光学器件的制作方法

专利名称：光学器件的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种用于检测磁光信号的光学器件，特别是针对一种包括新光学元件的光学器件。
在一种光学器件中，例如一种所谓磁光学盘驱动(magneto-optical disc drive)的磁光学传送单元，光学部分是由偏振元件，如渥拉斯顿菱镜，一个偏振束分离设备(PBS)或类似设备混合组装成的。因此，整个磁光传送的结构变得大而复杂。且光学器件的光学部分还必须以高的光学精确度进行安置。
另外，每个光学元件都是昂贵的，因此，要提供一个廉价的磁光传送器是不容易的。
本发明的一个目的是提供一种检测磁光信号的光学器件，其光学部分的数量可以减少。
本发明的另一个目的是提供一种检测磁光信号的光学器件，其光学部分能容易地以高精确度进行安置。
本发明的再一个目的是提供一种检测磁光信号的光学器件，其光学器件的整体结构能简单化并能小型化。
本发明还有一个目的是提供一种廉价的检测磁光信号的光学器件。
根据本发明的目标，已提供了一种检测磁光信号的光学器件，其包含具有共用衬底的一个光学元件，一个光发射部分和一个光接收部分，该光发射部分和该光接收部分被靠近地安置在该共用衬底上，从光发射部分发射的光被反射到磁光介质上后，该光接收部分接收和检测从磁光介质获得的反射背面光，以及另一个光接收元件，在这里，从磁光介质上的反射背面光被分开，一部分反射背面光由该光学元件的光接收部分接收和检测，而另一部分反射背面光由该另一个光接收元件接收和检测。


图1是说明本发明所用光学元件的示意图；图2是说明本发明所用光学元件基本结构的示意图；图3A至3C是表示本发明所用光学元件制造方法的一个例子的第一工序相应的工序图；图4A至4C是表示本发明所用光学元件制造方法的一个例子的第二工序相应的工序图；图5A及5B是表示本发明所用光学元件的制造方法的一个例子的第三工序相应的工序图；图6A至6C是表示本发明所用的光学元件制造方法的另一例子的第一工序相应的工序图；图7A至7C是表示本发明所用光学元件制造方法的另一例子的第二工序相应的工序图；图8A和8B是表示本发明所用光学元件制造方法的另一例子的第三工序相应的工序图；图9表示本发明所用光学元件的另一例子的透视图；图10表示根据本发明第一实施例的光学器件结构示意图；图11表示根据本发明第二实施例的光学器件结构的示意图；图12表示根据本发明第三实施例的光学器件结构的示意参考附图，将根据本发明实施例的光学器件进行详细说明。
首先，参考图1至9，对根据本发明的光学器件中所用的光学元件进行说明。
在图1中，标号1画出一个光学元件，2是被照射部分，如一种光记录介质或类似物，以及3是聚焦装置，即一个聚光透镜。
该光学元件1包含在一个共同的衬底6上，形成光发射部分4和光接收部分5。光发射部分4发射的光被聚焦和照射到被照射部分2上。在被照射部分2上的反射光(即反射背面光)由聚焦装置3聚焦，并由位于靠近聚焦装置3的共焦点处的光接收部分5接收。根据上述结构，光发射部分4发射的向外光和向内光通过同轴的光路传播并由光接收部分5接收，在图1中用点划线a表示光的光学轴。
在该光学元件1中，光发射部分4由半导体激光器8和反射镜7组成。光接收部分5由光电二极管(PD)形成。半导体激光器8利用反射镜7反射所发射的光以便使所发射的光符合光学路径，通过该路径，该发射的光能向被照射部分2传播。
朝向光接收部分5传播的反射背面光LR被聚焦到接近光衍射范围。光接收部分5的安置至少使其部分光接收表面置于该光衍射范围内，即其部分光接收表面位于在光发射部分4从光学轴a发射光之后，光穿过光接收表面的参考平面S的距离落入1.22λ/NA内处，λ为光发射部分4所发射光的波长而NA为聚焦设备3的数值孔径。
