I，CDL = I，DDL = I);并且，将没有满足上述步骤S8017和/或没有通过验证电压L3的验证的存储单元的数据锁存器组的状态保持不变。
[0113]例如，L3 (加速编码“1000” )的验证和锁存可以包括以下操作:BUS充电BUS = I，读BDL,CDL,DDL, SDL，再拉高BDL= I ,CDL= I ,DDL= I C3Sbdl = O1Cdl = O1DDl = O1SDl = O^iJBDL= I，CDL= I ,DDL= I，否则BDL = O，CDL = O,DDL = O0
[0114]因此，相比于格雷编码，加速编码可以将步骤S816省去，使得操作数目减少，加快编程速度，同时降低功耗。
[0115]在方法800中，验证电压L4的格雷编码码字为“1010”，方法800还包括:步骤S819，对被编程的存储单元验证脉冲L4( S卩，验证电压L4);步骤S820，对被编程的存储单元执行脉冲L4的锁存;步骤S821，检测第一个“I” (即，检测ADL = I);步骤S822，检测第二个“I”( S卩，检测CDL= I)；步骤S823，检测两个“O” (S卩，检测BDL = DDL = O)；以及步骤S824，将满足上述步骤S821-S823并且通过验证电压L4的验证的存储单元的数据锁存器组锁存为“1111”( S卩，数据锁存器组被锁存为ADL = I，BDL= I，⑶L = I，DDL = I);并且，将没有满足上述步骤S821-S823和/或没有通过验证电压L4的验证的存储单元的数据锁存器组的状态保持不变。
[0116]例如，L4 (格雷码“1010”)的验证和锁存可以包括以下操作:
[0117]△)81^充电冊5 = 1，拉高丁01^=1。
[0118]8沖1^充电冊5 = 1，读ADL，再拉高TDL = I。若ADL = I，贝丨JTDL = O;否贝丨JTDL = I。
[0119]C)BUS充电BUS = I，读CDL，再拉高TDL = I。若CDL = I，贝IjTDL = O;否贝IjTDL = I。
[0120]D)BUS充电BUS = I，读BDL，DDL，SDL，TDL，拉高BDL = I，DDL = I。若BDL = O1DDL = O,SDL = 0,TDL = 0,则BDL = I，DDL = I;否则BDL = O1DDL = O0
[0121]在方法8000中，验证电压L4的加速编码码字为“0010”，方法8000还包括:步骤S8019，对被编程的存储单元验证脉冲L4(S卩，验证电压L4);步骤S8020，对被编程的存储单元执行脉冲L4的锁存；步骤S8023，检测三个“O”(S卩，检测ADL = BDL = DDL = 0);以及步骤S8024，将满足上述步骤S8023并且通过验证电压L4的验证的存储单元的数据锁存器组锁存为“1111”( S卩，数据锁存器组被锁存为ADL= I，BDL = I，CDL = I，DDL = I);并且，将没有满足上述步骤S8023和/或没有通过验证电压L4的验证的存储单元的数据锁存器组的状态保持不变。
[0122]例如，L4(加速编码“0010” )的验证和锁存可以包括以下操作:BUS充电BUS = I，读ADL,BDL,DDL, SDL，再拉高ADL= I ,BDL= I ,DDL= I C3Sadl = O1Bdl = O1DDl = O1SDl = O^iJADL= I ,BDL= I ,DDL= I，否则ADL = O ,BDL = O，DDL = 0。
[0123]因此，相比于格雷编码，加速编码可以将步骤S821-S822省去，使得操作数目减少，加快编程速度，同时降低功耗。
