[0167]C)BUS充电BUS = I，读ADL，BDL，CDL，SDL，TDL，拉高ADL= I，BDL= I，CDL= I。若ADL=0 ,BDL = O ,CDL = O ,SDL = O ,TDL = O,则 ADL= I ,BDL= I ,CDL= I;否贝 IjADL = O ,BDL = O ,CDL
=O0
[0168]在方法8000中，验证电压L9的加速编码码字为“1010”，方法8000还包括:步骤S8051，对被编程的存储单元验证脉冲L9(S卩，验证电压L9);步骤S8052，对被编程的存储单元执行脉冲L9的锁存;步骤S8054，检测两个“O”(即，检测BDL = DDL = O);以及步骤S8055，将满足上述步骤S8054并通过验证电压L9的验证的存储单元的数据锁存器组锁存为“1111”(即，数据锁存器组被锁存为ADL = I，BDL= I，⑶L = I，DDL= I);并且，将没有满足上述步骤S8054和/或没有通过验证电压L9的验证的存储单元的数据锁存器组的状态保持不变。
[0169]例如，L9(加速编码“1010”)的验证和锁存可以包括以下操作:BUS充电BUS = I，读BDL，DDL，SDL，再拉高BDL =I1DDL=10若BDL = 0 ,DDL = O , SDL = O,则BDL = I，DDL = I，否贝丨JBDL = OjDDL = Oo
[0170]因此，相比于格雷编码，加速编码可以将步骤S853省去，使得操作数目减少，加快编程速度，同时降低功耗。
[0171]在方法800中，验证电压LlO的格雷编码码字为“0011”，方法800还包括:步骤S856，对被编程的存储单元验证脉冲LlO(即，验证电压L10);步骤S857，对被编程的存储单元执行脉冲LlO的锁存；步骤S858，检测第一个“I”(即，检测⑶L= I);步骤S859，检测第二个“I”(即，检测DDL= I);步骤S860，检测两个“O”(S卩，检测ADL = BDL = O)；以及步骤S861，将满足上述步骤S858-S860并且通过验证电压LlO的验证的存储单元的数据锁存器组锁存为“1111”( S卩，数据锁存器组被锁存为ADL= I，BDL = I，CDL = I，DDL = I);并且，将没有满足上述步骤S858-S860和/或没有通过验证电压LlO的验证的存储单元的数据锁存器组的状态保持不变。
[0172]例如，LI O (格雷码“0011”)的验证和锁存可以包括以下操作:
[0173]△)81^充电冊5 = 1，拉高丁01^=1。
[0174]B)BUS充电BUS = I，读CDL，再拉高TDL = I。若CDL = I，则TDL = O;否则TDL = I。
[0175]C)BUS充电BUS = I，读DDL，再拉高TDL = I。若DDL = I，则TDL = O;否则TDL = I。
[0176]D)BUS充电BUS = I，读ADL，BDL，SDL，TDL，拉高ADL =I1BDL=10若ADL = O1BDL = O,SDL = 0,TDL = 0,则ADL = I，BDL = I;否则ADL = O1BDL = O0
[0177]在方法8000中，验证电压LlO的加速编码码字为“0011”，方法8000还包括:步骤S8056，对被编程的存储单元验证脉冲LlO(即，验证电压L10)；步骤S8057，对被编程的存储单元执行脉冲LlO的锁存；步骤S8060，检测两个“O”( S卩，检测ADL = BDL = O);以及步骤S8061，将满足上述步骤S8060并且通过验证电压LlO的验证的存储单元的数据锁存器组锁存为“111Γ (即，数据锁存器组被锁存为ADL = I，BDL = I ADL= I,DDL=I);并且，将没有满足上述步骤S8060和/或没有通过验证电压LlO的验证的存储单元的数据锁存器组的状态保持不变。
[0178]例如，LlO(加速编码“0011”)的验证和锁存可以包括以下操作:BUS充电BUS=IiADL，BDL，SDL，再拉高ADL =I1BDL=10若ADL = O，BDL = O，SDL = O，则ADL = I，BDL = I，否贝丨JADL = 0，BDL = 0o
