一种NAND闪存验证装置和验证系统的制作方法

技术特征：

1.一种NAND闪存验证装置，其特征在于，所述装置分别与主机和NAND闪存连接，所述装置包括PMU芯片和ZYNQ系列芯片中的任一款芯片，所述ZYNQ系列芯片中集成ARM内核模块和FPGA逻辑模块，其中，

所述ARM内核模块与所述主机连接，所述ARM内核模块用于接收所述主机发送的配置参数和用户指令，所述ARM内核模块将所述配置参数分解为第一配置参数和第二配置参数，将所述用户指令解析为测试指令，以及根据所述用户指令产生测试数据，所述ARM内核模块将所述第一配置参数发送至所述PMU芯片，以及将所述第二配置参数、所述测试指令和所述测试数据发送至所述FPGA逻辑模块；

所述FPGA逻辑模块通过AXI传输通道与所述ARM内核模块连接，所述FPGA逻辑模块还与所述NAND闪存连接，所述FPGA逻辑模块根据所述第二配置参数对所述NAND闪存进行参数配置，以及根据所述测试指令和所述测试数据对所述NAND闪存进行测试。

2.根据权利要求1所述的NAND闪存验证装置，其特征在于，所述ARM内核模块包括ARM核0和ARM核1，其中，

所述ARM核0用于运行LINUX系统、配置所述ZYNQ系列芯片以及与所述主机进行通信；

所述ARM核1用于将所述配置参数分解为第一配置参数和第二配置参数，将所述用户指令解析为测试指令，以及根据所述用户指令产生测试数据，并将所述第一配置参数发送至所述PMU芯片，以及将所述第二配置参数、所述测试指令和所述测试数据发送至所述FPGA逻辑模块。

3.根据权利要求2所述的NAND闪存验证装置，其特征在于，还包括：

DDR缓存，所述DDR缓存与所述ARM内核模块连接，所述DDR缓存用于缓存所述LINUX系统数据和所述测试数据，在所述FPGA逻辑模块根据所述测试指令和所述测试数据对所述NAND闪存进行测试后，所述DDR缓存还用于缓存所述ARM内核模块从所述NAND闪存读取的第一数据。

4.根据权利要求3所述的NAND闪存验证装置，其特征在于，所述ARM内核模块包括：

比对模块，所述比对模块与所述DDR缓存连接，所述比对模块用于对所述DDR缓存中的所述测试数据和所述第一数据进行比对，并当所述测试数据和所述第一数据一致时，判断对所述NAND闪存的验证通过。

5.根据权利要求3或4所述的NAND闪存验证装置，其特征在于，所述DDR缓存的存储容量大于所述NAND闪存的存储容量。

6.根据权利要求1所述的NAND闪存验证装置，其特征在于，

所述PMU芯片分别与所述ARM内核模块和所述NAND闪存连接，所述PMU芯片根据所述第一配置参数对所述NAND闪存进行供电以及对所述NAND闪存的电性能进行测试。

7.根据权利要求1所述的NAND闪存验证装置，其特征在于，所述ARM内核模块通过光纤或者网线与所述主机连接。

8.一种NAND闪存验证系统，其特征在于，包括主机、NAND闪存和权利要求1-7中任一项所述的NAND闪存验证装置，所述NAND闪存验证装置分别与所述主机和所述NAND闪存连接。