专利名称：电子部件的频率调节方法
技术领域：
本发明涉及调节如压电振荡器和表面声波设备(Surface acoustic wavedevices)那样的电子部件的频率的方法，本发明特别涉及通过离子束蚀刻(etching)调节电子部件的频率的方法。
在压电振荡器和表面声波设备中调节频率的一个传统的方法，包括用一个离子束照射放置在压电基片上的电极以完成那里的蚀刻。在这样的情况，放置有电极的压电基片以固定的方式安排。离子束从一个离子枪发出，后者以固定的方式安排在与放置有压电基片的电极的表面有一预定的距离处。
此外，在日本未经审查专利申请公布NO.8-181558中，提供了一个改变离子枪和电子部件的距离来控制蚀刻速度的方法。而且，在日本未经审查的专利申请公布No.4-196707，日本未经审查的专利申请公布No.4-196708和其它专利公布中，提供了用磁场和电场改变离子束的方向使得只允许中性粒子与电子部件的电极撞击的装置。
一个离子束具有一个强度分布。因此，如在传统的方法中，当离子束简单地从以固定方式相对于电子部件的电极安排的电子枪发出时，按照位置发生处理量(processing amount)的偏差。其结果是，根据电子部件的类型，处理的偏差大大地影响了其特性，使得电子部件的频率不能高质量高精度地调节。
由离子束蚀刻剂引起的处理偏差，借助于改变离子枪和电子部件之间的距离，改变发射状态和离子束发射孔的配置能在一定程度上减小。但是，用那样的解决方法，在减少处理偏差上有一定的限止。
此外，当如电子部件的电极那样的很小的零件受离子束照射而被蚀刻时，如果发生离子束中心的微小偏离，蚀刻区域的对称性被破坏，其结果是对特性的影响更加增加。因此，离子枪的位置调节需要更高的精确度。于是存在一个问题，离子枪的维护和调节是非常复杂的。
为了克服上述问题，本发明的实施例提供了一个调节电子部件的频率的方法，它使得在离子束在电子部件的电极上完成蚀刻时的蚀到的偏差极小化，以实现高精度的频率调节。此外，用本发明的较佳实施例的方法，频率调节能高质量高精度地完成，而简化了如离子枪的维护和调节那样的复杂的工作。
本发明的较佳实施例提供了一个借助于用离子束照射放置在电子部件表面上的电极完成蚀刻，来调节该电子部件频率的方法，其中沿着将由极设置在其上的表面的方向，移动至少一个电子部件和离子束，进行离子束照射。
在本发明的一个较佳实施例中，沿着电极放置的表面的一个方向移动至少一个电子部件和离子束，进行离子束照射。
在本发明的另一个较佳实施例中，一个表面声波设备确定了电子部件，并包括一个具有多个放置在压电基片表面的电极指状物的叉指式传感器，并且在电极指状物延伸的一个方向上移动至少一个表面声波设备和离子束，进行离子束照射。
在本发明的另一个较佳实施例中，借助施加电场或磁场使离子束弯曲，进行离子束照射。
在按照本发明的另一个较佳实施例调节电子部件频率的方法中，一个电子设备或一个基片的电极被离子束蚀刻所蚀刻，在达到高度精确的频率调节。在此情况下，在沿着放置电极的表面的方向上至少移动电子部件和离子束，进行离子束照射。因此，对蚀刻区域的蚀剂量的偏差被极小化，其结果是实现高质量和高精度的频率调节。
在传统的方法中，以固定方式安排一个离子枪和电子部件实现离子束照射。因此，当离子束的中心甚至只有微小的偏离时，处理量的对称性被破坏，导致对电子部件的特性的影响的增加。相反，在本发明中因为当离子束实现照射时，在沿电极放置的表面方向上移动至少一个电子部件和离子束，能防止处理量的对称性被破坏。于是，离子枪的定位和维持能简化，导致精确得多的频率调节。