[0179]因此，相比于格雷编码，加速编码可以将步骤S858-S859省去，使得操作数目减少，加快编程速度，同时降低功耗。
[0180]参见图8F，在方法800中，验证电压LI I的格雷编码码字为“0010”，方法800包括:步骤S862，对被编程的存储单元验证脉冲LI I (即，验证电压LI I);步骤S863，对被编程的存储单元执行脉冲LI I的锁存;步骤S864，检测第一个“I” (即，检测⑶L= I)；步骤S865，检测三个“O”(即，检测ADL = BDL = DDL = O)；以及步骤S866，将满足上述步骤S864-S865并且通过验证电压LI I的验证的存储单元的数据锁存器组锁存为“1111”( S卩，数据锁存器组被锁存为ADL=I，BDL= I，⑶L= I，DDL= I);并且，将没有满足上述步骤S864-S865和/或没有通过验证电压Lll的验证的存储单元的数据锁存器组的状态保持不变。
[0181]例如，LI I (格雷码“0010”)的验证和锁存可以包括以下操作:
[0182]△)81^充电冊5 = 1，拉高丁01^=1。
[0183]B)BUS充电BUS = I，读CDL，再拉高TDL = I。若CDL = I，则TDL = O;否则TDL = I。
[0184]C)BUS充电BUS = I，读ADL，BDL，DDL，SDL，TDL，拉高ADL= I，BDL= I，DDL= I。若ADL=0 ,BDL = O ,DDL = O ,SDL = O ,TDL = O,则 ADL= I ,BDL= I ,DDL= I;否则 ADL = O ,BDL = O ,DDL
=O0
[0185]在方法8000中，验证电压Lll的加速编码码字为“1011”，方法8000包括:步骤S8062，对被编程的存储单元验证脉冲LI I (即，验证电压LI I)；步骤S8063，对被编程的存储单元执行脉冲LI I的锁存；步骤S8065，检测两个“O”( S卩，检测ADL = DDL = O);以及步骤S8066，将满足上述步骤S8066并且通过验证电压Lll的验证的存储单元的数据锁存器组锁存为“111Γ (即，数据锁存器组被锁存为ADL = I，BDL = I ADL= I,DDL=I);并且，将没有满足上述步骤S8066和/或没有通过验证电压Lll的验证的存储单元的数据锁存器组的状态保持不变。
[0186]例如，LI I (加速编码“0110”)的验证和锁存可以包括以下操作:BUS充电BUS = I，读ADL，DDL，SDL，再拉高ADL =I1DDL=10若ADL = 0 ,DDL = O , SDL = O,则ADL = I，DDL = I，否贝丨JADL = 0，DDL = 0o
[0187]因此，相比于格雷编码，加速编码可以将步骤S864省去，使得操作数目减少，加快编程速度，同时降低功耗。
[0188]在方法800中，验证电压L12的格雷编码码字为“0000”，方法800还包括:步骤S867，对被编程的存储单元验证脉冲L12(即，验证电压L12);步骤S868，对被编程的存储单元执行脉冲L12的锁存；步骤S869，检测四个“O” (即，检测ADL = BDL = CDL = DDL = O);以及步骤S870，将满足上述步骤S869并且通过验证电压L12的验证的存储单元的数据锁存器组锁存为“1111”( S卩，数据锁存器组被锁存为ADL= I，BDL = I，CDL = I，DDL = I);并且，将没有满足上述步骤S869和/或没有通过验证电压L12的验证的存储单元的数据锁存器组的状态保持不变。
[0189]例如，LI2(格雷码“0000” )的验证和锁存可以包括以下操作:
[0190]△)81^充电冊5 = 1，拉高丁01^=1。
[0191 ] B)BUS充电BUS = I，读ADL，BDL，CDL，DDL，SDL，TDL，拉高ADL = I，BDL = I，CDL = I，
