技术特征：
1.一种灵敏放大电路，其特征在于，包括：参考电流产生电路，用于生成参考电流，所述参考电流产生电路包括第一PMOS管，所述第一PMOS管的源极耦接电源，其漏极输出所述参考电流；第一预充电电路，适于利用所述参考电流对参考单元位线进行预充电；比较电路，其输入端耦接所述第一PMOS管的栅极以获取所述参考电流，所述比较电路适于将存储单元位线的电流与获取到的所述参考电流进行比较，并输出对应的逻辑结果；偏置电路，适于抬升所述第一PMOS管的漏极电压，以使所述第一PMOS管工作在饱和区。2.根据权利要求1所述的灵敏放大电路，其特征在于，所述偏置电路将所述第一PMOS管的漏极电压抬升至高于所述第一PMOS管的栅极电压。3.根据权利要求1所述的灵敏放大电路，其特征在于，所述偏置电路包括MOS管和电阻；其中，所述MOS管的漏极耦接电源，其栅极耦接所述第一PMOS管的漏极；所述电阻的一端耦接所述MOS管的源极以及所述比较电路的输入端，另一端接地。4.根据权利要求3所述的灵敏放大电路，其特征在于，所述偏置电路还包括第一电容；所述第一电容一端耦接所述比较电路的输入端和所述MOS管的源极，另一端接地。5.根据权利要求3所述的灵敏放大电路，其特征在于，所述MOS管为ZMOS管。6.根据权利要求3所述的灵敏放大电路，其特征在于，所述第一预充电电路包括：第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管；所述第一NMOS管的漏极作为所述第一预充电电路的输入端，所述第一NMOS管的源极作为所述第一预充电电路的输出端；其中，所述第二PMOS管的源极耦接电源，其栅极耦接所述参考单元位线；所述第一NMOS管的漏极耦接所述第一PMOS管的漏极，其栅极耦接所述第二PMOS管的漏极，其源极耦接所述参考单元位线；所述第二NMOS管的漏极耦接所述第二PMOS管的漏极，其栅极耦接所述参考单元位线，其源极接地。7.根据权利要求6所述的灵敏放大电路，其特征在于，所述第一PMOS管的漏极电压控制所述MOS管导通后，所述MOS管栅极电压高于所述MOS管的源极电压，以使所述第一PMOS管的漏极电压高于所述第一PMOS管的栅极电压，所述第一NMOS管工作在饱和区，所述参考单元位线电压达到设定值，所述参考电流增大。8.根据权利要求1至7任一项所述的灵敏放大电路，其特征在于，所述比较电路包括第三PMOS管和第二预充电电路；其中，所述第三PMOS管的源极耦接电源，其栅极作为所述比较电路的输入端，其漏极耦接所述第二预充电电路的输入端；所述第二预充电电路的输出端耦接所述存储单元位线。9.一种存储器，其特征在于，包括如权利要求1至8任一项所述的灵敏放大电路。