尤其是，当离子发射的范围比电子部件的电极放置的表面更宽时，不需要调节离子束相对移动的范围的两端的位置。其结果是离子枪的定位和维护容易得多。
沿着电极放置的表面的方向移动至少一个电子部件和离子束，进行离子束照射不必仅在某一个方向上移动至少一个电子部件和离子束。结果，用简化的装置及控制获得很大的优点。
为了说明本发明的目的，在图中显示了便于理解的若干形式，但是本发明不限于所示的精确的安排和装置。
图1是按照本发明的一个较佳实施例说明一个电子部件的频率调节方法的概略立体图。
图2是示出作为一个电子部件的表面声波设备的平面图，它具有按照本发明的较佳实施例的方法调节的频率。
图3是说明按照图1中示出的较佳实施例的修改例的频率调节方法的概略立体图。
图4是说明按照图1中示出的较佳实施例的第二个修改例的频率调节方法的概略立体图。
图5是说明按照图1中示出的较佳实施例的第三个修改例的频率调节方法的概况立体图。
下面，参照附图对本发明的实施例进行说明。
图1是按照本发明的一个较佳实施例说明一个电子部件的频率调节方法的概略立体图。图2是概略地示出作为电子部件的表面声波设备的电极结构的平面图，该设备具有按照图1中所示的本发明的较佳实施例的方法调节的频率。
如图1所示，一个离子枪2安排在表面声波设备1的上方。在图1中，概略地示出表面声波设备1，表面声波设备1的电极结构被忽略。
如图2所示，在表面声波设备1中，指状组合型的传感器4安排在压电基片3的上表面3a。叉指式传感器4具有多个电极指状物4a和4b，它们互相成叉指式。
确定指状组合型传感器4的电极最好由合适的导电材料做成，如铝(Al)，或银(Ag)，或其他适用的材料。
在此较佳实施例中，无论是电极指状物4a和4b，或者压电基片3，或者所有这些元件被蚀刻，以调节此表面声波设备1的频率。
如图1所示，表面声波设备1被安排在可移动的平台上，该平台在图中未显示。在此较佳实施例中，该可移动的平台安排成使表面声波设备1能沿在图中所示的箭头X方面和箭头Y方向移动，即沿压电基片3的短边线方向及长边线方向移动。该可移动平台可包括一个用于安装表面声波设备1的平面和一个允许该平台沿X方向和Y方向移动的驱动单元。驱动单元不是指定的，能包括一个马达和联接到马达的合适的联接机构等。
离子枪2能是传统上适用的熟知的离子枪，它能实现用离子束的照射。
在此较佳实施例中，在初始状态该表面声波设备1被安装在可移动平台上，离子枪2被安排在表面声波设备1的上方。用从离子枪2发生的离子束A实现在叉指式传感器4的电极指状物4a和4b，或在压电基片3上，或所有这些元件上的蚀刻，来调节频率。在此情况，最好将一个测量表面声波设备1的特征的测量系统连接到表面声波设备1。然后希望，在测量该表面声波设备1的频率特征的同时从离子枪2发出离子束A。当该离子束发出时，可移动的平台沿X方向和/或Y方向移动。换言之，在沿X方向和/或Y方向移动该表面声波设备1的同时实现离子束A的照射。
因此，在实现离子束照射的表面声波设备1的区域中，离子束强度分布的偏差被极小化，使得蚀刻量均匀。其结果是，防止了由于处理量的非均匀性导致的特征质量恶化，实现了高精确的频率调节。
由于减少处理偏差获得的效果随着表面声波设备1沿X方向和/Y方向移动时所需的距离和速度而变化。此效果可以根据作为调节的目标所需调节该表面声波设备1的频率的量来恰当地设定。
