光记录媒质的制作方法

专利名称：光记录媒质的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种光记录媒质，通过光照射能记录、擦除和重放信息。
本发明尤其涉及一种象光盘、光卡、光带等这样的可重写相变化式光记录媒质，从该媒质能擦除和重写信息。这种记录媒质也可以高速度和高密度记录信息信号。
现有可重写相变化式光记录媒质技术说明如下。
这些光记录媒质具有记录层，记录层包括作为主要成分的碲等。为记录信息，在晶态记录层上聚焦的激光脉冲短时间照射，部分熔化记录层。已熔化部分由热扩散淬冷并固化，形成非晶态记录标记。这种记录标记的光反射率低于晶态，因此可作为记录信号被光重放。
为擦除信息，用激光束照射记录标记部分并使之加热到低于记录层熔点且高于晶化温度的温度。结果使非晶态记录标记晶化回到原来的未记录状态。
作为这些可重写相变化式光记录媒质的材料，已知例如Ge2Sb2Te5的合金或类似物(N.Yamada et al.，Proc.Int.Symp.on OpticalMemory 1987 P61-66)。
在具有Te合金作为记录层的这些光记录媒质中，晶化速度快并且由圆的一束光高速重写仅通过调整照射功率就可能。在使用这些记录层的光记录媒质中，通常在记录层的每面上设有具有耐热性和光穿透性的绝缘层，以便防止产生变形和在记录时在记录层内开孔。而且，已知通过在与光束入射方向相反的绝缘层上层叠来提供例如光反射Al这样的金属反射层。这就通过光干涉效应提高重放中的信号对比度。
上述现有可重写相变化式光记录媒质引起的困难如下现有盘存在问题有如，在记录区域(此后称作扇区)在记录的写开始部分和写结束部分中记录波形退化或者由于重复的记录重写抖动特性恶化(关于这点，本领域是公知的，抖动特性指重放信号和记录的原始信号之间的偏离)。特别是，当采用以高密度形成的标记长度记录代替现有的坑位置记录时前述问题变得更为重要。此问题原因之一可能是由于重复的重写操作记录层向轨迹方向和径向移动。也就是说，原因之一认为是当重复重写操作时，记录膜逐渐移到轨迹的前面和/或后面，并且记录膜聚集在记录的开始端和终止端，或者膜变得更薄。类似地，关于径向，在轨迹宽度方向的中心部分处记录膜能被推开，累积在轨迹的侧壁上，而在轨迹宽度方向的中心部分处记录膜变薄。这还认为是由记录的重复重写引起的跟踪稳定性降低的原因。
而且，已有问题是，在应用台面/凹槽记录情况下(其中更高密度记录是可能的)，由于重复重写而引起的台面抖动比凹槽更厉害。
本发明努力提供在扇区的写开始部分和/或写结束部分显示更低退化的可重写相变化式光记录媒质。本发明目的还提供性能好的这种光记录媒质。
本发明涉及光记录媒质，通过把光照射在记录层上能在媒质中记录、擦除和重放信息，并且由非晶相和晶相之间的相变化来实现信息的记录和擦除，所述记录媒质具有至少高硬度层、第一绝缘层、记录层、第二绝缘层和基底上的反射层，其中高硬度层的硬度大于第一绝缘层的硬度，第二绝缘层的厚度是3至50nm。
在附图中

图1表示在导引凹槽顶部和导引凹槽底部之间的倾斜部分的斜度，y/x表示距凹槽底部10％的位置和距凹槽顶部10％的位置之间的斜度。
图2是记录区域的放大平面图并表示摆动宽度和台面之间以及凹槽宽度和台面之间的关系，记录标记记录在凹槽上，其中在记录层内凹槽的宽度Wag在记录层内台面的宽度Wal台面和凹槽的摆动宽度Ww
记录在凹槽中的记录标记宽度Wmg记录在台面中的记录标记宽度Wml通过例子下面更详细地讨论本发明的实施例。
本发明光记录媒质的构成件的代表层结构包括例如可穿透基底/高硬度层/第一绝缘层/记录层/第二绝缘层/反射层的层叠。然而，结构不局限于此。
在本发明光记录媒质中，重要的是高硬度层的硬度大于第一绝缘层。也就是说，通过把硬度大于第一绝缘层的材料用作高硬度层的材料，就能抑制由于记录的重复重写产生的扩张和收缩而引起的记录膜移动。也可能改善扇区的写开始部分和写结束部分的退化以及在记录的重复重写中抖动特性的恶化。这样，可按照努普硬度来限定光记录媒质中层的硬度。努普硬度在JIS(日本工业标准)Z2251中定义。
在可重写相变化式光记录媒质中，可设置靠近记录层ZnS-SiO2绝缘膜的保护层。然而，ZnS-SiO2绝缘膜的努普硬度是约400kg/mm2，为了改善扇区的写开始部分和写结束部分的退化并降低在记录的重复重写中抖动特性的恶化，记录层还应当由硬度最好高于450kg/mm2的高硬度层保护。在本发明的优选实施例中，高硬度层的努普硬度小于5000kg/mm2，最优选地，小于3000kg/mm2。
上面组成具有理想效果，特别是当应用于进行台面凹槽记录的光记录媒质时。这是因为通过所述方法能极大改进由记录的重复重写导致的台面抖动的重复特性。很难由其它方法得到改进。
而且当上面组成应用到标记长度记录的光记录媒质时得到理想结果。这是因为在标记长度记录中，扇区写开始部分和写结束部分的退化以及在记录的重复重写中抖动特性的恶化变得更明显。因此，在这些方面的任何改进效果更大。
在本发明实施例中，高硬度层的热膨胀系数最好低于第一绝缘层的热膨胀系数。通过这样做，对于记录的重复重写，记录层的波动可降到很小程度。扇区的写开始部分和写结束部分的退化以及抖动特性的恶化也可降低。
而且，因为高硬度层可有效降低对记录层的热负载和减小对基底的热损伤，高硬度层的热导率最好大于第一绝缘层。如果第一绝缘层的热导率大，照射在记录层上的激光的热量在足够有效地应用于记录层的相变化之前就可能冷却并且灵敏度可能被损坏，那是不希望的。高硬度层的热导率最好高于第一绝缘层。
而且，为了更易吸收入射光，高硬度层在记录光波长内最好是实质上可穿透的，并且它的折射率最好也小于第一绝缘层的折射率。
