专利名称：源极端感测的渗入电流系统的制作方法
技术领域：
本发明是关于存储装置的感测电路，特别是关于如此装置的源极端感测电路。
背景技术：
现今存在许多利用电荷储存存储单元型态的非挥发存储器，包括存储单元储存电 荷于一场效应晶体管的通道与栅极之间。所储存的电荷数量影响了晶体管的临界电压，其 可以被感测以指示资料。一种型态的电荷储存存储单元被称为浮动栅极存储单元。在浮动栅极存储单元 中，电荷被储存在一电性导电层介于场效应晶体管的通道与栅极之间。临界电压的改变由 施加一合适的电压于此存储单元自此电性导电层储存或移除电荷。另一种型态的存储单元 被称为电荷捕捉存储单元，其使用一介电电荷捕捉层取代浮动栅极。在读取操作中，施加合适的电压以自此存储单元的漏极端诱发电流至源极端。此 电流取决于晶体管的临界电压，因此指示储存于其中的资料。读取一所选取存储单元的资料系利用感测流入漏极端(“漏极端感测”)的电流或 是感测自源极端(“源极端感测”)流出的电流来进行。在漏极端感测中，此所选取存储单元的漏极终端连接的一资料线(如位线)与一 感测电路耦接。施加合适的电压至此存储单元以自资料线诱发一电流经过源极端至此存储 单元的漏极终端。此感测电路感测资料线由此存储单元导入的电流，且将此感测的电流与 一合适的参考值作比较以决定储存于此存储单元中的资料。可参阅，举例而言，美国专利第 7，295，471,6, 272，043,7, 339，846,6, 731，452 及 6，771，543。漏极端感测的表现缺点可以 包括相对慢的读取速度及高功率消耗。在源极端感测中，此所选取存储单元的源极终端连接的一资料线与一感测电路耦 接。施加合适的电压至此存储单元以诱发一读取电流自此存储单元的漏极终端经过源极终 端而进入资料线。此感测电路在资料线感测读取电流，且将此感测电流与一合适的参考值 作比较以决定储存于此存储单元中的资料。此读取电流可以使用此读取电流在此感测电路的一感测放大器的感测节点来对 一等效负载电容充电而被感测。感测输入的电压改变与读取电流相关，且因此指示储存于 此所选取存储单元中的资料。
在源极端感测中，此感测放大器的感测输入与此存储单元的源极终端耦接。其结 果会造成此源极端感测一特定的问题，此源极终端的电压也会增加一个与读取电流相关的 一数量。在源极终端增加的电压会减少漏极至源极的电压且会增加此所选取存储单元的主 体效应。如此会减少由此存储单元提供的读取电流。阵列中存储单元的临界电压会随着操作环境的变动及材料和工艺的变动而产生 变动。此变动会造成阵列间储存相同资料时读取电流的变动，包括因为源极电压增加所导 致的读取电流改变的差值。因此，具有源极电压增加的一数量与读取电流相关，结果会是感 测放大器的感测输入的电压或电流一个较广的分布，其增加了感测所需的时间及感测电路的复杂程度。
因此，需要提供一种源极端感测电路，其可以解决在读取时因为源极电压变动所 产生的问题，及操作此种电路的方法。
发明内容
本发明的目的是提供一种源极端感测的渗入(sink current)电流系统。为实现上述目的，本发明所描述的源极端感测技术根据自此存储单元源极终端所 读取的电流与自该读取电流所导入的渗入电流之间的差值来决定储存于存储单元中的资 料值。此渗入电流是响应由一例如是参考单元所提供的一参考电流源的参考电流的大小而 导入。使用读取电流与渗入电流之间的差值，而不是整个读取电流，会减少在感测操作 时存储单元源极终端的电压变动。如此则会在此阵列中的存储单元之间进行源极端感测时 减少读取电流的变动。其结果是，于此阵列间存储单元中的感测节点的电压或电流分布会 变得较为紧缩。此处所描述的存储装置包括一存储阵列可自该存储阵列中的一选取存储单元的 一源极端点提供一读取电流至一资料线，一参考电流源可提供一参考电流，一与该资料线 耦接的渗入电流源，该渗入电流源可响应该参考电流的一大小而自该资料线导入一渗入电 流。此存储装置还包括感测放大电路包含一感测节点与该资料线耦接。该感测放大电路响 应于该读取电流与该渗入电流之间的一差值，而产生一用来指示储存于该被选取存储单元 中的一资料值的一输出信号。此存储装置还包括电路用来设置该参考节点的一参考电压，该参考电压与该参考 电流的该大小无关，其中该感测放大电路是响应于该参考节点与该感测节点的电压之间的 一差值而产生该输出信号。在此情况下，到达参考电压所需的时间比使用参考电流来对参 考节点充电来得快，允许较高的操作速度。此处所描述的感测一存储单元的方法包含施加一偏压至该存储单元以自该存储 单元的一源极终端诱发一读取电流，自一参考电流源提供一参考电流，响应该参考电流的 一大小而自该读取电流导入一渗入电流，提供该读取电流与该渗入电流之间的一差值至一 感测节点，以及根据该差值决定储存于该选取存储单元中的一资料值。
