磁性记录介质的制造方法及其装置制造方法

磁性记录介质的制造方法及其装置制造方法
【专利摘要】本公开提供了一种磁性记录介质的制造方法和装置。在被层积体上按顺序形成磁性记录层、保护层、以及润滑层，在使形成了所述保护层后的所述被层积体不与大气接触的状态下，用气相润滑成膜方法形成所述润滑层，当所述保护层成膜时的工艺气体压力为Ｐ1，所述润滑层成膜时的工艺气体压力为Ｐ2时，在从形成所述保护层后到形成所述润滑层之间的所述被层积体的运送路线上，设置满足Ｐ3＞Ｐ1、且Ｐ3＞Ｐ2的关系的气体压力Ｐ3的区域。根据本发明方法和装置，可以防止所形成的层的质量的下降，同时提高生产率。
【专利说明】磁性记录介质的制造方法及其装置
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及磁性记录介质的制造方法及其装置。
【背景技术】
[0002]近年来，磁性记录装置搭载于个人计算机、视频录像机、数据服务器等各种各样的产品上，其重要性不断增加。磁性记录装置是具有通过磁性记录保存电子数据的磁性记录介质的装置，例如，包括磁盘装置、软盘设备、磁带装置等。磁盘装置例如包含硬盘驱动器(HDD:Hard Disk Drive)等。
[0003]—般的磁性记录介质具有例如在非磁性基板上按顺序成膜基础层、中间层、磁性记录层和保护层，并在保护层的表面涂敷润滑层而成的多层膜层积结构。为了防止在形成磁性记录介质的各层之间混入杂质等，在制造磁性记录介质的制造时使用能在减压状态下连续层积各层的直列式真空成膜装置(例如专利文献I)。
[0004]在直列式真空成膜装置中，具有可在基板上成膜的成膜装置的多个成膜室与进行加热处理的腔室和预备腔室等一起，通过闸阀连接，形成一条成膜生产线。在支架上安放基板，在使其通过成膜生产线期间，在基板上成膜预定的层，制造所希望的磁性记录介质。
[0005]一般地，成膜生产线设置成环状，在成膜生产线上，具有将基板安放到支架上或从基板上拆卸的基板装卸腔室。在成膜腔室间转了一圈的支架被运到基板装卸腔室，将成膜后的基板从支架卸下，同时，在卸下了成膜后的基板的支架上安放新的基板。
[0006]另外，作为在磁性记录介质的表面形成润滑层的方法，有在真空容器内安放磁性记录介质，在真空容器内放入气化润滑剂的气相润滑成膜法(Vapor-Phase Lubrication)(例如、专利文献2)。
[0007]如上所述，以直列式真空成膜装置制造具有多层膜层积结构的磁性记录介质时，例如，使用依据溅射法的真空成膜装置形成磁性记录层，使用依据离子束方法的真空成膜装置形成保护层，使用依据气相润滑成膜法的真空成膜装置形成润滑层。这样，可以在使被层积体不与大气接触的状态下进行从磁性记录层到润滑层的形成工序(或成膜工序)。
[0008]可是，作为形成磁性记录层的工艺气体(或溅射气体)，可以使用氩气，作为形成保护层的工艺气体，可以使用例如碳氢气体、氢气、氩气等，作为形成润滑层的工艺气体，可以使用例如高分子化合物。因此，在相邻的工序磁性记录层形成工序和保护层形成工序之间，由于两个形成工序的工艺气体混合产生的影响比较小。另一方面，另外，在保护层的形成工序和润滑层的形成工序之间，两个形成工序的工艺气体的物理特性差异较大，如两个形成工序的工艺气体混合，会对在两个形成工序中形成的层带来较大的不良影响，使形成的层的质量(或膜的质量)下降。这样，为了防止相邻的形成工序的工艺气体混合导致的层的质量的下降，最好是例如在各形成工序结束后将残留在成膜容器内的工艺气体充分排出。可是，为了将成膜容器内的工艺气体充分排出，必须增加排出时间，而使得直列式真空成膜装置的生产率显著下降。
[0009]现有技术文献[0010]专利文献
[0011]专利文献1:特开平8 - 274142号公报
[0012]专利文献2:特开2004 - 002971号公报

【发明内容】

[0013]在将磁性记录介质的从磁性记录层到润滑层的形成工序在使被层积体不与大气接触的状态下连续进行的制造装置中，为了防止相邻的形成工序的工艺气体混合导致的层的质量下降，在各形成工序结束后最好把成膜容器内残留的工艺气体充分排出。可是，为了充分排出成膜容器内的工艺气体，必须加长排出时间，从而使得磁性记录介质的制造装置的生产率显著下降。因此，现有的磁性记录介质的制造方法和装置很难在防止形成的层的质量下降的同时，提高生产率。