适合于这种高硬度层的材料例子是金属化合物，例如金属氧化物、金属氮化物，金属碳化物、金属硫酸盐、金属亚硒酸盐、和这些的任何混合物。至于高硬度层的材料，特别优选的是例如，Si、Ge、Al、Ti、Zr、Ta、Nb、In、Sn、Pb等的金属的氧化物的薄膜(例如，SiOx(1≤x≤2)、Al2O3、TiO2、Ta2O5、Nb2O3、MgO、SrTiO3、ITO(铟-锡氧化物)等)，光学玻璃(例如，Bk7，其中光学玻璃代表从Si、B、Al、Na、K、Ca、Zn、Ba、Pb、Sb、As、Ti、P、Zr和La的氧化物中选择的至少多于两种的混合物)，Si、Al、Ge、Ti、Zr、Ta、Nb等的氮化物(例如，Si3N4，AIN等)薄膜，Si、Ti、Zr、Hf等的碳化物薄膜，以及这些化合物的混合物的薄膜。而且，考虑膜的小残留应力，具有碳、如SiC的碳化物、如MgF2的氟化合物的上述混合物是优选的。考虑膜形成速率、材料成本和实用性等，作为高硬度层，特别优选采用含有SiOx(1≤x≤2)、Ta2O5-x(0≤x≤1)、Al2O3-x(0≤x≤2)、TiO2-x(0≤x≤1)、Nb2O3-x(0≤x≤1)、Si3N4-x(0≤x≤2)、AlNx(0.2≤x≤1)、ZrOx(0.5≤x≤2)、光学玻璃等中一种或多种的材料。特别优选的是采用高硬度层作为主要成分，高硬度层是前述化合物中一种的膜或是具有前述化合物的混合膜。这里，这种“主要”成分最好包括至少50摩尔％的这种膜。
而且，关于高温条件或高湿度条件下的耐用性，如果高硬度层的硬度过度高，如裂解这样的缺陷可能易发生。这可能由于温度变化的作用和其它构成层或基底物理性能的不同。为降低或避免这种缺陷的出现，对于上面给定材料中努普硬度超过1000kg/mm2的高硬度材料，特别优选条件是Al2O3-x(0.2≤x≤1.5)、Si3N4-x(0.5≤x≤1.5)、AlNx(0.5≤x≤0.9)、ZrOx(0.8≤x≤1.8)。这是因为，通过采用这种材料，特别可能有适应环境变化的结构挠性，而不导致硬度的实际降低。
当形成本发明的高硬度层时，或者一个或者多于两个可由蒸气沉积同时形成，或者作为单个靶极沉积。
关于膜形成速率、材料成本、实用性等，高硬度层最好由反应溅射工艺形成。特别是，当由反应溅射工艺通过使用半导体或金属靶极和DC电源来形成上述高硬度层时，能降低设备成本并加速膜形成速率，这样一些实施例中这种方法更优选。
本发明的高硬度层和第一、第二绝缘层具有抑制或防止基底、记录层等受热而变形、并且也通过光干扰效应提高在重放中的信号对比度。
为简化盘的光学设计，最理想的是高硬度层的折射率或第一绝缘层的折射率中至少任何一个是1.6或更大。第二绝缘层的折射率和高硬度层的折射率之间的差也最好是在-0.2到0.2的范围内，或者第二绝缘层的折射率和第一绝缘层的折射率之间的差是-0.2到0.2。
第一绝缘层的例子材料可是ZnS薄膜、例如Si、Ge、Al、Ti、Zr、Ta、Nb、In、Sn、Pb等这样的金属的氧化物薄膜，Si、Al等的氮化物薄膜，如Ti、Zr、Hf的碳化物薄膜，以及包括任何上述的混合物的膜。从高耐热性的观点，这些是优选的。而且，具有如碳、SiC等的碳化物或如MgF2的氟化物的混合物就所得膜的小残余应力而言也是优选的。特别对一些实施例，最好使用含ZnS和SiO2的混合物的膜，该膜对记录光波长实际上是可透射的并且折射率大于可透射基底的折射率而小于记录层的折射率。而且，对一些实施例，关于吸收光并可有效用作记录和擦除的热能而论，膜最好由非透射材料形成。例如ZnS、SiO2和碳的混合物是优选的，这是因为膜的小残余应力，甚至在重复记录和擦除后，很小趋势表明记录灵敏度、载波-噪声比(C/N)、擦除速率等的退化。
高硬度层的厚度最好比第一绝缘层的厚度薄，并且最好大于10nm。当它薄于10nm时，不能这样容易地获得高硬度层的构造效果，裂化可能形成在高硬度层中并且对重复耐用性产生相当不良作用。为了在记录的重复重写时获得足够的高硬度层作用，厚度优选大于25nm，更优选大于35nm。而且，为充分显示第一绝缘层的光特性，高硬度层的厚度最好比第一绝缘层的厚度薄。如果高硬度层太厚，高硬度层可因重复记录导致裂化，这对重复耐用性是有害的。而且，高硬度层的厚度增加导致增加的制造成本。而且，就后面描述的高硬度层和第一绝缘层的厚度总和的优选范围而论，在本发明的优选实施例中高硬度层的厚度最好不大于100nm，并且从光学设计的观点，最好不大于50nm，不大于45nm更佳。
高硬度层和第一绝缘层的厚度由光条件决定。两者的总厚度最好约10nm-500nm。就降低从基底或记录层掉落的趋向，以及产生的如裂化的缺陷而言，厚度最好是50以上并包括400nm，优选80到200nm。
包括高硬度层材料和第一绝缘层材料的混合层放置在高硬度层和第一绝缘层之间。通过这样做，就能获得在高硬度层和第一绝缘层之间有优良接触性能，及特别优良的长期保存稳定性的光记录媒质。
本发明的第二绝缘层的材料可类似于适合高硬度层或第一绝缘层的材料所列的那些，或可采用一些其它种类的材料。例如，第二绝缘层的材料可从例如ZnS、SiO2、氧化铝、氮化硅、ZrC、ZnSe等这样的金属硫化物、金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物、金属亚硒酸盐的金属化合物和它们的混合物中选择。虽然可使用这些可透射材料，由非透射材料形成是更优选的。凭借此层，光能被吸收并有效地用作记录和擦除的热能。
关于第二绝缘层的特定例子材料，就高耐热性而论，ZnS薄膜，如Si、Ge、Al、Ti、Zr、Ta、Nb等这样的金属氧化物薄膜，如Si、Al这样的氮化物薄膜，如Ti、Zr、Hf等这样的碳化物薄膜，以及包括这些化合物的混合物的膜是优选的。并且从膜的小残余应力的观点，具有如碳、SiC等这样的碳化物和如MgF2的氟化物的混合物是优选的。特别地，ZnS和SiO2的混合膜或ZnS、SiO2和碳的混合物是优选的，这是因为由重复产生的记录特性损坏不易发生。
第二绝缘层的厚度要求在3到50nm的范围内。当第二绝缘层的厚度比上述厚度薄时，如裂化的缺陷出现并且重复耐用性降低，这是不理想的。
因为记录层的冷却速率降低，比上述范围厚的第二绝缘层是不理想的。第二绝缘层的厚度对记录层的冷却有更直接的较大影响，为获得更好的擦除特性或重复耐用性，或者特别为获得在标记长度记录中好的记录和擦除特性，最好30nm或更小的厚度更有效。