本发明的目的、特征和实施例，在下列实施方式的章节中搭配附图被描述，其中图1显示使用源极端感测机制的传统存储装置的示意图。图2为感测放大器的感测输入的电压改变与时间的关系图。图3显示一集成电路的简要方块示意图，在其中包含本发明所描述的使用于一存 储阵列中的存储单元的一源极端感测机制的渗入电流电路。图4显示此存储阵列中的一选取存储单元进行源极端感测的一方法流程图。图5显示渗入电流电路在此存储阵列中的一选取存储单元进行源极端感测时的
一简要示意图。图6显示操作图5中所示的结构的时序图。
图7显示渗入电流电路第一实施例的示意图。图8显示图7实施例中的渗入电流电路与此存储阵列耦接的方块示意图。图9显示渗入电流电路第二实施例的示意图。图10显示渗入电流电路第三实施例的示意图。图11显示渗入电流电路第四实施例的示意图。图12显示渗入电流电路第五实施例的示意图。图13显示渗入电流电路第六实施例的示意图。图14显示渗入电流电路第七实施例的示意图。
具体实施例方式本发明实施例搭配以下图1到图14进行详细描述。 图1显示一传统存储装置100的示意图，在其中使用一源极端感测机制以自选取 存储单元110中读取所储存的资料。此装置100包括一存储单元阵列105，显示于此图中为 一虚拟接地组态。此阵列105包含多条字符线，其包含字符线120-1和120-2在一第一方 向上延伸且与此阵列105中存储单元的栅极终端耦接。这些字符线120-1和120-2与列解 码器/驱动器125电性沟通。此阵列105也包含多条位线130-1和130_2在一第二方向上延伸且与此阵列105 中存储单元的源极和漏极终端耦接。这些位线130-1和130-2与行解码器/驱动器135电 性沟通。存储单元110是此阵列105中存储单元的代表性存储单元。字符线120-2与此存 储单元110中的栅极终端耦接。位线130-2和130-3分别与此存储单元110中的第一导电 终端112和第二导电终端114耦接。此第一导电终端112和第二导电终端114，视流经此存 储单元110上电流方向分别作为存储单元110的源极或漏极终端之一。在读取或感测储存于存储单元110中的一资料时，列解码器/驱动器125是响应 地址信号140而施加读取电压Vi至字符线120-2。行解码器/驱动器135是响应地址信 号140而施加读取电压至位线130-2，且将位线130-3耦接至感测电路160的一输入线 150。施加在字符线120-2和位线130-2的读取电压自漏极终端112诱发一读取电流I。皿 至源极终端114且至位线130-3。此位线130-3上的读取电流经由输入线150提供至一感测放大器170的一感 测输入172。此读取电流在感测放大器170的感测输入172对等效电容器Cumu进行 充电，导致感测电压(CMI)在读取操作持续期间以和读取电流I。·等比例方式改变。因此， 在感测输入172的读取电压假如此被选取存储单元110是在一较低临界状态时会较此被选 取存储单元110是在一较高临界状态时更快地改变。图2为在存储单元110具有两个状态的一操作时感测输入172的电压改变与时间 的关系简要示意图。曲线200显示假如存储单元110是在一较低临界状态时感测输入172 的电压改变，而曲线210显示假如存储单元110是在一较高临界状态时感测输入172的电 压改变。曲线200和210之间的差异会跟随着用以区分此存储单元是在一较低还是较高临 界状态的感测边界的感测区间改变。为了可靠地区分不同的临界状态，必须维持一个相对 大的感测边界。
