专利名称：使用兼容浸渍媒质浸渍光刻方法
技术领域：
一般而言本发明系有关集成电路制造的领域，尤其系有关使用兼容浸渍媒质(conforming immersion medium)，如具有固态、半固态、凝胶态或橡胶态稠度的媒质的浸渍光刻(immersion lithography)方法，以及相对应的装置。
背景技术：
在晶片上形成各种集成电路(IC)经常仰赖光刻方法(Iithographicprocess)，有时称为光光刻(photo lithography)，或简称为光刻(Iithography)。如众所周知般，光刻方法可使用于将光屏蔽(本文亦称为掩模(mask)或光栅(reticle))的图案(pattern)转移至晶片。
例如，图案可藉由使光能量通过具有配置的掩模以使所要的图案成像至光抗蚀膜层(以下简称为光刻胶层)上而由设置在晶片上的光刻胶层予以形成。结果，图案转移至光刻胶层。在光刻胶层充分地曝光且在显影循环之后的区域，光刻胶材料可变成可溶而使得其可被移除以使基底层(例如，半导体层、金属或含金属的层、介电层、硬掩模层等)选择性地曝光。未曝光于光能量临限量(threshold)的光刻胶层的部份不会被移除而可用于在晶片的进一步加工期间(例如，蚀刻基底层的曝光部份，将离子嵌入晶片中等)保护基底层。之后，可移除光刻胶层的其余部份。
在IC制造的技艺上增加密度系普遍的趋势，因此而配置各种结构。结果，有增加光刻系统的分辨率性能的相对应需求。习知”干式”光刻的一有希望的替代方案系已知称为浸渍光刻(immersion lithography)之下一代光刻技术。至今所提出的浸渍光刻系统中，系将藉由光刻系统予以成像的晶片放置在可流动的液体介质中，并经由该介质而透射出图案化的光。已知的浸渍光刻介质为与193nm光源14(例如，氩氟(ArF)雷射)共同使用的纯化的去离子水及与157nm光源14共同使用的多氟醚类。这些可轻易流动的浸渍媒质取代传统上存在于习知干式光刻成像系统(imaging system)的最终透镜与晶片之间的空气或气体间隙。
然而，尝试实施浸渍光刻遭遇到许多挑战。例如，浸渍媒质的折射率(index of refraction)上的微量偏差及/或非均匀度可负面地影响入射在晶片上的曝光图案的品质。液态浸渍媒质的折射率改变的成因可包含，例如，浸渍媒质的流动，浸渍媒质的密度的改变，浸渍媒质的温度改变等。在干式光刻中，晶片可自曝光剂量吸收数焦耳的能量，在浸渍光刻中，相信浸渍媒质会自曝光剂量吸收至少一些能量。又，由于浸渍媒质至少与晶片接触，故热可自晶片转移至浸渍媒质。由浸渍媒质所吸收的能量，即使是小量，亦可足以造成浸渍媒质的折射率的偏差及/或非均匀度而负面地影响成像的图案。又，晶片可安置在相对于成像次系统移动的架台(stage)上。例如，晶片可被曝光，然后移动约30mm至新位置再为第二次曝光而停止等。晶片移动速率可为约250nm/秒至约500mm/秒。此移动可造成非均匀的流体流动(例如，湍流、层流、涡流等)或对浸渍媒质的性质的其它改变而导致浸渍媒质的折射率的偏差。此外，也有一种意图将浸渍媒质故意地放置在移动状态(例如，晶片上的流动图案中)或施加水压。这些因素亦可招致浸渍媒质的折射率的偏差。
液态浸渍媒质中的气泡及/或污物亦可破坏晶片的成像。浸渍媒质的流体流动可造成气泡而形成及/或变成潜入在浸渍媒质中。曝光期间，光刻胶层可能释出气体。这些气体可能溶解在浸渍流体中，终究导致气泡形成。亦可预期到附着于晶片上之外物被带至浸渍媒质中，而在媒质自晶片逐出外来物而开始”浮现”在浸渍媒质中。液态浸渍媒质重复地使用于多数晶片且施加于重复应用辐射而导致随着时间显著构筑气泡，溶解的物质及/或污物。
因此，在此项技艺中存在着改良的浸渍光刻方法及系统的需求。
发明内容
