全绝 缘，然后对是否确保了绝缘监测元件的多个层之间的绝缘进行测量。为 了对是否确保了绝缘进行测量，从绝缘监测元件的相应层引出测量焊盘
(pad) 61、 62、 63、 64以及70。
在本实施例中，将多个绝缘监测元件52按分散方式设置在晶片12 上的一组磁头元件51内。例如，在直径O为12.7厘米(即，5英寸)的 晶片上沿水平和垂直方向按矩阵有序地布置至少1万个磁头元件，其中 每一个磁头元件都是大小约1 mm的正方形。即，在由图中例示的40个 正方形限定的多个区中的每一个中都布置有约500个磁头元件。此外， 在每一个区中，例如按16行、32列的矩阵布置磁头元件51和绝缘监测 元件52。在本实施例中，针对多个磁头元件51设置一个绝缘监测元件 52，所述多个磁头元件51沿水平和垂直方向布置在所述一个绝缘监测元 件52周围。即，如图2的放大图所示，在由8个磁头元件51包围的矩 阵中设置一个绝缘监测元件52。在图1例示的晶片12的平面上的各行和 各列中沿水平和垂直方向重复图2例示的该配置图案。
在磁头元件的普通制造工艺中，将磁头元件切割成图1中的晶片12 上所示的多个矩形区。将由此切割出的多个区沿图2所例示的一组磁头 元件51的横向(即，行方向)进一步切成多个片，使得这些磁头元件的 前端部暴露于该多个片中的每一片的侧面。由此切割出的多个片被称为 粗条(rawbar)，并且被处理成个体磁头元件并随后被分析。在由各包括 16行和32列的多个区形成的矩阵的以上情况下，所产生的粗条的数量对 应于形成该矩阵的行数，即16。在这些粗条的每一个中，排列有32个元
件。磁头元件的前端部面对磁盘的表面，并对磁盘施加磁场或者对来自 该盘的漏通量进行检测以使得能够对磁记录进行读或写。然后，对粗条 进行抛光。即，对单个行中包括的32个磁头元件的前端部同时执行抛光。 然后，对这些磁头元件进行特性测量。作为另一种选择，可以将粗条切 割成多个个体磁头元件然后对这些磁头元件进行特性测量。由此，完成 了磁头元件。
在本实施例中，形成单个行(即，单个粗条)的所述一组磁头元件
包括15到16个绝缘监测元件。不言自明，磁头元件51和绝缘监测元件 52的配置图案并不限于图中所例示的图案。然而，如果仅将绝缘监测元 件布置在晶片的4个角的每一个处，那么由于在所获得的层处的晶片的 中央区与形成为绝缘监测元件的层的部分之间的厚度差，存在由绝缘监 测元件执行的测量与对形成在晶片的中央区中的磁头元件的测量不对应 的情况。该厚度差是由于制造设备的性能(如溅射性能)的不同所导致 的。因此，应当注意对绝缘监测元件的布置。
在试验制造过程中，优选的是，通过如图2所示的那样交替地布置 绝缘监测元件来均匀地对特性进行测量。同时，如果已经确认了层形成 的稳定性，那么可以将绝缘监测元件52例如布置在如上所述被切割成行 的32个磁头元件的磁头组的相对两侧中的每一侧和中央，总计三个位置 处，或者布置在该磁头组的相对两侧中的每一侧。作为另一种选择，可 以将绝缘监测元件52布置在该磁头组的中央处，即，对这32个磁头元 件同时进行抛光。因此，能够充分增加由一块晶片制造出的磁头元件的 总数量，同时简化并确保了特性测量。
图3是以放大比例对图2中所圈中的磁头元件51进行例示的图，示 出了该元件的所述多个层的一部分的立体图。图4是以放大比例对图2 中所圈中的绝缘监测元件52进行例示的图，示出了该元件的所述多个层 的一部分的立体图。在图3和4中，略去了绝缘层。
图5是当沿图3中的箭头方向观察时，磁头元件51中的由图3中的 虚线表示的位置的剖视图。该图是当沿图3中的箭头方向观察时，由所 述箭头夹在中间的范围的剖视图。图6是当沿图4中的箭头方向观察时，