此外，在此较佳实施例中，最好在离子束实现照射时，在叉指式传感器4的电极指状物4a和4b延伸的方向，即X方向上移动此表面声波设备1。换言之，在许多情况，在表面声波设备1中，在电极排状物4a和4b延伸方向上蚀刻量的偏差很大地影响频率特征。在离子束实现照射时在X方向移动表面声波设备1，以此极小化在X方向蚀刻的偏差。若结果是，防止了脉动的产生，使获得更满意的频率特征。这里表明，仅借助于只在一个轴的方向移动此表面声波设备1获得这些优点。因此，该表面声波设备1的移动能容易地控制，使用那样的简化机构能获得很大的优点。
在图1中所示的第一个较佳实施例中，离子枪1以固定方式安排，而且安排在可移动平台上的表面声波设备1沿X方向和Y方向与可移动平台一起移动。但是，如图3所示，在表面声波设备1以固定方式安排以后，离子枪可沿X方向和/Y方向移动。在图3中，双点虚线B到E虚拟地表示了移动离子枪2的位置。
此外，在按照本发明的本较佳实施例的频率调节方法中，在沿着电子部件的电极放置的表面方向移动电子束的同时只需要实现离子束的照射。对移动离子枪2没有特定的限止。例如，如图4所示，离子枪可以那样的方式移动，使离子枪2的照射孔所在的下表面2a围绕该离子枪的轴方向转动。换言之，借助于允许离子枪2如双点虚线F和G所示地移动，离子束A可以沿X方向和/或Y方向移动。
此外，在用离子束A照射实现蚀刻时，可以施加如图5中箭头束可以被电磁场弯曲施加到该表面声波设备1的上表面的电极上。
在上面描述的较佳实施例和修改的例子中，当离子蚀刻在表面滤波设备1的上表面上的电极指状物上实现时，至少表面声波设置1和离子枪2中的一个沿X方向和/或Y方向移动。但是表面声波设备1和离子枪2两者均可移动。此外，移动的方向不限于X方向和/Y方向。换言之，按照放置在一个电子部件表面并经受离子束蚀刻使作出频率调节的电极的配置，移动方向是不限于X方向和Y方向，只要方向在电极放置的表面中的一个方向。
此外，上述较佳实施例和修改的例子描述了实现如图2所示的表面声波设备1的电极指状物4a和4b的部分的离子束蚀刻的方法。但是，按照本发明调节电子部件频率的方法不只仅于表面声波设备的情况。该方法能用于如压电振荡器那样的其他电子部件，其中振荡电极放置于压电基片上，方法也能用于另外的电子部件。
此外，在上述表面声波设备中，叉指式传感器4安排在压电基片上。但是，本发明的“压电基片”不仅包括那样的压电基片，还包括具有放置在那里的压电薄膜的绝缘基片。
虽然已公开了本发明的较佳实施例，实现这里揭示的原则的各种模式包括在下面的权利要求的范围内。但是可以理解，本发明的范围不受权利要求以外的限止。
权利要求
1．一种电子部件的频率调节方法，所述方法包括下述步骤提供将电极设置在其表面上的电子部件；通过将离子束照射在所述电极上来蚀刻放置在所述电子部件表面上的电极；其特征在于，沿着将所述电极设置在其上的所述电子部件表面的至少一个方向，至少移动所述电子部件和所述离子束中的一个，进行所述离子束照射。
2．如权利要求1所述的电子部件的频率调节方法，其特征在于，沿着将所述电极设置在其上的电子部件表面中的多个方向，至少移动所述电子部件和所述离子束中的一个，进行所述离子束照射。
3．如权利要求1所述的电子部件的频率调节方法，其特征在于，沿着将所述电极设置在其上的所述电子部件表面中的至少一个方向，移动所述电子部件和所述离子束中的每一个，进行所述离子束照射。
4．如权利要求1所述的电子部件的频率调节方法，其特征在于，固定所述电子设备，而沿着将所述电极设置在其上的所述电子部件表面中的至少一个方向移动所述离子束，进行所述离子束照射。
