技术总结
本发明涉及存储器领域，尤其涉及一种读操作的优化方法，包括：在第一预充电时间内将发生读操作的存储单元串保持为非导通的状态；在第二预充电时间内，将发生读操作的存储单元串设置为导通的状态，并且将第二控制电压保持在低于第二高电位的一第三高电位；在第二预充电时间结束并进入感应时间时，将第一控制电压降低并保持在低于第一高电位的一第四高电位；在感应时间结束时将第一MOS管和第二MOS管关断；上述技术方案采用较高的第二高电位对读操作选中的存储单元串进行预充电且让存储单元串保持为非导通的状态，并且在感应时间结束时将第一MOS管和第二MOS管关断，使得锁存时间内第一电容上的电压保持平稳，从而保证了锁存电路的锁存操作。
技术研发人员：王颀;李婷;霍宗亮
受保护的技术使用者：武汉新芯集成电路制造有限公司
文档号码：201611117961
技术研发日：2016.12.07
技术公布日：2017.05.31