依据本发明的一局面，本发明系有关一种使用具有可发出曝光图案的透镜的光刻系统制造装置的方法。此方法可包含提供晶片及设置在晶片上的光刻胶层；将兼容浸渍媒质定位在光刻胶层与透镜之间；以及以穿越过兼容浸渍媒质的曝光图案使光刻胶层曝光。
依据本发明的另一方面，本发明系有关一种使用具有发出曝光图案的透镜的光刻系统制造装置的方法。此方法可包含提供晶片及设置在晶片上的光刻胶层；使透镜与光刻胶层各与兼容浸渍媒质密切接触，该兼容浸渍媒质系设置在透镜与光抗蚀膜层之间；以及利用曝光图案穿透过兼容浸渍媒质而使光抗蚀膜曝光。
依据本发明的又一方面，本发明系有关一种光刻系统。此光刻系统可包含光刻成像组装件的透镜；具有设置在晶片上的光刻胶层的晶片；以及设置在透镜与光刻胶层之间且密切接触光刻胶层与透镜的兼容浸渍媒质。
参考下述的说明及图式将会清楚明了本发明的这些及进一步的特点，其中图1系示例的集成电路加工配置的方块图；图2及图3系图解地说明兼容浸渍光刻方法的第一具体实例；以及图4及图5系图解地说明兼容浸渍光刻方法的第二具体实例。
具体实施例方式
在下述的详细说明中，类似的组件系以相同的参考件号表示的，无论其系显示在不同的局面及/或具体实例中。为了以清晰且简明的方式说明本发明的各方面，图式并不一定依比例缩小而且某些特征系或多或少以简略的形式予以显示。针对一具体实例予以陈述及/或说明的特点可以相同的方式或类似的方式使用于一个或多个其它具体实例及/或组合或取代其它具体实例的特点。
本文的说明系以制造具有形成于其上的集成电路(IC)的晶片的范例叙述呈现。IC实例包含由成千或百万晶体管所制成的一般目的的微处理器，闪存数组或任何其它专用电气回路。然而，熟习此项技艺的人士将可认知本文所述的方法及装置亦可应用于制造使用光刻技术所制造的任何对象，如微机器、盘片驱动头、基因芯片、微机电系统(MEMS)等。
本文所述的装置及方法可提供于在高分辨率光刻制程期间改良晶片的成像(imaging)。亦即，曝光图案可经由可高度控制的媒质指向晶片，该媒质具有所要且均匀的折射率使得曝光图案的扭变达到最小。此浸渍媒质较佳为兼容浸渍媒质，如具有固态、半固态、凝胶态或橡胶态稠度的媒质。
本文所使用的兼容浸渍媒质(conforming immersion medium)一词系以其最广的观念使用的而不应受本文所述的实例材料所局限。兼容浸渍媒质系呈现本文所述的包含当设置在透镜与晶片之间，尤其是在透镜与设置在晶片顶部上的光刻胶层之间时保持不破裂状态的能力的物理性质的材料。兼容浸渍媒质即使在存在着经由，例如，光刻系统的透镜而施加在媒质上的变形压力时亦可保持其不破裂状态(例如，媒质不会如可流动的液体般裂开)。兼容浸渍媒质通常对被移动呈现阻力。可轻易流动的液体(例如，水及多氟醚类的惯用液态浸渍媒质)及气体在变形时不具有弹性及回弹性，因此，不是兼容浸渍媒质。
至少有三种次类(subclass)的兼容浸渍媒质落在本文所使用的兼容浸渍媒质的范围内。这些次类包含硬质材料、柔质材料及塑性可变形材料。硬质材料系为固体，或不易穿透、切割或分离且不容易屈服于压力的材料。通常，硬质材料会在重大变形之前破裂。硬质材料的实例包含，例如，各种玻璃(例如，石英及熔凝二氧化硅)、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯等。
柔质材料为那些轻易屈服于压力不会破裂的材料。柔质材料系柔顺者，其可为顺从者，可轻易弯曲及/或可轻易变形。柔质材料可具有回弹性及/或弹性本质使得此种材料在遭受压力、拉伸及/或其它变形力后回至先前形状或位置。
塑性可变形材料为轻易屈服于压力不会破裂，可为顺从者，可轻易弯曲及/或可轻易变形上类似于柔质材料。然而，塑性可变形材料在本质上通常不是非常具有回弹性及/或弹性。塑性可变形材料在遭受压力、拉伸及/或其它变形力后反而易于保持新形状或位置。
