专利名称：电流检测电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种检测电路，尤指一种用于一次可编程只读存储器的电流检测 电路。
背景技术：
只读存储器(Read-Only Memory, ROM)是一种只能读出事先所存数据的固态半导 体存储器。其内所存数据，一般是装入整机前事先写好的，整机工作过程中只能读出，而不 像随机存储器那样能快速地、方便地加以改写。只读存储器所存数据稳定，断电后所存数据 也不会改变，其结构较简单，读出较方便，因而常用于存储各种固定程序和数据。一次可编程只读存储器(One Time Progarmming ROM, 0TP-R0M)为只读存储器中 的一种，其只能写入一次。为了了解存储器中存储数据的情况，有必要提供一种可以检测出 存储器中是否存储数据的电流检测电路，而传统的电流检测电路往往结构比较复杂。
发明内容鉴于以上内容，有必要提供一种用于一次可编程只读存储器的电流检测电路。一种电流检测电路，用于检测一存储单元中的数据存储情况，所述电流检测电路 包括一连接所述存储单元的检测电流输入端、一基准电流端、一与所述检测电流输入端相 连的第一开关元件、一与所述基准电流端相连的第二开关元件、一与所述第一开关元件及 所述第二开关元件相连的运算放大器及一与所述第一开关元件及所述第二开关元件相连 的比较器，所述电流检测电路根据所述比较器输出的电平高低判断所述存储单元中是否存 储数据。优选地，所述第一开关元件为一第一场效应管，所述第二开关元件为一第二场效应管。优选地，所述第一场效应管的漏极连接所述检测电流输入端，所述第二场效应管 的漏极连接所述基准电流端，所述第一场效应管与所述第二场效应管的栅极共同连接所述 运算放大器，所述第一场效应管与所述第二场效应管的源极共同连接一接地端。优选地，所述运算放大器的一反相输入端连接一基准电压端，所述运算放大器的 一正相输入端及所述第一场效应管的漏极共同连接所述检测电流输入端，所述运算放大器 的一输出端连接所述第一场效应管与所述第二场效应管的栅极。优选地，所述比较器的一反相输入端、所述第一场效应管的漏极及所述运算放大 器的正相输入端共同连接所述检测电流输入端，所述比较器的一正相输入端及所述第二场 效应管的漏极共同连接所述基准电流端。优选地，如果所述存储单元中存储有数据，所述检测电流输入端的电流大小大于 所述基准电流端的电流大小，所述比较器输出一低电平电压。优选地，如果所述存储单元中没有存储数据，所述检测电流输入端的电流大小小 于所述基准电流端的电流大小，所述比较器输出一高电平电压。[0012]相对现有技术，本实用新型电流检测电路根据输出的电平高低来判断存储器中是 否存储数据，结构简单，使用方便。
图1为本实用新型电流检测电路较佳实施方式的电路图。
具体实施方式
请参阅图1，本实用新型电流检测电路较佳实施方式包括一检测电流输入端IDET、 一基准电流端Ikef、一与该检测电流输入端Idet相连的第一开关元件、一与该基准电流端Ikef 相连的第二开关元件、一运算放大器ΟΡΑ、一比较器CMP、一基准电压端Vkef、一输出端Vott及 一接地端GND。其中，该检测电流输入端Idet与一存储器的一存储单元相连接。在本实施方式中，该第一开关元件为一第一场效应管Μ1，该第二开关元件为一第 二场效应管Μ2，且第一场效应管Ml及第二场效应管Μ2均为N型场效应管(NMOS)。在其他 实施方式中，开关元件可根据需要变更为能够实现同样功能的其它开关元件或电路。该电路的具体连接关系如下该检测电流输入端Idet与该第一场效应管Ml的漏 极、该运算放大器OPA的一正相输入端及该比较器CMP的一反相输入端相连，该基准电流端 Ieef与该第二场效应管Μ2的漏极及该比较器CMP的一正相输入端相连。该第一场效应管 Ml与该第二场效应管Μ2的源级共同连接该接地端GND。该运算放大器OPA的一反相输入 端连接该基准电压端Vkef，该运算放大器OPA的一输出端连接该第一场效应管Ml与该第二 场效应管Μ2的栅极。该比较器CMP的一输出端连接该输出端VQUT。