1.一种改善P型NVM存储器NBTI效应的差分架构存储单元，其特征在于，包括一对差分架构P型NVM存储单元、以及NBTI恢复电路，其中：
所述差分架构P型NVM存储单元包括两个P型NVM存储单元，每一个P型NVM存储单元具有一个P型选择晶体管以及一个存储模块；
两个P型选择晶体管分别为第一PMOS管（M1）和第二PMOS管（M4），两个存储模块分别为第一MOS管（M2）和第二MOS管（M5），所述第一PMOS管（M1）和第二PMOS管（M4）的栅极通过字线连接选通电压Vsel，第一PMOS管（M1）和第二PMOS管（M4）的源极通过源线（SL）连接一恒定电流源模块；
第一MOS管（M2）和第二MOS管（M5）的字线方向分别连接栅极控制信号CG1和CG2，第一MOS管（M2）和第二MOS管（M5）的源线方向分别连接第一PMOS管（M1）和第二PMOS管（M4）的漏极，第一MOS管（M2）和第二MOS管（M5）的位线方向连接输出差分放大模块；
所述NBTI恢复电路由第三PMOS管（MM1）、第一NMOS管（MM0）、以及反向器（IV0）组成；
所述第一NMOS管（MM0）的源极和衬底接地电压端GND，栅极连接使能信号端EN，漏极连接源线（SL）；
所述第三PMOS管（MM1）的源极和衬底接电源端VDD，栅极连接控制信号端ENB，漏极连接选通电压Vsel；
所述反向器（IV0）的输入端连接使能信号端EN，输出端连接控制信号端ENB。
2.根据权利要求1所述的改善P型NVM存储器NBTI效应的差分架构存储单元，其特征在于，所述第三PMOS管（MM1）的漏极连接第一PMOS管（M1）和第二PMOS管（M4）的栅极。
3.根据权利要求1所述的改善P型NVM存储器NBTI效应的差分架构存储单元，其特征在于，所述第一PMOS管（M1）的衬底与第一PMOS管（M1）的源极相连，并且所述第二PMOS管（M4）的衬底与第二PMOS管（M4）的源极相连。
4.根据权利要求1所述的改善P型NVM存储器NBTI效应的差分架构存储单元，其特征在于，所述第一MOS管（M2）的衬底与第一MOS管（M2）的源极相连，并且所述第二MOS管（M5）的衬底与第二MOS管（M5）的源极相连。
5.根据权利要求1所述的改善P型NVM存储器NBTI效应的差分架构存储单元，其特征在于，所述选通电压Vsel采用高压。
6.根据权利要求1所述的改善P型NVM存储器NBTI效应的差分架构存储单元，其特征在于，所述第一MOS管（M2）和第二MOS管（M5）为浮栅式编程晶体管。
7.根据权利要求6所述的改善P型NVM存储器NBTI效应的差分架构存储单元，其特征在于，还包括两个控制晶体管：第三MOS管（M3）和第四MOS管（M6）；
所述第三MOS管（M3）的栅极与第一MOS管（M2）的栅极相连共享浮栅，在该共享浮栅处连接栅极控制信号CG1，用于控制共享浮栅上的电荷变化；
所述第四MOS管（M6）的栅极与第二MOS管（M5）的栅极相连共享浮栅，在该共享浮栅处连接栅极控制信号CG2，用于控制共享浮栅上的电荷变化。