一种NANDFlash的操作检测方法与流程

本发明涉及一种nandflash的操作检测方法，属于存储器技术领域。

背景技术：

nandflash是一种非易失性随机访问存储介质，广泛应用于ssd、u盘、闪存阵列等固态存储领域。nandflash的基本操作包括读取、写入和擦除，每种操作都需要消耗一定的内部时间，操作的结束标志为r/b信号线为高电平或者checkstatus为ready。传统的操作检测方式是一直对读取、写入、擦写操作进行检测，根据结束标志判断操作是否完成。由于nandflash的读取、写入和擦除的耗时tread<twrite<terase，另外对于不同的block和page，在不同的温度和pe情况下，tread、twrite和terase的时间也不完全相同，因此传统的操作检查方式会造成较长的等待时间，影响nandflash操作的整体性能。

技术实现要素：

本发明要解决的技术问题是提供一种nandflash的操作检测方法，减少操作时多余的等待时间，提高nand操作的整体效率。

为了解决所述技术问题，本发明采用的技术方案是：一种nandflash的操作检测方法，包括以下步骤：s01)、根据操作类型、nandflash所处的温度、磨损次数确定每种操作对应的最大耗时tmax；s02)、根据操作类型确定每种操作对应的检测间隔时间tcheck；s03)、根据最大耗时、检测间隔时间确定每种操作在一段时间内对应的最大检测次数n，s04)、初始化检查次数n，令n＝0，每隔tcheck时间检测nandflash的状态，判断操作是否完成，并在每次检测时对检查次数n做加一操作，若操作已经完成则返回命令结束以及完成时的状态；若没有结束则按照检测间隔时间继续检测，当n大于nmaxn时，则返回错误状态或者根据配置进行错误处理。

进一步的，读取操作在一段时间内对应的最大检测次数nread＝tmax-read/tr-check，tmax-read是读取操作的最大耗时，tr-check是读取操作的检测间隔时间，读取操作不区分温度和磨损次数情况，只记录一个最大耗时值即可。

进一步的，写入操作在一段时间内对应的最大检测次数nwrite＝tmax-pe-temp(write)/tpe-check，tmax-pe-temp(write)是写入操作的最大耗时，tpe-check是写入操作的检测间隔时间，写入操作根据温度和磨损次数分区间统计最大耗时，磨损次数的记录区间为1000次pe，温度统计从40℃开始，40℃以下记录一次，然后每升高10℃为一次记录区间；需要记录内容为：pe在某个区间时，需要进行温度变换，统计每个温度区间的tmax。

进一步的，擦除操作在一段时间内对应的最大检测次数nerase＝tmax-pe-temp(erase)/tpe-check，tmax-pe-temp(erase)是擦除操作的最大耗时，tpe-check是擦除操作的检测间隔时间，擦除操作根据温度和磨损次数分区间统计最大耗时，磨损次数的记录区间为1000次pe，温度统计从40℃开始，40℃以下记录一次，然后每升高10℃为一次记录区间；需要记录内容为：pe在某个区间时，需要进行温度变换，统计每个温度区间的tmax。

进一步的，读取操作在读取命令发送完成后进行检查次数的初始化，写入操作在数据传输结束后进行检测次数的初始化，擦除操作在擦除确认命令发送完成后进行检测次数的初始化。

进一步的，操作的结束标志为r/b信号线为高电平或者检测状态为ready。

本发明的有益效果：本方法充分考虑了nandflash所处的温度、磨损次数(pecycles)、nand操作类型(read/write/erase)等因素的影响，通过动态调整nand状态查询的时间间隔，减少了多余的等待时间，提升了nand操作的整体效率。

附图说明

图1为读取操作检测流程图；

图2为写入操作检测流程图；

图3为擦除操作检测流程图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步的说明。

实施例

本实施例公开一种nandflash的读取操作检测方法，如图1所示，包括以下步骤：

s11)、在读取确认命令发送完成后，进行检测次数n的初始化，令n＝0；

s12)、由于读取操作的最大耗时很短，即tmax(read)时间很短，为了减少tmax统计数量，以及减少不必要的开销，read操作受温度和pe情况影响较小，只记录一个tmax即可。即读取操作的最大耗时tmax-read是一个固定值，读取操作的检测间隔时间tr-check也是一个根据读取操作设定的固定值，因此读取操作在一段时间内对应的检测次数nread＝tmax-read/tr-check是一个固定值，在本步骤中，直接使用固定值nread；