然而，在这种情况中，如图1和2所示，在光接收部分5光接收表面的参考平面S上，光发射部分4发射的光直径φs小于光衍射范围的直径φd，以使光接收部分5的有效光接收表面处于由此发射光的直径φs之外。如果一个半导体激光被用作为光发射部分4的光源，那么发射光的直径φs能在约1-2μm的范围内。从另一方面讲，假如聚焦设备3的数值孔径NA在0.09到0.1范围内，发射光的波长λ约为780nm，那么衍射范围，即φd约为1.22λ/NA÷10μm。
此外，光发射部分4被安置在聚焦设备3的焦点位置。更具体说，一个所谓的由半导体激光器8发射的光的腰部是处于共焦点位置上。该被照射部分2处于聚焦设备3的另一焦点位置上。
在该光学元件1中，假如光发射部分4所发射的光通过聚焦设备3，即聚光透镜照射到共焦点位置处被照射部分2的光记录介质上，则从被照射部分2的光记录介质反射的光的反射背面光，即，包括记录信息的反射背面光由聚焦设备3被再次聚焦并被传输入处于接近共焦位置的光接收部分5的光二极管中。反射背面光通过光接收部分5被接收和检测，即转换成一电信号，然后作为再生信号输出。
同时，如果光接收部分5的光电二极管的光接收表面处于离光轴a距离范围为大于φs/2，而又在φd/2的位置上时，那么可靠地分离和检测来自被照部分2的反射背面光和由光接收部分4发射的光成为可能。
假如该光学元件1的结构是如上所述将光发射部分4和光接收部分5集成地形成在共用衬底6上，那么使光发射部分4和光接收部分5容易且可靠的置于预定的，令人满意的位置关系是可能的。
以下将陈述制造光学元件1的方法的一个典型例子。在该例中，用选择的MOCVD(金属有机化学蒸汽沉积)制造光学元件1。
如图3A所示，构成半导体激光器的半导体层被外延地生长在由第一导电型，即，具有(100)晶面作为最大表面的n-型GaAs衬底形成的衬底6上。具体地说，这时形成叠层的半导体层，其中具有与GaAs衬底6相同导电型的AlGaAs第一覆盖层12，GaAs激活层13以及与第一覆盖层12导电型不同的，如p型的第二导电型的AlGaAs第二覆盖层14按此序被外延地生长在衬底6上。
然后如图3B所示，由此外延生长在GaAs衬底6上的半导体层14，13和12作为半导体激光器LD被留下，而在最后用刻蚀，如RIE(活性离子刻蚀)或类似刻蚀形成的反射镜7的位置上被除去。用刻蚀表面形成的半导体层的一个端面被用作为半导体激光器LD的一个谐振器端面18A。对着该端面18A的一个表面用RIE形成作为谐振器另一端面18B。在两个端面18A和18B之间构成半导体激光器的一个水平谐振器。在这种情况下，虽然未表示出，由注入杂质离子形成电流阻隔区，以便最终构成半导体激光器的谐振腔区域的夹层。
如图3C所示，掩膜层19用于选择MOCVD，例如，淀积SiO2，SiN或类似物的绝缘层，以便涂敷留在衬底6上的叠层半导体层，即形成半导体激光器LD的部分。
如图4A所示，第一导电型，例如n型GaAs第一半导体层20被选择地形成在衬底6上，在其部分上未通过MOCVD用掩膜层19覆盖。
随后，如图4B所示，第二导电型，如P型GaAs第二半导体层21用MOCVD在第一半导体层20上选择地形成，该第一和第二半导体层20和21构成一个光电二极管。
如图4C所示，用刻蚀除去掩膜层19。半导体激光器LD和光电二极管PD的电极23和24以欧姆接触形式淀积在半导体激光器LD和第二半导体层20的部分上。在衬底6的后面，以欧姆接触淀积共用电极25。
在该情况中，在半导体层上形成的平面26是选择地和外延地生长在图4B的衬底6上，即对着谐振腔端表面18A的第一和第二半导体层20和21成为一特定晶面。例如，如果在半导体激光器的端面18A和18B之间形成半导体激光器水平谐振腔的腔长度方向，即图4C中箭头b所示方向是
晶轴方向，那么对着的平面26的产生为{111}A的倾斜平面。假如方向b被设于
