技术总结
本发明提出了一种单粒子加固FPGA分布式RAM的写入时序匹配电路，包包括与门、单粒子加固触发器、镜像单粒子加固静态随机访问存储器、n级延时链、n选1多路选择器、n位配置单元、反相器、传输门、单粒子瞬态滤波器、二选一选择器、查找表单粒子加固静态随机访问存储器及其配置单元。FPGA的WR和EN信号依次通过与门、单粒子加固触发器，得到选通信号，选通信号通过镜像单粒子加固静态随机访问存储器、n级延时链和n选1多路选择器组成的反馈回路。该电路可以自动测量分布式随机访问存储器所需的写入时间，并允许用户开启或关闭FPGA中单粒子瞬态滤波器时，通过编程n位配置单元的值调整数据写入分布式RAM的宽度，实现SRAM型FPGA单粒子设计加固后的时序匹配。
技术研发人员：李学武;张彦龙;方新嘉;陈雷;张进成;赵元富;文治平;林彦君
受保护的技术使用者：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
技术研发日：2016.02.04
技术公布日：2018.09.11