一种NANDFlash的操作检测方法与流程

文档序号:19179115发布日期:2019-11-20 00:49阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种nandflash的操作检测方法,其特征在于:包括以下步骤:s01)、根据操作类型、nandflash所处的温度、磨损次数确定每种操作对应的最大耗时tmax;s02)、根据操作类型确定每种操作对应的检测间隔时间tcheck;s03)、根据最大耗时、检测间隔时间确定每种操作在一段时间内对应的最大检测次数nmax,s04)、初始化检查次数n,令n=0,每隔tcheck时间检测nandflash的状态,判断操作是否完成,并在每次检测时对检查次数n做加一操作,若操作已经完成则返回命令结束以及完成时的状态;若没有结束则按照检测间隔时间继续检测,当n大于nmaxn时,则返回错误状态或者根据配置进行错误处理。

2.根据权利要求1所述的nandflash的操作检测方法,其特征在于:读取操作在一段时间内对应的最大检测次数nread=tmax-read/tr-check,tmax-read是读取操作的最大耗时,tr-check是读取操作的检测间隔时间,读取操作受温度和磨损次数情况影响较小,只记录一个最大耗时值即可。

3.根据权利要求1所述的nandflash的操作检测方法,其特征在于:写入操作在一段时间内对应的最大检测次数nwrite-pe-temp=tmax-pe-temp(write)/tpe-check,tmax-pe-temp(write)是写入操作的最大耗时,tpe-check是写入操作的检测间隔时间,写入操作根据温度和磨损次数分区间统计最大耗时,磨损次数的记录区间为1000次pe,温度统计从40℃开始,40℃以下记录一次,然后每升高10℃为一次记录区间,需要记录内容为:pe在某个区间时,需要进行温度变换,统计每个温度区间的tmax。

4.根据权利要求1所述的nandflash的操作检测方法,其特征在于:擦除操作在一段时间内对应的最大检测次数nerase-pe-temp=tmax-pe-temp(erase)/tpe-check,tmax-pe-temp(erase)是擦除操作的最大耗时,tpe-check是擦除操作的检测间隔时间,擦除操作根据温度和磨损次数分区间统计最大耗时,磨损次数的记录区间为1000次pe,温度统计从40℃开始,40℃以下记录一次,然后每升高10℃为一次记录区间,需要记录内容为:pe在某个区间时,需要进行温度变换,统计每个温度区间的tmax。

5.根据权利要求1所述的nandflash的操作检测方法,其特征在于:读取操作在读取命令发送完成后进行检查次数的初始化,写入操作在数据传输结束后进行检测次数的初始化,擦除操作在擦除确认命令发送完成后进行检测次数的初始化。

6.根据权利要求1所述的nandflash的操作检测方法,其特征在于:操作的结束标志为r/b信号线为高电平或者检测状态为ready。


技术总结
本发明公开一种NAND Flash的操作检测方法,本方法首先根据操作类型、NAND Flash所处的温度、磨损次数确定每种操作对应的最大耗时,然后根据操作类型确定每种操作对应的检测间隔时间,从而确定每种操作在一段时间内对应的最大检测次数,最后每隔检测间隔时间时间检查NAND Flash的状态,判断操作是否完成,并对检查次数做加一操作,当检测次数大于最大检测次数时则返回错误状态或者根据配置进行错误处理。本发明能够减少操作时多余的等待时间,提高NAND操作的整体效率。

技术研发人员:刘凯
受保护的技术使用者:山东华芯半导体有限公司
技术研发日:2019.08.15
技术公布日:2019.11.19
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