[0014]因此，本发明的目的在于提供一种既能防止层的质量下降，又能提高生产率的磁性记录介质的制造方法和装置。
[0015]根据本发明的一个观点，提供一种磁性记录介质的制造方法，在被层积体上按顺序形成磁性记录层、保护层、以及润滑层，在使形成了所述保护层后的所述被层积体不与大气接触的状态下，用气相润滑成膜方法形成所述润滑层，当所述保护层成膜时的工艺气体压力为P 1，所述润滑层成膜时的工艺气体压力为P 2时，在从形成所述保护层后到形成所述润滑层之间的所述被层积体的运送路线上，设置满足P 3 >P 1、且P 3 >P 2的关系的气体压力P 3的区域。
[0016]根据本公开的磁性记录介质的制造方法和装置，可以在防止形成的层的质量下降的同时，提高生产率。
【专利附图】

【附图说明】
[0017]图1是示例表示本发明的一实施方式的磁性记录介质的制造装置的模式图。
[0018]图2是示例表示由图1的制造装置制造的磁性记录介质的截面图。
[0019]图3是示例表示具有根据本实施方式制造的磁性记录介质的磁性记录装置的构成的立体图。
【具体实施方式】
[0020]以下，参考图面对本发明的各实施方式的磁性记录介质的制造方法和装置进行说明。
[0021]在使用直列式真空成膜装置，制造具有所述多层膜层积结构的磁性记录介质的情况下，作为形成磁性记录层的工艺气体(或溅射气体)，可以使用氩气，作为形成保护层的工艺气体，可以使用例如碳氢气体、氢气、氩气等，作为形成润滑层的工艺气体，可以使用例如高分子化合物。因此，在相邻的工序磁性记录层形成工序和保护层形成工序之间，由于两个形成工序的工艺气体混合产生的影响比较小。另一方面，另外，在保护层的形成工序和润滑层的形成工序之间，两个形成工序的工艺气体的物理特性差异较大，如两个形成工序的工艺气体混合，会对在两个形成工序中形成的层带来较大的不良影响，使形成的层的质量(或膜的质量)下降。这样，为了防止相邻的形成工序的工艺气体混合导致的层的质量的下降，最好是例如在各形成工序结束后将残留在成膜容器内的工艺气体充分排出。
[0022]因此，为了防止这样的层的质量下降，可以考虑在两个形成工序结束后，将成膜容器内残留的工序气体充分排出，此后，打开两个成膜容器之间的闸阀，进行基板的替换。可是，为了将成膜容器内残留的工序气体充分排出，需要加长排出时间，从而使得直列式真空成膜装置的生产率显著下降。
[0023]另外，可以考虑在两个成膜容器之间设置备用的真空容器，增加两个成膜容器之间的距离。可是，根据本发明人的研究发现，即使扩大两个成膜容器之间的距离，两个成膜容器之间只产生一点点工序气体的混合。并且，根据本发明人的研究发现，在运送基板的支架上会附着工序气体，通过支架,产生工序气体的混合。
[0024]因此，在本发明的一实施方式中，在具有按顺序形成磁性记录层、保护层、以及润滑层的多层膜层积结构的磁性记录介质的制造方法和装置中，在被层积体上形成保护层后，在该被层积体不与大气接触的状态下用气相润滑成膜方法形成润滑层，防止在保护层和润滑层之间混入杂质等。使保护层的成膜时的工艺气体压力为P 1，根据气相润滑成膜方法成膜润滑层时的工艺气体压力为P 2时，在形成保护层后至形成润滑层间的被层积体的运送路线上设置气体压力为P 3的区域，使其满足P 3 >P 1、且P 3 >P 2的关系，由此可以防止形成保护层的工艺气体和形成润滑层的工艺气体相混合而导致在两个形成工序中形成的保护层和润滑层的质量的下降。
[0025]也即，在保护层的成膜容器和润滑层的成膜容器之间，设置比两个成膜容器压力高的容器，容器之间的气体从压力高的容器流向低的容器，其结果，可以防止形成保护层的工艺气体和形成润滑层的工艺气体的混合。
[0026]特别地，通过使用惰性气体作为形成气体压力P 3的气体，由于流入保护层的成膜容器和润滑层的成膜容器的气体是惰性气体，可以降低对保护层和润滑层两个层的成膜的影响。
[0027]在本实施方式中，最好气体压力P I在I P a?20 P a的范围内，气体压力P 2在
IP a?50 P a的范围内，气体压力P 3在10 P a?500 P a的范围内，且满足P 3 >P