至于记录层材料，没有特别限定，但例子有In-Se合金、Ge-Sb-Te合金、In-Sb-Te合金、Pd-Ge-Sb-Te合金、Pt-Ge-Sb-Te合金、Nb-Ge-Sb-Te合金、Ni-Ge-Sb-Te合金、Co-Ge-Sb-Te合金、Ag-In-Sb-Te合金、Pd-Nb-Ge-Sb-Te合金等。
特别是，因为短的擦除时间、能多次重复记录和擦除、及如C/N、擦除速率等这样的优良记录特性，Ge-Sb-Te合金、Pd-Ge-Sb-Te合金、Pt-Ge-Sb-Te合金、Nb-Ge-Sb-Te合金和Pd-Nb-Ge-Sb-Te合金是优选的。
本发明的记录层厚度最好在5nm和40nm之间。当记录层的厚度比上述范围薄时，由于重复重写而引起的记录特性退化可能产生。当记录层的厚度比上述范围厚时，记录层的移动由于重复重写易于产生并且抖动恶化变得严重。特别地，在采用标记长度记录的情况下，与坑位置记录的情况相比较，由记录和擦除引起的记录层的移动可能易于发生。为防止此现象，在记录中记录层的冷却要求更大。因此记录层的厚度优选为10到35nm，更优选10到24nm，最优选16到24nm。
关于反射层的材料特性，例子有具有光反射特性的金属，合金，和具有金属化合物的金属混合物等。至于金属，高反射率金属例如Al、Au、Ag、Cu等；至于合金，合金包含大于80原子百分比的合金作主要成分并含有如Ti、Te、Cr、Hf等的附加金属；至于金属化合物，包括金属氮化物、金属氧化物、如Al、Si的金属硫族化合物等的金属化合物是优选的。
就高光反射性和能使热导率更高而论，如Al、Au等金属和具有这些金属作主要成分的合金是优选的。至于前述合金的例子，有以Si、Mg、Cu、Pd、Ti、Cr、Hf、Ta、Nb、Mn等中至少一种元素总和占0.5到5原子百分比掺入到Al中的合金，或以Cr、Ag、Cu、Pd、Pt等中至少一种元素总和占1到20原子百分比掺入到Au中的合金。特别地，就能使材料成本低而言，Al作主要成分的合金是优选的。
特别地，至于Al合金，因为好的耐蚀性，通过把0.5到5原子百分比的从Ti、Cr、Ta、Hf、Zr、Mn和Pd中选择的至少一种的总和加入到Al中，或者通过把总和不大于5原子百分比的Si和Mn加入到Al中制造的合金是优选的。
特别地，就高耐蚀性、高热稳定性、且少产生小丘等的观点而言，希望由主要成分是Al-Hf-Pd合金、Al-Hf合金、Al-Ti合金、Al-Ti-Hf合金、Al-Cr合金、Al-Ta合金、Al-Ti-Cr合金和Al-Si-Mn合金中的任何一个并包括附加元素总和少于3原子百分比的合金构成反射层。
反射层的厚度通常最好在约10nm到300nm的范围内。为了能获得高的记录灵敏性和大的重放信号强度，厚度最好在20nm到200nm的范围内。
而且，由于采用高线性速度和高密度的趋势并且依据在重写之前记录膜的状态是晶相还是非晶相，在重写时记录标记畸变可能形成。这样，由于调整在记录膜是晶相的情况和记录膜是非晶相的情况之间的光吸收量的主要目的，可在反射层和第二绝缘层之间形成吸收量校正层，该校正层包括含有Ti、Zr、Hf、Cr、Ta、Mo、Mn、W、Nb、Rh、Ni、Fe、Pt、Os、Co、Zn、Pd、Si或它们的合金，Ti、Nb、Mo或Te作为基本成分的高熔点碳化物、氧化物、硼酸盐、氮化物及它们的混合物，该层的厚度能部分吸收或透光。
在一些实施例中，为获得更好的擦除特性和重复耐用性，记录层、第一绝缘层和反射层最好相互相邻设置，而在它们之间不插入任何其它层。特别地，当比第二绝缘层厚的层设置在那些层之间时，由记录的重复重写引起的抖动恶化会增加，特别是在标记长度记录的情况下。
因为记录灵敏度高、在高速度下单光束重写是可能的、擦除速率大、擦除特性良、并且由记录的重复重写而引起的开始写部分和结束写部分的退化少、及抖动恶化小，所以最好构成光记录媒质的主要部分如下也就是说，尤其好的是，由从SiOx(1≤x≤2)、Si3N4-x(0≤x≤2)，Ta2O5-x(0≤x≤1)、Al2O3-x(0≤x≤2)、AlNx(0.2≤x≤1)和ZrOx(0.5≤x≤2)选择的膜，或它们作主要成分的混合膜构成高硬度层，即，混合膜含有至少50wt％的主要成分，第一绝缘层是ZnS和SiO2的混合膜，SiO2的混合比是15到35mol％，或者是具有碳的ZnS和SiO2的混合膜，至少含有元素Ge、Sb和Te的合金用作记录层，第二绝缘层是ZnS和SiO2的混合膜，SiO2的混合比是15到35mol％，或者是具有碳的ZnS和SiO2的混合膜，第二绝缘层厚度在3nm到50nm的范围内构成并且记录层厚度在5nm到40nm范围内。具体地，记录层组分最好是在下面表式示表示的范围内(MxSbyTe1-x-y)1-z(Te0.5Ge0.5)z0≤x≤0.050.35≤y≤0.650.2≤z≤0.5这里，M表示从钯、铌、铂、银、金和钴中选择的至少一种金属，并且x、y、z和数字表示各元素的原子数比(元素的摩尔比)。而且，在上述构成的第二绝缘层上最好Al合金构成反射层，厚度为20nm-200nm。
至于本发明的基底材料，各种可透射的合成树脂、可透射玻璃等是可使用的。由于避免基底的灰尘或损伤作用的目的，最好使用可透射基底并且由从基底侧聚焦的光束进行记录。至于这种可穿透基底的材料，例子有玻璃、聚碳酸脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚烯烃树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂等。
特别地，由于小的双光折射、小的吸湿性和易模塑，聚碳酸脂树脂和非晶聚烯烃树脂是优选的。如果要求耐热性，使用环氧树脂是优选的。
基底的厚度没的特别限定，但在使用中最好是0.01mm-5mm。当厚度小于0.01mm时，甚至当由从基底侧聚焦的光束记录时，基底易受灰尘影响，当厚度大于5mm时，难以采用物镜的大孔径，并且当投射光束点变大时，难以增加记录密度。特别优选范围是0.4mm-1.2mm。基底可是软的或硬的。软基底以带形、片形或卡形使用。硬基底可以卡形或盘形使用。基底可设有记录层和类似物，其后可以例如空气夹层结构、空气入射结构或紧密粘附结构保持在两基底之间。