晶轴方向，那么产生的对着的平面26为{111}B倾斜平面。在任何情况下，由倾斜平面和衬底6片的表面形成的角度为54.7°。假如方向b被置于[100]晶轴方向，那么产生的对着平面26为{110}倾斜平面，并且相对于衬底6片的表面所形成的角为45°。在任何情况中，形成的该晶格平面为具有良好形态原子平面的倾斜平面26。
因此，特定晶格平面形成的倾斜平面26能作为反射镜7，它能反射来自半导体激光器水平谐振腔端面18A发射的光，以使发射光在预定方向上传播。按照上述结构，由于用晶格平面形成反射镜7，反射镜7是极佳的，其完成的表面加工特性和倾斜角度能有高的精确度。
当光电二极管PD是由与衬底6相同导电型，即n型半导体层20，和不同导电型，即在衬底6上随后并外延地生长的P型半导体层21构成，如图4A至4C所示例子时，本发明并不局限于该例子，而且随之的变形也是可能的。为了降低光电二极管PD和半导体激光器LD之间产生相互干扰，在图3A至3C所示工序之后将进行如图5A所示，在衬底6上外延生长半导体层20和21之前，先形成与衬底6不同的第二导电型，如p-型的半导体层28。然后，在衬底6上通过P型半导体层28能外延生长形成光电二极管PD的半导体层20和21。在这种情况中，用刻蚀除去部分上面半导体层21，使部分下面半导体层20露到外边。然后，在暴露出的部分下面半导体层20上，以欧姆形式单独地淀积电极29，而光电二极管PD的两个电极被单独的引出。因此，半导体激光器LD用半导体层28隔离。
当将光发射部分4和光接收部分5并列置于光学元件1的这一例子中时，本发明并不限于此，光电二极管pD也能置于光发射部分4上。
上述情况的一个例子将与其制造方法的例子一起叙述如下。
根据这一例子，如图6A和6B所示，形成构成半导体激光器的半导体层12，13和14，将半导体层12，13和14的一部分除去，以便留下形成半导体激光器LD的部分以及形成类似图3A和3B的电流阻隔区。
随后，如图6C所示，在端面18A上形成掩膜层19，以便至少在半导体层14的一部分上形成一个孔19W。
然后，如图7A，7B和7C所示，类似图3A，3B和3C形成半导体层20和21。同时，在半导体激光器LD上能形成半导体层20和21，即，半导体层14通过孔19W并因此能形成光电二极管PD。
同样在这种情况中，如图8A和8B所示，在实现图6A、6B和6C所示工序之后，在通过半导体层28的半导体激光器LD上外延生长形成光电二极管的半导体层20和21，由此制作可能形成在半导体激光器LD上的光电二极管PD。
在图6A至6C到图8A和8B中，与图3A至3C到图5A和5B中相同的元件和部件用相同标号标示并且因此不需要详细描述。
上述选择的MOCVD可以是采用TMG(三甲基镓)作为镓原始气体的甲基MOCVD，以及采用TEG(三乙基镓)作为镓原始气体的乙基MOCVD。在该光学元件1的例子中，假如形成光电二极管的半导体层20和21和在半导体层20，21下面形成的半导体层28由GaAs层形成，那么这些半导体层20，21和28能由常压MOCVD和低压MOCVD令人满意地形成。然而，如果根据一些要求，半导体层20，21和28中至少有任意一层是由AlGaAs层形成，那么该层必须用低压MOCVD外延生长成。
光发射部分4和光接收部分5在结构和外形上可以变形。另外，不用说该相应部分的导电型是可以颠倒的。
当如上所述，由第一和第二覆盖层12，14和激活层13形成的光发射部分的半导体激光器时，本发明并不局限，且以下的变形也是可能的。这就是，半导体激光器可以包括跨越激活层的光导层，或者可以包括形成在第二覆盖层上的振动层(Capping layer)。另外，像在日本公开的专利NO.3-76218所陈述的半导体激光器中，形成所谓的SDH(分离双异质结)结构的半导体激光器是可能的。根据SDH结构，在具有{100}晶格平面作为最大表面的半导体衬底上，形成延伸到
