)。该第二选择晶体管33连接该位线晶体管31及一设定电位端VDD，该第二选择晶体管33的一栅极331连接至该位选择线(BL_sel)。该预充电晶体管34连接至该位线晶体管31及该第二选择晶体管33，该预充电晶体管34的一栅极341连接至一预充电控制线(Pre_BL)。
[0072]在一实施例中，该位线晶体管、该第一选择晶体管、该第二选择晶体管及该预充电晶体管为P型金属氧化物半导体晶体管(PMOS)。
[0073]该位线晶体管31的一漏极313连接至该第一选择晶体管32的一源极322，该第一选择晶体管32的一漏极323连接至该输出端Tout，该位线晶体管31的一源极312连接至该第二选择晶体管33的一漏极333，该第二选择晶体管33的一源极332连接至该设定电位端，在一实施例中，该设定电位端为一高电位VDD。该预充电晶体管34的一漏极343连接至该位线晶体管31的该栅极311，该预充电晶体管的一源极342连接至该位线晶体管31的该源极312。
[0074]在一实施例中，该位选择线(BL_sel)到达一设定电位(例如低电位)，使该第一选择晶体管32及该第二选择晶体管33导通之后，预充电控制线(Pre_BL)再至设定电位(例如低电位)，使该预充电晶体管34导通。
[0075]因此，同样地，利用本发明位线多工器30，预充电控制线(Pre_BL)及该预充电晶体管34是在该位线多工器30内分别地进行本地(Local)控制，故本发明的位线多工器可降低功率消耗。
[0076]本发明的位线多工器30另包括一第三选择晶体管35，其为N型金属氧化物半导体晶体管，连接该第一选择晶体管32，该第三选择晶体管35的一栅极351连接至该位选择线的一反相线(BL_selb)，该第三选择晶体管35的一源极352连接至该第一选择晶体管32的该源极322，该第三选择晶体管35的一漏极353连接至该第一选择晶体管32的该漏极323。亦即，该第三选择晶体管35与该第一选择晶体管32并联。
[0077]参考图4显示本发明图2的位线多工器应用于只读存储器的电路示意图。本发明图4的位线多工器20的位线(BL)经由一节点42连接至只读存储器的一存储单元41，该节点42表示该位线(BL)直接连接至该存储单元41或与该存储单元41是开路。该存储单元41是由一字线(Word Line, WL)控制。该位线多工器20的输出端另连接至一输出闩锁器(Output Latch)43,以将读取的数据输出。该输出闩锁器(Output Latch)43内具有一输出闩锁预充电控制线(Pre_ol)。
[0078]参考图5显示本发明图4的位选择线(BL_sel)、预充电控制线(Pre_BL)、字线(WL)及输出闩锁预充电控制线(Pre_ol)的时序示意图。配合参考图4及图5，预充电控制线(Pre_BL)与位选择线(BL_sel)在时间tl到达该设定电位,亦即该位线多工器20被选定时，才进行本地(local)预充电，以降低功率消耗。预充电控制线(Pre_BL)在时间tl至t2为设定电位。并且，该输出闩锁器43内的输出闩锁预充电控制线(Pre_ol)于时间t2降低为低电位，以进行该输出闩锁器43的预充电，至时间t3。并且，字线(WL)于时间t3降低为低电位，以进行评估阶段(Evaluate phase),至时间t4。
[0079]参考图6显示本发明图3的位线多工器应用于只读存储器的电路示意图。本发明图3的位线多工器30的位线(BL)经由一节点62连接至只读存储器的一存储单元61，该节点62表示该位线(BL)直接连接至该存储单元61或与该存储单元61是开路。该存储单元61是由一字线(WL)控制。该位线多工器30的输出另连接至一输出闩锁器63，以将读取的数据输出。该输出闩锁器63内具有一输出闩锁预充电控制线(Pre_ol)。