绝缘监测元件52中的由图4中的虚线表示的位置的剖视图。在图3到6 中，将相同参考标记分配给相同的组件。将磁头元件51和绝缘监测元件 52形成在同一晶片12上。稍后将对磁头元件51和绝缘监测元件52的制 造过程进行描述。
在图5中，磁头元件51主要包括读取部和写入部。读取部包括磁 阻效应(MR)元件31，其从磁记录介质接收磁场以根据该磁场生成再现 信号；以及上屏蔽层30和下屏蔽层32，它们被设置成在该磁阻效应元件 31的厚度方向上从相对两侧夹着该磁阻效应元件31。图3例示了非磁层 33。可以使用巨磁阻效应元件或隧道结磁阻效应(TMR)元件作为MR 元件31。例如，屏蔽层30和32由诸如NiFe的磁材料形成。同时，写入 部包括下磁极层2、上线圈层3、下线圈层4以及上磁极层1。此外，在 线圈层3和4的周围形成有绝缘层5、 6以及7，并在绝缘层7上形成由 软磁材料形成的上磁极层1。即，上线圈层3和下线圈层4被夹在上磁极 层1与下磁极层2之间。在写入部的下磁极层2与读取部的上屏蔽层30 之间夹有具有均匀厚度的非磁层33。非磁层33将下磁极层2与上屏蔽层 30磁隔离。非磁层33例如由Al203形成。上磁极层1和下磁极层2形成 包围上线圈层3和下线圈层4的磁路。当对上线圈层3和下线圈层4施 加电流时，会产生磁通量流。随后，该磁通量流在下磁极层2与上磁极 层1之间移动，而绕过非磁层33，并扩展到外部，从而改变了磁记录介 质的磁化方向。由此，写入了信息。
绝缘监测元件52在结构上与磁头元件51大致相似。因此，将相同 的参考标记分配给相同的组件。将绝缘监测元件52连同磁头元件51 — 起形成在晶片12。在将绝缘监测元件52形成在其上形成有磁头元件51 的同一晶片12上的情况下，可以对磁头元件51的相应层的绝缘进行检 查。即，在图6的绝缘监测元件52中，与上述磁头元件51的绝缘层7 不同，绝缘层47将上磁极层1与下磁极层2完全隔离。由此，上磁极层 1与下磁极层2彼此绝缘。此外，绝缘层46将形成位于在图6中的右侧 的线圈层8的上线圈层和下线圈层的结合部分分开。由此，与上述磁头 元件51的绝缘层6不同，绝缘层46将上线圈层3与下线圈层4绝缘。 现在参照图7到14，对如上所述构成的磁头元件51的制造过程进
行描述。类似的是，参照图15到22，对如上所述构成的绝缘监测元件 52的制造过程进行描述。
在形成绝缘层6和46的之前的状态中(图7和15)，已按完全相同 的图案将磁头元件51的所述多个层(图7)和绝缘监测元件52的所述多 个层(图15)都形成在同一晶片12上。
随后，在同时执行的处理中在磁头元件51和绝缘监测元件52中的 每一个中的预定位置处形成光刻胶膜41 (图8和16)。在此情况下，如 这两个图所示，在光刻胶膜41的图案方面这两个元件彼此不同。g卩，在 磁头元件51中，线圈层8的一部分上形成有光刻胶膜41 (图8)，而在 绝缘监测元件52中，在线圈层8的所述一部分上未形成有光刻胶膜41 (图16)。
接着，在同一处理中，在光刻胶膜41上形成绝缘层6和46 (图9 和17)。然后，去除光刻胶膜41。由此，如图10和18所示，在图0所 例示的磁头元件51中，线圈层8的导电区上未形成绝缘层6，而在图18 所例示的绝缘监测元件52中，线圈层8上形成了绝缘层46。即，如参照 图5和6所述，在线圈层8的结合部中将磁头元件51的绝缘层6的图案 和绝缘监测元件52的绝缘层46的图案形成为彼此不同的图案。
