技术特征：
技术总结
本发明公开了一种编程非易失性存储器的方法及存储器系统，编程非易失性存储器的方法包括下列步骤：对于非易失性存储器的存储单元执行编程及编程验证操作，其中编程及编程验证操作包括施加序列增量阶跃脉冲至存储单元；在存储单元通过编程及编程验证操作后，对于存储单元执行再验证操作；若是存储单元未通过再验证操作，施加再编程脉冲至该存储单元，其中再编程脉冲的振幅大于序列增量阶跃脉冲的最后脉冲的振幅。对于非易失性存储器执行读取操作，以取得对应读取操作的错误位数；调整读取操作的读取参考电压以最小化错误位数。
技术研发人员：古绍泓;林大卫;程政宪;李致维;蔡文哲
受保护的技术使用者：旺宏电子股份有限公司
技术研发日：2018.04.12
技术公布日：2019.03.15