专利名称：磁盘基体中间产品及其制造工艺的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种磁盘基体的非铝制中间产品，该产品通过镀Ni-P(镍-磷)层来形成晶体组织，更特别地涉及一种磁盘基体的中间产品及其制造工艺，利用该工艺可以简便而低成本地制造出一种用于硬盘的无机材料基体，如结晶玻璃基体、玻璃基体等。
目前用于硬盘的磁盘基体包括一种铝制基体，该基体由镀有Ni-P层的铝盘制成；还包括一种玻璃基体，该基体是由结晶玻璃或玻璃(包括回火玻璃)制成，其中结晶玻璃是用向普通玻璃上直接喷涂一层磁性材料等物质的方法制成的。上述铝制基体用作直径为5.25或3.5英寸的大直径硬盘的基体，而玻璃基体则用作直径为2.5英寸或更小的小直径硬盘的基体。
玻璃基体在硬盘基体所需的性能，如冲击抗力(硬度)、或刚度(杨氏模量)等方面均优于铝制基体，而且可以达到更好的表面粗糙度。然而，由于玻璃基体在制造过程中所需的制造时间较长，因而使其制造成本较高。此外，由于随着玻璃基体尺寸的增大其制造成本会增加，从而使玻璃基体的使用受到限制，仅用作装在要求有一定冲击抗力的便携式PC机上的2.5英寸或更小的小直径硬盘的基体。
对用于硬盘的玻璃基体的表面特性，要求有高的平直度，好的表面粗糙度，而且不能有凹坑等表面缺陷。为了生产出满足上述要求特性的玻璃基体，目前采用将玻璃基体材料进行磨削的方法。由于磨削所得的玻璃基体中间产品的平直度和表面粗糙度均不足以满足要求，还需一道工序将该玻璃基体中间产品进行进一步的抛光。
作为制造玻璃基体的最终步骤的抛光工序包括如下步骤将玻璃基体中间产品装夹在上下平板之间；将聚氨基甲酸酯或绒面革制成的磨料布蒙在平板的抛光表面(与玻璃基体中间产品相接触的表面)上；然后使上下平板以相反的方向旋转，在此过程中注入含有用细小的二氧化铈(CeO2)磨削颗粒作为游离磨削颗粒的处理液来抛光玻璃基体的表面。
据此可以说该抛光步骤就是校正前序磨削步骤中形成的微小的表面凹凸不平，从而得到一个平滑且良好的表面粗糙度的步骤。但抛光步骤保持了前面磨削步骤中得到的平直度，因此事实上在抛光步骤中不可能(在生产上有效的)校正平直度。
欲镀Ni-P层的基体材料需要适度的表面凹凸不平。由于铝基体材料是金属，因此在用海棉状磨石等进行抛光时不会在局部产生凹坑(磨粒印痕)，并由此获得具有所需的表面粗糙度的铝制基体材料。然而由于玻璃基体材料和结晶玻璃基体材料是脆性材料，因此用海绵状磨石或用石墨碳(GC)磨粒进行研磨可以获得所需的表面粗糙度，但是会在局部产生凹坑，由此在已抛光表面镀上Ni-P后仍留有凹坑，从而得到不能满足要求的玻璃磁盘。因此，现在已不采用这种方法了。
目前，一种用于用无机材料制造磁盘基体中间产品(包括上述玻璃基体中间产品)的工艺，或一种用于磨削磁盘基体材料的磨削方法中，均包括一次区域微小破坏和一次区域微小变形。前者用于增加磨削和磨去动作量，用游离磨削颗粒进行研磨是它的一个典型的例子。另一方面，后者用于以高精确度处理表面，其一个典型方法包括用固溶磨石进行磨削。
研磨是磨削磁盘基体材料的典型方法，它常常分为初级研磨(粗磨)和随后的二级研磨(精磨)两个步骤。在每个步骤中，在铁制的上下研磨平板之间均安装一个与磁盘基体材料配合的托盘(通常是用树脂制成的盘，用于安放磁盘基体材料)。磁盘基体材料的两面被压贴上下平板以相反方向旋转来研磨磁盘基体的两表面，在旋转过程中向研磨接触面间加入游离磨削颗粒如石墨碳GC(SiC)和处理液，以将碎屑和裂片从磁盘基体材料表面冲走。这种方法的优点是可提供高的平直度，高的加工精确度和高的加工效率。