由此形成了线圈层8的导电区，并形成了形成绝缘层7和47之前的 状态，如图11和19所例示。然后，如图12和20所示，将光刻胶膜41 形成在预定位置处。然后，如图13和21所示，在光刻胶膜41上形成绝 缘层7和47。然后，去除图13和21所示的光刻胶膜41以分别在磁头元 件51和绝缘监测元件52中的预定位置处形成绝缘层7和47。在此情况 下，磁头元件51的光刻胶膜41的图案与绝缘监测元件52的光刻胶膜41 的图案之间存在差别。由此，在绝缘监测元件52中，如图21所示，绝 缘层47覆盖该图的左侧的线圈层3和下磁极层2。
图7到14所示的制造过程与图15到21所示的制造过程是相同的制 造过程。艮fl，在同一晶片12上同时由相同材料形成例如绝缘层6、 7、 46 以及47。此外，如上所述，就光刻胶膜41的形成范围而言，在磁头元件
51与绝缘监测元件52之间，用于对光刻胶进行曝光的掩模图案部分地不
同。由此，在形成磁头元件51 (其在层结构上大致对应于绝缘监测元件 52)的同时形成绝缘监测元件52 (其中上磁极层1与下磁极层2绝缘并 且上线圈层3与下线圈层4绝缘)。
因此，按照对应的结构，在形成处理中，同时在同一晶片12上形成 了磁头元件51和绝缘监测元件52的对应多个层。因此能够使得形成在 晶片12上的磁头元件51与绝缘监测元件52之间的特性实际上接近。
图23例示了在参照图2所描述的本发明第一实施例中的绝缘监测元 件52的测量过程中的配置。参考标记61、 62、 63以及64分别表示从上 磁极层l、下磁极层2、下线圈层4以及上线圈层3引出的测量焊盘。参 考标记68、 69以及70分别表示从引线元件到引线端子的引出层 (extraction layer)、弓(线端子以及来自下磁极层2的引出层。由于引出层 70用于对磁头元件51的线圈层与磁极层之间的绝缘进行测量，因此在绝 缘监测元件52中不使用引出层70。然而，图示出引出层70是为了使得 绝缘监测元件52具有与磁头元件51大致相同的结构。图31是图23的 划圆圈部分的放大图，其中略去了绝缘层。相应的测量焊盘从图31所例 示的多个位置引出。
如上所述，由绝缘层47将上磁极层1与下磁极层2完全相互绝缘。 因此，可以通过对测量焊盘61与62之间的绝缘进行测量来测量磁头元 件51的上磁极层1与下磁极层2之间的绝缘。由此，能够检测到以下情 况由于因磁头元件51的绝缘层7的失效而在不适当位置处导致的上磁 极层1与下磁极层2之间的短路，所以在所述多个磁极层之间产生的磁 通量流不能发射到外部。
此外，由绝缘层47将上磁极层1与上线圈层3完全相互绝缘。因此， 可以通过对测量焊盘61与63之间的绝缘进行测量来测量磁头元件51的 上磁极层1与上线圈层3之间的绝缘。由此，能够检测到以下情况由 于因磁头元件51的绝缘层7的失效而导致的上磁极层1与上线圈层3之 间的短路，所以不能产生磁通量流。
此外，由绝缘层46将上线圈层3与下线圈层4完全相互绝缘。因此， 可以通过对测量焊盘63与64之间的绝缘进行测量来测量磁头元件51的
下线圈层4与上线圈层3之间的绝缘。由此，能够检测到以下情况由
于因磁头元件51的绝缘层6的失效而导致的上线圈层3与下线圈层4之 间的短路，所以不能产生磁通量流。
此外，由绝缘层5将下磁极层2与下线圈层4完全相互绝缘。因此， 可以通过对测量焊盘62与64之间的绝缘进行测量来测量磁头元件51的 下磁极层2与下线圈层4之间的绝缘。由此，能够检测到以下情况由 于因磁头元件51的绝缘层5的失效而导致的下磁极层2与下线圈层4之 间的短路，所以不能产生磁通量流。
图23例示了将测量焊盘62和63连接到测量装置71的状态。通过 将测量装置71如此连接到从所述多个层(要对其绝缘特性进行测量)引 出的焊盘，可以对绝缘特性进行测量。