[0124]参见图8C，在方法800中，验证电压L5的格雷编码码字为“1011”，方法800还包括:步骤S825，对被编程的存储单元验证脉冲L5(S卩，验证电压L5);步骤S826，对被编程的存储单元执行脉冲L5的锁存;步骤S827，检测第一个“I” (即，检测ADL= I);步骤S828，检测第二个T (即，检测CDL= I)；步骤S829，检测第三个T (即，检测DDL= I)；步骤S830，检测一个“O”(即，检测BDL = O)；以及步骤S831，将满足上述步骤S827-S830并且通过验证电压L5的验证的存储单元的数据锁存器组锁存为“1111”(即，数据锁存器组被锁存为ADL= I，BDL= I，CDL= I，DDL= I);并且，将没有满足上述步骤S827-S830和/或没有通过验证电压L5的验证的存储单元的数据锁存器组的状态保持不变。
[0125]例如，L5(格雷码“1011”)的验证和锁存可以包括以下操作:
[0126]△)81^充电冊5 = 1，拉高丁01^=1。
[0127]8沖1^充电冊5 = 1，读ADL，再拉高TDL = I。若ADL = I，则TDL = O;否则TDL = I。
[0128]C)BUS充电BUS = I，读CDL，再拉高TDL = I。若CDL = I，则TDL = O;否则TDL= I
[0129]D)BUS充电BUS = I，读DDL，再拉高TDL = I。若DDL = I，贝IjTDL = O;否贝IjTDL = I。
[0130]E)BUS充电BUS = I，读BDL，SDL，TDL，拉高BDL = I。若BDL = 0, SDL = O ,TDL = O,则BDL=1;否则 BDL = 0。
[0131]在方法8000中，验证电压L5的加速编码码字为“0001”，方法8000还包括:步骤S8025，对被编程的存储单元验证脉冲L5(S卩，验证电压L5);步骤S8026，对被编程的存储单元执行脉冲L5的锁存；步骤S8030，检测三个“O”(S卩，检测ADL = BDL = CDL = 0);以及步骤S8031，将满足上述步骤S8030并且通过验证电压L5的验证的存储单元的数据锁存器组锁存为“1111”( S卩，数据锁存器组被锁存为ADL= I，BDL = I，CDL = I，DDL = I);并且，将没有满足上述步骤S8030和/或没有通过验证电压L5的验证的存储单元的数据锁存器组的状态保持不变。
[0132]例如，L5(加速编码“0001”)的验证和锁存可以包括以下操作:BUS充电BUS= I，读ADL，BDL，CDL，SDL，再拉高ADL = I，BDL = I，CDL = I。若ADL = O，BDL = O，CDL = O，SDL = O，则ADL= I ,BDL= I，CDL= I ；否则ADL = O,BDL = O，CDL = O0
[0133]因此，相比于格雷编码，加速编码可以将步骤S827-S829省去，使得操作数目减少，加快编程速度，同时降低功耗。
[0134]在方法800中，验证电压L6的格雷编码码字为“1001”，方法800还包括:步骤S832，对被编程的存储单元验证脉冲L6(S卩，验证电压L6);步骤S833，对被编程的存储单元执行脉冲L6的锁存;步骤S834，检测第一个“I” (即，检测ADL = I);步骤S835，检测第二个“I”( g卩，检测DDL= I);步骤S836，检测两个“O”(S卩，检测BDL = CDL = O)；以及步骤S837，将满足上述步骤S834-S836并且通过验证电压L6的验证的存储单元的数据锁存器组锁存为“1111”( S卩，数据锁存器组被锁存为ADL = I，BDL = I，⑶L = I，DDL = I);并且，将没有满足上述步骤S834-S836和/或没有通过验证电压L5的验证的存储单元的数据锁存器组的状态保持不变。
[0135]例如，L6(格雷码“1001”)的验证和锁存可以包括以下操作:
[0136]△)81^充电冊5 = 1，拉高丁01^=1。
[0137]8沖1^充电冊5 = 1，读ADL，再拉高TDL = I。若ADL = I，则TDL = O;否则TDL = I。
[0138]C)BUS充电BUS = I，读DDL，再拉高TDL = I。若DDL = I，贝IjTDL = O;否贝IjTDL = I。