在这种方法中，由于研磨过程中磁盘基体材料和磨粒之间的冲击(滑动)而导致磁盘基体材料发生微小的脆性断裂，从而利用这种断裂来磨削磁盘基体的表面。这样，在所得的磁盘基体中间产品的表面上由于脆性断裂产生了加工变形。
如果在磁盘基体中间产品的表面上残存着不同量的加工变形，就会造成磁盘基体中间产品的卷曲，从而不能获得好的平直度。但是，若磁盘基体材料的两个面被同时加工，那么磁盘基体中间产品上就可以产生一致的加工变形，且在每个表面上的变形量大致相同。因此，由于研磨的方法可提供翘曲量很小因而具有高平直度的磁盘基体，所以研磨作为一种硬盘用的磁盘基体中间产品的制造工艺被广泛应用。
然而，由于在经过一个延长的时间间隔进行研磨时，可能会导致局部磨损，这样可能在研磨表面上导致偏磨损，从而不再能获得上述良好的平直度，除非研磨平板的研磨表面得到精心的维护。此外，由于研磨是一个脆性断裂过程，因此它不可避免地会产生被称为磨粒印痕的凹坑，这是研磨的一个缺点。
这些凹坑是一些微小的下陷点，通常认为它们是在研磨过程中当有较大磨粒(二级磨粒)滚过磁盘基体材料的表面时产生的。其典型深度为20～30μm。这就需要在随后的抛光工序中将这些凹坑去除，该抛光工序通常需要连续进行40～60分钟来抛光磁盘基体中间产品的两个表面。这种抛光的持续时间大约是铝制基体制造工艺中抛光持续时间的8～10倍。如此长的处理持续时间是导致制造成本增加的一个主要原因。这就需要提供一种磁盘基体的中间产品使晶体组织的形成成本降低，这种产品除了抛光时间减少了以外，还可解决现有晶体组织加工中在成本和加工精确度方面的问题。
已经开发出一种金刚石切片平板，作为在研磨过程中抑制研磨平板的上述局部磨损的一种方法。但是，产生凹坑的问题仍未解决。因此，还需要在随后的抛光工序中将磁盘基体中间产品的两个表面磨削去30～40μm以去除凹坑。这样，其成本和采用研磨工序的工艺的成本基本相同。
另一方面，磨削加工是一种通过使固溶磨石高速旋转来磨削磁盘基体材料表面的方法，所使用的磨石是通过将磨粒如金刚石、立方氮化硼(CBN)或石墨碳(GC)固溶在金属、树脂或玻璃中制成的。与磨削加工相应，产生的凹坑很少，而且即使产生了凹坑，其深度也非常小，因此在抛光工序中去除磁盘基体中间产品表面上残存的凹凸不平缺陷所需的时间大为减少。
但是，当这种磨削加工连续进行时，磨粒的尖会被磨掉而不能再进行磨削，这就需要进行周期性的打磨。此外，由于需要一个接一个地加工磁盘基体材料的表面，因此在磁盘基体材料的每个面上形成的加工变形不可能具有一致的量或一致的分布，因此使磁盘基体中间产品上产生不规则的翘曲或扭曲，从而使平直度降低。
由于如上所述在抛光工序中不可能去除或校正上述翘曲或扭曲，这种磨削加工没有被用作制造硬盘用的磁盘基体中间产品的工艺。本发明的申请人提供一种通过固化磨粒制成的加工平板，并将工作平板的旋转中心定位在加工平板的外圆周上，且通过使加工平板和工作平板相对滑动来实现磨削加工，以使工作平板上的磁盘基体和加工平板之间的各接触点的轨迹一致。这样，本发明的申请人发现这种方法可以获得一种具有所需平直度的用于硬盘的磁盘基体中间产品，即使其尺寸大于2.5英寸时也可获得所需的平直度，并于1997年7月9日提交了日本专利申请No.9-183681。然而，这种方法的申请和已有销售的通过镀Ni-P，抛光，晶体组织形成、喷涂磁性膜几个步骤制成的基体(Ra≤10)具有过好的表面粗糙度，因而由于粘附问题导致薄膜的破裂。由此表明并未获得预期的中间产品。
在不发生薄膜破裂现象的情况下，可以通过已有技术实现用YAG激光来进行晶体组织成形。而且，通过向镀有Ni-P镀层的基体上镀一层磁性膜的方法获得的磁介质在磁性能上超过了通过向玻璃基体上直接喷镀一层磁性膜的方法获得的磁介质。