在形成台面记录的情况下，光记录媒质的结构最好如下。
在光记录媒质的导引凹槽和导引台面之间的倾斜部分的斜度最好在0.15和1.8之间，其中在导引凹槽和导引台面之间的倾斜部分的斜度指从凹槽底部10％的位置和从凹槽顶部10％的位置之间的斜度y/x，如图1所示。因为在台面和凹槽之间的几何关系不同，台面显出更大的热辐射，并且当在台面和凹槽中以同样方式记录时，台面趋于显示更小或不清楚的标记。然而，通过使倾斜部分的斜度大于0.15，就能使记录中台面和凹槽之间的热扩散差别更小。而且，通常由具有所谓模子的凹槽的模子通过压制和成形来制造基底。当倾斜部分的斜度超过1.8时，在成形中从模子中分离趋于变得不能令人满意并且不能获得好的基底。考虑制造余量，斜度最好0.25到1.0，并且0.3到0.7更佳。同样地通过使倾斜角大到一定程度而不影响模制中从模中分离，就能提高交叉擦除的耐用性。
而且，由在台面和凹槽中重复重写而引起的记录层流动性被认为是干扰跟踪的原因。在凹槽和台面摆动的情况下(摆动表示使凹槽和台面波动，以便检测位置信息)，此现象被进一步放大，结果摆动宽度最好在能检测到摆动信号的范围内较小，该范围最好在凹槽和台面的宽度的1到10％的范围内，2到8％更佳。
而且，在凹槽和台面之间的倾斜部分宽度不大于轨迹间距的25％是优选的，这是因为当凹槽达到接近直角的形状时，在记录时它关闭热量在倾斜部分并提高交叉擦除耐用性。然而，当凹槽和台面之间的倾斜部分宽度小于轨迹间距的3％时，同过度大的倾斜角的情况同样方式，在模制基底中基底不易从模子中分离。因此，在凹槽和台面之间的倾斜部分宽度最好在3到25％的范围内。
而且，在本发明的光记录媒质中，能降低相互干扰，使台面和凹槽之间记录特性的差别变小并且最好使凹槽深度是重放光波长的1/7到1/5的光程长度。如果光程长度具有的凹槽深度小于1/7或超过1/5的重放光波长，干扰变大，使精确重放困难。
而且，就降低交叉擦除和高密度记录而论，本发明的轨迹间距(Tp)最好在下面的范围内Tp＝a·λ/NA(λ是记录和重放光波长，并且NA是透镜孔径数)0.9≤a≤1.5而且，根据降低台面和凹槽之间重放信号的幅值差，台面和凹槽之间平坦部分与轨迹间距之比最好在0.4和0.6之间。最后，优选条件是轨迹间距是在λ/NA到1.5λ/NA的范围内并且台面与凹槽的平坦部分之比最好是0.4到0.6，由此在高密度记录中能调整台面和凹槽之间的记录特性。
而且，为了校正由于台面和凹槽之间热环境差别而引起的重放信号差别，同时为防止在摆动的后面或凹槽上重复记录和擦除时由跟踪的摆动和加剧而引起的记录层移动，再进一步为得到大的重放信号幅值，为防止交叉擦除产生，为降低串线，最好预先使记录层中台面宽度和凹槽宽度，以及记录标记的宽度为(Wag-Ww)/2≤Wmg≤Wag-Ww，及(Wal-Ww)/2≤Wml≤Wal-Ww在上面中，记录层中凹槽宽度Wag，在记录层中台面宽度Wal，台面和凹槽的摆动宽度Ww，在凹槽上记录的记录标记宽度Wmg，在台面上记录的记录标记宽度Wml。
摆动宽度、台面和凹槽宽度、及在台面和凹槽中记录的记录标记宽度之间的关系如图2所示。当记录标记在上述优选范围内时，残余擦除或由重复重写引起的记录层移动不可能有摆动影响，并且这是优选的。当考虑重放中的信号强度时，关系更好为0.5x(Wag-Ww)≤Wmg≤0.9x(Wag-Wg)和0.5x(Wal-Ww)≤Wml≤0.9x(Wal-Ww)用于记录本发明光记录媒质的光源通常是例如激光束。频闪光这样的高强度光源，特别是由于半导体激光束的小消耗功率和易调节，是优选的。
通过照射激光束脉冲在晶态的记录层上形成非晶记录标记来进行记录。反之，晶态记录标记可形成在非晶态的记录层上。通过激光束照射使非晶记录标记晶化或把晶态记录标记转化成非晶态就可实施擦除。在高速记录和降低记录层易变形中为方便起见，最好采用在记录中形成非晶记录标记而在擦除中进行晶化的方法。而且，就降低重写所需时间而言，一束光重写方法是优选的，在该方法中在形成记录标记中使光强度高而在擦除中使光强稍弱，从而由一次光束照射进行重写。
接着，描述本发明光记录媒质的制造方法。关于在基底上形成高硬度层、第一绝缘层、记录层、第二绝缘层、反射层等的方法，给出在真空中薄膜形成方法，例如真空沉积、离子镀、溅射等。特别是就容易控制组分和膜厚度而言，溅射方法是优选的。
通过用晶体振荡器膜厚度计或类似物监测沉积条件就能容易控制要形成的记录层厚度。
例如，可在基底固定或移动或旋转的条件下形成记录层等。由于膜厚度表面优良的均匀性，最好使基底自转，该自转最好与旋转结合。
而且，根据需要，在形成反射层后，不损坏本发明效果可设置ZnS、SiO2、ZnS-SiO2等的绝缘层或紫外线固化树脂等的保护层以防止损坏或变形。根据需要，基底可设有毂盘或类似物。而且，在形成反射层后，或进一步形成上述树脂保护层后，两基底可由粘结剂固定在一起。在实际记录前最好通过照射激光束、氙气闪光灯等的光使记录层晶化。
例子此后，借助例子描述本发明实施例。(分析和测量方法)由ICP光分析仪(SEIKO电子工业公司制造)证明反射层和记录层的组分。由时间间隔分析仪测量抖动。用阴极射线示波器观察在记录区域的开始写部分和结束写部分之间的损坏距离(波形的凹下)。
由石英振荡膜厚度计监视在记录层、绝缘层和反射层形成期间的膜厚度。通过用扫描式或透射式电子显微镜观察横截面来测量每层的厚度。用680nm测量折射率。按照JISZ 2251确定努普硬度。例子1具有厚度0.6mm、直径12cm且间距1.48μm(台面宽度0.74μm，凹槽宽度0.74μm，凹槽深度72nm)的螺旋凹槽的聚碳酸脂基底以30r·p·m旋转，通过高频溅射形成高硬度层、绝缘层、记录层和反射层。在本例中所用基底的详细参数如表10所示。
首先，真空容器被抽空到1×10-3Pa，此后，在2×10-1Pa的Ar环境中使SiO2靶极溅射，在基底上形成35nm高硬度层。而且，使掺入20mol％SiO2的ZnS溅射，形成膜厚95nm的第一绝缘层。