[0139]D)BUS充电BUS = I，读BDL，CDL，SDL，TDL，拉高BDL = I，CDL = I。若BDL = O1CDL = O,SDL = 0,TDL = 0,则BDL = I，CDL = I;否则BDL = O1CDL = O0
[0140]在方法8000中，验证电压L6的加速编码码字为“1001”，方法8000还包括:步骤S8032，对被编程的存储单元验证脉冲L6(S卩，验证电压L6);步骤S8033，对被编程的存储单元执行脉冲L6的锁存;步骤S8036，检测两个“O”(即，检测BDL = CDL = O);以及步骤S8037，将满足上述步骤S8036并且通过验证电压L6的验证的存储单元的数据锁存器组锁存为“1111”(即，数据锁存器组被锁存为ADL = I，BDL= I，⑶L = I，DDL= I);并且，将没有满足上述步骤S8036和/或没有通过验证电压L6的存储单元的数据锁存器组的状态保持不变。
[0141]例如，L6(加速编码“1001”)的验证和锁存可以包括以下操作:
[0142]BUS充电BUS = I，读BDL，CDL，SDL，再拉高BDL = I，CDL = I。若BDL = O，CDL = O，SDL =O，则BDL =1,CDL=1；否则BDL = O1CDL = O0
[0143]因此，相比于格雷编码，加速编码可以将步骤S834-S835省去，使得操作数目减少，加快编程速度，同时降低功耗。
[0144]参见图8D，在方法800中，验证电压L7的格雷编码码字为“1101”，方法800包括:步骤S838，对被编程的存储单元验证脉冲L7(S卩，验证电压L7);步骤S839，对被编程的存储单元执行脉冲L7的锁存;步骤S840，检测第一个“I”(即，检测ADL= I);步骤S841，检测第二个T (即，检测BDL= I);步骤S842，检测第三个“I”(即，检测001^=1);步骤3843，检测一个“0”(即，检测⑶L = O);以及步骤S844，将满足上述步骤S840-S843并且通过验证电压L7的验证的存储单元的数据锁存器组锁存为“1111”(即，数据锁存器组被锁存为ADL= I,BDL= I,⑶L=I，DDL= I);并且，将没有满足上述步骤S840-S843和/或没有通过验证电压L7的验证的存储单元的数据锁存器组的状态保持不变。
[0145]例如，L7(格雷码“I 1 I”)的验证和锁存可以包括以下操作:
[0146]△)81^充电冊5 = 1，拉高丁01^=1。
[0147]B)BUS充电BUS = I，读ADL，再拉高TDL = I。若ADL = I，则TDL = O;否则TDL = I。
[0148]C)BUS充电BUS = I，读BDL，再拉高TDL = I。若BDL = I，贝IjTDL = O;否贝IjTDL = I。
[0149]D)BUS充电BUS = I，读DDL，再拉高TDL = I。若DDL = I，贝丨JTDL = O;否贝丨JTDL = I。
[0150]E)BUS充电BUS = I，读CDL，SDL，TDL，拉高CDL = I。若CDL = O，SDL = O，TDL = O，则CDL=1;否则 CDL = 0。
[0151]在方法8000中，验证电压L7的加速编码码字为“1100”，方法8000包括:步骤S8038，对被编程的存储单元验证脉冲L7(S卩，验证电压L7);步骤S8039，对被编程的存储单元执行脉冲L7的锁存;步骤S8043，检测两个“O”(即，检测CDL = DDL = O)；以及步骤S8044，将满足上述步骤S8043并且通过验证电压L7的验证的存储单元的数据锁存器组锁存为“1111”( S卩，数据锁存器组被锁存为ADL = I，BDL = I，⑶L = I，DDL = I);并且，将没有满足上述步骤S8043和/或没有通过验证电压L7的验证的存储单元的数据锁存器组的状态保持不变。
[0152]例如，L7(加速编码“1100”)的验证和锁存可以包括以下操作:BUS充电BUS=I^CDL，DDL，SDL，再拉高CDL = I，DDL = I。若CDL = O，DDL = O，SDL = O，则CDL = I，DDL = I;否贝丨JCDL = 0，DDL = 0o