方向的条形脊。通过在半导体衬底上处延生长第一覆盖层，激活层，第二覆盖层或类似层，使在斜上方生长率低的{111}B平面在来自其延伸到条形方向晶面部分的脊上晶格化。然后，具有由{111}B平面的倾斜面插入的第一覆盖层，激活层和第二覆盖层叠层构成三角形截面的半导体激光器部分，在脊的另一部分两边的沟槽上外延生长半导体层来隔离。
此外，当在此能提供如上所述单个光电管PD时，本发明不限制如此做，并且由多个分离的光电二极管部分形成一个光电管也是可能的。图9表示如此结构的光电二极管的示意图。如图9所示，形成光发射部分4的半导体激光器LD是由上述脊形SDH结构形成。由图3A，3B，3C到图8A，8B所示晶格平面形成的反射镜7形成在由激活层13构成的水平谐振腔光出口端面的相对位置处。由半导体激光器LD发射的光通过反射镜7被反射并向被照射部分(未示出)传播。这里提供的是一个多个，例如4个分离的光电二极管PD位于半导体激光器LD的周围。
根据本发明的一个光学器件采用上述光学元件1被制成。
图10表示根据本发明第一个实施例的光学器件。
根据该实施例，如图10，一个光学器件40包含一个在共用衬底6上紧凑安置的光发射部分4和光接收部分5集成构成的光学元件1和另一个光接收元件，例如一个光电二极管元件32，一个束分离设备33，一个偏振装置34和一个聚焦装置35。由光学元件1上的光发射部分4发射的光通过束分离设备33被聚焦并被照射到磁光介质上，例如磁光盘36。在磁光盘36上反射的反射背面光通过束分离设备33被分隔。分割出的一束反射背面光通过与发射光相同的光路传播，并由光学元件1上的光接收部分5接收。分割出的另一束反射背面光通过偏振装置34，并由另一个光接收元件32接收。
设偏振装置34可以是一个具有偏振选择传播特性的偏振板。
该聚焦装置35包含一个聚光透镜，即对着磁光盘36的物透镜37，一个位于光学元件1和束分离设备33之间的瞄准透镜38以及一个光学透镜39，它用来使另一束反射背面光聚焦到光接收元件32上。
光学元件1是以这样方式安置，即光学元件1的光发射部分4是位于由物透镜37和瞄准透镜38组成的聚焦透镜系统的一个焦点处。更具体地说，光学元件1的安置是使所谓的半导体激光器LD发射光的腰部处于共焦点位置上。磁光盘36被置于上述聚焦透镜系统的另一个焦点位置上。
光接收元件32也是处于物透镜37和光透镜39组成的聚焦透镜系统的一个焦点位置上。
根据由此安置的光学器件40，光学元件1的光发射部分4所发射的光(即，所发射的光具有与图10纸面垂直的偏振方向C)通过瞄准透镜38引入束分离设备33，在这里通过物透镜37被反射，聚焦和反射到磁光盘36上。照射到磁光盘36上光的偏振平面相应于记录信息的克尔效应而旋转，并且在磁光盘36上反射的反射背面光进入束分离设备33并被分离。由束分离设备33反射的一束反射背面光经过与发射光相同路径传播并由在光学元件1上靠近共聚焦位置处的光接收部分5接收。通过束分离设备33的另一束反射背面光传播经过偏振装置34和光透镜39，并由光接收元件32接收。
由于来自磁光盘36的反射背面光是代表上述偏振方向变化的信号，如果偏振装置34的偏振方向与反射背面光倾斜一预定角度，那么由光接收装置接收的光强度是相应于该信号而变化，由此用它来检测磁光信号是可能的。
按照本发明实施例的光学器件40，由于通过束分离设备33的另一束反射背面光是通过偏振装置34由光接收元件32接收，该光接收元件32能检测该磁光信号，即是一个相应于磁光盘36所提供信息的再生输出的RF(高频)信号。该光学元件1的光接收部分5是由多个，例如4个分离的光电二极管PD组成。光接收部分与接收束分离设备33反射的一束反射背面光，由此检测一个伺服信号，例如一个对光伺服信号，一个轨迹伺服信号或类似信号。