本发明是针对现有技术中的上述问题而提出的。发明者试图解决上述问题，并通过将脆性断裂过程和塑性变形过程结合为一个过程而形成本发明，该过程用于磨削需磨削的磁盘基体材料的一个表面，首先使被磨削材料发生脆性断裂，然后使其发生塑性变形，接下来进行清磨(修平)处理。
本发明的目的在于提供一种制造磁盘基体中间产品的工艺，该工艺可以防止在磨削加工过程中被磨削材料上产生微小的凹坑和不规则翘曲，通过使磁盘基体材料表面上的磨削阻力和固溶磨粒的轨迹保持不变来维持磁盘基体材料的良好的平直度，并有助于改善加工精度和效率并降低成本。
也可以说，根据本发明提供一种双面均用磨石进行磨削的磁盘基体中间产品，其特征在于每个平面的平直度均为10μm或更小，且由磨削产生的凹凸不平的高度差为0.05～1.0μm。优选地，在磁盘基体中间产品的每个面上形成的磨削加工轨迹为从中心向外延伸的径向曲线。
此外，根据本发明，提供一种磁盘基体中间产品的制造工艺，包括如下步骤依次磨削欲加工的磁盘基体的两个表面，以在每个磨削表面上都留下相同量的加工变形，由此在磨削以后磁盘基体中间产品的平直度可以维持在10μm或更小，而上述磨削所产生的凹凸不平的高度差在0.05～1.0μm之间，要在磁盘基体上镀一层Ni-P，这样的表面粗糙度已经足够了。
在依照本发明的磁盘基体中间产品的制造工艺中，当磁盘基体材料的每个表面均用旋转磨石的方法进行磨削时，优选地可设定一种加工条件，使构成磨石的磨粒破碎并从磨石上脱落，从而实现磨去大部分磨削余量的初级磨削步骤。此外，优选地初级磨削步骤包括将磁盘基体材料固定在工作台上的步骤和使工作台和磨石旋转的步骤，工作台的旋转速度为磨石旋转速度的60％～80％或20％～40％。
此外，优选地二级磨削步骤在初级磨削步骤之后进行，在进行该步骤的工作条件下，构成磨石的磨粒基本上不发生破碎或基本上不脱落。如果磁盘基体材料的每个表面的平直度均为10μm或更小，本发明的制造工艺将更加有效。磁盘基体材料从其在加工机理上讲是一种无机材料基体，而更优选地为玻璃基体或结晶玻璃基体。
此外，根据本发明，提供一种用于磨削磁盘基体材料的每个表面的磨削机，其工作过程为将欲加工的磁盘基体材料安装和固定在工作平板上，使加工杯形磨石和工作平板相对滑动，其中杯形磨石由固化磨粒的方法制成，其特征在于工作平板的旋转中心位于加工杯形磨石的外圆周上，该磨削机包括一个滑动驱动控制机构，用于使杯形磨石和工作平板相对滑动，以使贴在工作平板上的磁盘基体材料和加工杯形磨石之间各接触点的轨迹一致。
根据本发明，用于制造磁盘基体中间产品的磁盘基体材料优选地为玻璃或结晶玻璃，用于制造磨石的磨粒优选地为金刚石、立方氮化硼(CBN)或具有特定晶粒标号的玻璃化磨粒中的任何一种。特别地，以金刚石为最佳材料。
图1是本发明的用于制造磁盘基体中间产品的磨削机的一个实施例的局部示意图。
由于根据本发明而获得的磁盘基体中间产品有良好的平直度，较小的表面凹凸不平高度差，所以与传统玻璃基体相比在抛光工序中施加的载荷比较小，磁盘基体的制造成本降低了。此外，依照本发明的磁盘基体中间产品的制造工艺，在磨削过程中磁盘基体材料上不产生凹坑和不规则翘曲，由此可以维持被磨材料的良好的平直度，同时这种工艺有助于提高加工精度和效率并降低成本。
本发明的实施方案将在下面参照附图进行详述，但本发明并不限于此。
首先，本发明的磁盘基体中间产品制造工艺包括如下步骤用品粒标号为600#～3000#的磨粒通过固化的方法制成加工杯形磨石，优选地晶粒标号为800#～1200#；工作平板的旋转中心定位于加工杯形磨石的外圆周上；使加工杯形磨石和工作平板相对滑动以使贴在工作台上的磁盘基体材料和加工杯形磨石之间的各接触点的轨迹一致；然后使磁盘基体中间产品的上下表面依次地且连续地发生脆性断裂磨削过程和塑性变形磨削过程，以形成大致相同的加工变形量。
