技术总结
本发明涉及静态随机存取存储器SRAM，为使得芯片受到攻击时能够有效地销毁数据，确保原文件无法恢复，保证存储器芯片数据安全。本发明，基于SRAM的随机地址数据擦除保护电路，包括静态随机存取存储器SRAM、最长线性反馈移位寄存器序列简称m序列、计数器构成，SRAM引脚包括写使能WEN、芯片片选使能CEN、芯片输出使能OEN、地址输入A、数据输入D和数据输出Q，复位之后SRAM开始执行正常功能，外输入clk为销毁电路的时钟，当销毁使能信号有效时，所述计数器开始计数，如果检测到销毁使能信号有效电平持续时间高于若干个时钟周期，表明销毁信号有效。本发明主要应用于静态随机存取存储器的设计制造。
技术研发人员：赵毅强;高翔;辛睿山;王佳
受保护的技术使用者：天津大学
文档号码：201710052125
技术研发日：2017.01.20
技术公布日：2017.05.31