以此方式，可以通过对绝缘监测元件的绝缘特性进行测量来实际测 量磁头元件的绝缘特性。此外，即使产生了诸如绝缘失效的情况，也可 以容易地识别出失效的位置。因此，可以提高磁头的生产率。
第二实施例
在第一实施例中，已经对其中磁头元件包括两个导电线圈层的类型 进行了描述。作为另一种选择，磁头元件可以包括单个导电线圈层。
图24是本发明另一实施例中的形成有绝缘监测元件的晶片的平面 图。图24例示了该晶片的整体。同时，图25是以放大比例对图24的划 圈部分进行例示的图。如这两个图所示，在晶片12上均匀地布置了磁头 元件53，并规则地布置了绝缘监测元件54。为了测量是否确保了绝缘， 从每一个绝缘监测元件54的相应层引出测量焊盘65、 66、 67以及70。
图26是以放大比例对图25中所圈中的磁头元件53进行例示的图， 示出了该元件的所述多个层的一部分的立体图。图27是以放大比例对图 25中所圈中的绝缘监测元件54进行例示的图，示出了该元件的所述多个 层的一部分的立体图。在图26和27中，略去了绝缘层。
图28是当沿图26中的箭头方向观察时，磁头元件53中的由图26 中的虚线表示的位置的剖视图。该图是当沿图26中的箭头方向观察时， 由所述箭头夹着的范围的剖视图。图29是当沿图27中的箭头方向观察 时，绝缘监测元件54中的由图27中的虚线表示的位置的剖视图。在图 27和29中，将相同的参考标记分配给相同的组件。第二实施例的磁头元 件53包括单个导电线圈层。除了磁头元件53包括单个导电线圈层以外， 磁头元件53在结构上与第一实施例的磁头元件51类似。因此，将相同 的参考标记分配给相同的组件。绝缘监测元件54在结构上与磁头元件53 大致类似。因此，将相同的参考标记分配给相同的组件。在绝缘监测元 件54中，绝缘层47将上磁极层1与下磁极层2完全隔离。由此，上磁 极层1与下磁极层2相互绝缘。
图30例示了在参照图25所述的第二实施例中的绝缘监测元件54的 测量过程中的配置。参考标记65、 66以及67分别表示从上磁极层1、下 磁极层2以及线圈层3引出的测量焊盘。图32是图30的划圈部分的放 大图，其中略去了绝缘层。相应的测量焊盘从图32所例示的多个位置引 出。
如上所述，由绝缘层47将上磁极层1与下磁极层2完全相互绝缘。 因此，可以通过对测量焊盘65与66之间的绝缘进行测量来测量上磁极 层1与下磁极层2之间的绝缘。由此，能够检测到以下情况由于因磁 头元件53的绝缘层7的失效而在不适当的位置处导致的上磁极层1与下 磁极层2之间的短路，所以在所述多个磁极层之间产生的磁通量流不能 发射到外部。
此外，由绝缘层47将上磁极层1与线圈层3完全相互绝缘。因此， 可以通过对测量焊盘65与67之间的绝缘进行测量来测量上磁极层1与 线圈层3之间的绝缘。由此，能够检测到以下情况由于因磁头元件53 的绝缘层7的失效而导致的上磁极层1与线圈层3之间的短路，所以不 能产生磁通量流。
此外，由绝缘层5将下磁极层2与线圈层3完全相互绝缘。因此， 可以通过对测量焊盘66与67之间的绝缘进行测量来测量下磁极层2与 线圈层3之间的绝缘。由此，能够检测到以下情况由于因磁头元件53 的绝缘层5的失效而导致的线圈层3与下磁极层2之间的短路，所以不
能产生磁通量流。
图30例示了将测量焊盘66和67连接到测量装置71的状态。通过 将测量装置71如此连接到从所述多个层(要对它们的绝缘特性进行测量) 引出的焊盘，可以对绝缘特性进行测量。
为了更好地理解本发明，具体描述了上述实施例，但并不由此限制 其它实施例。因此，可以在不改变本发明的主旨的范围内进行替换。例 如，可以将本发明配置成可通过在例如SN特性或磁化特性方面对绝缘监 测元件进行测量来测量磁头元件的特性。