图1是一个用来加工磁盘基体的磨削机的实施例的局部示意图，该磨削机适用于加工本发明的磁盘基体的中间产品。如图1所示，在用于加工本发明的磁盘基体材料30的磨削机中，盘形工作平板6的旋转中心P设置在盘形加工杯形磨石2的外圆周上。
工作平板6的数目不限定于一个特定的数量。但是，考虑到各个工作平板6的联锁的必要性和欲磨削的磁盘基体材料30的尺寸，优选地选用两个工作平板6。此外，磁盘基体材料30用蜡固定在工作平板6上，或通过真空吸附等方法固定在工作平板6上，以使工作平板6的旋转中心P与磁盘基体材料30的旋转中心Q同心。
加工杯形磨石2由与马达(未示出)相联的旋转轴4带动旋转。通过皮带轮(未示出)将马达上的转动联锁传递转轴8上，由转轴8带动工作平板6旋转，从而通过滑动驱动控制机构(未示出)控制杯形磨石2和工作平板6之间的间距，并且控制加工杯形磨石2和工作平板6各自的旋转速度，以使加工杯形磨石2和工作平板6相对滑动，从而磨削表面20以工作平板6的旋转中心P为轴恒定地形成若干条从中心向外圆周延伸的径向曲线，该磨削表面是贴在工作平板6上的磁盘基体30上与加工杯形磨石2相接触的区域。
这样，当与使用杯形磨石的传统旋转型旋转磨削方法相比，由于这种构造使本发明的磨削机构可相对于磨削阻力和贴在工作平板上的磁盘基体材料30保持加工杯形磨石磨削面的统一轨迹，即使在一个表面接一个表面地磨削磁盘基体材料时，也可获得一致的轨迹，该磨削机构主要实现脆性断裂，因此与上述研磨工艺一样，在磁盘基体材料30的每个表面上产生的加工变形量可以达到基本相等。因此，防止了所得的磁盘基体中间产品的不规则翘曲，从而保持良好的平直度。
为了实现上述脆性断裂，需要设置一定的工作条件以使构成磨削用磨石的磨粒发生破碎或脱落。为此，本发明通过同时旋转固定有磁盘基体材料30的可旋转工作平板6和固定有磨粒的加工杯形磨石2来实现磨削。在这种情况下，工作平板6的旋转速度优选地为加工杯形磨石2旋转速度的20％～40％或60％～80％以内。这使形成一种主要进行脆性断裂的磨削机构成为可能。
作为实现这种脆性断裂的各种条件，还需考虑加工杯形磨石2向磁盘基体材料30进给的速度。该进给速度可以方便地由工作平板6的旋转速度范围决定。
在上述的磨削方法中，由于单位时间的磨削表面较小，磨削阻力可得以减小，从而可以抑制磨削热的产生，因而可以高速磨削磁盘基体材料30。在主要进行脆性断裂的磨削方法中，可以获得非常高的平直度，然而仅在脆性断裂过程中在磨削平面上产生的凹凸不平的高度差就高达约8μm。优选地，在脆性断裂过程后加一个具有塑性变形的过程，作为一种进一步减少凹凸不平的高度差的方法。
当在磨削步骤中发生塑性变形时，加工变形有时可能显著增加。为了抑制这种加工变形的产生，优选地将发生塑性变形的磨削量控制在最多5μm或更小。这样，作为一种防止磁盘基体材料30的平直度因为塑性变形而降低的方法，优选地使磁盘基体中间产品磨削表面上留下的磨削轨迹描绘出一条从中心向外圆周伸展的径向曲线。
在磨削加工步骤中主要进行塑性变形的目的可以通过降低加工杯形磨石2的进给速度来实现。通过把脆性断裂过程和塑性变形过程结合起来，并将其作为一个连续的操作，这使得提高平直度并将凹凸不平的高度差控制在0.05μm～1μm成为可能。也就是说，根据本发明的磁盘基体材料加工工艺，首先保证进行发生脆性断裂的磨削过程，由此加工杯形磨石2由于磨石的堵塞而被抑制，从而使随后的塑性变形可以有效地进行。