SiO2的努普硬度是550并且折射率是1.5。是第一绝缘层的ZnS·SiO2的努普硬度是400并且折射率是2.1。
ZnS·SiO2的热导率系数是0.6(W/m·k)并且热膨胀系数是6.1(×10-6/k)。是高硬度层的SiO2的热导率系数和热膨胀系数分别是1.5(W/m·k)和0.5(×10-6/k)。
继续上述，使含Ge、Sb和Te的合金靶极溅射，得到含Ge0.185Sb0.279Te0.536组分的记录层。而且，具有同第一绝缘层同样的材料，由16nm形成第二绝缘层，在第二绝缘层上溅射Al98.1Hf1.7Pd0.2的合金，形成膜厚150nm的反射层，从而获得本发明的光记录媒质。
由波长830nm的半导体激光束使所述光记录媒质上的全部盘表面的记录层晶化并初始化。
接着，在6m/Sec线速度的条件下，使用物镜孔径数0.6并且半导体激光波长680nm的光头，通过标记长度记录重写8/16调制无规则图形100,000次。此时，至于记录激光波形，使用常用的多脉冲。此时的窗口宽度是34ns。记录功率和擦除功率分别是10.0mW和4.8mW。
在重写的情况下，数据(记录标记)的写开始位置和写结束位置固定到盘上的一点。而且，在数据写的开始部分和结束部分之间的距离设定成1cm并且只有所说部分将被重写。
在重写100,000次后观察在数据写的开始部分和结束部分处的波形凹下，结果分别是3μm和1μm，它们证明实际上是可接受的。而且，在测量相关部分上的抖动时，数量证明是窗口宽度的9％，对实际使用是足够小。
而且，除在台面而不是凹槽上重复记录100,000次之外，进行上述相近的测量，观察到在数据写的开始部分和结束部分处的波形凹下分别是10μm和0μm，并且，它们证明实际上是可接受的。另外，在测量相关部分上的抖动时，数量证明是窗口宽度的9.5％，对实际使用是足够小。例子2除了溅射含Ge、Sb和Te的合金靶极制造含Ge0.207Sb0.257Te0.536的记录层外，制备类似于例子1的盘。
进行类似例子1的测量，在凹槽重写100,000次后在数据写的开始部分和结束部分处波形凹下分别是5μm和1μm，证明实际上足够小。而且，在相关部分上抖动证明是窗口宽度的9.5％，对实际使用证明是足够小。
而且，在重写100,000次后在台面的开始部分和结束部分处的波形凹下分别是15μm和0μm，证明实际上足够小。而且，在相关部分上抖动是窗口宽度的10.0％，对实际使用证明是足够小。例子3除了溅射含Pd.Nb.Ge.Sb和Te的合金靶极制造含Nb0.003Pd0.002Ge0.185Sb0.27Te0.54具有膜厚为20nm的记录层外，制备类似于例子1的盘。
进行类似例子1的测量，在重写100,000次后在凹槽的开始部分和结束部分处波形凹下分别是2μm和0μm，证明实际上足够小。而且，在相关部分上抖动是窗口宽度的9.0％，对实际使用证明足够小。
而且，在重写100,000次后在台面的开始部分和结束部分处的波形凹下分别是5μm和5μm，证明实际足够小。而且，在相关部分上抖动是窗口宽度的10.5％，对实际使用证明是足够小。例子4除了通过同时溅射SiO2靶极和C(碳)靶极制造含(SiO2)97C3的高硬度层外，获得类似于例子1的盘。此时高硬度层的努普硬度是500并且折射率是1.5。热导率系数和热膨胀系数分别是1.2(W/m.k)和0.8(×10-6/k)。
进行类似例子1的测量，在重写100,000次后在凹槽的开始部分和结束部分处波形凹下分别是5μmm和1μm，证明实际上足够小。而且，在相关部分上抖动是窗口宽度的9.0％，对实际使用证明是足够小。
而且，在重写100,000次后在台面的开始部分和结束部分处的波形凹下分别是7μm和4μm，证明实际足够小。而且，在相关部分上抖动是窗口宽度的9.0％，对实际使用证明是足够小。例子5除了制造含光学玻璃“BK3”的高硬度层外，获得类似于例子1的盘。此时高硬度层的努普硬度是580并且折射率是1.5。热导率系数和热膨胀系数分别是1.0(W/m.K)和5.8(×10-6/k)。
进行类似例子1的测量，在重写100,000次后在凹槽的开始部分和结束部分处波形凹下分别是5μm和3μm，证明实际上足够小。而且，在相关部分上抖动证明是窗口宽度的10.0％，对实际使用证明是足够小。
而且，在重写100,000次后在台面的开始部分和结束部分处的波形凹下分别是5μm和10μm，证明实际足够小。而且，在相关部分上抖动是窗口宽度的9.5％，对实际使用证明是足够小。例子6除了制造含Si3N4的高硬度层并且第一绝缘层的厚度设成65nm外，获得类似例子1的盘。此时高硬度层的努普硬度是1900并且折射率是2.0。热导率系数和热膨胀系数分别是18(W/m.k)和5.7(×10-6/k)。
进行类似例子1的测量，在重写100,000次后在凹槽的开始部分和结束部分处波形凹下分别是6μm和2μm，证明实际上足够小。而且，在相关部分上抖动是窗口宽度的9.5％，对实际使用证明是足够小。
而且，在重写100,000次后在台面的开始部分和结束部分处的波形凹下分别是15μm和3μm，证明实际足够小。而且，在相关部分上抖动是窗口宽度的10.5％，对实际使用证明是足够小。例子7除了制造含Ta2O5的高硬度层外，获得类似例子6的盘。此时高硬度层的努普硬度是580并且折射率是2.0。热导率系数和热膨胀系数分别是12.9(w/m.k)和4.9(×10-6k)。
进行类似例子1的测量，在重写100,000次后在凹槽的开始部分和结束部分处波形凹下分别是5μm和1μm，证明实际上足够小。而且，在相关部分上抖动是窗口宽度的9.5％，对实际使用证明是足够小。
而且，在重写100,000次后在台面的开始部分和结束部分处的波形凹下分别是20μm和8μm，证明实际足够小。而且，在相关部分上抖动是窗口宽度的10.5％，对实际使用证明足够小。例子8除了制造含Al2O3的高硬度层外，获得类似于例子6的盘。此时高硬度层的努普硬度是1900，并且折射率是1.8，热导率系数和热膨胀系数分别是40(W/m.k)和5.3(×10-6/k)。
