1.一种系统，包括：
至少一个第一集成电路，所述至少一个第一集成电路包括第一类型动态随机存取存储器dram；
至少一个第二集成电路，所述至少一个第二集成电路包括第二类型dram，其中所述第二类型dram中的第二存储器阵列不及所述第一类型dram中的第一存储器阵列密集，并且访问所述第二类型dram中的第二存储器阵列比访问所述第一类型dram中的第一存储器阵列能耗更低，其中所述第二类型dram包括比所述第一类型dram每条位线更少的存储器单元；和
第三集成电路，所述第三集成电路与所述第二集成电路封装在一起，相比于所述第一集成电路与所述第三集成电路之间的耦接减小了所述第三集成电路与所述第二集成电路之间的耦接的长度和电容，所述第三集成电路包括被配置为控制对包括所述第一类型dram和所述第二类型dram的存储器的访问的存储器控制器。
2.根据权利要求1所述的系统，其中所述至少一个第一集成电路还包括多个第一集成电路，所述多个第一集成电路包括多个所述第一类型dram。
3.根据权利要求2所述的系统，其中所述多个第一集成电路利用硅通孔tsv互连件而耦接成叠堆。
4.根据权利要求3所述的系统，其中所述多个第一集成电路的所述叠堆被耦接到所述第二集成电路，并且其中所述tsv互连件被耦接到所述第二集成电路中的物理层电路。
5.根据权利要求4所述的系统，其中所述第二类型dram被耦接到所述物理层电路，并且其中所述物理层电路包括用于所述第一类型dram到所述第三集成电路的通信线路和用于所述第二类型dram到所述第三集成电路的通信线路。
6.根据权利要求1所述的系统，其中所述第二集成电路和所述第三集成电路使用晶片上芯片封装技术进行封装。
7.根据权利要求1所述的系统，其中所述第二集成电路和所述第三集成电路使用晶片上晶片封装技术进行封装。
8.根据权利要求1所述的系统，其中所述第二集成电路和所述第三集成电路使用芯片上芯片封装技术进行封装。
9.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一集成电路被堆叠在所述第二集成电路和所述第三集成电路的封装上。
10.根据权利要求9所述的系统，其中所述第一集成电路以封装上封装配置进行封装，其中所述封装包括所述第二集成电路和所述第三集成电路。