本发明的滑动驱动控制机构(未示出)优选地执行闭环控制，该控制过程检测加工杯形磨石和工作平板之间的间隙，加工杯形磨石和工作平板的旋转速度等，然后将结果反馈给滑动驱动单元(未示出)。
另一方面，由于磁盘基体中间产品上残存的变形量取决于它卡紧到工作平板上的情况，或者由于磨削热显著地影响加工精度，因此有必要对磁盘基体材料的安装的控制方法和用于带走磨削热的方法给予足够的重视，以便得到具有一致厚度和翘曲程度，且具有高精确平直度的磁盘基体中间产品。
因此，磨削通常在湿的状态下进行，为此，磨削机构上装有如用于向被磨削的区域提供磨削液的喷嘴和再循环管等。磨削液随构成加工杯形磨石的磨粒类型的不同而不同。例如，对于金刚石或玻璃化磨石优选采用具有良好冷却能力的水溶性磨削液，而对于立方氮化硼(CBN)磨石则优选采用非水溶性磨削液。
优选地，本发明中使用的加工杯形磨石具有较高的刚度，从而可以以高精确度磨削具有比普通磨削阻力高相当多的切线磨削阻力的磁盘基体材料。因此，构成加工杯形磨石的磨粒优选地可以是金刚石、立方氮化硼(CBN)或玻璃化磨粒中的任一种。在其它物质中，更适宜使用金刚石。此外，本发明中使用的加工杯形磨石优选地可以是多孔、颗粒或切片磨石中的任一种，以使排屑和向被磨削区域提供磨削液比较容易。
这样，由于磁盘基体中间产品是用本发明的工艺制成，从而在其表面上具有径向曲线形的磨削轨迹，该工艺可以防止在磨削表面上产生凹坑，且其所得的凹凸不平的高度差在0.05～1.0μm之间，因此可将随后的抛光步骤中的磨削量控制为两面均约为10μm。
这样，由于抛光步骤中磨削量可以减小，可在保持磁盘基体中间产品的平直度，不引起滑离和擦伤的情况下，较便宜地进行抛光。因而，用磨削玻璃或结晶玻璃等材料的方法制成的磁盘基体中间产品就适宜作为一种用于硬盘的直径为3英寸或更大的磁盘基体的母体而得以使用。
下面本发明将参照实施方案和比较实施例进行更详细地描述。这些实施方案是本发明的一个方向，但并不对本发明构成限制。
使用一种结晶玻璃基体作为欲磨削的磁盘基体材料，在表1中所列的磨削条件下进行磨削，该结晶玻璃基体材料是一个环形的玻璃基体(直径65mm，厚度0.83mm)通过在750℃加热两小时进行结晶，并使用下述尺寸的磨粒。从而可以通过使用二氧化铈作磨粒来进行抛光。
表1
接下来，在对通过用每种规格的磨粒进行磨削所得的玻璃基体中间产品的表面粗糙度进行检测后，用常规方法在该表面上镀上一层Ni-P镀层。在进行后处理后，进行晶体组织形成工序。此时，检验Ni-P镀层的粘附度。表2示出包括对整个过程的总体评价在内的检验结果。表2还示出了磨削过程中磨削量的测量结果。在该评价结果中，o表示实际使用中没有问题；x表示一个实际问题，即不满意的结果；Δ表示该结果可能是可接受的，但并不是完全令人满意。
表2
<p>注意例1和例8用于对比，而例2～例7是本发明的实施例。
从表2的结果可以看出，很明显，当使用标号在#600～#3000之间的任何一种磨粒进行磨削时，可以使玻璃晶体中间产品用喷镀方法形成的Ni-P镀层具有更高粘附度，并且使在玻璃晶体中间产品磨削过程中产生的加工高度差较小。用二氧化铈进行抛光不能产生高的粘附度。
因此，考虑到要制造较大的且造价较低的磁盘基体，人们希望开发出一种磁盘基体中间产品，该产品镀有Ni-P镀层并具有最小的抛光加工余量。从表2可以清楚地看出，本发明的工艺是一个满足所有列出要求的极好的磨削工艺。