进行类似例子1的测量，在重写100,000次后在凹槽的开始部分和结束部分处波形凹下分别是6μm和1μm，证明实际上足够小。而且，在相关部分上抖动是窗口宽度的9.0％，对实际使用证明是足够小。
而且，在重写100,000次后在台面的开始部分和结束部分处的波形凹下分别是8μm和0μm，证明实际足够小。而且，在相关部分上抖动是窗口宽度的9.5％，对实际使用证明是足够小。例子9除制造含AIN的高硬度层外，获得类似例子6的盘。此时高硬度层的努普硬度是1500并且折射率是1.9。热导率系数和热膨胀系数分别是24.5(W/m.k)和4.0(×10-6/k)。
进行类似例子1的测量，在重写100,000次后在凹槽的开始部分和结束部分处波形凹下分别是4μm和2μm，证明实际上足够小。而且，在相关部分上抖动是窗口宽度的10.0％，对实际使用证明是足够小。
而且，在重写100,000次后在台面的开始部分和结束部分处的波形凹下分别是15μm和8μm，实际证明足够小。而且，在相关部分上抖动是窗口宽度的9.5％，对实际使用证明是足够小。例子10除了在Ar∶N2＝1∶1的环境中对Si靶极进行DC溅射，在基底上形成35nm的Si3N4高硬度层(努普硬度＝1900)外，获得类似于例子6的盘。
进行类似例子1的测量，在重写100,000次后在凹槽的开始部分和结束部分处波形凹下分别是6μm和2μm，证明实际上足够小。而且，在相关部分上抖动是窗口宽度的9.5％，对实际使用证明是足够小。
而且，在重写100,000次后在台面的开始部分和结束部分处的波形凹下分别是10μm和5μm，证明实际足够小。而且，在相关部分上抖动是窗口宽度的9.0％，对实际使用证明是足够小。例子11除制造含ZrO2的高硬度层外，获得类似于例子6的盘。此时高硬度层的努普硬度是1600并且折射率是2.0。热导率系数和热膨胀系数分别是3.1(W/m.k)和5.9(×10-6/k)。
进行类似例子1的测量，在重写100,000次后在凹槽的开始部分和结束部分处波形凹下分别是4μm和2μm，证明实际上足够小。而且，在相关部分上抖动是窗口宽度的10.0％，对实际使用证明是足够小。
而且，在重写100,000次后在台面的开始部分和结束部分处的波形凹下分别是12μm和10μm，证明实际足够小。而且，在相关部分上抖动是窗口宽度的10.5％，对实际使用证明是足够小。例子12在基底上制造含SiO2的35nm高硬度层(努普硬度＝550)。而且，在Ar∶O2＝1∶1的环境中对Ge靶极进行DC溅射，在基底上制得90nmGeOx(x＝1)第一绝缘层。第一绝缘层的努普硬度是450并且折射率是2.1。热导率系数和热膨胀系数分别是1.0(W/m.k)和7.6(×10-6/k)。接着，形成类似于例子3的记录层，并且进一步形成20nm的SiO2，作为第二绝缘层。此后，形成类似于例子3的记录层，从而获得目标光记录媒质。在实施类似于例子1的测量时获得同例子1几乎相同的结果。例子13除了通过Si反应溅射，使用Ar和N2的混合气体制造Si3N2.0、Si3N2.6、Si3N3.4、Si3N4.0的4态高硬度层外，获得类似于例子6的盘。Si与N的组分比随改变Ar与N2的流动比而变化。通过NRA(核反应分析)法证明制备的高硬度层组分。此时高硬度层的努普硬度和折射率如表1所示的值。
对有不同组分的四个盘进行类似于例子1的测定，在重写100,000次后观察在凹槽的写开始部分和结束部分处波形的凹下。也进行抖动测量。获得表1所示的结果。
从这些结果可知这些四态全部表现出好的初始特性。接着，把这些材料装入在90℃和80％RH下的炉中并保持500小时。此后，样品回到室温并进行波形观察。结果，已知一些表现出缺陷，这假定是由于在记录信号中构成层部分分离(突发缺陷)。结果如表1所示。结果，从耐用性观点，显然Si3N2.5-3.5表现良好的特性。
表1
例子14除了通过Al反应溅射，使用Ar和O2的混合气体制造Al2O1.2、Al2O1.6、Al2O2.7、Al2O3.0的4态高硬度层外，获得类似于例子6的盘。Al与O的组分比随改变Ar与O2的流动比而变化。通过RBS(Rutherford逆流散射)法证明制备的高硬度层组分。
对有不同组分的四个盘进行类似于例子1的测定，在重写100,000次后观察在凹槽的写开始部分和结束部分处波形的凹下。也进行抖动测量。获得表2所示的结果。
从这些结果可知这些四态全部表现出好的初始特性。接着，把这些材料装入在90℃和80％RH下的炉中并保持500小时。此后，样品回到室温并进行波形观察。结果，已知一些表现出缺陷，这假定是由于在记录信号中构成层部分分离(突发缺陷)。结果如表2所示。结果，从耐用性观点，显然Al2O1.5-2.8表现良好的特性。
表2
例子15除了通过Al反应溅射，使用Ar和N2的混合气体制造AlN0.2、AlN0.5、AlN0.9、AlN1.0的4态高硬度层外，获得类似于例子6的盘。Al与N的组分比随改变Ar与N2的流动比而变化。通过NRA(核反应分析)法证明制备的高硬度层组分。
对有不同组分的四个盘进行类似于例子1的测定，在重写100,000次后观察在凹槽的写开始部分和结束部分处波形的凹下。也进行抖动测量。获得表3所示的结果。
从这些结果可知这些四态全部表现出好的初始特性。接着，把这些材料装入在90℃和80％RH下的炉中并保持500小时。此后，样品回到室温并进行波形观察。结果，已知一些表现出缺陷，这假定是由于在记录信号中构成层部分分离(突发缺陷)。结果如表3所示。结果，从耐用性观点，显然Al2N0.5-0.9表现良好的特性。
由于苯乙烯系树脂使用磷系抗氧化剂时，在加工时会产生烟量，而使用硫醚系抗氧化剂则在制造过程或成品中会有臭味，但若在制造过程中加入产物C则可大幅度降低磷系及/或硫醚系抗氧化剂的使用量，而可有效改善树脂在加工时所产生的烟量及臭味等缺失。
上述产物C的使用量在0.01～2重量份之间，较佳为0.02～1重量份，当使用量低于0.01重量份时，会使本发明苯乙烯系树脂组成物的热稳定性变差，无实用价值，使用量若高于2重量份时，则会造成制造成本的提高，不符合经济效益。