1、P 3 >P 2的关系。另外，气体压力P 3和气体压力P I的压力差、以及气体压力P 3和气体压力P 2的压力差越大，防止形成保护层的工艺气体和形成润滑层的工艺气体的混合的效果越高，但如气体压力P 3和气体压力P I的压力差太大，则流入各工艺气体的气体的影响变大，保护层和润滑层的质量下降。因此，最好使得气体压力P 3在10 P a?200 Pa的范围内，P 1，P 2，P 3之间的压力差在150 P a以下。
[0028]图1是示例表示本发明的一实施方式的磁性记录介质的制造装置的模式图。图1所示的磁性记录介质的制造装置具有形成到磁性记录介质的保护层的成膜装置101和在保护层的表面上形成润滑层的气相润滑成膜装置102。
[0029]成膜装置101具有通过腔室之间的闸阀G，基板装卸用腔室903、第I拐角腔室904、第I处理腔室905、第2处理腔室906、第2拐角腔室907、第3处理腔室908、第4处理腔室909、第5处理腔室910、第6处理腔室911、第7处理腔室912、第8处理腔室913、第3拐角腔室914、第9处理腔室915、第10处理腔室916、第4拐角腔室917、第11处理腔室918、第12处理腔室919、第13处理腔室920、以及预备腔室921理解成环状的构成。各腔室903?921被多个隔壁包围，具有可成为减压状态的的空间部。[0030]在相邻的腔室之间(例如腔室905和906之间)，设有可高速开闭自如的腔室间闸阀G。所有的闸阀G的开闭动作都在相同时刻进行。这样，可将搬送基板(图中未示)的多个支架925按规律准确地从相互隣接的腔室的一个移动到另一个。
[0031]在第I~第13的处理腔室905，906，908~913，915，916，918~920中，分别具有
基板加热装置(或基板加热器)、成膜装置(或成膜部)、工艺气体供应装置(或氯氟化碳气体供应部)、排出装置(或排出部)等。成膜装置可由例如溅射装置、离子束成膜装置形成。通过气体供应装置和排出装置，可根据需要使工艺气体流动。例如，从第I处理腔室905到第10处理腔室916用于到磁性记录介质的磁性记录层的成膜，第11和第12处理腔室918，919用于保护层的成膜，使这些第11和第12的处理腔室918，919的工艺气体压力作为P I。在该例中，将第13处理腔室920作为预备腔室使用。
[0032]另外，第I~第13的处理腔室905，906，908~913，915，916，918~920的基础压力(到达压力)被设定为例如IX 10-5 P a。
[0033]拐角处腔室904，907，914，917设置在磁性记录介质的成膜装置101的拐角处，将支架925的朝向变更为支架925的前进方向。拐角处腔室904，907，914，917内设定成高真空，在减压环境中使支架925旋转。
[0034]如图1所示,在第I拐角处腔室904和预备腔室921之间，设置有基板装卸用腔室903。基板装卸用腔室903的空间部比其它腔室的空间部大。在基板装卸用腔室903内，设置有两台可装卸基板的支架925。在一台支架925上进行基板的安放，在另一台支架925上进行基板的拆卸。各支架925同时按图1的箭头所示方向被运送。基板装卸用腔室903连接基板搬入用腔室902和基板搬出用腔室922。
[0035]在基板搬入用腔室902内，设置有I台真空机器人111，在基板搬出用腔室922内设置有另I台真空机器人112。真空机器人111，112是运送装置的一个举例。基板搬入用腔室902使用真空机器人111，将基板载放到基板装卸用腔室903内的支架925上。另外，基板搬出用腔室922使用真空机器人112，从基板装卸用腔室903内的支架925上拆下基板。
[0036]基板搬入用腔室902通过腔室之间的闸阀G与气密腔室12连接。基板搬出用腔室922通过腔室之间的闸阀G与气密腔室13连接。各气密腔室12，13的内部可存储多个基板(例如50片)。各气密腔室12，13具有将存储的基板在各气密腔室12，13的两侧传递的功能，各气密腔室12，13的动作是下述处理的重复进行。
[0037](向成膜装置搬入基板)
[0038]向成膜装置101搬入基板由包含以下步骤S I~S 9的处理来实现。
[0039]步骤S 1:关闭间闽G I, G 2。
[0040]步骤s 2:使气密腔室12内成为大气压。
[0041]步骤s 3:打开闸阀G I。
[0042]步骤s 5:通过作为运送装置的一例的基板搬入机器人940将多个基板(例如50片)搬入气密腔室12内。