该运算放大器OPA使得该第一场效应管Ml的漏极电压与该基准电压端Vkef的电压 相等，为存储单元提供了一个合适的电压偏置，同时该运算放大器OPA的输出端连接该第 一场效应管Ml与该第二场效应管M2的栅极，使得第一场效应管Ml与第二场效应管M2成为 镜像关系，为第一场效应管Ml与第二场效应管M2提供了合适的电压偏置。该第一场效应 管Ml用于读取该检测电流输入端Idet的电流大小，该第二场效应管M2用于读取该基准电流 端Ikef的电流大小。当存储单元中存储有数据时，则该检测电流输入端Idet的电流大小将大 于该基准电流端Ikef的电流大小；当存储单元中没有存储数据时，则该检测电流输入端Idet 将无电流流过或该检测电流输入端Idet的电流大小小于该基准电流端Ikef的电流大小。当该第一场效应管Ml与该第二场效应管M2读取到该检测电流输入端Idet的电流 大小大于该基准电流端Ikef的电流大小时，则该比较器CMP的反相输入端的电压大于正相 输入端的电压，从而使得该比较器CMP的输出端输出一低电平电压至该输出端VOT，从而证 明存储器的存储单元中存储有数据；当该第一场效应管Ml与该第二场效应管M2读取到该 检测电流输入端Idet的电流大小小于该基准电流端Ikef的电流大小时，则该比较器CMP的反 相输入端的电压小于正相输入端的电压，从而使得该比较器CMP的输出端输出一高电平电 压至该输出端VOT，从而证明存储器的存储单元中没有存储数据。该电流检测电路根据输出端Vtm输出的电平高低来检测存储器中是否存储数据， 检测速度较快、功耗较低，且结构简单、使用方便。
权利要求一种电流检测电路，用于检测一存储单元中的数据存储情况，其特征在于所述电流检测电路包括一连接所述存储单元的检测电流输入端、一基准电流端、一与所述检测电流输入端相连的第一开关元件、一与所述基准电流端相连的第二开关元件、一与所述第一开关元件及所述第二开关元件相连的运算放大器及一与所述第一开关元件及所述第二开关元件相连的比较器，所述电流检测电路根据所述比较器输出的电平高低判断所述存储单元中是否存储数据。
2.如权利要求1所述的电流检测电路，其特征在于所述第一开关元件为一第一场效 应管，所述第二开关元件为一第二场效应管。
3.如权利要求2所述的电流检测电路，其特征在于所述第一场效应管的漏极连接所 述检测电流输入端，所述第二场效应管的漏极连接所述基准电流端，所述第一场效应管与 所述第二场效应管的栅极共同连接所述运算放大器，所述第一场效应管与所述第二场效应 管的源极共同连接一接地端。
4.如权利要求3所述的电流检测电路，其特征在于所述运算放大器的一反相输入端 连接一基准电压端，所述运算放大器的一正相输入端及所述第一场效应管的漏极共同连接 所述检测电流输入端，所述运算放大器的一输出端连接所述第一场效应管与所述第二场效 应管的栅极。
5.如权利要求4所述的电流检测电路，其特征在于所述比较器的一反相输入端、所述 第一场效应管的漏极及所述运算放大器的正相输入端共同连接所述检测电流输入端，所述 比较器的一正相输入端及所述第二场效应管的漏极共同连接所述基准电流端。
6.如权利要求1所述的电流检测电路，其特征在于如果所述存储单元中存储有数据， 所述检测电流输入端的电流大小大于所述基准电流端的电流大小，所述比较器输出一低电 平电压。
7.如权利要求1所述的电流检测电路，其特征在于如果所述存储单元中没有存储数 据，所述检测电流输入端的电流大小小于所述基准电流端的电流大小，所述比较器输出一 高电平电压。
专利摘要一种电流检测电路，用于检测一存储单元中的数据存储情况，所述电流检测电路包括一连接所述存储单元的检测电流输入端、一基准电流端、一与所述检测电流输入端相连的第一开关元件、一与所述基准电流端相连的第二开关元件、一与所述第一开关元件及所述第二开关元件相连的运算放大器及一与所述第一开关元件及所述第二开关元件相连的比较器，所述电流检测电路根据所述比较器输出的电平高低判断所述存储单元中是否存储数据。该电路检测速度较快、功耗较低，且结构简单、使用方便。
文档编号G11C16/06GK201707928SQ20102024273
公开日2011年1月12日 申请日期2010年6月30日 优先权日2010年6月30日
发明者何忠波 申请人:四川和芯微电子股份有限公司