本发明树脂组成物中的磷系抗氧化剂D及/或硫醚系抗氧化剂E，其使用量介于0.01～0.8重量份之间，较佳为0.02～0.6重量份；其中，硫醚系抗氧化剂E具代表性者有硫代二硬脂酰基二丙酸酯、硫代二棕榈酰基二丙酸酯、五赤藓醇-四-(β-十二甲基-硫丙酸酯)、双十二烷基硫醚、双十三烷基硫醚、双十四烷基硫醚及双十八烷基硫醚等；而磷系抗氧化剂D可为亚磷酸酯系抗氧化剂，其具代表性者有三壬苯基亚磷酸酯、十二烷基亚磷酸酯、环状新戊烷四氢萘基双(十八烷基亚磷酸酯)、4，4′-亚丁基双(3-甲基-6-叔丁基苯基-双十三烷基亚磷酸酯)、三(2，4-叔丁基苯基)亚磷酸酯。其它磷系抗氧化剂可例如四(2，4-叔丁基苯基)-4，4′-伸联苯基磷酸酯及9，10-二氢-9-氧-10-磷酸菲-10-氧撑等；上述磷系抗氧化剂D及/或硫醚系抗氧化剂E的用量低于0.01重量份时，会造成树脂的热稳定性不佳，磷系抗氧化剂D的用量高于0.8重量份，则树脂的加工烟量无法改善，而硫醚系抗氧化剂E的用量高于0.8重量份则树脂的臭味无法消除。
本发明的树脂组成物由于丁基化产物C与磷系抗氧化剂D及/或硫醚系抗氧化剂E并用，不但可大幅度改善树脂组成物的热稳定性，而且只需少量的抗氧化剂即可达成上述效果，故亦不会产生抗氧化剂添加过量的缺<p>表4
例于17使Si3N4靶极溅射，在基底上形成25nm的高硬度层(努普硬度＝1900)。接着，通过同时使Si3N4靶极和ZnS-SiO220mol％靶极溅射，形成20nm的高硬度层材料和第一绝缘层材料的混合层。此时，连续地线性变化要供给Si3N4靶极和ZnS-SiO220mol％靶极的功率比，这样混合层的组分在高硬度层上的临界面和第一绝缘层侧上的临界面之间连续变化。而且，通过使ZnS-SiO220mol％靶极溅射，形成50nm第二绝缘层。
连续地，溅射含Ge·Sb和Te的合金靶极，得到厚度19nm、含Ge0.185Sb0.279Te0.536组分的记录层。而且，以同上述第二绝缘层的同样方式，形成16nm的第二绝缘层，在该层上溅射Al98.1Hf1.7Pd0.2合金形成膜厚150nm的反射层，从而得到本发明的光记录媒质。此外，盘类似于例子1。
接着，上述产品容纳在90℃和80％RH的炉中并保持200小时。结果，几乎没观察到分离。
在实施类似例子1的测定时，在重写100,000次后在凹槽写的开始部分和结束部分处的波形凹下证明是足够小，分别是5μm和0μm。抖动是窗口宽度的10.0％，实际上足够小。例子18除了使用SiO2靶极代替Si3N4靶极并且高硬度层/高硬度层材料和第一绝缘层材料的混合层/第一绝缘层的厚度比是20nm/80nm/20nm外，获得类似于例子17的光记录媒质。
以同例子17的同样方式，把上述光记录媒质容纳在90℃和80％RH的炉中并保持200小时。结果，几乎没观察到分离。
在实施类似例子1的测定时，在重写100,000次后在凹槽写的开始部分和结束部分处的波形凹下证明是足够小，分别是10μm和3μm。抖动是10.0％的窗口宽度，实际上足够小。例子19除了使高硬度层厚度为5nm、25nm和120nm外，制造类似例子1的盘。在实施类似于例子1的测定时，观察在重写100,000次后在凹槽写的开始部分和结束部分处的波形凹下。同时，进行抖动测量。结果，获得表5所示结果。
表5
在上述结果中，厚度120nm的高硬度层的抖动稍差的原因是由于重放记录而引起的突发产生。从上述结果，已清楚对比第一绝缘层薄超过10nm的高硬度层厚度，对重复耐用性显示良好特性。例子20除了把具有螺旋凹槽的聚碳酸脂基底用作基底，螺旋凹槽具有表10所示形状外，制作类似于例子1，6和7的光记录媒质。当以同例子1中同样方式测定时，观察在重写100,000次后在凹槽的写开始部分和结束部分处波形的凹下。也进行抖动测量。结果，在所有盘中获得良好结果，如表6所示。
而且，当由台面进行类似测量时，同凹槽一样获得良好结果。结果如表7所示。
表6
膜构成在写开始处(凹槽)波形凹下在写结束处(凹槽)波形凹下抖动(凹槽)(对窗口宽度)同例子15μm5μm10.0％同例子64μm0μm9.5％同例子76μm1μm10.0％
例子21除了把具有螺旋凹槽的聚碳酸脂基底用作基底，螺旋凹槽具有表10所示形状外，制作类似于例子1，6和7的光记录媒质。当以同例子1中同样方式测定时，观察在重写100,000次后在凹槽的写开始部分和结束部分处波形的凹下。也进行抖动测量。结果，在所有盘中获得良好结果，如表8所示。
而且，当由台面进行类似测量时，同凹槽一样获得良好结果，结果如表9所示。
表8
表9
例子22除了把具有螺旋凹槽的聚碳酸脂基底用作基底，螺旋凹槽具有表10所示形状外，制作类似于例子1的光记录媒质。当以同例子1的同样方式测定时，在写的开始部分和结束部分的波形凹下类似于例子1，但是观察重写100,000次后的凹槽抖动大至15％。例子23除第二绝缘层厚5nm并且还在第二绝缘层和反射层之间设有含SiO2的高硬度层(厚22nm—努普硬度＝550)外，以同例子1的同样方式制造盘，获得包括总共6层的盘。当以同例子1的同样方式对盘进行测定时，在写的开始部分和结束部分处的波形凹下类似于例子1，但观察在重写100,000后凹槽抖动大至15％。例子24除了把具有螺旋凹槽的聚碳酸脂基底用作基底，螺旋凹槽具有表10所示形状外，制作类似于例子1的光记录媒质。当以同例子1的同样方式测定时，在写的开始部分和结束部分处的波形凹下类似于例子1，但观察在重写100,000后凹槽抖动大至14％。对比例子1除了省略高硬度层外，获得同例子1的同样盘。当以例子1的同样方式测定时，在重写100,000次后凹槽抖动大至14％，并且当观察在写的开始部分和结束部分处的波形凹下时，值大至分别200μm和50μm，并且已知数据精确重放困难。
而且，在记录100,000次后台面抖动进一步大至窗口宽度的25％。当观察在写的开始部分和结束部分处的波形凹下时，值分别大至400μm和100μm，并已知不能精确重放数据。对比例子2除了ZnS代替例子1的高硬度层外，制得类似于例子1的盘。ZnS的努普硬度是200。
