一种NAND闪存验证装置和验证系统的制作方法

文档序号:14838069发布日期:2018-06-30 13:15阅读:来源:国知局
技术总结
本发明提供一种NAND闪存验证装置和验证系统,装置分别与主机和NAND闪存连接,装置包括PMU芯片、集成ARM内核模块和FPGA逻辑模块的ZYNQ系列芯片中的任一款芯片,ARM内核模块与主机连接,ARM内核模块将主机发送的配置参数分解为第一配置参数和第二配置参数,将主机发送的用户指令解析为测试指令,根据用户指令产生测试数据;FPGA逻辑模块通过AXI传输通道与ARM内核模块连接,还与NAND闪存连接,根据第二配置参数对NAND闪存进行参数配置,以及根据测试指令和测试数据对NAND闪存进行测试。本发明可以有效降低NAND闪存验证装置的设计难度和传输数据量,提高测试效率和数据的传输速率。

技术研发人员:蔡德智;王永成;韩飞
受保护的技术使用者:北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司
技术研发日:2017.12.28
技术公布日:2018.06.29

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