[0043]步骤s 6:关闭闸阀G I。
[0044]步骤s 7:将气密腔室12内减压为真空。
[0045]步骤s 8:打开闸阀G 2。[0046]步骤s 9:使用真空机器人111，将气密腔室12内的基板安放到基板装卸用腔室903内的支架925上。
[0047](从成膜装置搬出被层积体以及将被层积体搬入气相润滑成膜装置)
[0048]从成膜装置101搬出被层积体以及将被层积体搬入气相润滑成膜装置102是通过包含以下步骤s 11?s 18的处理来实现。
[0049]步骤S 11:关闭间闽G 3，G 4。
[0050]步骤s 12:使气密腔室13内减压为真空。
[0051]步骤s 13:打开闸阀G 3。
[0052]步骤s 14:使用真空机器人112，从基板装卸用腔室903内的支架925上卸下基板，安放到气密腔室12内。
[0053]步骤s 15:当气密腔室12内的基板放满时(例如50片)，则关闭闸阀G 3。
[0054]步骤s 16:是气密腔室13内减压为真空。
[0055]步骤s 17:打开闸阀G 4。
[0056]步骤s 18:使用设置在真空容器内942内的真空机器人941，将气密腔室12内的基板(例如50片)搬入气相润滑成膜装置102。真空机器人941只是运送装置的一个举例。
[0057]回到图1，气相润滑成膜装置102具有通过闸阀G将填充惰性气体的隔离腔室943、气相润滑工序腔室944、气密腔室945、以及运送盒的返回路线腔室947连接的构成。在气密腔室945的旁边，设有用于将形成有润滑层的被层积体搬出的基板搬出机器人946。基板搬出机器人946只是运送装置的一个举例。用于运送多个被层积体(例如50片)的运送盒948在各腔室943?945，947之间移动。
[0058]在本实施方式的磁性记录介质的制造装置中，使气相润滑工序腔室944的工艺气体压力为P 2，填充有惰性气体的隔离腔室943的工艺气体压力为P 3。
[0059]在气相润滑成膜装置102内的被层积体(以下称为基板)等的移动重复以下说明的处理，包含以下步骤s 21?s 38的处理被连续进行。
[0060]步骤s 21:关闭闸阀G 5，G 6。
[0061]步骤s 22:使隔离腔室943内减压到真空。
[0062]步骤s 23:打开闸阀G 5。
[0063]步骤s 24:使用真空机器人941，将气密腔室12内的基板(例如50片)放入隔离腔室943内的运送盒948中。
[0064]步骤s 25:关闭闸阀G 5。
[0065]步骤s 26:向隔离腔室943内放入惰性气体，使内压为P 3。
[0066]步骤s 27:打开闸阀G 6。
[0067]步骤s 28:将隔离腔室943内的运送盒948搬入气相润滑工序腔室944内。
[0068]步骤s 29:在气相润滑工序腔室944内，在运送盒948内的被层积体上形成润滑层。
[0069]步骤s 30:打开闸阀G 7，装有形成有润滑层的被层积体的运送盒948移入气密腔室 945。
[0070]步骤s 31:关闭闸阀G 7。
[0071]步骤s 32:使气密腔室945为大气压。[0072]步骤s 33:打开闸阀G 8。
[0073]步骤s 34:通过基板搬出机器人946取出处理完的被层积体。
[0074]步骤s 35:关闭闸阀G 8。
[0075]步骤s 35:将气密腔室945内减压到真空。
[0076]步骤s 36:打开闸阀G 9。
[0077]步骤s 37:将空的运送盒948通过返回路线腔室947移动到隔离腔室943。另外，返回路线腔室947内被减压为真空。
[0078]步骤s 38:隔离腔室943在减压状态打开闸阀G 10，向隔离腔室943内搬入空的运送盒948。
[0079]图2是示例表示由图1的制造装置制造的磁性记录介质I的截面图。向磁性记录介质I记录数据的记录方式有面内记录方式和垂直记录方式，在本实施方式中，对使用垂直记录方式的磁性记录介质I进行说明。