[0080]参考图7显示本发明图6的位选择线(BL_sel)、预充电控制线(Pre_BL)、字线(WL)及输出闩锁预充电控制线(Pre_ol)的时序示意图。配合参考图6及图7，预充电控制线(Pre_BL)与位选择线(BL_sel)在时间tl降低为低电位,亦即该位线多工器30被选定时，才进行本地(Local)预充电，以降低功率消耗。预充电控制线(Pre_BL)在时间tl至t2为低电位。并且，该输出闩锁器63内的输出闩锁预充电控制线(Pre_ol)于时间t2提高为设定电位，以进行该输出闩锁器63的预充电，至时间t3。并且，字线(WL)于时间t3提高为设定电位，以进行评估阶段(Evaluate phase),至时间t4。
[0081]然而上述实施例仅为说明本发明的原理及其功效，而非用以限制本发明。因此，习于此技术的人士对上述实施例进行修改及变化仍不脱本发明的精神。本发明的权利范围应如权利要求书所列。
【主权项】
1.一种具有预充电的位线多工器，其特征在于，所述位线多工器包括: 一位线晶体管，其一栅极连接至一位线； 一第一选择晶体管，连接该位线晶体管及一输出端，该第一选择晶体管的一栅极连接至一位选择线； 一第二选择晶体管，连接该位线晶体管及一设定电位端，该第二选择晶体管的一栅极连接至该位选择线；及 一预充电晶体管，连接至该位线晶体管及该第二选择晶体管，该预充电晶体管的一栅极连接至一预充电控制线。2.如权利要求1的具有预充电的位线多工器，其特征在于，该位线晶体管、该第一选择晶体管、该第二选择晶体管及该预充电晶体管为N型金属氧化物半导体晶体管。3.如权利要求2的具有预充电的位线多工器，其特征在于，该位线晶体管的一源极连接至该第一选择晶体管的一漏极，该第一选择晶体管的一源极连接至该输出端，该位线晶体管的一漏极连接至该第二选择晶体管的一源极，该第二选择晶体管的一漏极连接至该设定电位端，该预充电晶体管的一源极连接至该位线晶体管的该栅极，该预充电晶体管的一漏极连接至该位线晶体管的该漏极。4.如权利要求3的具有预充电的位线多工器，其特征在于，所述位线多工器另包括一第三选择晶体管，该第三选择晶体管为P型金属氧化物半导体晶体管，并连接该第一选择晶体管，该第三选择晶体管的一栅极连接至该位选择线的一反相线，该第三选择晶体管的一源极连接至该第一选择晶体管的该源极，该第三选择晶体管的一漏极连接至该第一选择晶体管的该漏极。5.如权利要求1的具有预充电的位线多工器，其特征在于，该位线晶体管、该第一选择晶体管、该第二选择晶体管及该预充电晶体管为P型金属氧化物半导体晶体管。6.如权利要求5的具有预充电的位线多工器，其特征在于，该位线晶体管的一漏极连接至该第一选择晶体管的一源极，该第一选择晶体管的一漏极连接至该输出端，该位线晶体管的一源极连接至该第二选择晶体管的一漏极，该第二选择晶体管的一源极连接至该设定电位端，该预充电晶体管的一漏极连接至该位线晶体管的该栅极，该预充电晶体管的一源极连接至该位线晶体管的该源极。7.如权利要求6的具有预充电的位线多工器，其特征在于，所述位线多工器另包括一第三选择晶体管，该第三选择晶体管为N型金属氧化物半导体晶体管，并连接该第一选择晶体管，该第三选择晶体管的一栅极连接至该位选择线的一反相线，该第三选择晶体管的一源极连接至该第一选择晶体管的该源极，该第三选择晶体管的一漏极连接至该第一选择晶体管的该漏极。
【专利摘要】本发明关于一种具有预充电的位线多工器，包括：一位线晶体管、一第一选择晶体管、一第二选择晶体管及一预充电晶体管。该位线晶体管的一栅极连接至一位线。该第一选择晶体管连接该位线晶体管及一输出端，该第一选择晶体管的一栅极连接至一位选择线。该第二选择晶体管连接该位线晶体管及一设定电位端，该第二选择晶体管的一栅极连接至该位选择线。该预充电晶体管连接至该位线晶体管及该第二选择晶体管，该预充电晶体管的一栅极连接至一预充电控制线。利用本发明位线多工器，预充电控制线及该预充电晶体管是在该位线多工器内分别地进行本地(Local)控制，故本发明的位线多工器可降低功率消耗。
【IPC分类】G11C16/06
【公开号】CN104978999
【申请号】CN201410131776
【发明人】张正欣, 陈建廷, 叶佳楠
【申请人】晶宏半导体股份有限公司
【公开日】2015年10月14日
【申请日】2014年4月3日