在存储器装置的ZQ校准中决定电阻校准方向的方法与流程

技术特征：

1.一种在存储器装置的ZQ校准中决定电阻校准方向的方法，包含下列步骤：

由比较器反复地比对一参考电压与一目标电压以获得奇复数个比对结果，这些比对结果中的每一个为高状态与低状态其中的一个；

由ZQ校准控制器针对这些比对结果的这些状态决定这些比对结果的多数；以及

由该ZQ校准控制器根据该多数决定电阻校准方向，使得该ZQ校准控制器基于该电阻校准方向产生一校准码，并将该校准码应用至电阻校准单元以经由该电阻校准单元调整该目标电压。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述决定这些比对结果的所述多数还包含下列步骤：

在该ZQ校准控制器中定义计数器的二进制码；

针对这些比对结果中的每一个，若其状态为所述高状态，则由该计数器加一至该二进制码，且若其状态为所述低状态，则由该计数器从该二进制码减一；

在该计数器根据全部这些比对结果的这些状态调整该二进制码后，决定该二进制码的最高有效位；以及

根据该最高有效位决定这些比对结果的所述多数。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述ZQ校准为粗调校准程序或精调校准程序。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述ZQ校准控制器使用序列搜寻方法或二分搜寻方法来产生该校准码。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述电阻校准单元为上拉电阻校准单元或下拉电阻校准单元。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述参考电压与所述目标电压均随时间变化。