重新参考图1，一参考电流源180提供一参考电流Ikef至感测放大器170的一参考 输入174。此参考电流Ikef在感测放大器170的参考输入174对等效电容器Cujad2进行充电， 转变参考电流Ikef至一参考电压(Vtkef)。图2中的曲线220显示第二输入174的电压改变 与时间的关系。一个感测致能信号SEN 施加至感测放大器170以定义此被选取存储单元110读取 操作时的感测区间。此感测放大器170响应输入172和174之间的电压差而产生一输出用 来指示储存于被选取存储单元110中的资料值。因为感测输入172与存储单元110的源极终端114耦接，此源极终端114上的电 压也会增加一个与读取电流相关的数量。此源极终端114上的电压增加减少了漏极至 源极电压且增加了此存储单元110的本体效应，其因此会降低读取电流ICE『因为操作的环境变动的关系，也会因为材料及工艺条件变动的关系，此存储单元 的临界电压会在阵列105之间变动。此变动会造成阵列105间储存相同资料时读取电流 I·的变动，包括因为源极电压增加所导致的读取电流I·改变的差值。因此，具有源极电 压增加的一数量与读取电流相关，结果会是感测输入172的电压或电流一个较广的分 布，其增加了感测所需的时间及复杂程度。图3显示一集成电路300的简要方块示意图，在其中包含本发明所描述的使用于 一存储阵列320中的存储单元的一源极端感测机制的渗入电流电路310。列解码器322与多条沿着此存储阵列320列方向上排列的字符线324耦接。行解 码器326与多条沿着此存储阵列320行方向上排列的位线328耦接，以自此阵列320的存 储单元中读取和程序化资料。在区块330中的感测放大器及资料输入结构在此范例中经由 资料总线332与行解码器326耦接。此存储阵列320中的存储单元可以串连地、平行地或 是虚拟接地的方式排列。会于以下更详细地描述，渗入电流电路310与资料总线332耦接以在此阵列320 中的存储单元进行源极端感测时响应一参考电流Ikef而导入一渗入电流ISINK。此渗入电流 电路310也会提供一参考电压Vtkef至区块330中的感测放大器的参考输入在此阵列320中 的存储单元进行源极端感测时。在此例示实施例中，使用一参考阵列340中参考单元所产生的参考电流Ikef经由 行解码器342与总线346提供给渗入电流电路310。替代地也可以使用其它的技术来产生 参考电流IKEF。举例而言，参考电流Ikef可以由根据超过一个以上的参考单元的参考电流。列解码器344与沿着此参考阵列340列方向上排列的字符线345耦接。行解码器 342与沿着此参考阵列340行方向上排列的位线343耦接。在此例示实施例中，参考阵列 340与存储阵列320是分开的，且包括分别的列及行解码器344、342。替代地，参考阵列340 可以是在存储阵列320中的一部分，且在阵列320、340中分享解码器。于此阵列320中一选取存储单元进行源极端感测时，读取电流Ie皿与渗入电流 Isiffi之间的电流差提供至一感测节点，因此于此感测节点上设置一电流或电压。方块330中 的感测放大器具有一感测输入与此感测节点耦接，且会响应此感测节点上的电流或电压而 产生用来指示储存于该选取存储单元中的资料的一输出信号。因为感测放大器的感测输入的电压系根据读取电流Ic皿与渗入电流Ism之间的 电流差，而不是整个读取电流所选取存储单元中源极终端的电压变动会减少。如此则会在此阵列320中的存储单元进行源极端感测时减少读取电流I。·的变动。其结果是，于 此阵列间方块330中的感测放大器的感测输入的电压或电流分布会变得较为紧缩。
地址是通过总线350提供至行解码器326、342及列解码器322、344。资料是由集 成电路300上的输入/输出端口通过资料输入线352传送至方块330的资料输入结构。在 此例的实施例中，其它电路360也包括在此集成电路300内，例如通用目的处理器或特殊用 途电路，或是由此存储阵列所支持的组合模块以提供单芯片系统功能。资料是由方块330 中的感测放大器，通过资料输出线354，传送至集成电路300上的输入/输出端口或其它集 成电路300内或外的资料目的地。此集成电路300包含控制器369以读取、程序化和抹除存储阵列320与参考阵列 340中的存储单元。