根据上述光学器件40，由于光学器件40采用了将光发射部分4和光接收部分5接近安置地整体集成在共用衬底6上的光学元件1，因此能减少光学器件40中光学部件的数量。由此，使光学器件40的整个结构能简化且小型化。
在混合组装光学部件的磁光传送器的情况中，在具有高精确对准的聚焦透镜的共焦位置上安置光接收元件是不可能的。另一方面，根据这个实施例，因为光学器件40使用了该光学元件1，在以1μ量级的聚焦装置的近共焦位置上安置光接收部分5是可能的。因此，提供具有高精确位置的小型化磁光传送器是可能的。
另外，由于光学元件1上的光接收部分5检测伺服信号，检测RF信号的光接收元件32不需要隔离，且不要求高精确位置。
具体地说，当通过分离的光电二极管计算入射到光电二极管上束点尺寸或形状的变化而导致光强度的空间分布时，所获得的计算结果(入射到一个光电二极管和另一个光电二极管上光强度之和或差)形成该伺服信号。从而，分离的二极管的中心和光学轴必须具有精确的相互一致性。
另一方面，由于在磁光记录中的RF信号是随时通过计算反射背面光偏振方向的变化获得的，因此用在偏振方向具有灵敏度的光电二极管或在接收RF信号的光电二极管前面，安置传播特性随偏振方向变化的偏振板来获得RF信号是可能的。所以不需要将光电二极管分离。在这种情况下，假如采用大于束点直径的光电二极管那么光电二极管基本上可无需对准条件。
在市场上可买到的光传送器的光学系统中，产生伺服信号的光电二极管和产生RF信号的光电二极管是相同的，从而来自分离光电二极管的光强总和被作为RF信号。
由于光学元件1的最特殊特性存在于光发射点和反射光点中心是完全一致，假如形成光接收元件5的分离光电二极管PD被安置在光学元件1上反射背面光点中心的周围，那么就存在伺服信号能够由置于所谓无对准状态的光学系统检测的优点。另外，如果仅仅采用光接收元件32来获得RF信号，那么当需要时，加大或增强光学元件1是可能的。
在图10中，如果在光学元件1一边提供偏振装置39，那么用光学元件1上的光接收部分5检测RF信号是可能的。同样，用光接收元件32检测伺服信号也是可能的。
图11表示根据本发明第二实施例的光学器件。按照该实施例的光学器件，采用差分结构除去检测RF信号时光强波动的影响。在图11中，与图10中相同的部件用相同的相号。
按照该实施例，如图11所示，该光学器件50包含一个在共衬底6上紧靠着安置的光发射部分4和光接收部分5集成结构的光学元件1，束分离设备33，一个聚焦装置42，第一和第二光接收元件，即构成差分结构43的光电二极管元件44，45，一个半波板46和一个偏振束分离设备47。由光学元件1上光发射部分4发射的光通过束分离设备33被聚焦并照射到作为磁光介质的磁光盘36上。在磁光盘36上反射的反射背面光由束分离设备33分离。分离出的一束反射背面光通过与发射光相同的光路传播，并由光学元件1上的光接收部分5接收。分离出的另一束反射背面光通过半波板46传播并由偏振束分离设备47分离。然后，分别地第一分离的光由第一光接收元件44接收，而第二分离的光则由第二光接收元件45接收。
聚焦装置42包含对着磁光盘36的物透镜37，位于光学元件1和束分离设备33间的瞄准透镜38，为在第一和第二光接收元件44和46上聚焦反射背面光的第一分离光及第二分离光的光学透镜48，49。
与前所述类似，光学元件1的安置是使光发射部分所发射的光的腰部，即半导体激光器LD处于由物透镜37和瞄准透镜38组成的聚焦透镜系统的焦点位置上。磁光盘36置于该聚焦透镜系统的另一焦点处。
第一和第二光接收元件44和45也是分别处于由物透镜37和光学透镜48组成的聚焦透镜系统的焦点位置和由物透镜37和光学透镜49构成的聚焦透镜系统的焦点位置上。