[0153]因此，相比于格雷编码，加速编码可以将步骤S840-S842省去，使得操作数目减少，加快编程速度，同时降低功耗。
[0154]在方法800中，验证电压L8的格雷编码码字为“0101”，方法800还包括:步骤S845，对被编程的存储单元验证脉冲L8(S卩，验证电压L8);步骤S846，对被编程的存储单元执行脉冲L8的锁存;步骤S847，检测第一个“I” (即，检测BDL= I);步骤S848，检测第二个“I”( g卩，检测DDL= I);步骤S849，检测两个“O”(S卩，检测ADL = CDL = O)；以及步骤S850，将满足上述步骤S847-S849并且通过验证电压L8的验证的存储单元的数据锁存器组锁存为“1111”( S卩，数据锁存器组被锁存为ADL = I，BDL = I，⑶L = I，DDL = I);并且，将没有满足上述步骤S847-S849和/或没有通过验证电压L8的验证的存储单元的数据锁存器组的状态保持不变。
[0155]例如，L8(格雷码“0101”)的验证和锁存可以包括以下操作:
[0156]△)81^充电冊5 = 1，拉高丁01^=1。
[0157]B)BUS充电BUS = I，读BDL，再拉高TDL = I。若BDL = I，则TDL = O;否则TDL = I。
[0158]C) BUS充电 BUS = I，读DDL，再拉高 TDL = I。若DDL = I，则 TDL = O;否则 TDL = I。
[0159]D)BUS充电BUS = I，读ADL，CDL，SDL，TDL，拉高ADL =I1CDL=10若ADL = O1CDL = O,SDL = O,TDL = O,贝IjADL=I ,CDL=I;否则ADL = O,CDL = 0。
[0160]在方法8000中，验证电压L8的加速编码码字为“0101”，方法8000还包括:步骤S8045，对被编程的存储单元验证脉冲L8(S卩，验证电压L8)；步骤S8046，对被编程的存储单元执行脉冲L8的锁存;步骤S8049，检测两个“O”(即，检测ADL = CDL = O);以及步骤S8050，将满足上述步骤S8049并且通过验证电压L8的验证的存储单元的数据锁存器组锁存为“1111”(即，数据锁存器组被锁存为ADL = I，BDL= I，⑶L = I，DDL= I);并且，将没有满足上述步骤S8049和/或没有通过验证电压L8的验证的存储单元的数据锁存器组的状态保持不变。
[0161]例如，L8 (加速编码“O 1 I”)的验证和锁存可以包括以下操作:BUS充电BUS = I，读ADL，CDL，SDL，再拉高ADL =I1CDL=10若ADL = O，CDL = O，SDL = O，则ADL = I，CDL = I;否则ADL = O, CDL = O0
[0162]因此，相比于格雷编码，加速编码可以将步骤S847-S848省去，使得操作数目减少，加快编程速度，同时降低功耗。
[0163]参见图8E，在方法800中，验证电压L9的格雷编码码字为“0001”，方法800还包括:步骤S851，对被编程的存储单元验证脉冲L9(S卩，验证电压L9);步骤S852，对被编程的存储单元执行脉冲L9的锁存；步骤S853，检测第一个“I” (即，检测DDL= I)；步骤S854，检测三个“O”(即，检测ADL = BDL = CDL = O)；以及步骤S855，将满足上述步骤S853-S854并且通过验证电压L9的验证的存储单元的数据锁存器组锁存为“1111”(即，数据锁存器组被锁存为ADL =I，BDL = I，⑶L = I，DDL = I);并且，将没有满足上述步骤S853-S854和/或没有通过验证电压L9的验证的存储单元的数据锁存器组的状态保持不变。
[0164]例如，L9(格雷码“0001”)的验证和锁存可以包括以下操作:
[0165]△)81^充电冊5 = 1，拉高丁01^=1。
[0166]B)BUS充电BUS = I，读DDL，再拉高TDL = I。若DDL = I，则TDL = O;否则TDL = I。