[0080]磁性记录介质I具有基板100、形成在基板100上的接触层110、形成在接触层110上的软磁性基础层120、形成在软磁性基础层120上的取向控制层130、形成在取向控制层130上的非磁性基础层140、作为形成在非磁性基础层140上的磁性记录层的一个举例的垂直记录层150、形成在垂直记录层150上的保护层160、形成在保护层160上的润滑层170。在本实施方式中，在基板100的两个面分别形成有接触层110、软磁性基础层120、取向控制层130、非磁性基础层140、垂直记录层150、保护层160、和润滑层170。在以下的说明中，根据需要，将在基板100的两个面上层积从接触层110到保护层160的各层的层积结构，也即将在基板100上层积润滑层170以外的各层而形成的层积结构称为层积基板180。另外，在以下的说明中，根据需要，将在基板100的两个面上层积从接触层110到垂直记录层150的各层而形成的层积结构，也即在基板100上形成保护层160和润滑层170以外的各层而成的层积结构称为层积体190。
[0081]在本实施方式中，基板100由非磁性体形成。基板100可使用由例如铝、铝合金等金属材料形成的金属基板，也可使用由例如玻璃、陶瓷、硅、碳化硅、碳等非金属材料形成的非金属基板。另外，也可以将在这些金属基板或非金属基板的表面上，通过例如电镀法或溅射法等形成有N i P层或N i P合金层的基板作为基板100来使用。
[0082]作为玻璃基板，可以使用例如通常的玻璃或结晶玻璃等。作为通常的玻璃，可以使用例如通用的钠钙玻璃、铝硅酸盐玻璃等。另外，作为结晶玻璃，可以使用例如锂离子结晶玻璃等。另外，作为陶瓷基板，可以使用以例如通用的氧化铝、氮化铝、硅氮化物等为主成分的烧结体，或它们的纤维增强材料等。
[0083]如后述那样，基板100与主要成分为C O或F e的软磁性基础层120接触，由于表面的吸附气体或水分的影响、基板成分的扩散等，会加深腐食。因此，在基板100和软磁性基础层120之间最好设置接触层110。另外，作为接触层110的材料，可适当选择例如C r、C r合金、T 1、T i合金等。另外，接触层110的厚度最好为2 nm( 20 A )以上。
[0084]在采用垂直记录方式的情况下，软磁性基础层120用于减少再现记录时的噪音。在本实施方式中，软磁性基础层120具有在接触层110上形成的第I软磁性层121、在第I软磁性层121上形成的隔层122、以及在隔层122上形成的第2软磁性层123。也即，软磁性基础层120具有由第I软磁性层121和第2软磁性层123夹着隔层122的结构。[0085]第I软磁性层121和第2软磁性层123最好由Fe: C ο在40:60?70:30(原子t匕)的范围的材料形成，为了提高磁导率和耐腐蚀性，最好是从在I a tm%?8 a t m%的范围含有由T a、Nb、Z r、C r组成的群中选择一种。另外，隔层122可由R u、R e、C u等形成，最好由R u形成。
[0086]取向控制层130用于通过非磁性基础层140层积的垂直记录层150的晶粒的细微化，以改善再现记录的特性。对形成取向控制层130的材料没有特别地限定，但最好是具有hep结构、fee结构、非晶结构的材料。特别以R u合金、N i合金、C ο合金、P t合金、C u合金形成的材料最好，最好形成将这些合金多层化的多层结构。例如最好从基板100 一侧开始形成N i合金和R U合金的多层结构、C ο合金和R u合金的多层结构、P t合金和R u合金的多层结构。
[0087]非磁性基础层140用于抑制层积在非磁性基础层140上的垂直记录层150的初期层积部的晶体的无序生长，抑制再现记录时的噪音的产生。另外，也可以省略非磁性基础层140。
[0088]在本实施方式中，非磁性基础层140在以C O为主要成分的金属的基础上,最好由包含氧化物的材料形成。非磁性基础层140的C r含有量最好是25原子％?50原子％。作为包含在非磁性基础层140中的氧化物，最好使用例如C r、S 1、Ta、Al、T 1、Mg、C ο等氧化物，特别是最好使用T i O 2、C r 2 O 3、S i O 2等。包含在非磁性基础层140中的氧化物的含有量最好相对于将构成磁性粒子的，例如C ο、C r、P t等合金作为I种化合物算出的m ο I总量,在3 m ο I %以上、且18 m ο I %以下。
[0089]本实施方式的垂直记录层150具有在非磁性基础层140上形成的第I磁性层151、在第I磁性层151上形成的第I非磁性层152、在第I非磁性层152上形成的第2磁性层153、在第2磁性层153上形成的第2非磁性层154、在第2非磁性层154上形成的第3磁性层155。也即，在垂直记录层150中，由第I磁性层151和第2磁性层153夹着第I非磁性层152，由第2磁性层153和第3磁性层155夹着第2非磁性层154。