参照图1，系示例IC加工配置的方块图，包含使用于使图案成像至晶片12，或其区域上的兼容浸渍光刻系统10。系统10可为，例如，步进-及-重复(step-and-repeat)曝光系统或步进-及-扫描(step-and-scan)曝光系统，但不限于这些实例系统。系统10可包含辐射(例如，光源14)以将光能量16导向光屏蔽18(有时称为掩模(mask)或光栅(reticle))。光能量16可具有，例如，深紫外线波长(例如，约248nm或约193nm)，或真空紫外线(VUV)波长(例如，约157nm)，虽然其它波长(例如，极紫外线波长)亦可能且被视为落在本文所述及主张的本发明的范围内。
掩模18选择性地阻挡光能量16使得由掩模18所界定的光能量图案20向晶片12转移。成像次系统22，如光刻步进机组装件或扫描仪组装件，将由掩模18所透射的能量图案20依序地导向在晶片12上的一系列所要的位置。成像次系统22可包含一系列透镜及/或反射器以使用于计量及以成像(或曝光)光能量图案(imaging light energy pattern)24的形式将能量图案20导向晶片12。
成像图案24(或曝光图案)系经由兼容浸渍媒质26(本文亦简称为浸渍媒质26)由成像次系统22予以透射。在一具体实例中，兼容浸渍媒质26于曝光波长具有约1.0至约1.5的折射率，但可为更高如下所述。在一具体实例中，兼容浸渍媒质的折射率大于1.0，但小于成像次系统统22的最终透镜32(图2至图5)的折射率。在另一具体实例中，兼容浸渍媒质的折射率相当于成像次系统22的最终透镜32的折射率，而相当于或接近最终透镜32的折射率。在许多习知IC加工配置中，成像次系统22的最终透镜可具有约1.4至约1.7的折射率。因此，在一具体实例中，浸渍媒质26的折射率可为约1.0至1.7。
兼容浸渍媒质26较佳可透射曝光波长，如于曝光波光具有约95％或更高的百分透射率。
如以下将要进一步讨论者，晶片12可安置于晶片架台28，而此架台可移动以使晶片12相对于成像次系统22定位。可使用控制系统30于控制浸渍光刻系统10的组件及功能，包含，例如，使晶片12相对于成像次系统22的最终透镜32定位。例如，透镜32可具有光学轴且晶片12可在横越光学轴的表面及/或沿着光学轴移动以改变透镜32与晶片12之间的距离。
另外参照图2，系显示具有设置于其上的光刻胶层34的晶片12。视晶片12上所制造的装置及晶片进行多少加工而定，晶片12可包含多层(例如，衬底、介电层、多晶硅层、层间介电层等)及/或目前最新制程所形成的结构(例如，掺杂井、源极/漏极区域，栅极组、隔板、触点等)。光刻胶层34可包含，例如，辐射敏化材料以及选择性的次层如基底层、底部抗反射涂覆层(BARC)，抗反射涂覆层(ARC)等。
在图2的具体实例中，设置在光刻胶层34之上的是兼容浸渍媒质26。兼容浸渍媒质26可沉积为一层。兼容浸渍媒质26可沉积使得当透镜32与兼容浸渍媒质26为了光刻胶层34曝光而接触时，兼容浸渍媒质26具有大于照明源的相干长度的厚度。在一具体实例中，厚度为曝光波长的约一倍至约二十倍，在另一具体实例中，厚度为曝光波长的约五倍至约十倍。如以下将要讨论般，在为了光刻胶层34曝光而使透镜32与晶片12接近一起时，兼容浸渍媒质26可能受到压缩力。
兼容浸渍媒质26可由任何适合的材料制成兼容浸渍媒质26的材料的实例种类包含玻璃、明胶、聚硅氧烷为基的材料、水凝胶、氟化材料，及这些材料的混合物(例如，氟化聚硅氧烷)。某些聚合物及烃类亦可适合。应可感知到，识别特定材料及/或材料种类不应视为限制，因呈现本文所述的性质的任何材料皆可作为兼容浸渍媒质26。
玻璃通常包含具有非晶形结构的二氧化硅为基的陶瓷材料。玻璃通常被视为极高黏度的过冷却液体而具有固体之外观及性质。在许多情形下，玻璃具有几乎100％弹性回复力。
明胶(gelatin)通常是蛋白质的混合物且具有强烈亲水性(例如，吸收至多其重量的十倍的水)。明胶可形成相当高强度及黏度的可逆凝胶(revesible gel)。凝胶系其中分散相与连续相结合以产生黏稠冻状产物的胶体(colloid)。例如，可使用在水中的约2％的明胶形成硬凝胶。
