技术总结
本实用新型公开了一种基于倍压整流电路实现的忆阻器等效电路，包括n个相同的子模块，子模块由二极管和电解电容串联而成，第一子模块的第一输入端作为忆阻器等效电路的第一输入端，第一子模块的第二输入端作为忆阻器等效电路的第二输入端，第二子模块的第二输入端与第一子模块的第一输入端相连，第二子模块的第一输入端与第一子模块的中间端相连。依次类推，第n子模块的第二输入端与第n‑1子模块的第一输入端相连，第n子模块的第一输入端与第n‑1子模块的中间端相连。本电路利用二极管的受控源特性和电容的积分特性，使其符合忆阻器的特性；仅使用了二极管和电容，电路结构简单易实现，所用电路元件少，成本低，能够适用各种功率环境。
技术研发人员：陈艳峰;谭斌冠;张波;丘东元
受保护的技术使用者：华南理工大学
文档号码：201720125645
技术研发日：2017.02.10
技术公布日：2018.01.16