在由此安置的光学器件50中，从光学元件1的光发射部分4所发射的光通过瞄准透镜38引入束分离设备33，在那里它通过物透镜37被反射、聚焦并照射到磁光盘36上。照射到磁光盘36上的光的偏振平面根据克尔效应，相应于记录信号旋转。在磁光盘36上反射的反射背面光进入束分离设备33并被分离。
由束分离设备33反射的一束反射背面光通过与发射光相同的光路传播并由光学器件1上近共焦位置处的接收部分5接收。该光接收部分5包括四个类似前面所述的分离的光电二极管PD，并通过接收一个反射背面光能检测该伺服信号。
另一束通过束分离设备33的反射背面光经过半波板46进入偏振束分离设备47，在其中进一步被分离。当另一束反射背面光通过半波板46时，该反射背面光的偏振方向(即光波动轴)旋转了45°。第一束分离的光通过偏振束分离设备47经过光学透镜48被光接收元件44接收。第二束由偏振束分离设备47反射的分离光，经过光学透镜49由第二接收元件45接收。
通过半波板46使光的偏振方向旋转45°，然后使该光进入偏振束分离设备47，由此该反射背面光以相等光量被分离。因此，第一和第二接收元件44和45接收相等光强的光照射。
假如将来自第一和第二光接收元件44和45的被检测信号输入差分放大器(未示出)，并由差分放大器计算出它们之间的差，那么获得一个除去了影响光强噪声的磁光信号(RF信号)是可能的。
根据上述光学器件50，由于该光学器件50包括类似上述的光学元件1，因此减少光学部件数量，使光学器件整体结构简单和小型化是可能的。另外，由于采用光学元件1，该光接收部分5能安置在1μm量级近共焦点位置上。因此，获得一个具有高精确位置的小型磁光传送器是可能的。
另外，根据该实施例，由于用差分结构以差分形式检测磁光信号，因此能够除去光强波动的影响，能够检测具有高S/N的磁光信号。
图12表示本发明第三个实施例的光学器件。在图12中，与图11中相应的类同部件用同样的标号。
根据该实施例，如图12所示，一个光学器件78包含在共用衬底6上紧密安置光发射部分4和光接收部分5集成构成的光学元件1，一个光接收元件，例如光电二极管元件72，作为偏振装置的偏振束分离设备47，光旋转板73，作为偏振装置，当向内或向外通过此处的光传播时，其偏振方向旋转一预定角度，例如在本实施例中为45°，以及一个聚焦装置74。由光学元件1上光发射部分4发射的光直接进入偏振束分离设备47，并经过光旋转板73被聚焦并照射到磁光盘36上。在磁光盘36上反射的反射背面光再次通过光旋转板73并由偏振束分离设备47分离。一束分离的反射背面光由光学元件1上的光接收部分5接收，而另一束分离的反射背面光由光接收元件72接收。
光旋转板73是由右光旋转板75和左光旋转板76组成，以便取半分割光路，向外的光(即向磁光盘36传播的发射光)经过右光旋转板75，而向内的光(即由磁光盘36反射的反射背面光)是通过左光旋转板76。
因此，向外与向内的光是在相同方向上旋转。光旋转板73的厚度的选择是当光两次通过光旋转板73时，光的偏振方向能被旋转一预定角度，例如在本实施例中为45°。
该聚焦装置74包含相对于磁光盘36的物透镜37，位于光学元件1的偏振束分离设备47之间的瞄准透镜38以及为使反射背面光在光接收元件72上聚焦的光透镜39。
如前所述那样，光学元件1的安置是使由光发射部分发射的光的腰部，即半导体激光器LD处于物透镜37和瞄准透镜38组成的聚焦系统的焦点位置上。磁光盘36置于上述聚焦系统的另一焦点位置上。
光接收元件72也是处于物透镜37和光学透镜39组成的聚焦透镜系统的焦点位置上。
光学元件1的光接收部分5，光接收元件72，偏振束分离设备47，光旋转板73和差分放大器(未示出)构成一个所谓的差分结构。