如上所述，本发明的磁盘基体中间产品可使后续步骤中的抛光加工余量减少，并形成具有高粘附度的Ni-P镀层。因此，本发明可以显著地减少抛光所需的时间，并节省晶体组织形成过程的开支，因而在节省磁盘基体开支方面表现出极强的优越性。此外，采用本工艺也可以低成本地生产出此处未提供的直径大于2.5英寸的较大玻璃基体。而且，依照本发明的磁盘基体中间产品的制造工艺，由于在磨削过程中使磨削阻力和固溶磨粒在磁盘基体材料或被磨削材料表面上和磨削轨迹保持一致，防止了磨削过程中产生凹坑和不规则翘曲，因此可以获得具有良好平直度的磁盘基体中间产品。
权利要求
1．一种磁盘基体中间产品，其两表面均用磨石进行磨削，其特征在于每个表面的平直度均为10μm或更小；上述磨削产生的凹凸不平的高度差为0.05～1.0μm。
2．权利要求1中所述的磁盘基体中间产品，其特征在于磁盘基体中间产品的每个面上形成的磨削加工轨迹均为从中心向外伸展的径向曲线。
3．一种磁盘基体中间产品的制造工艺，包括依次连续地磨削欲加工的磁盘基体材料的两表面的步骤，以使在每个磨削过的表面上留下大致相同的加工变形量，其特征在于磁盘基体中间产品在经过上述磨削后的平直度保持在10μm或更小。
4．权利要求3所述的磁盘基体中间产品制造工艺，其特征在于当用旋转磨石的方法磨削上述磁盘基体材料的每个表面时，在初级磨削步骤中构成该磨石的磨粒优选地从该磨石上破碎或脱落，在上述初级磨削步骤中要磨去大部分的预定加工量。
5．权利要求3或4所述的磁盘基体中间产品制造工艺，其特征在于上述初级磨削步骤包括如下步骤将上述磁盘基体材料固定在工作台上，同时旋转上述工作台和磨石，磨削上述磁盘基体材料的每个表面，上述工作台的转速是磨石转动的60％～80％或20％～40％。
6．权利要求3至5任一个中所述的磁盘基体中间产品制造工艺，其特征在于在初级磨削步骤之后进行二级磨削步骤，在进行二级磨削的工作条件下，构成上述磨石的磨粒基本上不发生破碎或脱落。
7．权利要求3至6任一个中所述的磁盘基体中间产品制造工艺，其特征在于上述磁盘基体材料的每个表面的平直度均为10μm或更小；表面粗糙度(Ry)为0.05～1.0μm。
8．权利要求3至7任一个中所述的磁盘基体中间产品制造工艺，其特征在于上述磁盘基体材料是一种无机材料基体。
9．权利要求8所述的磁盘基体中间产品制造工艺，其特征在于上述无机材料基体是一种玻璃基体或一种结晶玻璃基体。
10．权利要求8所述的磁盘基体中间产品制造工艺，其中上述磁盘基体中间产品是用一种磁盘基体材料磨削机，通过磨削磁盘基体材料的每个表面来制造的，该磨削机包括一个工作平板；安装和定位机构，装在上述工作平板上，用于将欲加工的磁盘基体材料安装和固定在上述工作平板上；一个加工杯形磨石，用固化磨粒的方法制成；滑动机构，由于使上述工作平板和加工杯形磨石相对滑动，其特征在于上述工作平板的旋转中心位于上述加工杯形磨石的外圆周上；上述工作平板和加工杯形磨石相对滑动的滑动机构包括一个驱动控制机构，以使在上述工作平板上的磁盘基体材料与加工杯形磨石之间的接触点的轨迹保持一致；上述磨粒的标号为#600～#3000。
11．权利要求10所述的磁盘基体中间产品制造工艺，其特征在于上述磨粒为金刚石、立方氮化硼(CBN)或玻璃化磨粒。
全文摘要
一个加工平板用固化具有特定晶粒尺寸的磨粒的方法制成,将工作平板的旋转中心对齐加工平板的外圆周安装。然后,通过使加工平板和工作平板相对滑动来进行磨削加工,以使加工平板上和工作平板上的磁盘基体材料之间的接触区域的轨迹一致。本发明提供一种磁盘基体中间产品及其制造工艺,可以用包括无机材料如玻璃等做原料来生产这种磁盘基体,其加工精度高、表面粗糙度小,没有凹坑等表面缺陷,并能以较低成本进行制造。
文档编号G11B5/84GK1221174SQ9812634
公开日1999年6月30日 申请日期1998年12月28日 优先权日1997年12月26日
发明者内藤努 申请人:日本碍子株式会社