技术总结
本实用新型实施例公开了一种存储器的写操作控制电路及存储器。写操作控制电路，包括：控制信号产生电路，用于根据接收到的列地址写入延迟信号产生控制信号，以使针对一个所述列地址写入延迟信号产生一个对应的所述控制信号，所述列地址写入延迟信号所表示的二进制数与对应的所述控制信号所表示的二进制数之差为第一数值，每个所述列地址写入延迟信号对应一个预设值；以及列地址写入延迟电路，与所述控制信号产生电路连接以接收所述控制信号，用于接收第一写命令并根据所述控制信号将所述第一写命令延迟所述预设值个时钟周期得到第二写命令。存储器包括上述写控制电路。本实用新型对列地址写入延迟电路的时序控制逻辑较为简单。
技术研发人员：不公告发明人
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2018.04.23
技术公布日：2018.12.07