硅酮(silicone)为基的材料系具有一大群基于由具有贴附于硅的各种有机自由基的交替硅及氧原子所组成的结构的硅氧烷聚合物(siloxane polymers)的材料。硅酮可选择性地与自由基起始剂交联。又，硅酮可被氟化。适合的硅酮为基的材料可包含，例如，硅酮丙烯酸酯(silicone acrylate)，其可具有约1.47的折射率，及氟硅酮丙烯酸酯，其可具有约1.45的折射率。亦可使用混合的有机/聚硅氧烷配方，如双-苯基丙基二聚硅氧烷(dimethicone)或苯基三聚硅氧烷。
水凝胶系一种在水中具有膨润的能力且在其结构内保留重大部份(例如，大于20％)的水，但其不会溶解于水的聚合物材料。水凝胶与水形成且保持一平衡状态。包含于此定义者为植物与动物两者的起源的各式各样的天然物质，藉由改质天然产生的结构所制备的材料及合成的聚合物材料。水凝胶经常使用于隐形眼镜的配方。在一具体实例中，适合的水凝胶为交联的聚环氧烷。使用于该种力凝胶的市售水可膨润聚环氧乙烷包含Union Carbide出品的POLYOX WSR-205及MeiseiChemical Works出品的AL KOK。另一种适合的水凝胶为交联的聚丙烯醯胺水凝胶，如BetzDearborn(Hercules公司的部门)出品的POLYFLOCAP1142。水凝胶的其它讨论可见诸于，例如，PCT公报第WO02/41040A2号，其内容整体并入本文列为参考。
除了到目前为止所讨论的兼容性质外，兼容浸渍媒质26可被压缩以在浸渍媒质26受到压力时变形。材料的可压缩本质可为弹性或塑性特质。在一具体实例中，浸渍媒质26的压缩性可有助于避免在浸渍媒质26与晶片12间的接口，渍渍媒质26与透镜32间的接口及浸渍媒质26内的空气或气体袋或其它孔洞的存在。不意欲被理论所束縳，一般相信压缩力可迫使气泡及/或气体袋(gas pockets)离开曝光图案24的路径及/或在浸渍媒质26内进入溶解状态。基于此见识，浸渍媒质28可为柔软质而使晶片12与透镜32能密切接触。
在一具体实例中，浸渍媒质26可具有相当高的表面能量或其它内聚力使得不易发生浸渍媒质26的分裂由而浸渍媒质26不易自晶片12完全转移或部份转移至透镜32或自透镜32转移至晶片12。
在第一实例兼容浸渍光刻方法中，如图2所示般(例如，具有形成在晶片12上的光刻胶层34且具有形成在光刻胶层34上的兼容浸渍媒质26)制备晶片12。使用习知的校准技术，可藉由移动晶片架台28(图1)针对透镜32的光学轴校准具有光刻胶层34及兼容浸渍媒质26的晶片12。
之后，接着参照图3，可使透镜32与兼容浸渍媒质26彼此密切接触。例如，晶片架台28可移近于透镜32及/或透镜32可移近于晶片12。在透镜32与兼容浸渍媒质26接触时可进行晶片架台28及/或透镜32的进一步移动以使兼容浸渍媒质26上受到变形压力。如所指示及所说明般，此压力可导致兼容浸渍媒质26的某些变形。
其次，光刻胶层34可由曝光图案24曝光，且在该曝光期间，曝光图案24穿透过兼容浸渍媒质26。如应认知者，一次仅可使光刻胶层34的一部份，如相对应于晶片12的个别晶粒区域(die region)的部份曝光。因此，在以曝光图案24曝光之后，兼容浸渍媒质26可不与透镜32接触(例如，藉由移动晶片架台28及/或透镜32)。具有光刻胶层34及兼容浸渍媒质26的晶片12可针对透镜32的光学轴予以再校准且可以上述的方式使兼容浸渍媒质26与透镜32再次被此接触。可重复此程序直至欲予曝光的光刻胶层34的各部份皆已曝光。