此控制器369，在此范例中为一偏压调整状态机构，控制由区块368中产 生的偏压调整供应电压或提供至区块368中的读取、程序化或抹除电压。此控制器369的应 用可以使用，业界所熟知的技术，如特殊目的逻辑电路来实施。在另一实施例中，该控制器 369包含一通用目的处理器，其可以实施在相同集成电路上，其执行一计算机程序以控制该 装置的操作。在另一实施例中，特殊目的逻辑电路和一通用目的处理器的组合可以被用来 实施该控制器369。图4显示此存储阵列320中的一选取存储单元进行源极端感测的一方法400流程 图。可以理解的是图4中的某些方块可以被合并或是部份执行而不会影响了所欲达成的功 效。在方块410，施加一读取偏压至该被选取的存储单元以自该被选取的存储单元的 一源极终端诱发一读取电流IeE『在方块420，自一参考电流源提供一参考电流IKEF。在图3的例示实施例中，此参 考电流Ikef是来自参考阵列340中的参考单元。参考电流Ikef因此由施加合适的偏压电压 至此参考单元以诱发一参考电流Ikef而提供。在方块430，渗入电流电路310响应该参考电流Ikef的一大小而自该读取电流 导入一渗入电流ISINK。在方块440，提供该读取电流ICEll与该渗入电流Isiffi之间的一差值至一与方块330 中的感测放大器的感测输入耦接的感测节点。在方块450，根据读取电流Ι。·与该渗入电流Isiffi之间的该差值决定储存于该被 选取存储单元中的一资料值。图5显示渗入电流电路310在此存储阵列320中的一被选取存储单元510进行源 极端感测时的一简要示意图。如图5中所示，字符线324a与所选取存储单元510的栅极耦接。位线328a与漏 极终端511耦接，而位线328b与源极终端512耦接。于源极端感测时，行解码器326将位 线328b与资料线332a耦接。在此例示中，渗入电流电路310接收资料线332a上由参考阵列340的参考单元 560所提供的参考电流IKEF。如之前所讨论过的，替代地也可以使用其它技术来提供参考电 流IKEF。位线343a与参考单元560的漏极终端561耦接，而位线343b与源极终端562耦 接。于源极端感测时，行解码器342将位线343b与资料线346a耦接。此渗入电流电路310包括渗入电流源520与资料线332a耦接。渗入电流源520自读取电流导入该渗入电流ISIffi。此渗入电流Isiffi具有一大小其为参考电流Ikef大小 的一函数关系。在此处所描述的实施例中，渗入电流源520是利用一电流镜，且因此具有一 大小其直接正比于参考电流Ikef的大小。举例而言，渗入电流Isink的一大小可以大致与参 考电流Ikef大小相当。或是替代地使用其它的技术来实施渗入电流源520。举例而言，渗入 电流Isink的一大小可以与参考电流Ikef大小成反比。此渗入电流电路310也具有一输出522提供一参考电压VtkefW偏压参考节点595。 此参考节点595与感测放大器570的参考电压TREF输入574耦接。感测电流Isense,其为读取电流与该渗入电流Isink之间的一差值，提供至一感 测节点590。此感测节点590与感测放大器570的感测输入CMI572耦接。此感测电流Isense是由将等效负载电容Clradl充电而转换成感测节点590的一电压。 感测放大器570是响应感测节点590耦接至感测输入CMI572的电压，与参考节点595耦接 至的参考输入574电压之间的差值，而产生用来指示储存于该选取存储单元510中的临界 状态的一输出信号576。因为感测放大器570的感测输入CMI 572的电压系与读取电流I·和该渗入电流 Isiffi之间的差值而不是整个渗入电流Isink相关，所选取存储单元510中源极终端512的电 压变动会减少。如此则会在此阵列320中的存储单元进行源极端感测时减少读取电流Ie皿 的变动。其结果是，于感测放大器的感测输入572的电压分布会变得较为紧缩。此外，使用渗入电流电路310来偏压参考节点595，而不是使用参考电流Ikef来将 等效负载电容Clt5ad2充电，允许较高的操作速度。当使用参考电流Ikef来对参考节点595充电时，到达一参考电压所需的时间与此 参考单元的临界电压相关联。因此，感测操作必须在参考节点取得参考电压值的一段时间 之后才进行。