5．如权利要求1所述的电子部件的频率调节方法，其特征在于，固定所述离子束，而沿着将所述电极设置在其上的所述电子部件表面中的至少一个方向，移动所述电子部件，进行所述离子束照射。
6．如权利要求1所述的电子部件的频率调节方法，其特征在于，至少一个移动方向是沿着所述电子部件表面的长度尺寸方向。
7．如权利要求1所述的方法，其特征在于，至少一个移动方向是沿着所述电子部件表面的宽度尺寸方向。
8．如权利要求1所述的电子部件的频率调节方法，其特征在于，至少一个移动方向是沿着所述电子部件表面的长度尺寸和宽度尺寸以外的方向。
9．如权利要求1所述的电子部件的频率调节方法，其特征在于，所述的电子部件是表面声波设备。
10．如权利要求9所述的电子部件的频率调节方法，其特征在于，所述的表面声波设备包括压电基片和具有设置在压电基片的表面上的多个电极指状物的叉指式传感器，并且沿着所述电极延伸方向，至少移动所述电子部件和所述离子束中的一个，进行所述离子束照射。
11．如权利要求1所述的电子部件的频率调节方法，其特征在于，所述的电子部件包括一个压电振荡器。
12．如权利要求1所述的电子部件的频率调节方法，其特征在于，通过施加电场或磁场使离子束弯曲，进行所述的离子束照射。
13．一种电子部件的频率调节方法，所述方法包括下述步骤提供将电极设置在其表面上的电子部件；通过将离子束照射在所述电极上来蚀刻放置在所述电子部件表面上的电极；其特征在于，沿着将所述电极设置在其上的所述电子部件表面的长度尺寸或宽度尺寸方向，至少移动所述电子部件和所述离子束中的一个，进行所述离子束照射。
14．如权利要求13所述的电子部件的频率调节方法，其特征在于，沿着将所述电极设置在其上的所述电子部件表面中的至少一个方向，移动所述电子部件和所述离子束中的每一个，进行所述离子束照射。
15．如权利要求13所述的电子部件的频率调节方法，其特征在于，固定所述的电子部件，沿着将所述电极设置在其上的所述电子部件表面上的长度尺寸和宽度尺寸方向，移动离子束，进行所述离子束照射。
16．如权利要求13所述的电子部件的频率调节方法，其特征在于，固定所述离子束，而沿着将所述电极设置在其上的所述电子部件表面的长度尺寸和宽度尺寸方向，移动所述电子部件，进行所述离子束照射。
17．如权利要求13所述的电子部件的频率调节方法，其特征在于，沿着所述电子部件表面的长度尺寸与宽度之外的一个方向，至少移动所述电子部件和所述离子束中的一个，进行所述离子束照射。
18．如权利要求13所述的电子部件的频率调节方法，其特征在于，所述电子部件是表面声波设备。
19．如权利要求18所述的电子部件的频率调节方法，其特征在于，所述表面声波设备包括压电基片和具有设置在压电基片的表面上的多个电极指状物的叉指式传感器，并且沿着所述电极延伸方向，至少移动所述电子部件和所述离子束中的一个，进行所述离子束照射。
20．如权利要求13所述的电子部件的频率调节方法，其特征在于，所述的电子部件包括一个压电振荡器。
21．如权利要求13所述的电子部件的频率调节方法，其特征在于，通过施加电场或磁场使离子束弯曲，进行所述离子束照射。
全文摘要
本发明揭示一种电子部件的频率调节方法,包括通过将离子束照射在电极上蚀刻设置在电子部件表面的电极的步骤。沿着将电极设置在其上的表面的一个方向,至少移动电子部件和离子束中的一个,进行离子束照射。
文档编号H01L41/09GK1319949SQ0111199
公开日2001年10月31日 申请日期2001年3月30日 优先权日2000年3月31日
发明者水田隆史, 川端章一 申请人:株式会社村田制作所