技术特征：
技术总结
本发明涉及双位3T高密度MTPROM阵列，其提供一种多次可编程存储器(MTPM)存储器单元及其操作方法。各MTPM位单元包括：第一FET晶体管与第二FET晶体管具有第一共同连接，且第二FET晶体管与第三FET晶体管具有第二共同连接，第一与第二相连的FET晶体管可编程以储存第一位值，且第二FET与第三相连的FET晶体管可编程以储存第二位值，其中，第一FET晶体管呈现低阈值电压值(LVT)，第二FET晶体管呈现高阈值电压值HVT以及第三FET晶体管呈现低于HVT的阈值LVT。MTPM单元使两位信息能够被储存为类似电熔丝的默认位值。为储存相反的位值，编程LVT晶体管以使其阈值高于HVT的阈值。
技术研发人员：R·拉加万;B·贾亚拉曼;J·维拉拉格哈万;T·肯庞纳;R·R·图姆穆鲁;T·基里哈塔
受保护的技术使用者：格罗方德半导体公司
技术研发日：2016.12.07
技术公布日：2017.08.08