使用渗入电流电路310来偏压参考节点595，到达参考电压所需的时间比使用 参考电流Ikef来对参考节点595充电来得快。图6显示操作图5中所示的结构以使用此处所描述的源极端感测技术来感测储存 在此所选取存储单元510中的资料值的一时序图。可以理解的是，图6中的时序图是经过 简化的且并未等比例绘示。在时间Tl，列解码器322响应地址信号而施加一读取偏压Vmad至与该被选取 的存储单元510栅极耦接的字符线324a，行解码器326响应地址信号而施加一读取偏压 VBL_EEAD至与该被选取的存储单元510漏极终端511耦接的位线328a，及将位线328b与资料 线332a耦接。施加至字符线324a及位线328a的偏压诱发一读取电流Ie皿自漏极终端511 至源极终端512，且进入位线328b与资料线332a。列解码器344响应地址信号而施加一读取偏压Vmf至与该被选取的参考单元 560栅极耦接的字符线345a，行解码器342响应地址信号而施加一读取偏压VBMiEF至与该被 选取的参考单元560漏极终端561耦接的位线343a，及将位线343b与资料线346a耦接。施 加至字符线345a及位线343a的电压诱发一参考电流Ikef自漏极终端561至源极终端562， 至位线343b而进入字符线346a，及进入渗入电流电路310。渗入电流电路310中的渗入电流源520与资料线332a耦接。渗入电流源520响
应该参考电流Ikef的一大小而自该读取电流导入一渗入电流ISIffi。 感测电流Isense，其为该读取电流与该渗入电流Isiffi之间的一差值，提供至感测节点590。感测节点590与感测放大器570的感测输入CMI572耦接。
此感测电流Isense是由将等效负载电容Clradl充电而转换成感测节点590的一电压。 因此，感测节点590与感测输入CMI 572上的电压会较快改变假如此被选取存储单元510 是在一较低临界状态时会较此被选取存储单元510是在一较高临界状态时。在图6中，感 测输入CMI 572上的电压是沿着曲线600假如此被选取存储单元510是在一较低临界状态 时，而会沿着曲线610假如此被选取存储单元510是在一较高临界状态时。虽然在图6中 仅显示两条曲线，但是可以明了的是在多重位操作时会有超过两条以上的曲线。在时间T2，感测放大器570为了响应与感测输入CMI 572耦接的感测节点590，及 与参考输入574耦接的参考节点上的参考电压Vtkef两者之间的电压差，会产生用来指示该 选取存储单元510中的临界状态。在图6中，Vout是一第一电压620假如此被选取存储单 元510是在一较低临界状态时，而是一第二电压630假如此被选取存储单元510是在一较 高临界状态时。在此例示实施例中，此感测操作决定此存储单元510是在两种状态的一。更一般 的说，此处所描述的感测操作可以用在多位存储单元被程序化至超过两种临界电压状态 时。举例而言，在多重位的实施例中，可以使用多个参考电流或参考电压。图7显示渗入电流电路310第一实施例的示意图。此渗入电流电路310包括一运 算放大器700用来偏压参考电压Vtkef的参考节点595。此运算放大器700具有一第一输入 702与地耦接及具有一第二输入704与参考节点595耦接。其结果是，在参考节点595的参 考电压Vtkef由运算放大器700对地偏压，且参考电压Vtkef与参考电流Ikef无关。在此实施 例中，参考电压Vtkef是地。替代地，其它的偏压或技术也可以用来偏压参考节点595。供应电压Vdd和负升压电路(negative charge pump) 703提供偏压电压至运算放 大器700。在此实施例中的渗入电流源520是利用连接成电流镜安排的晶体管710和720构 成。晶体管710具有一第一导通终端与资料线346a及参考节点595连接以接收由参考单 元560所提供的参考电流IKEF。晶体管720具有一第一导通终端与感测节点590连接以响 应该参考电流Ikff的一大小而自该读取电流导入一渗入电流ISIffi。晶体管710和720的第二导通终端共同连接至运算放大器700的输出。晶体管710 和720的栅极共同连接至一设置晶体管730。