[0090]第I磁性层151、第2磁性层153和第3磁性层155用于根据来自磁头3的磁能在垂直记录层150的厚度方向上使磁化方向反转，并维持该磁化状态，由此记录数据。另外，这些第I磁性层151、第2磁性层153和第3磁性层155与本实施方式的磁性层相对应。
[0091]第I磁性层151、第2磁性层153和第3磁性层155最好包含以C O为主要成分的金属磁性粒子和非磁性的氧化物,具有由氧化物包围磁性粒子的颗粒型结构。
[0092]形成第I磁性层151、第2磁性层153和第3磁性层155的氧化物最好是例如Cr、S 1、Ta、Al、T 1、Mg、C O 等，特别地最好是 T i O 2、C r 2 O 3、S i O 2 等。另夕卜，在垂直记录层150中，成为最下层的第I磁性层151最好包含由2种以上的氧化物形成的复合氧化物，特别地最好包含Cr203 — S i 02、Cr203 — T i 02、Cr203 —S i O 2 —T i O 2 等。
[0093]另外，适合形成第I磁性层151、第2磁性层153和第3磁性层155的磁性粒子的材料包含例如、90 (C ο 14 C r 18 P t )- 10 (S i O 2) {C r含有量为14原子％、P t含有量为18原子％、将剩余由C ο形成的磁性粒子作为I种化合物算出的摩尔浓度为90m ο I %、由S i O 2形成的氧化物的组成为10 m ο I %},92 (Co 10 C r 16 P t )— 8(SiO 2)、94 (C ο 8 C r 14 Pt 4Nb)— 6(Cr20 3)、(CoCrPt)— (Ta2O5)、(CoCrPt) — (Cr2O3)-(Ti02)、(CoCrPt) — (Cr2O3)-(SiO2), (CoCrPt)-CCr2O 3)- (S i 0 2) - (T i 02)、(CoCrPtMo) —(T i 0)、(CoCrPtW) — (T i 02)、(CoCrPtB) — (Al2 0 3)、(CoCrPt TaNd) — (MgO)、(CoC r P t BCu) — (Y 20 3)、(CoC r P t Ru)—(S
10 2)等化合物。
[0094]第I非磁性层152和第2非磁性层154用于使形成垂直记录层150的第I磁性层151、第2磁性层153和第3磁性层155的各磁性层的磁化反转，并使磁性粒子整体的磁化反转的方差小，由此降低噪音。在本实施方式中在，第I非磁性层152和第2非磁性层154最好包含例如R u和C ο。
[0095]另外，在图2所示的举例中，形成垂直记录层150的磁性层具有3层结构(第I磁性层151、第2磁性层153和第3磁性层155)，但垂直记录层150并不限定于3层结构，也可以有4层以上的多层结构。另外，在该举例中，在形成垂直记录层150的各磁性层(第I磁性层151、第2磁性层153和第3磁性层155)之间设有非磁性层(第I非磁性层152和第2非磁性层154)，但形成垂直记录层150的磁性层不限于这样的构成，例如，可以是将具有不同的组成的2个磁性层重叠设置而成的构成。
[0096]保护层160在抑制垂直记录层150的腐食的同时，在磁头3与磁性记录介质I接触时，还可以防止磁性记录介质I的表面的损伤，因此，用于提高磁性记录介质I的耐腐蚀性。
[0097]保护层160可由公知的保护层材料形成，例如包含C、S i O 2、Z r O 2。保护层160最好由C形成，特别地从保持保护层160的硬度且薄层化的观点出发，最好由非晶状的硬质碳膜或类金刚石碳(D L C:Diamond Like Carbon)形成。另外,保护层160的厚度设为I nm?10 nm，是由于在后面与图3 —起说明的那样，可以缩短磁性记录装置的磁头3和磁性记录介质I之间的距离，对高记录密度有利。
[0098]润滑层170用于抑制在磁头3与磁性记录介质I接触时，磁头3和磁性记录介质I的表面的磨耗，提高磁性记录介质I的耐腐蚀性。润滑层170可由公知的润滑层材料形成，最好由例如全氟聚醚、氟化醇、含氟羧酸等润滑剂形成。润滑层170的厚度设定为I nm?