根据由此安置的光学器件78，由光学元件1的光发射部分4发射的光经过瞄准透镜3 8直接进入偏振束分离设备47，在那里被反射并通过光旋转板73的右光旋转板75，由此通过物透镜37聚焦并照射到磁光盘36上。照射到磁光盘36上的光的偏振平面是根据克尔效应相应记录的信息而旋转。在磁光盘36上反射的反射背面光通过光旋转板73的左光旋转板76并进入偏振束分离设备47中。
在那时，光通过右光旋转板75和左光旋转板76，由此使光的偏振方向旋转45°。
反射背面光由偏振束分离设备47分离。在偏振束分离设备47上反射的一束反射背面光由光学元件1上的光接收部分5接收。另一束通过偏振束分离设备47的反射背面光由光接收元件72接收。
由于光通过光旋转板73两次后光的偏振方向旋转了45°，然后进入偏振束分离设备47，反射背面光被等光量的分离，因此由光学元件1的光接收部分5接收的光量和由光接收元件72接收的光量彼此相等。
将来自光学元件1的光接收部分5及光接收元件72的被检测信号输入到差分放大器(未示出)并由差分放大器计算出它们之间的差值时，获得一个消除影响光强噪声的磁光信号(RF信号)是可能的。
假如光学元件1的光接收部分5由多个分离的光电二极管PD组成，那么用该光接收部分5检测伺服信号是可能的。
根据光学器件78，由于光学器件78包括光学元件1，因此减少光学部件数量是可能的。所以，光学器件的整体结构能简化并小型化。另外，提供一个具有高精确位置的小型磁光传送器是可能的。
此外，根据该实施例，由于磁光信号是由光学元件1的光接收部分5和光接收元件72以差分形式组成的差分结构检测，所以光强波动的影响能被除去。因此，检测具有高S/N的磁光信号是可能的。
如上所述，根据本发明的光学器件，光学部件的数量可以减少，光学器件的结构能在具有高精确位置下被简化，以及整个光学器件能小型化。因此，作为录放磁光介质，如磁光盘或类似物的磁光传送器装置，实现具有高精确位置且廉价小型化是可能的。
结含附图对本发明最佳实施例的说明是使人理解本发明并不局限于这些最佳实施例，只要对本领域技术人员来说，未偏离所附权利要求限定的本发明的精神和范围的各种变化和改形都是有效的。
权利要求
1.一种用于检测磁光信号的光学器件，包含一个光学元件，该元件具有共用衬底，光发射部分和光接收部分，所说的光发射部分和光接收部分被紧靠地安置在共用衬底上，所说的光接收部分是接收和检测在所说光发射部分发射的光被所说磁光介质反射后，来自磁光介质的反射背面光；以及另一个光接收元件，其中来自所说磁光介质的反射背面光被分离，一束反射背面光由所说光学元件的所说光接收部分接收并检测，而另一束反射背面光则由所说的另一个光接收元件接收和检测。
2.根据权利要求1的光学器件，其中所说的另一反射背面光被接收而磁光信号由所说的另一光接收元件以差分形式构成的差分结构检测。
3.根据权利要求1的光学器件，进一步包含由左光旋转板和右光旋转板组成的偏振装置，并且其中所说的发射光传播经过光旋转板并照射到所说的磁光介质上，来自所说磁光介质的所说反射背面光经过另一光旋转板传播，取半分割的反射背面光由所说光学元件的所说光接收部分和所说的另一光接收元件接收，以及磁光信号由所说光学元件的光接收部分和另一个光接收元件以差分形式组成的差分结构检测。
全文摘要
一种能结构简单且小型化的检测磁光信号的光学器件。该光学器件包括一个在共衬底上紧靠地安置光发射部分和光接收部分的光学元件(1)，其中在光发射部分发射的光由磁光介质(36)反射后从磁光介质(36)得到的反射背面光由光接收部分和另一光接收元件(32)在近共焦点位置上检测。来自磁光介质(36)的反射背面光被分割。一束反射背面光由光学元件(1)的光接收部分检测，而另一束反射背面光由另一个光接收元件(32)检测。
文档编号G11B7/12GK1115388SQ9510329
公开日1996年1月24日 申请日期1995年3月8日 优先权日1994年3月8日
发明者K·佐原, H·生井, M·土井, O·松田 申请人:索尼公司