于进行感测操作的前，设置信号732开启设置 晶体管730以偏压晶体管710和720的栅极至一合适的偏压电压。在此例示实施例中，晶 体管710和720的栅极被偏压至地。替代地，也可以使用其它的偏压。在图7中也显示放电晶体管750和760与资料线346a及感测节点590耦接。放 电晶体管750和760的栅极共同耦接至一放电信号755以将参考节点595及感测节点590 在进行感测操作的前接地。如图8所示的示意图中，晶体管710可以连接至渗入电流电路310中的一电流镜 安排的中的每一个晶体管720-0到720-n。晶体管720-0到720_n是响应通过晶体管710 的该参考电流Ikef的一大小而自区块330中的n+1个感测放大器每一个的各自的感测输入 CMIO到CMIn导入渗入电流Isim到ISINKn。图8中也显示，运算放大器700提供参考电压 Vteef至区块330中的n+1个感测放大器每一个的参考输入。替代地，其它的组态也可以用 来感测放大器的参考输入，以自感测输入导入渗入电流及提供参考电流。
图9显示渗入电流电路310第二实施例的示意图。在图9中省略了图7中的设置 晶体管730，且晶体管710为二极管连接方式。图10显示渗入电流电路310第三实施例的示意图。在图10中，与二极管连接的 晶体管IOlOa和IOlOb安排成串连以导入参考电流IKEF。晶体管1020a和1020b的栅极各 自与二极管连接方式的晶体管IOlOa和IOlOb耦接，响应该参考电流Ikef的一大小而自晶 体管1020a和1020b导入渗入电流ISIffi。图11显示渗入电流电路310第四实施例的示意图。串连安排的晶体管IllOa和 IllOb导入由参考单元提供的参考电流IKEF。晶体管IllOa的栅极与一合适的偏压电压VBias 1130耦接，且晶体管IllOb的栅极与由运算放大器700提供参考电压Vtkef耦接。晶体管 1120a和1120b的栅极各自与晶体管IllOa和IllOb的栅极耦接。响应该参考电流Ikef的 一大小串连安排的晶体管1120a和1120b导入渗入电流ISIffi。图12显示渗入电流电路310第五实施例的示意图。在图12中，运算放大器700 的第一输入702是使用放电晶体管1200选择性地与一偏压电压(在此例中为地)耦接。图13显示渗入电流电路310第六实施例的示意图。在图13中，省略了图7中的 设置晶体管730，且晶体管710的栅极直接与地耦接。图14显示渗入电流电路310第七实施例的示意图。在图14中，晶体管710使用 设置晶体管1400选择性地变成二极管连接方式。于执行感测操作的前，设置信号1402开 启晶体管1400以偏压晶体管710和720的栅极至参考电压VTKEF。于执行感测操作时，设置 信号1402关闭晶体管1400，如此晶体管710和720的栅极在感测操作时是浮接的。 虽然本发明已参照实施例来加以描述，然而本发明并未受限于其详细描述内容。 替换方式及修改样式已于先前描述中所建议，且其它替换方式及修改样式将为本领域技术 人员所熟悉。特别是，所有具有实质上相同于本发明的构件结合而达成与本发明实质上相 同结果，皆不脱离本发明的精神范畴。因此，所有此等替换方式及修改样式意欲落在本发明 申请的权利要求范围及其均等物所界定的范畴之中。
权利要求
1.一种存储装置，包含一存储阵列，可自该存储阵列中的一选取存储单元提供一读取电流至一资料线；一参考电流源，可提供一参考电流；一与该资料线耦接的渗入电流源，该渗入电流源可响应该参考电流的大小而自该资料 线导入一渗入电流；以及一感测放大电路，其包含一耦接至该资料线的感测节点，且该感测放大电路响应于该 读取电流与该渗入电流之间的差值，而产生一用来指示储存于该被选取存储单元中的资料 值的输出信号。
2.如权利要求1所述的存储装置，其中该感测放大电路包含一参考节点，该感测放大 电路响应于该参考节点的电流或电压与该感测节点的电流或电压之间的一差值，而产生该 输出信号。
3.如权利要求2所述的存储装置，还包含电路用来设定该参考节点的一参考电压，该 参考电压与该参考电流的大小无关。
4.如权利要求3所述的储存装置，其中该用来设定该参考节点上的该参考电压的电路 包含一运算放大器，该运算放大器具有一第一输入与该参考电压耦接且具有一第二输入与 该参考节点耦接。