2n m，是由于在后面与图3 —起说明的那样，可以缩短磁性记录装置的磁头3和磁性记录介质I之间的距离，对高记录密度有利。
[0099]在由气相润滑工序成膜润滑层170时，在90°C?150°C加热上述润滑剂，将润滑剂的蒸汽导入反应容器内，使反应容器内的压力为10 P a左右，被层积体在该反应容器内的暴露时间为10秒左右，可在保护层160的表面上形成I n m左右的润滑层170。
[0100]图3是示例表示具有根据本实施方式制造的磁性记录介质I的磁性记录装置的构成的立体图。
[0101]磁性记录装置50具有磁记录数据的磁性记录介质1、驱动磁性记录介质I旋转的旋转驱动部2、将数据写入磁性记录介质I中且从磁性记录介质I读取被记录的数据的磁头
3、搭载磁头3的磁头支架4、通过磁头支架4相对于磁性记录介质I相对地移动磁头3磁头驱动部5、将处理从外部输入的信息而得到的记录信号输出给磁头3，并将处理来自磁头3的再现信号而得到的信息输出给外部的信号处理部6。
[0102]在图3所示的举例中，磁性记录介质I是圆盘状的磁盘。在磁盘的至少一个面上形成有用于记录数据的磁性记录层，如图2所示，也可以在两个面上形成磁性记录层。另夕卜，在图3所示的例子中，在I台磁性记录装置50上安装多片(该例中为3片)磁性记录介质1，磁性记录介质I的片数只要是I片以上即可。
[0103]以上通过实施方式对磁性记录介质的制造方法和装置进行了说明，但是应当理解，本发明并不限于上述实施方式，在本发明的范围内可以有各种变形和改良。
[0104]实施例
[0105]实施例1
[0106]使用图1的制造装置制造磁性记录介质。首先，将洗净的玻璃基板(柯尼卡美能达公司生产，外形为2.5英寸)安放于图1所示的制造装置的气密腔室12中，接着，由真空机器人111将其放置到支架925上，在该基板表面上形成层积膜。另外，成膜腔室内的最终真空度(基础压力)为1X10 —5 P a。
[0107]接着，在该玻璃基板上，在处理腔室905内且为I P a的氩气压力下，使用60 Cr - 50 T i靶形成膜厚为10 n m的接触层。另外，在该接触层上，在处理腔室906内且IP a的氩气压力下，使用46Fe—46Co — 5Zr — 3B{F e含有量为46原子％、C ο含有量为46原子％、Z r含有量为5原子％、B含有量为3原子％}的祀,在100 °C以下的基板温度下，形成膜厚为34 n m的第I软磁性层。另外，在处理腔室908内，在该第I软磁性层上形成膜厚为0.76 n m的R u层。并且，在处理腔室909内，在该Ru层上形成膜厚为34 n m的46 F e — 46 C ο — 5 Z r — 3 B的第2软磁性层。作为软磁性基础层，形成夹着R u层的第I和第2软磁性层。
[0108]接着，在处理腔室910内，在I P a的氩气压力下，在软磁性基础层上使用N 1-6W { W含有量为6原子％、剩余为N i }靶形成膜厚为5 nm的第I基础层，在处理腔室911内，使用R u靶，形成膜厚为10 n m的第2基础层，在处理腔室912内，使用R u靶，在8 Pa的氩气压力下，形成膜厚为10 n m的第3基础层，这样形成3层结构基础层。
[0109]接着，在3层结构的基础层上，在I P a的氩气压力下，在处理腔室913内，形成膜厚为 6nm 的 Co6Crl6Pt6Ru — 4Si02 — 3Cr203 — 2TiO 2层，在处理腔室 915 内，形成膜厚为 6 nm的 C ο 11 - 5 C r 13 P t 10Ru-4Si02-3Cr 2 O 3- 2 T i O 2层，在处理腔室916内，形成膜厚为3 n m的C ο 15 C r 16 P t 6 B层，由此形成多层结构的磁性层。
[0110]接下来，通过离子束方法，在处理腔室918，919内，形成膜厚为2.5 n m的炭素保护层，得到被层积体(或磁性记录介质)。另外，处理腔室918，919的基础压力为1X10_5 Pa，工艺气体使用在氢气中混合4%的甲烷的混合气体，气体压力(P I)为8 P a。另外，将腔室920，921作为预备腔室来使用，不放入工艺气体，基础压力为1X10_5 P a。