当以同例子1的同样方式测定盘时，在重写100,000次后凹槽抖动大至窗口宽度的18％，并且当进一步观察在写的开始部分和结束部分处的波形凹下时，值分别大至150μm和100μm，并发现数据精确重放困难。对比例子3除了第二绝缘层厚度设为5nm，并且在第二绝缘层和反射层之间还设有含SiO2的高硬度层(厚22nm)外，制造类似于对比例子1的盘。
当以同例子1的方式测定盘时，在重写100,000次后凹槽抖动大至窗口宽度的20％，并且当进一步观察在写的开始部分和结束部分处的波形凹下时，值分别大至180μm和30μm，并且发现数据精确重放困难。对比例子4除了具有螺旋凹槽的聚碳酸脂基底用作基底，螺旋凹槽有表10所示形状外，制得类似于对比例子1的盘。当以同例子1的同样方式测定时，在重写100,000次后的凹槽抖动是窗口宽度的16％，比对比例子1大。而且，在观察在写的开始部分和结束部分处的波形凹下时，获得的结果类似于对比例子1并发现数据的精确重放困难。
表10
根据本发明实施例，获得如下效果(1)甚至在重复记录和擦除许多次后，可降低在写的开始部分和结束部分处扇面损坏。
(2)甚至在重复记录和擦除许多次后，抖动特性好。
(3)甚至在台面凹槽记录中，重放特性好。
(4)由溅射法能容易制得媒质。
权利要求
1.一种具有记录层的光记录媒质，当照射来实施信息的记录和擦除时记录层能在非晶相和晶相之间经历相变化，所述媒质至少包括在基底上依次排列的高硬度层、第一绝缘层、记录层、第二绝缘层和反射层，其中高硬度层的硬度大于第一绝缘层并且第二绝缘层的厚度是从3到50nm。
2.根据权利要求1的光记录媒质，其中记录层包括用于记录信息的台面区域和凹槽区域。
3.根据权利要求2的光记录媒质，其中在凹槽和台面之间倾斜部分的斜度是从0.15到1.8。
4.根据权利要求2的光记录媒质，其中台面和凹槽之间倾斜部分的宽度是3-25％的轨迹间距。
5.根据权利要求2的光记录媒质，其中凹槽深度与重放光波长的1/7到1/5的光程长度相对应。
6.根据权利要求2的光记录媒质，其中凹槽和台面是摆动的，并且所述摆动的宽度分别是所述凹槽和所述台面宽度的1到10％。
7.根据权利要求1的光记录媒质，其中以标记长度记录系统记录信息。
8.根据权利要求1的光记录媒质，其中对用于擦除记录的激光波长，至少或者高硬度层的折射率或者第一绝缘层的折射率是大于1.6。
9.根据权利要求1的光记录媒质，其中对用于擦除记录的激光波长，在第二绝缘层的折射率和高硬度层的折射率之间的差值是-0.2到0.2，或者在第二绝缘层的折射率和第一绝缘层的折射率之间的差值是-0.2到0.2。
10.根据权利要求1的光记录媒质，其中高硬度层的热导率大于第一绝缘层的热导率。
11.根据权利要求1的光记录媒质，其中高硬度层的折射率小于第一绝缘层的折射率。
12.根据权利要求1的光记录媒质，其中高硬度层的厚度是10到100nm。
13.根据权利要求12的光记录媒质，其中高硬度层的厚度是25nm或更大。
14.根据权利要求1的光记录媒质，其中高硬度层具有450kg/mm2或更大的努普硬度。
15.根据权利要求1的光记录媒质，其中高硬度层和第一绝缘层的厚度总和是10到500nm，并且高硬度层的厚度比第一绝缘层厚度薄。
16.根据权利要求15的光记录媒质，其中高硬度层和第一绝缘层的厚度总和是80到200nm。
17.根据权利要求1的光记录媒质，其中高硬度层的热膨胀系数低于第一绝缘层的热膨胀系数。
18.根据权利要求1的光记录媒质，其中记录层的厚度是5到40nm。
19.根据权利要求1的光记录媒质，使高硬度层材料和第一绝缘层材料的混合层设在高硬度层和第一绝缘层之间。
20.根据权利要求1的光记录媒质，其中第一绝缘层和第二绝缘层独立地从ZnS和SiO2的混合膜或ZnS和SiO2作主要成分的混合膜中选择，并且SiO2的含量是15到35mol％。
21.根据权利要求1的光记录媒质，其中高硬度层是SiOx(1≤x≤2)膜或SiOx(1≤x≤2)作主要成分的混合膜。
22.根据权利要求1的光记录媒质，其中高硬度层是Si3N4-x(0≤x≤2)膜或Si3N4-x(0≤x≤2)作主要成分的混合膜。
23.根据权利要求22的光记录媒质，其中高硬度层是Si3N4-x(0.5≤x≤1.5)膜或Si3N4-x(0.5≤x≤1.5)作主要成分的混合膜。
24.根据权利要求1的光记录媒质，其中高硬度层是Ta2O5-x(0≤x≤1)膜或Ta2O5-x(0≤x≤1)作主要成分的混合膜。
25.根据权利要求1的光记录媒质，其中高硬度层是Al2O3-x(0≤x≤2)膜或Al2O3-x(0≤x≤2)作主要成分的混合膜。
26.根据权利要求25的光记录媒质，其中高硬度层是Al2O3-x(0.2≤x≤1.5)膜或Al2O3-x(0.2≤x≤1.5)作主要成分的混合膜。
27.根据权利要求1的光记录媒质，其中高硬度层是AlNx(0.2≤x≤1)膜或AlNx(0.2≤x≤1)作主要成分的混合膜。
28.根据权利要求27的光记录媒质，其中高硬度层是AlNx(0.5≤x≤0.9)膜或AlNx(0.5≤x≤0.9)作主要成分的混合膜。
29.根据权利要求1的光记录媒质，其中高硬度层是ZrOx(0.5≤x≤2)膜或ZrOx(0.5≤x≤2)作主要成分的混合膜。
30.根据权利要求29的光记录媒质，其中高硬度层是ZrOx(0.8≤x≤1.8)或ZrOx(0.8≤x≤1.8)作主要成分的混合膜。
31.用于制造根据权利要求1的光记录媒质的方法，其中高硬度层由反应溅射法形成。
全文摘要
一种光记录媒质具有高硬度层、第一绝缘层、记录层、第二绝缘层和反射层。高硬度层的硬度大于第一绝缘层的硬度,并且第二绝缘层的厚度在3到50nm的范围内。这种可重写相变化式光记录媒质显示出在频繁重写扇区的写开始部分和写结束部分中减少损坏,并且具有好的抖动特性。
文档编号G11B7/253GK1201225SQ97129770
公开日1998年12月9日 申请日期1997年12月16日 优先权日1996年12月16日
发明者信正均, 薙野邦久, 大林元太郎, 山铺智也, 渡边雄二, 新井猛 申请人:东丽株式会社