5.如权利要求1所述的存储装置，其中该参考电流源包含一参考单元。
6.如权利要求1所述的存储装置，其中该渗入电流源包括一电流镜，其与该资料线及 该参考电流源耦接，该电流镜接收该参考电流，且响应于所接收的该参考电流大小而自该 资料线导入该渗入电流。
7.如权利要求6所述的存储装置，其中该电流镜包含一第一晶体管，与该参考电流源耦接，且安排为以接收该参考电流；以及一第二晶体管，与该资料线及该第一晶体管耦接，该第二晶体管能响应于该第一晶体 管所接收的该参考电流大小而自该资料线导入该渗入电流。
8.如权利要求7所述的存储装置，其中各该第一晶体管及第二晶体管包含一控制端及 第一和第二导通端，该第一晶体管的该控制端与该第二晶体管的该控制端耦接，该第一晶 体管的该第一导通端与该参考电流源耦接，且该第二晶体管的该第一导通端与该资料线耦 接。
9.如权利要求8所述的存储装置，其中该第一晶体管及第二晶体管的所述控制端与一 偏压电压耦接。
10.如权利要求8所述的存储装置，其中该第一晶体管的该第一导通端与该第一晶体 管及第二晶体管的所述控制端耦接。
11.如权利要求8所述的存储装置，其中该第一晶体管的该第二导通端与该第二晶体 管的该第二导通端耦接。
12.如权利要求8所述的存储装置，还包含第三晶体管及第四晶体管，各包含一控制端 及第一和第二导通端，该第三晶体管的该控制端与该第四晶体管的该控制端耦接，该第三 晶体管的该第一导通端与该第一晶体管的该第二导通端耦接，且该第四晶体管的该第一导 通端与该第二晶体管的该第二导通端耦接。
13.如权利要求12所述的存储装置，其中该第一晶体管及第二晶体管的所述控制端与该第一晶体管的该第一导通端耦接；以及 该第三晶体管及第四晶体管的所述控制端与该第三晶体管的该第一导通端耦接。
14.如权利要求12所述的存储装置，其中该第一晶体管及第二晶体管的所述控制端与一参考电压耦接；以及 该第三晶体管及第四晶体管的所述控制端与该第一晶体管的该第一导通端耦接。
15.一种感测一存储单元的方法，该方法包含施加一偏压至该存储单元以自该存储单元诱发一读取电流； 自一参考电流源提供一参考电流； 响应该参考电流的大小而自该读取电流导入一渗入电流； 提供该读取电流与该渗入电流之间的一差值至一感测节点；以及 根据该差值决定储存于该存储单元中的一资料值。
16.如权利要求15所述的感测一存储单元的方法，还包含一根据该读取电流与该渗入电流之间的该差值而设定该感测节点上电压的步骤，以及 一偏压一参考节点至一参考电压的步骤，且其中该决定储存于该存储单元中的该资料值的 步骤包含一根据该感测节点的该电压与该参考节点的该参考电压的一差值来决定所储存 的该资料值的步骤。
17.如权利要求16所述的感测一存储单元的方法，其中该决定储存于该存储单元中的 该资料值的步骤包含耦接该感测节点至一感测放大器的一第一输入； 耦接该参考节点至该感测放大器的一第二输入；以及根据该第一输入与该第二输入之间的一电压差值来产生该感测放大器的一输出信号， 该输出信号指示储存于该存储单元中的该资料值。
18.如权利要求16所述的感测一存储单元的方法，其中该参考电压与该参考电流的大 小无关。
19.如权利要求15所述的感测一存储单元的方法，其中该提供该参考电流的步骤包含 施加一偏压至一参考单元以自该参考单元中诱发该参考电流。
20.如权利要求15所述的感测一存储单元的方法，其中该响应该参考电流的大小而自 该读取电流导入一渗入电流的步骤包含将一电流镜与该参考电流源耦接，且该电流镜可接 收该参考电流，且可响应所接收的该参考电流大小而自该读取电流导入该渗入电流。
全文摘要
本发明描述的源极端感测技术，是根据自此存储单元源极终端所读取的电流与自该读取电流所导入的渗入电流之间的差值来决定储存于存储单元中的资料值。响应由一例如是参考单元所提供的一参考电流源的参考电流的大小而导入此渗入电流。
文档编号G11C7/06GK102044286SQ201010275080
公开日2011年5月4日 申请日期2010年9月6日 优先权日2009年10月9日
发明者洪俊雄, 陈汉松, 陈重光 申请人:旺宏电子股份有限公司