权利要求
1、一种晶片，所述晶片包括多个磁头元件，所述磁头元件具有上磁层；下磁层，所述下磁层与所述上磁层电连接；绝缘层，所述绝缘层位于所述上磁层与所述下磁层之间；以及由导电材料构成的线圈层，所述线圈层形成在所述绝缘层中；和至少一个磁头监测元件，所述磁头监测元件具有上磁层；下磁层；绝缘层，所述绝缘层位于所述上磁层与所述下磁层之间；以及由导电材料构成的线圈层，所述线圈层形成在所述绝缘层中，所述磁头监测元件的所述上磁层与所述下磁层电隔离。
2、 根据权利要求l所述的晶片，在所述磁头监测元件中，所述绝缘层将所述磁头监测元件的所述上磁层与所述线圈层相隔离。
3、 根据权利要求l所述的晶片，在所述磁头监测元件中，所述磁头监测元件的所述线圈层与所述下磁层相隔离。
4、 根据权利要求1所述的晶片，在所述磁头监测元件中，所述线圈层包括上线圈层和下线圈层；并且所述绝缘层将所述磁头监测元件的所述上线圈层与所述下线圈层相隔离。
5、 一种用于对晶片上的磁头元件的绝缘进行监测的绝缘特性监测方法，该绝缘特性监测方法包括以下步骤磁头元件设置步骤，其在所述晶片上设置多个磁头元件，所述多个 磁头元件中的每一个都具有 上磁层；下磁层，所述下磁层与所述上磁层电连接；绝缘层，所述绝缘层位于所述上磁层与所述下磁层之间；以及由导电材料构成的线圈层，所述线圈层形成在所述绝缘层中；和磁头监测元件设置步骤，其设置至少一个磁头监测元件，所述磁头 监测元件具有上磁层； 下磁层；绝缘层，所述绝缘层位于所述上磁层与所述下磁层之间；以及由导电材料构成的线圈层，所述线圈层形成在所述绝缘层中， 所述磁头监测元件的所述上磁层与所述下磁层电隔离；以及 测量步骤，其对所述磁头监测元件的绝缘特性进行测量，以对所述 多个磁头元件的绝缘进行监测。
6、 根据权利要求5所述的绝缘特性监测方法，在所述测量步骤中， 对所述磁头监测元件的所述上磁层与所述下磁层之间的绝缘特性进行测
7、 根据权利要求5所述的绝缘特性监测方法，在所述磁头监测元件 设置步骤中，由所述绝缘层将所述磁头监测元件的所述上磁层与所述线 圈层相隔离；并且所述测量步骤对所述磁头监测元件的所述上磁层与所述线圈层之间 的绝缘特性进行测量。
8、 根据权利要求5所述的绝缘特性监测方法，在所述磁头监测元件 设置步骤中，由所述绝缘层将所述磁头监测元件的所述线圈层与所述下 磁层相隔离；并且所述测量步骤对所述磁头监测元件的所述线圈层与所述下磁层之间 的绝缘特性进行测量。
9、根据权利要求5所述的绝缘特性监测方法，在所述磁头监测元件设置步骤中，所述线圈层包括上线圈层和下线圈层，由所述绝缘层将所述磁头监测元件的所述上线圈层与所述下线圈层相隔离；并且所述测量步骤对所述磁头监测元件的所述上线圈层与所述下线圈层之间的绝缘特性进行测量。
全文摘要
本发明涉及晶片和绝缘特性监测方法，提供了一种对形成在晶片上的多个磁头元件的电绝缘进行测量的绝缘特性测量方法。所述多个磁头元件中的每一个都包括上磁极层、下磁极层、布置在所述上磁极层与所述下磁极层之间的多个绝缘层、以及由导电材料形成并设置在所述多个绝缘层之间的线圈层。在所述多个磁头元件中的至少一个中，上磁极层与下磁极层相互电绝缘，并且该元件的上磁极层、下磁极层以及线圈层分别连接到用于对绝缘进行测量的多个电极的端子。通过这些电极来测量磁头元件的绝缘特性。因此可以测量是否确保了这些磁头元件的需要彼此绝缘的多个层之间的绝缘。
文档编号G11B5/39GK101174418SQ200710107740
公开日2008年5月7日 申请日期2007年4月28日 优先权日2006年10月30日
发明者小野隆英, 笕正弘 申请人:富士通株式会社