s13)、判断检测次数n是否小于步骤s12的nread，如果是则执行步骤s14，如果不是则执行步骤s17；

s14)、在tr-check时间间隔后检查nandflash状态，如果状态为busy则执行步骤s15，如果状态为ready或者错误状态，说明操作结束，则执行步骤s16；

s15)、将n次数加一，然后执行步骤s13；

s16)、返回当前读取到的状态给上层应用，然后整个过程结束；

s17)、此时达到最大检查次数，仍然没有检测到完成或者错误状态，进入超时处理，判断是否设置有超时错误处理，如有有则执行步骤s18，如果没有则执行步骤s19；

s18)、执行重新读取或者新增坏块标记的超时错误处理过程，然后整个过程结束；

s19)、返回超时状态给上层应用，然后整个过程结束。

实施例2

本实施例公开一种nandflash的写入操作检测方法，如图2所示，包括以下步骤：

s21)、在数据全部发送完毕后，进行检测次数n的初始化，令n＝0；

s22)、根据nand操作地址当前所处的pe(磨损次数)状态以及当前温度情况确定最大检查次数nwrite，nwrite＝tmax-pe-temp(write)/tpe-check，tmax-pe-temp(write)是写入操作的最大耗时，tpe-check是写入操作的检测间隔时间。tmax-pe-temp(write)的具体确认方法是：磨损次数的记录区间为1000次pe，温度统计从40℃开始，40℃以下记录一次，然后每升高10℃为一次记录区间；需要记录内容为：pe在某个区间时，需要进行温度变换，统计每个温度区间的tmax。

s23)、判断检测次数n是否小于步骤s12的nwrite，如果是则执行步骤s14，如果不是则执行步骤s17；

s24)、在tpe-check时间间隔后检查nandflash状态，如果状态为busy则执行步骤s15，如果状态为ready或者错误状态，说明操作结束，则执行步骤s16；

s25)、将n次数加一，然后执行步骤s13；

s26)、返回当前写入的状态给上层应用，然后整个过程结束；

s27)、此时达到最大检查次数，仍然没有检测到完成或者错误状态，进入超时处理，判断是否设置有超时错误处理，如有有则执行步骤s18，如果没有则执行步骤s19；

s28)、执行新增坏块标记并进行数据恢复或者自定义的超时错误处理过程，然后整个过程结束；

s29)、返回超时状态给上层应用，然后整个过程结束。

实施例3

本实施例公开一种擦除操作的检测方法，如图3所示，包括以下步骤：

s31)、在擦除确认命令发送完成后，进行检测次数n的初始化，令n＝0；

s32)、根据nand操作地址当前所处的pe(磨损次数)状态以及当前温度情况确定最大检查次数nerase，nerase＝tmax-pe-temp(erase)/tpe-check，tmax-pe-temp(erase)是擦除操作的最大耗时，tpe-check是擦除操作的检测间隔时间。tmax-pe-temp(erase)的具体确认方法是：磨损次数的记录区间为1000次pe，温度统计从40℃开始，40℃以下记录一次，然后每升高10℃为一次记录区间；需要记录内容为：pe在某个区间时，需要进行温度变换，统计每个温度区间的tmax。

s33)、判断检测次数n是否小于步骤s12的nerase，如果是则执行步骤s14，如果不是则执行步骤s17；

s34)、在tpe-check时间间隔后检查nandflash状态，如果状态为busy则执行步骤s15，如果状态为ready或者错误状态，说明操作结束，则执行步骤s16；

s35)、将n次数加一，然后执行步骤s13；

s36)、返回当前擦除的状态给上层应用，然后整个过程结束；

s37)、此时达到最大检查次数，仍然没有检测到完成或者错误状态，进入超时处理，判断是否设置有超时错误处理，如有有则执行步骤s18，如果没有则执行步骤s19；

s38)、执行新增坏块标记等超时错误处理过程，然后整个过程结束；

s39)、返回超时状态给上层应用，然后整个过程结束。

在上述三个实施例的操作是否结束的判断中也可以以r/b信号线是否为高电平为标准进行判断。

本方法充分考虑了nandflash所处的温度、磨损次数(pecycles)、nand操作类型(read/write/erase)等因素的影响，通过动态调整nand状态查询的时间间隔，减少了多余的等待时间，提升了nand操作的整体效率。

以上描述的仅是本发明的基本原理和优选实施例，本领域技术人员根据本发明做出的改进和替换，属于本发明的保护范围。