兹接着参照图4及图5，将要说明第二实例兼容浸渍光刻方法。在第二实例兼容浸渍光刻方法中，如图4所示般(例如，具有形成在晶片12上的光刻胶层34)制备晶片12。此外，藉由将兼容浸渍媒质26贴附，连接或沉积在透镜32上而制备透镜32。视透镜32的定向而定，兼容浸渍媒质26可藉由重力、黏附、静电荷、黏合性质(例如，在透镜32与兼容浸渍媒质26之间放置光学黏合剂)，或任何其它适合的技术留在位置上。
之后，可使用习知的校准技术(例如，藉由移动晶片架台28)针对透镜32的光学轴校准具有光刻胶层34的晶片12。可使兼容浸渍媒质26与光刻胶层34彼此密切接触。例如，晶片架台28可移近于透镜32及/或透镜32可移近于晶片12。在兼容浸渍媒质26与光刻胶层34接触时，可进行晶片架台28及/或透镜32的进一步移动以在兼容浸渍媒质26上受到变形压力。如所示般，此压力可导致兼容浸渍媒质26的某些变形。
其次，光刻胶层34可由曝光图案24曝光，且该曝光期间，曝光图案24穿透过兼容浸渍媒质26。如应认知者，一次仅可使光刻胶层34的一部份，如相对应于晶片12的个别晶粒区域的部份曝光。因此，在以曝光图案24曝光之后，兼容浸渍媒质26可不与透镜32接触(例如，藉由移动晶片架台28及/或透镜22)。具有光刻胶层34的晶片12可针对透镜32的光学轴予以再校准且可以上述的方式使兼容浸渍媒质26与透镜32再次被此接触。可重复此程序直至欲予曝光的光刻胶层34的各部份皆已曝光。
如应认知者，可对前述的光刻技术进行各种变化而不偏离如随附的权利要求书所界定的本发明的范围。例如，可进行针对透镜32的光学轴的晶片12的再校准而不使透镜32与兼容浸渍媒质26或者兼容浸渍媒质26与光刻胶层34彼此不接合。
与习知用于干式光刻方法及可流动液体浸渍光刻方法者相较下，兼容浸渍媒质26可提供使曝光图案穿透过的媒质的更高的折射率。一般相信浸渍媒质的折射率愈接近于透镜32的折射率，则入射至光刻胶层34上的曝光的分辨率愈佳。
又，非可流动的浸渍媒质，如本文所述的兼容浸渍媒质26比可流动的浸渍媒质更可控制。例如，使曝光图案24穿透过的浸渍媒质的整个体积的折射率可比可流动的浸渍媒质更为均匀。又，兼容浸渍媒质26中形成的气泡多半低于可流动的液态浸渍媒质。应注意相对于曝光波长较小的气泡(例如，小数十倍或数百倍)可被容忍，因为该种小气泡对成像形成不具重大冲击。在可流动的液体浸渍光刻中，相同浸渍媒质的重复曝光可导致形成具有相对于曝光波长相对上较大的尺寸的气泡。
总而言之，与其使用可流动的浸渍媒质不如使用兼容浸渍媒质以避免将可流动的浸渍媒质的流体性质导入浸渍光刻方法中，因此可得低扭变成像。又，可实现与浸渍光刻相关的益处，包含，例如，有效的波长减少及有效的数值孔径增加。
在一具体实例中，兼容浸渍媒质26系可抛弃的。例如，兼容浸渍媒质26系使用于与一特别的掩模18及晶片12相关的曝光。然后，将兼容浸渍媒质26自晶片12移除以进一步加工晶片12(例如，光刻胶层34显影及/或加工光刻胶层阻34底下的晶片层)或者自透镜32移除再以新兼容浸渍媒质26取代的。在兼容浸渍媒质26系首先沉积在光刻胶层34上的情形，兼容浸渍媒质26的各部份可能仅曝光于曝光图案24一次。在兼容浸渍媒质26首先接合于透镜32的情形，兼容浸渍媒质26可曝光于曝光图案24多次，但重复次数不足以导致气泡形成或折射率的非均匀度。因此，在许多情形下，可以安置在透镜32上的相同兼容浸渍媒质26进行与多掩模及/或晶片相关的曝光。在一具体实例中，可藉由回收程序回收，纯化及/或再利用自晶片12或透镜32移除的兼容浸渍媒质材料。
由于兼容浸渍媒质26仅使用于有限次数的曝光故辐射曝光亦相对地受到限制，一般相信会影响成像形成及/或将污物导入浸渍媒质中的气泡形成可达到最小。结果，可在光刻胶层34上映上高分辨率及品质的图像。