[0111]成膜后的被层积体通过真空机器人112从支架925上取下，通过气密腔室13，由真空机器人941搬入气相润滑成膜装置102内。构成气相润滑成膜装置102的隔离腔室943、气相润滑工序腔室944、气密腔室945、和返回路线腔室947的基础压力为IX 10_5 P a，向隔离腔室943内，放入50 P a的氩气(气体压力:P 3)、向气相润滑工序腔室944内放入20P a的全氟聚醚气体(气体压力:P 2)、气密腔室945和返回路线腔室947内不放入工艺气体。另外，根据气相润滑成膜装置102，在被层积体的表面上，形成膜厚为15埃(晨 > 的全氟聚醚的润滑层。[0112]形成有润滑层的被层积体(或磁性记录介质)由机器人946搬到制造装置外的大气中。
[0113]用上述方法制作I万片磁性记录介质，对第I万片磁性记录介质进行润滑层的膜厚的偏差、再现记录特性(S / N 比:Signal-to-Noise Ratio)、和改写(O W:0ver-ffrite)特性的评价。实施例1的评价结果如表1所示。
[0114]表1
[0115]
【权利要求】
1.一种在被层积体上按顺序形成磁性记录层、保护层、以及润滑层的磁性记录介质的制造方法， 在使形成了所述保护层后的所述被层积体不与大气接触的状态下，用气相润滑成膜方法形成所述润滑层， 当所述保护层成膜时的工艺气体压力为P 1，所述润滑层成膜时的工艺气体压力为P2时，在从形成所述保护层后到形成所述润滑层之间的所述被层积体的运送路线上，设置满足P 3 >P 1、且P 3 >P 2的关系的气体压力P 3的区域。
2.如权利要求1所述的磁性记录介质的制造方法，其特征在于:形成所述气体压力P3的气体是惰性气体。
3.如权利要求1或2所述的磁性记录介质的制造方法，其特征在于:所述气体压力PI在I P a?20 P a的范围内，所述气体压力P 2在IPa?50 Pa的范围内，所述气体压力P 3在10 P a?500 P a的范围内。
4.如权利要求3所述的磁性记录介质的制造方法，其特征在于:所述气体压力P3在10 P a?200 P a的范围内。
5.如权利要求1至4中任一项所述的磁性记录介质的制造方法，其特征在于: 由第I运送装置运送到形成所述保护层阶段的被层积体， 由与所述第I运送装置不同的第2运送装置运送要形成所述润滑层的被层积体。
6.一种磁性记录介质的制造装置，具有: 在被层积体上按顺序形成磁性记录层以及保护层的成膜装置、以及 在使形成了所述保护层后的所述被层积体不与大气接触的状态下，用气相润滑成膜方法形成润滑层的气相润滑成膜装置； 当所述保护层成膜时的工艺气体压力为P 1，所述润滑层成膜时的工艺气体压力为P2时，在从形成所述保护层后到形成所述润滑层之间的所述被层积体的运送路线上，具有满足P 3 >P 1、且P 3 >P 2的关系的气体压力P 3的区域。
7.如权利要求6所述的磁性记录介质的制造装置，其特征在于:形成所述气体压力P3的气体是惰性气体。
8.如权利要求6或7所述的磁性记录介质的制造装置，其特征在于:所述气体压力PI在I P a?20 P a的范围内，所述气体压力P 2在IPa?50 Pa的范围内，所述气体压力P 3在10 P a?500 P a的范围内。
9.如权利要求8所述的磁性记录介质的制造装置，其特征在于:所述气体压力P3在10 P a?200 P a的范围内。
10.如权利要求6至9中任一项所述的磁性记录介质的制造装置，其特征在于还具有: 运送到形成所述保护层阶段的被层积体的第I运送装置，以及 运送要形成所述润滑层的被层积体的、与所述第I运送装置不同的第2运送装置。
【文档编号】G11B5/84GK103680526SQ201310410975
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2013年9月11日 优先权日:2012年9月14日
【发明者】茑谷泰之, 盐见大介, 上野谕, 太田一朗, 冈部健彦 申请人:昭和电工株式会社