ddl=i, C3Sadl=O1Bdl=O1Cdl=O1Ddl=O1Sdl=Ojdl=Ojijadl=UBdl=UCdl=I,
DDL= I;否则 ADL = O ,BDL = O ,CDL = O，DDL = 0。
[0192]在方法8000中，验证电压L12的加速编码码字为“1011”，方法8000还包括:步骤S8067，对被编程的存储单元验证脉冲L12(即，验证电压L12);步骤S8068，对被编程的存储单元执行脉冲L12的锁存;步骤S8069，检测一个“O”(即，检测BDL = O)；以及步骤S8070，将满足上述步骤S8069并且通过验证电压L12的验证的存储单元的数据锁存器组锁存为“1111”(即，数据锁存器组被锁存为ADL = I，BDL= I，⑶L = I，DDL= I);并且，将没有满足上述步骤S8069和/或没有通过验证电压L12的验证的存储单元的数据锁存器组的状态保持不变。
[0193]例如，L12(加速编码“1011”)的验证和锁存可以包括以下操作:BUS充电BUS=I^BDL，SDL，再拉高BDL = I。若BDL = O1SDL = O,贝丨JBDL = I，否贝丨JBDL = O。
[0194]参见图8G，在方法800中，验证电压L13的格雷编码码字为“0100”，方法800包括:步骤S871，对被编程的存储单元验证脉冲L13(即，验证电压L13);步骤S872，对被编程的存储单元执行脉冲L13的锁存;步骤S873，检测三个“O”(即，检测ADL = CDL = DDL = 0);以及步骤S874，将满足上述步骤S873并且通过验证电压L13的验证的存储单元的数据锁存器组锁存为“1111”( S卩，数据锁存器组被锁存为ADL= I，BDL = I，CDL = I，DDL = I);并且，将没有满足上述步骤S873和/或没有通过验证电压L13的验证的存储单元的数据锁存器组的状态保持不变。
[0195]例如，LI 3 (格雷码“0100”)的验证和锁存可以包括以下操作:
[0196]△)81^充电冊5 = 1，拉高丁01^=1。
[0197]B)BUS充电BUS = I，读BDL，再拉高TDL = I。若BDL = I，则TDL = O;否则TDL = I。
[0198]C)BUS充电BUS = I，读ADL，CDL，DDL，SDL，TDL，拉高ADL= I ,CDL= I ,DDL= 10若ADL=0，CDL = O ,DDL = O ,SDL = O ,TDL = O,则 ADL= I ,CDL= I ,DDL= I;否贝 IjADL = O ,CDL = O ,DDL
=O0
[0199]在方法8000中，验证电压L13的加速编码码字为“1101”，方法8000包括:步骤S8071，对被编程的存储单元验证脉冲L13(即，验证电压L13);步骤S8072，对被编程的存储单元执行脉冲L13的锁存;步骤S8073，检测一个“O”(即，检测⑶L = O)；以及步骤S8074，将满足上述步骤S8073并且通过验证电压L13的验证的存储单元的数据锁存器组锁存为“1111”(即，数据锁存器组被锁存为ADL = I，BDL= I，⑶L = I，DDL= I);并且，将没有满足上述步骤S8073和/或没有通过验证电压L13的验证的存储单元的数据锁存器组的状态保持不变。
[0200]例如，L13(加速编码“1101”)的验证和锁存可以包括以下操作:BUS充电BUS=I，读CDL，SDL，再拉高 CDL = I。若CDL = O，SDL = O，则 CDL = I，否则 CDL = O。
[0201]在方法800中，验证电压L14的格雷编码码字为“0110”，方法800还包括:步骤S875，对被编程的存储单元验证脉冲L14(即，验证电压L14);步骤S876，对被编程的存储单元执行脉冲L14的锁存;步骤S877，检测两个“O”(即，检测ADL = DDL = O)；以及步骤S878，将满足上述步骤S877并且通过验证电压L14的验证的存储单元的数据锁存器组锁存为“1111”( S卩，数据锁存器组被锁存为ADL= I，BDL = I，⑶L = I，DDL = I);并且，将没有满足上述步骤S877和/或没有通过验证电压L14的验证的存储单元的数据锁存器组的状态保持不变。[0202 ] 例如，LI 4 (格雷码“0110”)的验证和锁存可以包括以下操作:
[0203]△)81^充电冊5 = 1，拉高丁01^=1。
[0204]B)BUS充电BUS = I，读BDL，再拉高TDL = I。若BDL = I，贝IjTDL = O;否贝IjTDL = I。
[0205]C) BUS充电 BUS = I，读CDL，再拉高 TDL = I。若CDL = I，则 TDL = O;否则 TDL = I。
[0206]D)BUS充电BUS = I，读ADL，DDL，SDL，TDL，拉高ADL =I1DDL=10若ADL = O1DDL = O,SDL = 0,TDL = 0,则ADL = I，DDL = I;否则ADL = O1DDL = O0
[0207]在方法8000中，验证电压L14的加速编码码字为“1110”，方法8000还包括:步骤S8075，对被编程的存储单元验证脉冲L14(即，验证电压L14);步骤S8076，对被编程的存储单元执行脉冲L14的锁存;步骤S8077，检测一个“O”(即，检测DDL = O)；以及步骤S8078，将满足上述步骤S8077并且通过验证电压L14的验证的存储单元的数据锁存器组锁存为“1111”(即，数据锁存器组被锁存为ADL = I，BDL= I，⑶L = I，DDL= I);并且，将没有满足上述步骤S8077和/或没有通过验证电压L14的验证的存储单元的数据锁存器组的状态保持不变。
[0208]例如，L14(加速编码“1110”)的验证和锁存可以包括以下操作:BUS充电BUS=I，读DDL，SDL，再拉高DDL = I。若DDL = O1SDL = O,贝IjDDL = I，否贝丨JDDL = O。
[0209]参见图8H，在方法800中，验证电压L15的格雷编码码字为“0111”，方法800包括:步骤S879，对被编程的存储单元验证脉冲L15(即，验证电压L15);步骤S880，对被编程的存储单元执行脉冲L15的锁存;步骤S881，检测一个“O”(即，检测ADL = O)；以及步骤S882，将满足上述步骤S881并且通过验证电压L15的验证的存储单元的数据锁存器组锁存为“1111”(即，数据锁存器组被锁存为ADL= I，BDL = I，⑶L = I，DDL = I);并且，将没有满足上述步骤S881和/或没有通过验证电压L15的验证的存储单元的数据锁存器组的状态保持不变。
[0210]例如，LI 5 (格雷码“0111”)的验证和锁存可以包括以下操作:
[0211]△沖1^充电冊5 = 1，拉高丁01^=1。
[0212]B) BUS充电 BUS = I，读BDL，再拉高 TDL = I。若BDL = I，贝Ij TDL = O;否贝Ij TDL = I。
[0213]C)BUS充电BUS = I，读CDL，再拉高TDL = I。若CDL = I，则TDL = O;否则TDL = I。
[0214]D)BUS充电BUS = I，读DDL，再拉高TDL = I。若DDL = I，贝丨JTDL = O;否则TDL= I。
[0215]E) BUS充电 BUS = I，读ADL，SDL，TDL，拉高ADL = I。若ADL = O，SDL = O，TDL = O，则ADL=1;否则 ADL = 0。
[0216]在方法8000中，验证电压L15的加速编码码字为“0111”，方法8000包括:步骤S8079，对被编程的存储单元验证脉冲L15(即，验证电压L15);步骤S8080，对被编程的存储单元执行脉冲L15的锁存;步骤S8081，检测一个“O”(即，检测ADL = O)；以及步骤S8082，将满足上述步骤S8081并且通过验证电压L15的验证的存储单元的数据锁存器组锁存为“1111”(即，数据锁存器组被锁存为ADL = I，BDL= I，⑶L = I，DDL= I);并且，将没有满足上述步骤S8081和/或