在一具体实例中，在以曝光图案24曝光之前，可扫描兼容浸渍媒质26以测定兼容浸渍媒质26是否在可接受的条件下。例如，可使用，例如，如更详细说明于2003年7月25日申请的共同审理中的美国专利申请案第10/628,021号(其揭露之内容整体并入本文列为参考)的干涉技术扫描兼容浸渍媒质26以确认兼容浸渍媒质26的折射率均匀度。亦可使用，例如，如更详细说明于2003年8月11日申请的共同审理中的美国专利申请案第10/638,927号(其揭露之内容整体并入本文列为参考)的侦测由测试雷射所发出的光及由外来物所散射的光的散射光侦测器组装件扫描兼容浸渍媒质26以确认外来物(例如，微粒物质或气泡)的存在。
虽然已详述本发明的特别的具体实例，但应了解本发明并不局限于相当的范围，而是包含随附的权利要求书的精神及用语内的所有改变，变化及均等。
权利要求
1.一种使用光刻系统(10)制造装置的方法，该光刻系统(10)具有发出曝光图案(24)的透镜(32)，该方法包括提供晶片(12)及设置在晶片上的光刻胶层(34)；将兼容浸渍媒质(26)定位在光刻胶层与透镜之间；以及以曝光图案使光刻胶层曝光，该曝光图案穿过兼容浸渍媒质。
2.如权利要求1所述的方法，其中将兼容浸渍媒质定位包括以兼容浸渍媒质涂覆光刻胶层与透镜的至少其中之一。
3.如权利要求1至2任一项所述的方法，其中该定位导致光刻胶层与透镜的至少其中之一与兼容浸渍媒质密切接触。
4.如权利要求1至3任一项所述的方法，进一步包括利用透镜在兼容浸渍媒质上施加变形压力。
5.如权利要求1所述的方法，进一步包括移动晶片与透镜的至少其中之一使得透镜及光刻胶层与兼容浸渍媒质密切接触。
6.如权利要求5所述的方法，进一步包括通过使光刻胶层与透镜的其中之一不与兼容浸渍媒质接触而将晶片针对透镜再次定位，将晶片与透镜的至少其中之一针对晶片及透镜的另一个横向地移动，及重新建立透镜及光刻胶层与兼容浸渍媒质的密切接触；以及以曝光图案使光刻胶层再次曝光，该曝光图案穿过兼容浸渍媒质。
7.如权利要求1至6任一项所述的方法，其中兼容浸渍媒质的折射率为约1.0至约1.5。
8.如权利要求1至7任一项所述的方法，其中兼容浸渍媒质是由水凝胶、玻璃、明胶及硅酮为基的材料的至少其中之一所制成。
9.一种使用光刻系统(10)制造装置的方法，该光刻系统(10)具有发出曝光图案(24)的透镜(32)，该方法包括提供晶片(12)及设置在晶片上的光刻胶层(34)；使透镜及光刻胶层各与兼容浸渍媒质(26)密切接触，兼容浸渍媒质设置在透镜与光刻胶层之间；以及以曝光图案使光刻胶层曝光，该曝光图案穿过兼容浸渍媒质。
10.一种光刻系统(10)，包括光刻成像组装件(22)的透镜(32)；晶片(12)，具有设置在该晶片上的光刻胶层(34)；以及设置在透镜与光刻胶层之间且与光刻胶层及透镜密切接触的兼容浸渍媒质(26)。
11.如权利要求10所述的光刻系统，其中在光刻胶层曝光期间透镜在兼容浸渍媒质上施加变形压力。
12.如权利要求10至11任一项所述的光刻系统，其中兼容浸渍媒质的折射率为约1.0至约1.5。
13.如权利要求10至12任一项所述的光刻系统，其中兼容浸渍媒质是由水凝胶、玻璃、明胶及硅酮为基的材料的至少其中之一所制成。
14.如权利要求10至13任一项所述的光刻系统，其中透镜与晶片的至少其中之一是可移动的以建立密切接触。
15.如权利要求10至14任一项所述的光刻系统，其中光刻成像组装件自透镜发出曝光图案(24)且该曝光图案穿过兼容浸渍媒质而使光刻胶层曝光。
全文摘要
一种使用具有发出曝光图案(24)的透镜(32)的光刻系统(10)制造装置的方法。兼容浸渍媒质(26)可位在光敏抗蚀(光刻胶)层(34)与透镜之间。光刻胶层(其可设置在晶片上)与透镜可与兼容浸渍媒质密切接触。然后以曝光图案穿透兼容浸渍媒质而使光刻胶层曝光。
文档编号G03F7/20GK1886698SQ200480035404
公开日2006年12月27日 申请日期2004年10月26日 优先权日2003年12月3日
发明者C·F·莱昂斯, C·P·巴布科克, J·启 申请人:先进微装置公司