并判断读取结果是否正确(即，从每个存储单元中的被读取的存储数据位读出的数据是不是第二状态写入步骤S3写入的数据)。
[0027]优选地，还执行下述步骤:
[0028]—方面，在第二测试步骤S4中判断从每个存储单元中的被读取的存储数据位读出的数据是第二状态写入步骤S3写入的数据的情况下，将所述最小测试电压与预定档位电压进行比较；如果所述最小测试电压小于或等于预定档位电压，则判断闪存阵列通过晶圆级测试，设定不被读取的存储数据位的控制栅极工作读取电压等于最小测试电压；如果所述最小测试电压大于预定档位电压，则判断闪存阵列未通过晶圆级测试。
[0029]另一方面，在第二测试步骤S4中判断从每个存储单元中的被读取的存储数据位读出的数据不是第二状态写入步骤S3写入的数据的情况下，针对写入了第二逻辑状态组合的每个存储单元，向闪存单元阵列的每个存储单元中的不被读取的存储数据位的控制栅极施加相对于所述最小测试电压逐渐加大的测试电压，同时对每个存储单元进行读取，从而确定每个存储单元中的被读取的存储数据位的数据读取都正确的状态下的最小提升后测试电压。
[0030]而且，将所述最小提升后测试电压与预定档位电压进行比较；如果所述最小提升后测试电压小于或等于预定档位电压，则判断闪存阵列通过晶圆级测试，设定不被读取的存储数据位的控制栅极工作读取电压等于最小提升后测试电压；如果所述最小提升后测试电压大于预定档位电压，则判断闪存阵列未通过晶圆级测试。
[0031]由此，根据本发明优选实施例的晶圆级测试中闪存单元读取电压测试方法提供了有效的测试方法来读取及测试具有一个存储单元存储两位数据的形式的闪存存储单元。
[0032]此外，需要说明的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。
[0033]可以理解的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
【主权项】
1.一种晶圆级测试中闪存单元读取电压测试方法，其中每个闪存单元具有一个存储单元具有两位存储数据位，其特征在于包括: 第一状态写入步骤:向闪存单元阵列中的每个存储单元的两位数据写入第一逻辑状态组合； 第一测试步骤:执行读取操作，其中向闪存单元阵列的每个存储单元中的不被读取的存储数据位的控制栅极施加逐渐加大的测试电压，同时对写入了所述第一逻辑状态组合的每个存储单元中的被读取的存储数据位进行读取，从而确定每个存储单元的数据读取都正确的状态下的最小测试电压； 第二状态写入步骤:向闪存单元阵列中的每个存储单元的两位数据写入与所述第一逻辑状态组合相反的第二逻辑状态组合； 第二测试步骤:在向闪存单元阵列的每个存储单元中的不被读取的存储数据位的控制栅极施加所述最小测试电压的情况下读取经过写入了所述第二逻辑状态组合的每个存储单元中的被读取的存储数据位的数据，并判断读取结果是否正确。2.根据权利要求1所述的晶圆级测试中闪存单元读取电压测试方法，其特征在于，判断读取结果是否正确指的是判断从每个存储单元读出的数据是不是第二状态写入步骤写入的数据。3.根据权利要求1或2所述的晶圆级测试中闪存单元读取电压测试方法，其特征在于还包括:在第二测试步骤中判断从每个存储单元中的被读取的存储数据位读出的数据是第二状态写入步骤写入的数据的情况下，将所述最小测试电压与预定档位电压进行比较；如果所述最小测试电压小于或等于预定档位电压，则判断闪存阵列通过晶圆级测试，设定不被读取的存储数据位的控制栅极工作读取电压等于最小测试电压；如果所述最小测试电压大于预定档位电压，则判断闪存阵列未通过晶圆级测试。4.根据权利要求1或2所述的晶圆级测试中闪存单元读取电压测试方法，其特征在于还包括:在第二测试步骤中判断从每个存储单元中的被读取的存储数据位读出的数据不是第二状态写入步骤写入的数据的情况下，针对写入了第二逻辑状态组合的每个存储单元，向闪存单元阵列的每个存储单元中的不被读取的存储数据位的控制栅极施加相对于所述最小测试电压逐渐加大的测试电压，同时对每个存储单元中的被读取的存储数据位进行读取，从而确定每个存储单元中的被读取的存储数据位的数据读取都正确的状态下的最小提升后测试电压。5.根据权利要求4所述的晶圆级测试中闪存单元读取电压测试方法，其特征在于还包括:将所述最小提升后测试电压与预定档位电压进行比较；如果所述最小提升后测试电压小于或等于预定档位电压，则判断闪存阵列通过晶圆级测试，设定不被读取的存储数据位的控制栅极工作读取电压等于最小提升后测试电压；如果所述最小提升后测试电压大于预定档位电压，则判断闪存阵列未通过晶圆级测试。6.根据权利要求1或2所述的晶圆级测试中闪存单元读取电压测试方法，其特征在于，所述第一逻辑状态组合为“ 10”，所述第二逻辑状态组合为“01”。7.根据权利要求1或2所述的晶圆级测试中闪存单元读取电压测试方法，其特征在于，所述第一逻辑状态组合为“01”，所述第二逻辑状态组合为“ 10”。8.—种晶圆级测试，其特征在于采用了根据权利要求1至7之一所述的晶圆级测试中闪存单元读取电压测试方法。
【专利摘要】一种晶圆级测试中闪存单元读取电压测试方法以及晶圆级测试。向每个存储单元的两位数据写入第一逻辑状态组合；执行读取操作，其中向每个存储单元中的不被读取的存储数据位的控制栅极施加逐渐加大的测试电压，同时对写入了第一逻辑状态组合的每个存储单元中的被读取的存储数据位进行读取，从而确定每个存储单元的数据读取都正确的状态下的最小测试电压；向每个存储单元的两位数据写入与所述第一逻辑状态组合相反的第二逻辑状态组合；在向每个存储单元中的不被读取的存储数据位的控制栅极施加所述最小测试电压的情况下读取经过写入了第二逻辑状态组合的每个存储单元中的被读取的存储数据位的数据，并判断读取结果是否正确。
【IPC分类】G11C29/08
【公开号】CN105118530
【申请号】CN201510587195
【发明人】高超
【申请人】上海华虹宏力半导体制造有限公司
【公开日】2015年12月2日
【申请日】2015年9月12日